Dioda semiconductoare Este format din dou zone semiconductoare, una de tip p i una de tip n, iar la suprafaa lor

de contact definim jonciunea p-n.

n figur am desenat golurile cu rou , electronii cu albastru, iar zona desenat cu verde este chiar jonciunea. Polarizarea invers a diodei n continuare aplicm pe jonciune un cmp electric e tern cu ! pe catodul diodei i - pe anod. "ioda este polarizat invers, electronii care sunt purttori majoritari #n zona n $desenai cu albastru% sunt atrai de borna !, golurile care sunt purttori majoritari in zona p $desenate cu rou% sunt atrase de borna -, regiunea de trecere desenat cu verde se mrete i prin ea nu vom avea circulaie de purttori majoritari de la zona p la zona n i invers i deci nu circul curent electric prin jonciune.

Polarizarea direct a diodei &nversm acum polii sursei de alimentare aplicnd ! pe zona p i - pe zona n. 'tim c, #n acest caz, dioda conduce i prin ea trece un curent semnificativ format din purttori majoritari $electronii din zona n i golurile din zona p%. (entru ca dioda s conduc, este necesar ca potenialul sursei e terioare s fie mai mare de ),* + pentru ,ermaniu i de ),- + pentru .iliciu pentru ca s fie depit bariera de potenial din zona jonciunii care apare #n mod natural atunci cand am realizat jonciunea p-n, dar nu aplicm nici un cmp electric e terior.

"iodele semiconductoare au marcat cu un cerc catodul, sau zona n, ca #n figura de mai jos/

Caracteristica de transfer a diodei semiconductoare

,raficul din figura de mai sus reprezint caracteristica de transfer a diodei semiconductoare. 0d reprezint tensiune de polarizare direct a diodei iar 0 &1+ este tensiunea invers de polarizare a diodei. n polarizare direct dioda #ncepe s conduc numai dac tensiunea direct aplicat pe ea este mai mare dect valoarea barierei de potenial care este de ),* + la ,e i ),- + la .i. n cazul #n care tensiunea de polarizare invers, 0&1+, aplicat diodei depete valoarea tensiunii de strpungere invers, dioda va conduce din nou. 2cest mod de lucru al diodei este #ns periculos i poate conduce la distrugerea diodei, dac nu limitm curentul invers prin diod cu rezistene e terioare. 3enomenul de strpungere al jonciunii p-n #n polarizare invers este numit/ - efect 4ener, dac valoarea tensiunii inverse de strpungere este mai mic de 5+6 - efect de avalan, dac valoarea tensiunii inverse de strpungere este mai mare de 5+6

"ioda semiconductoare este foarte folosit #n schemele electronice de amplificatoare, oscilatoare, circuite de detecie i modulaie dar i #n alimentatoare ca diod redresoare. 2.3.1. DIODE REDRESOARE

Simbolul diodei redresoare .imbolul utilizat pentru dioda redresoare este semnul general al diodei semiconductoare. .imbolul sugereaz c dispozitivul conduce #ntr-un singur sens, cel direct $de la 2 la 7%, care este indicat de sageat. 2ceast proprietate, de conducie unidirecional, este fundamental pentru dioda redresoare. 8 dioda redresoare ideal ar trebui s posede o caracteristic static de forma celei din figura de mai jos, adic dispozitivul s se comporte ca un scurtcircuit $rezisten nul% #n sens direct i ca un #ntreruptor deschis $rezistent infinit% #n sens invers. IA

VA 0 Caracteristica static a diodei ideale n sens direct, curentul prin diod apare, practic, numai de la o anumit tensiune aplicat, numit tensiune de deschidere, + " $sau de prag +(%, cu valori de ),* 9 ),: + la ,e i ),- 9 ),; + la .i. "in acest punct de vedere, dioda redresoare cu ,e este mai avantajoas, randamentul de redresare fiind mai bun.

Redresorul monofazat monoalternan !

.chema electric<

3orma de und< 3uncionarea are loc astfel/ la aplicarea unei tensiuni alternative #n primar, ia natere #n secundar tot o tensiune alternativ<, ce se aplic< pe anodul diodei, dioda conduce, #n circuit apare un curent proporional cu tensiunea aplicat<, deci avnd aceai form< cu ea. (e durata alternanelor negative, dioda este blocat< i curentul prin circuit este nul. 7urentul prin sarcin< circul< deci #ntr-un singur sens, sub forma unor alternane $curent pulsatoriu%.

"I#$RE C% CO&DE&SA$OR n acest caz, se monteaz un condensator #n paralel cu rezistena de sarcin<. 7ondensatorul are tendina de a se opune variaiilor de tensiune, deci tensiunea de la bornele sale, care este i tensiunea de sarcin<, are tendina de a se menine constant<. 7ondensatorul se #ncrc< pn< la valoarea de vrf a tensiunii redresate i se descrca prin rezistenta de sarcin< #ntre intervalele de conducie ale diodei. ncrcarea condensatorului se face rapid, prin circuitul alctuit din rezistena de conducie a diodei i cea a #nf<ur<rii transformatorului, deci cu o constant< de timp mic<. "esc<rcarea se face lent, prin rezistenta de sarcin< de valoare mare. n consecin<, tensiunea pe sarcin< se apropie de o valoare constant<. 0n dezavantaj #l poate constitui valoarea mare a curentului prin dioda, ce se reprezint #n acest caz sub forma unor impulsuri de durat< mai mic< dect amplitudine relativ mare, ce pot duce, #n anumite cazuri, la distrugerea diodei.
.7=E>2 E?E7@A&7B

T i de 2

38A>2 "E 01"B

DIODA 'E&ER

Efectul de strpungere al jonciunii p-n polarizat invers este folosit #n special #n cazul diodei 4ener care este #n aa fel construit #nct prin ea s circule un curent invers de valoare semnificativ. 0n rezistor trebuie conectat #ntotdeauna #n serie cu dioda 4ener pentru a preveni distrugerea ei ca urmare a creterii e cesive a curentului invers prin ea. "ioda 4ener stabilizeaz tensiunea continu aplicat la circuitul de intrare la o valoare corespunztoare valorii de strpungere la care lucreaz. "e e emplu dioda marcat 5+- va stabiliza tensiunea continu #n circuitul de ieire la o valoare de 5,- +. "ioda 4ener reprezint cel mai simplu circuit de stabilizare a tensiunii continue/ stabilizatorul parametric cu dioda 4ener pe care #l vom prezenta #n continuare.

@ensiunea continu nestabilizat are o variaie cuprins #ntre C i D* +. Aezistorul A. limiteaz curentul prin dioda 4ener #n scopul prevenirii distrugerii acesteia. Aezistorul A. i dioda 4ener formeaz un circuit serie. .e observ c tensiunea de intrare este suma dintre tensiunea pe dioda 4ener i tensiunea pe A .. "ac presupunem c tensiunea continu de intrare este de D* + atunci cderea de tensiune pe rezistena A. va fi 0AsE D* + 9 5.- + E -.F +. .e tie c prin dioda 4ener curentul invers este apro imatv egal cu din valoarea ma im a curentului absorbit de rezistena de sarcin.A sarcin care are valoarea de D)) m2. Aezult c prin dioda 4ener vom avea un curent invers de apro imativ D) m2. "ioda 4ener i rezistena de sarcin Asarcin sunt conectate #n paralel astfel #nct suma curenilor de pe cele dou ramuri este chiar curentul care circul prin rezistena A .. &AsE &Asarcin ! &4 E D)) m2 ! D) m2 E DD) m2. @ensiunea pe A. este 0As E D* + 9 04 E D* + 9 5.- + E -.F + $+oli%. 0nde/ D* + este tensiunea continu ma im de intrare 5.- + este tensiunea pe dioda 4ener 2cum putem aplica legea lui 8hms pentru a calcula valoarea rezistenei A . U 6.4V RS = Rs = = 0.058K = 58 I Rs 110mA 2cum putem calcula i puterea pe rezistena A .
PRs = U Rs I Rs = 6.4V 110mA = 0.704W

2cesta este cel mai simplu stabilizator de tensiune/ stabilizatorul parametric cu dioda 4ener.

2lte tipuri de diode/ dioda varactor sau varicap, ?E" 9ul $?ight Emitting "iode 9 dioda electrol-luminiscent%, dioda @unel, dioda cu contact punctiform, dioda (inn, etc.

3&'2 "E 781.(E7@ * $RA&'IS$OR%# (IPO#AR ?a modul cel mai simplu, tranzistorul bipor poate fi privit ca dou diode semiconductoare legate #n serie.

n partea de jos avem o zon de semiconductor de tip n cu un contact metalic, care reprezint Emitorul. "easupra acesteia e ist o zon semiconductoare foarte subire de tip p, la care se conecteaz un electrod metalic, numit Gaz. 2pare astfel prima jonciune p-n. 2 doua zon de tip n cu un contact metalic reprezint 7olectorul i, #mpreun cu zona n a Gazei, formeaz a doua jonciune p-n. Aezult #n final tranzistorul npn.

2cest tranzistor bipolar are urmtoarele caracteristici constructive/ regiunea Gazei este foarte subire i slab dopat6 regiunea Emitorului este puternic dopat6 Aegiunea 7olectorului este mare i de obicei este conectat la capsula metalic pentru disiparea uoar a cldurii "up cum se poate vedea jonciunea Emitor-Gaz este polarizat direct iar jonciunea 7olector-Gaz este polarizat invers. Emitorul puternic dopat va emite spre regiunea Gazei purttori majoritari, electronii care vor penetra adanc #n Gaz deoarece aceasta este foarte subire i slab dopat. 8 mic parte din aceti electroni se vor recombina cu golurile majoritare din baz. 7eilali electroni care au ajuns #n Gaz devin aici purttori minoritari pentru jonciunea 7olector-Gaz polarizat invers i ei vor fi antrenai spre 7olector datorit tensiunii 0cc de valoare mare care polarizeaz invers jonciunea 7olectorului. (utem spune c suprafaa mare a 7olectorului va HcolectaI

electronii care vin din Gaz. .e poate observa c are loc un transfer al electronilor majoritari din Emitor #n Gaz datorit polarizrii directe a jonciunii p-n. 2ceti electroni care vin din Emitor devin #n Gaz purttori minoritari i sunt antrenai spre 7olector datorit tensiunii inverse aplicate pe 7olector. 2stfel electronii minoritari din Gaz sunt trasferai #n 7olector unde devin din nou purttori majoritari asigurnd asfel un curent mare de 7olector. 2cest efect se numete efect de transistor $ transfer resistor% de unde i denumirea de transistor. "ou diode montate in opoziie $de fapt transistorul este format din : regiuni n, p, n sau altfel spus din dou jonciuno p-n%care #n mod normal nu funcioneaz #n aceast cone iune. ,raie efectului de transistor descris anterior funcionarea transistorului bipolar devin posibil. 7el mai important aspect al funcionrii transistorului bipolar este faptul c printrun curent mic de Gaz putem controla un curent mare de colector. (utem folosi aici analogia cu robinetul care s ajute mai mult la inelegerea fenomenului din transistorul bipolar. 2pa potabil de la sistemul de canalizare din oras are un debit i o presiune de valori ridicate la fel cum valoarea curentului de 7olector este mult mai mare decat curentul de Gaz. "ebitul prin robinet este controlat de o for foarte mic, generat mecanic de mna noastr prin #nvrtirea acestuia. ?a fel se petrece i #n cazul transistorului bipolar unde printr-un curent mic de Gaz putem controla un curent mare de colector. "in tot ceea ce am artat pn acum rezult c tranzistorul se comport ca un amplificator de curent cu factorul de amplificare direct in curent J care este definit #n curent continuu ca raportul dintre curentul de 7olector i curentul de Emitor. JE
IC .. "e aici rezult c IB

IC) *+I(

@eoretic J ia valori cuprinse #ntre DK i FKK dar practic el are valori cuprinse #ntre 5) i *)). 7ellalt tip de transistor bipolar este cel de tipul pnp ca #n figura de mai jos /

,E&ERA#I$-.I. S$R%C$%RA $RA&'IS$OR%#%I (IPO#AR Tranzistoarele bipolare $@G% sunt dispozitive semiconductoare alctuite dintr-o succesiune de trei regiuni realizate prin impurificarea aceluiai cristal semiconductor, regiunea central fiind mult mai #ngust i de tip diferit fa de regiunile laterale. Aegiunea centrala este mult mai slab dotat cu impuriti dect celelalte regiuni i se numete baza $G%. 0na dintre regiunile laterale, puternic dotat cu impuriti, se numete emitor L, iar cealalt, mai srac #n impuriti dect emitorul, se numete colector $7%. Aegiunile @G formeaz cele doua jonciuni ale acestuia. n figura D sunt reprezentate cele dou structuri ale @G i simbolurile acestora. E p B n C p E n B p C n

B a b

3ig. D. .tructura i simbolul @G de tip / a% pnp 6 b% npn

.tructurile din fig.D. ale celor dou tipuri de @G reprezint modelele structurale unidimensionale ale acestora. "enumirile regiunilor e treme sunt corelate cu funciile lor. E este sursa de purttori, care determin #n general curentul prin tranzistor, iar 7 colecteaz purttorii ajuni aici. G are rolul de a controla $modifica% intensitatea curentului prin tranzistor #n funcie de tensiunea dintre G si E. @ranzistorul transfer curentul din circuitul de intrare de rezisten mic #n circuitul de ieire de rezisten mare, de unde i denumirea de tranzistor $$RA&SIS$OR E $RA&.3EA AESIS$OR%. 7e dou jonciuni ale tranzistorului sunt / 9 jonciunea de emitor sau / 9 emitor-baza $EG% pentru @G pnp 6 9 baza-emitor $GE% pentru @G npn 6 9 jonciunea de colector sau / 9 colector-baza $7G% pentru @G pnp 6 9 baza-colector $G7% pentru @G npn. @G este un dispozitiv activ care are ca funcie de baz pe cea de amplificare. (roprietatea de amplificare a @G se datorete aa-numitului efect de tranzistor. (entru @G se pot defini trei cureni i trei tensiuni, aa cum sunt prezentate #n fig. *.

Ie
w

VCE

VCE

ic
Ib

C VCB

ie
Ib

ic
VCB B b

VEB

VEB

B a

3ig.*. >rimile la borne ale @G/ a% pnp6 b% npn @ensiunile sunt legate prin relaia/ v 7G E v7E ! vEG, $D% iar curentii prin relatia/ i E E i7 ! iG. $*% (entru a obine relatia $*%, @G este asimilat cu un nod #n care suma algebric a curenilor este zero. 7a urmare a relatiilor $D% si $*%, numai dou tensiuni i doi cureni sunt mrimi independente. 2legerea mrimilor electrice care descriu comportarea tranzistorului se poate face #n moduri diferite. 7riteriul este urmatorul/ se consider tranzistorul ca un diport $un bloc cu dou borne ce formeaz poarta de intrare i alte dou borne ce formeaz poarta de ieire%. "eoarece tranzistorul are doar trei borne $terminale%, una dintre ele trebuie s fie comun intrrii i ieirii. Gorna comun definete cone iunea tranzistorului. CO&E/I%&I "%&DA0E&$A#E A#E $RA&'IS$OR%#%I (IPO#AR 2a cum am mai spus, @G trebuie tratat ca un diport $cuadripol%, dar avnd doar trei borne, una dintre ele va fi comun circuitelor de intrare i ieire. @G are trei noduri de conectare fundamentale / 9 cone iunea G7 $cu baza comuna% $fig. :, a% 6 9 cone iunea E7 $cu emitorul comun% $fig. :, b% 6 9 cone iunea 77 $cu colectorul comun% $fig. :,c%

I +
EE

pnp
E

I +

V
BB

EB

IV
B

CC

I + EE

npn

I +
-

CB

EB

IV
B

CC

CB

pnp
B

I I V V IV V b V V IV V
C C

npn
B
EB E

EB E

CE

CC

BB

CE

CC

pnp
I
V
B
CB

IE

npn
I
V
+ EE c

CE

+ CC

CB CC

I V
+ -

CE

EE

3ig. :. 7one iunile fundamentale ale @G/ a% cone iunea G76 b% cone iunea E76 c% cone iunea 77 1.c. Re1imurile de func ionare ale tranzistoarelor "up felul polarizrii aplicate celor dou jonciuni ale unui tranzistor, se pot deosebi patru regimuri de funcionare/ regim activ normal/ regim de saturaie - jonciunea emitorului polarizat direct6 - jonciunea colectorului polarizat invers6 - jonciunea emitorului polarizat direct6 - jonciunea colectorului polarizat direct6 - jonciunea emitorului polarizat invers6 - jonciunea colectorului polarizat invers6 - jonciunea emitorului polarizat invers6 - jonciunea colectorului polarizat direct6

regim de tiere regim activ invers

Re1im activ normal a fost prezentat pn acum. Re1im de satura ie. 2mbele jonciuni sunt polarizate direct. (e tranzistor sursele sunt montate #n opoziie, avnd valori apropiate. @ensiunea rezultant colector-emitor va fi/
U CE = U CB U EB

+aloarea U CE de saturaie este de valoare mic, apro imativ de ),* 9 ),: +. 7urentul ce trece prin tranzistor are valori relativ mari, dar mai mici dect #n cazul regimului activ normal6 aceasta deoarece, prin jonciunea colectorului, trec #n sens contrar att curentul de goluri al emitorului, ct i curentul de difuziune dat de golurile majoritare ale colectorului dirijate spre baz. 7urentul rezultat, de saturaie este egal cu diferena celor doi cureni. Re1imul de tiere 2de 3locare4 se caracterizeaz prin faptul c, ambele jonciuni fiind polarizate invers, curenii care circul prin tranzistor sunt cureni reziduali de valoare mic. 7nd tranzistorul se afl #n acest regim, tensiunea la bornele sale este foarte mare, deci i rezistena sa echivalent este foarte mare. n acest regim el se comport ca un comutator ce #ntrerupe circuitul, un comutator deschis. Re1im activ invers. n acest caz emitorul joac rolul colectorului, iar colectorul pe cel al emitorului. Monciunea colectorului fiind polarizat direct, colectorul injecteaz goluri #n baz iar emitorul, a crui jonciune este polarizat invers, le colecteaz. n acest regim tranzistoarele sunt folosite forte rar, deoarece coeficientul de amplificare #n curent este mai mic ca #n regim activ normal. n adevr, tehnologic suprafaa colectorului se face mai mare dect a emitorului, tocmai pentru a #mbunti procesul de captare. n situaia invers, electrodul care capteaz $emitorul% are o suprafa mai mic dect cel ce injecteaz $colectorul%, deci amplificarea #n curent este mai sczut. .e utilizeaz cteodat #n regim de comutaie.

CARAC$ERIS$ICI#E S$A$ICE A#E $RA&'IS$OR%#%I (IPO#AR (entru calcule practice ale circuitelor cu tranzistoare se utilizeaz caracteristicile statice ridicate e perimental. E ist trei tipuri de caracteristici #n @G/ a. caracteristicile de intrare care coreleaz dou mrimi de intrare, parametru fiind o mrime de ieire6 b. caracteristicile de transfer care coreleaz o mrime de ieire cu una de intrare, ca parametru putnd fi, #n principiu, oricare alt mrime6 c. caracteristicile de ieire care coreleaz dou mrimi de ieire, parametru fiind o mrime de intrare. ntruct caracteristicile statice depind de tipul schemei de conectare, #n cele ce urmeaz le prezentm pe cele corespunztoare cone iunii E7. Caracteristicile statice ale tranzistoarelor 3i5olare 6n cone7iunea EC +om considera cazul unui @G npn de mic putere. n schema E7, tensiunile au ca nivel de referin potenialul emitorului. 7a mrimi de intrare avem/ + GE E 9+EG si &G, iar ca mrimi de ieire pe +7E i &7. a% Caracteristici de intrare 7onsiderm caracteristica &G E &G$+GE% cu +7E E ct. n figur sunt reprezentate caracteristicile de intrare tipice pentru un @G cu .i. 3ig. F 7aracteristica static de intrare &G E &G$+GE% cu +7E E ct. $cone iune E7% E aminnd caracteristicile, observm c dac plecm de la +GE E ) i, mrind valoarea acestei tensiuni, curentul & G este practic nul pn la o anumit valoare + GE" E $+GE,on E +N % numit tensiune de deschidere sau de prag. n jurul acestei valori curentul crete e ponenial cu + GE, dup care variaia acestuia poate fi considerat practic liniar. .e definete rezistena diferenial de intrare a tranzistorului n montaj EC cu relaia/
BE 0 BE

I [A] V = 0V
B
CC

V
r

CC

> 0.1V

V V

[V ]

in , EC

d V BE dI B V CE ct

$:*%

@rebuie remarcat c @G #n montaj E7, datorit variaiilor mici al lui & G, posed o rezisten diferenial de intrare de valoare mare $mii de O %, spre deosebire de cazul montajului G7, pentru care Ain,G7 are o valoare foarte mic $zeci de O%.

b% Caracteristici de transfer

7onsiderm caracteristica &7 E &7$&G% pentru +7E E ct. $fig.5 %.

] I [ mAV
C

CE

= 10V

CE

= 5V

C1

B1

I [ A]
B

3ig. 5 7aracteristica de transfer $cone iune E7% &7 E &7$&G% pentru +7E E ct. n regiunea valorilor medii ale curentilor dependenta e perimentala & 7 E &7$&G% este cvasiliniara, astfel #nct #n zona acestor cureni constant. Caracteristici de ieire n figura - este reprezentat familia caracteristicilor e perimentale de ieire & 7 E &7$+7E% cu &G E ct., caracteristice pentru un tranzistor npn.

I = C1 F I B1

$::%

poate fi considerat

[mA]

Regi ne !e 'a" $a(ie

Regi ne ac"i)e n*$+a,a

50 A 40 A %0 A 20A 10 A

20 10 Regi ne !e "#ie$e
CE

=0
CC

[V ]
7aracteristica &G E ) nu este, de fapt, limita regiunii de tiere. (entru a bloca tranzistorul este necesar blocarea jonciunii emitorului. n acest caz, pentru @G &7 este egal cu &7E). 3uncionarea @G #n regim de saturaie este #ntlnit frecvent #n circuitele digitale, deoarece #n aceast regiune se asigur o

, sat = 0,05 & 0,%V

tensiune de ieire bine specificat, care reprezint o stare logic. n circuitele analogice se evit #n mod uzual regiunea de saturaie, deoarece factorul de amplificare al @G este foarte mic.

3ig. -. 7aracteristicile de ieire &7 E &7$+7E% cu &G E ct.

24 $ensiuni ti5ice 5e 8onctiunile tranzistorului 7onsiderm caracteristica de transfer &7 E &7$+GE% pentru tranzistorul npn cu ,e, respectiv cu .i $fig. ;%. @abelul D. +alori tipice ale tensiunilor pe joncunile tranzistorului npn @ensiune P+Q +7E,sat @ip tranzistor .i ,e ),* ),D

+GE,sat E + ),C ),:

+GE,reg.activ ),; ),*

+GE" $+ % ),5 ),D

+GE,taiere ),) 9 ),D

I =I I =I Ba2a in I =I g*,
C CBS C C CB

IC IC 0ba2a in g*,1

CB 0

I =I
C

CES

CBE

-0.1

V = 0.1 Reg V

= 0 .%

VBE [V]
-0.% -0.2 0.7 0.8 -0.1 0 0.06 0.1 0.2 0.% 0.4 0.5 0.6

ac"i) B,*ca$ e .e'c/i!e$e 0p$ag1

VBE[V] -a" $a"i e

V V
Reg. ac"i)a

B,*ca$e -a" $a" ie

3ig. ;. +alori tipice ale tensiunilor pe joncunile tranzistorului npn 0%#$IP#ICAREA 9& A:A#A&.- #A ;O&C.I%&EA CO#EC$OR%#%I

7aracteristicile electrice ale tranzistoarelor sunt afectate de fenomenul de multiplicare #n avalan a purttorilor de sarcin. 2cest fenomen este provocat de cmpul electric intens din regiunea de sarcin spaial. @ensiunile mai apar, de regul, pe jonciunea colectorului i aici apare multiplicarea curentului iniial cu un factor/

M=

1 1

colectorului.

V CB V

$:F% /unde +a este tensiunea de strpungere a jonciunii

<.=. PO#ARI'AREA $RA&'IS$OR%#%I 9&$R>%& P%&C$ DA$ DE "%&C.IO&ARE? 9& RE,I%&EA AC$I:- &OR0A#7a i #n cazul tuburilor electronice, circuitele de polarizare au rolul de a plasa funcionarea tranzistorului #n (.3 ales #n cadrul regiunii permise de pe caracteristicile statice ale @G. 7onsiderm cazul @G #n cone iune E7. Punctul static de funcionare $(.3% se gaseste la intersectia unei caracteristici &7 E &7$+7E% pentru o anumita valoare &G cu dreapta de sarcin static. (.3 al @G trebuie s fie situat #n regiunea permis $fig. C%, delimitat de urmtoarele curbe/ IC &7ma
Aegiune .aturaie =iperbola de disipaie ma im

Aegiune permis

&7min +7Emin a. b. c. d. 3igura C

Aegiune @iere

+7E +7Ema

dreapta &7 E &7ma pentru a feri @G de distrugerea jonciunilor6 hiperbola de disipaie ma im corespunztoare puterii ma ime admisibile6 dreapta +7E E +7ema pentru a nu aprea fenomenul de strpungere a @G6 dreapta &7 E &7min pentru meninerea jonciunii emitorului polarizat direct i #n prezena semnalului6 &7min este situat #n regiunea activ a caracteristicilor6 e. dreapta +7E E +7emin E +7,sat6 pentru ca tranzistorul s nu intre #n regim de saturaie este necesar ca +7E s fie mai mare dect tensiunea corespunztoare acestui regim. >eninerea unei funcionri liniare a @G este legat de fi area (.3 #n regiunea liniar a caracteristicilor statice. (.3 se fi eaz pe dreapta de sarcin astfel #nct, #n regim

dinamic, #n funcie de amplitudinea semnalului care se aplic la intrare, tranzistorul s nu intre nici #n blocare nici #n saturaie $fig. K%. Ecuatia dreptei de sarcin static $pentru schemele din fig.D)% este/ VCC !C"#C $ #E% $ VCE, $:5% obtinu dac se consider &7 E &E.

IC IC +a4

ib

I
0

"

b
ic

V R+R
CC c

ib 5IB
32 30 31
0

Ic
"

IC0

VCE +in VCE0 Vce

0

VCC

VCE +a4

VCE

"

3ig. K. .tabilirea (.3 pentru @G n practic e ist trei tipuri fundamentale de reele care asigur polarizarea @G $fig.D)%. +VCC R1 A R2 B RC 6 RB RE a VBB i
B

+VCC RC VB
E

+VCC RB RC 6 RE c

6 IE R E

3ig. D). 7ircuite de polarizare pentru @G

2plicnd teorema lui @hRvenin la stnga punctelor 2G $fig. D), a% obtinem un circuit de forma celui din fig. D), b, unde

= B

RR R+R
1 2 1

, 0%61
2

= BB

V CC + R1 R2
2

, 0%71 ,

Aezistenele AD si A* pot fi alese de valoare suficient de mic pentru ca A G s satisfac condiia $J3 ! D% AE SS AG. $:C% .atisfacerea condiiei $:C% determin ca reacia negativ introdus de A E, s duc la micorarea dependenei lui &7 de J3, care depinde puternic de temperatur. 7onsiderm schema din figuraDF, b. 7onform teoremei a &&-a a lui Tirchhoff vom avea/ +GG E AG&G ! +GE ! AE&E $.:C, a% 'tim c &7 E J3&G ! &7E). n regim uzual J3&E SS &7E), deci frecvent se folosete relaia &7 E J3 &G. $:C, b% "in $:C, a% i $:C, b% rezult &E E J3&G ! &G E $J3! D%&G, +GG E AG&G ! +GE ! AE$J3! D%&G E +GE ! PAG ! $J3! D%AEQ&G,

IB=

V V R + 0 + 11 R
BB BE B F

0%8, c1
E

"in $:C, b% i $:C, c% rezult I C = I B F

0V V 1 R + 0 + 11 R
F BB BE B F

, 0%8.d 1

7onform lui $:C, d% se observa ca cresterea lui J 3 determina att o crestere a numaratorului ct si a numitorului. & 7 devine independent de J 3 doar cnd acesta tinde la infinit. "aca +GG este egal cu +77 se obtine schema din figura D), c n figura DF.a avem schema de polarizare uzual a tranzistorului bipolar. (entru a calcula valorile punctului static de funcionare & 7 , 07E , apo imnd &EE&7, i 0GE E).+, se procedeaz #n felul urmtor/ 2plic teorema lui Tirchhoff && pe ochiul de reea care cuprinde jonciunea Gaz 9 Emitor. 7alculm #n prealabil tensiunea #ntre punctele 2, G aplicnd teorema lui @hevenin/

U
&E E

BB

R+R
1

2 2

CC

0GE 9 0GG ! &EUAEE)

U BB U BE 6 dar &E E &7 RE

2plic teorema lui Tirchhoff && pe ochiul de reea care cuprinde jonciunea 7olector9Emitor pentru a calcula 07E/ 07E ! &7U$A7 ! AE% E 077 07E E 077 9 &7U$A7 ! AE% Aezult #n felul acesta valorile pentru punctul static de funcionare & 7, 07E.

Am5lificator cu transistor 3i5olar

"orma de unda

"ac modificm valorile generatorului de semnal + 2>(?E5)m+ i frecvena 3reVE:T=z rezult urmtoarea form de und/