Etaje de amplificare cu TEC-J şi TEC MOS

Tranzistorul cu efect de câmp (TEC) este un tranzistor unipolar pentru că în

interiorul lui conducţia electrică este asigurată de un canal semiconductor cu un singur tip
de purtători de sarcină: fie electronii, fie golurile. Se numesc “cu efect de câmp” deoarece
intensitatea curentului între două terminale este controlată de potenţialul câmpului electric
generat de un al treilea terminal. De aceea tranzistorul cu efect de câmp este un element
activ comandat în tensiune. Există mai multe tipuri de tranzistori cu efect de câmp.

Figură 1. Clasificarea TEC

Modul normal de funcţionare a unui TECJ este

cu poarta polarizată invers faţă de sursă şi drenă. Pentru
o diferenţă de potenţial fixă între drenă şi sursă, cu cât
este mai mare polarizarea inversă poartă-sursă cu atât
regiunea sărăcită este mai mare, canalul este mai îngust
Figură 2. TECJ n polarizare
şi curentul de drenă este mai mic.
Dependenţa curentului de drenă de tensiunea dintre poartă şi sursă este prezentată în
următoarea figură 3.a. Ea este şi caracteristica de transfer a tranzistorului, mărimea de
intrare fiind tensiunea UGS, iar cea de ieşire fiind curentul care circulă prin canal, ID.

Figură 3. Familii de caracteristici statice

 Intensitatea curentului care circulă prin canal poate fi controlată şi de diferenţa de
potenţial dintre drenă şi sursă. Caracteristica ID=ID(UDS) este prezentată în fig.3.b.
Analizând o singură caracteristică, pentru o valoare dată a tensiunii UGS, se poate observa
că la valori mici ale tensiunii UDS tranzistorul se comportă ca o rezistenţă ohmică. La
tensiuni UDS mai mari se constată o limitare a curentului de drenă, el rămânând aproape
constant pe o plajă largă a tensiunii UDS. La tensiuni de polarizare a canalului mai mari,
poate avea loc străpungerea lui datorită multiplicării în avalanşă a purtătorilor de sarcină.
Forma canalului, şi implicit intensitatea curentului prin el, pot fi controlate şi cu
ajutorul tensiunii UGS. Crescând tensiunea de negativare UGS a porţii, curentul de drenă
descreşte şi, pentru o valoare suficient de mare a acesteia, se produce întreruperea
canalului şi blocarea tranzistorului. Această tensiune se numeşte tensiune de blocare sau
de tăiere UT. Făcând legătura dintre o mărime de intrare şi una de ieşire, ea reprezintă şi
caracteristica de transfer a tranzistorului, având expresia analitică:
2
U GS
(
I D =I DSS 1−
UT )
unde IDSS este curentul de drenă de saturaţie pentru UGS = 0 şi UDSsat = UDSS= -UT.
Pe lângă tensiunea de blocare se mai definesc alţi doi parametri ai tranzistorului cu
efect de câmp, parametri necesari în proiectarea circuitelor electronice (amplificatoare,
oscilatoare etc.): panta de semnal mic (transconductanţa) şi rezistenţa de ieşire (sau
rezistenţa de drenă) în vecinătatea punctului static de funcţionare, definite de relaţiile:

în care ΔUDS, ΔUGS şi ΔID se calculează conform fig. 3.a.

Din modul de funcţionare al TECJ şi din familiile de caracteristici statice putem
observa existenţa a trei regiuni de lucru posibile:
 regiunea liniară din vecinătatea originii în care rezistenţa canalului este constantă.
De regulă, acest lucru se petrece la tensiuni drenă-sursă mai mici de 0,5V.
 regiunea de saturaţie în care curentul de drenă creşte f.puţin la valori UDS >UDSsat.
 regiunea de străpungere în care are loc multiplicarea în avalanşă a purtătorilor de
sarcină, creşterea ID fiind limitată doar de rezistenţa din circuitul de polarizare.
Precizări:
 Deoarece joncţiunea este polarizată invers curentul de poartă este foarte mic ( IG ≈
nA ) şi rezistenţa de intrare a tranzistorului este foarte mare ( rgs ≅ 1011 − 1015Ω).
 în regim de funcţionare normal joncţiunea este polarizată invers. Tranzistorul poate
lucra şi cu joncţiunea polarizată direct dar nu la tensiuni UGS > 0,5V. Dacă nu se
respectă această condiţie tranzistorul se va distruge.

Regimul dinamic al tranzistorului cu efect de câmp

Pentru analiza comportării TEC în regim de variaţii (semnal mic) considerăm spre
exemplificare un TECJ-n, conexiune sursă comună. Dacă la intrare se aplică un semnal
variabil cu amplitudine mică, peste regimul static de funcţionare definit de valorile UGSo,
UDSo şi IDo se suprapune regimul dinamic.

Figură 4

Curentul variabil de drenă va depinde atât de de tensiunea dintre poartă şi sursă, cât
şi de tensiunea dintre drenă şi sursă: i d =i d (u gs , uds )
Variaţia lui poate fi scrisă sub forma:
∂ id ∂i
Δi d = Δu gs + d Δuds
∂u gs ∂u ds

Pe baza acestei ecuaţii se definesc parametrii de semnal mic ai TEC.

∂ id
gm = |
∂ u gs Δ uds=0
- panta de semnal mic;

1 ∂ id
=
r d ∂ uds | Δ ugs=0
- conductanţa canalului (rd este rezistenţa canalului);

∂ uds
μ=g m r d=
∂ ugs |
Δid =const
- factorul de amplificare în tensiune în regim dinamic.
 1
Pe baza ecuaţiei Δi d =gm Δ u gs+ r Δ u ds, poate fi construită schema echivalentă la
d

variaţii a TEC:

Figură 5.

Intrare tranzistorul se comportă ca o rezistenţă infinită (reprezentată punctat).

Ieşirea, se comportă ca o sursă reală de curent cu rezistenţa internă rd.
O altă reprezentare a ecuaţiei este μ ∆ u gs=r d Δi d −∆u ds, urmată de altă schemă:

Figură 6

Din punct de vedere al ieşirii, tranzistorul se comportă ca o sursă reală de tensiune

cu rezistenţa internă rd. Care dintre cele două reprezentări ale tranzistorului cu efect de
câmp, sursă de curent sau sursă de tensiune, este folosită în realizarea schemelor
echivalente ale unor circuite complexe, depinde de situaţia concretă a cazului studiat.