Definiţia diodei

Dioda este un dispozitiv electronic ce permite trecerea curentului doar

într-o singură direcţie. Cea mai folosită diodă în circuitele electronice
este cea semiconductoare, deşi există şi alte tehnologii.
Simbolul diodei
Simbolul diodelor semiconductoare este prezentat în următoarea figură;
săgeţile indică deplasarea reală a electronilor prin diodă.

Conectarea în circuit

La conectarea într-un circuit simplu, format dintr-o baterie şi o lampă,

dioda fie va permite trecerea curentului spre lampă, fie o va bloca, în
funcţie de polaritatea tensiunii aplicate.
Polarizarea directă
Atunci când polaritatea bateriei este astfel încât este permisă trecerea
electronilor prin diodă, spunem că dioda este polarizată direct.
Polarizarea inversă
Invers, când trecerea electronilor este blocată datorită inversării bateriei,
spunem că dioda este polarizată invers.
Putem să ne gândim la diodă ca la un întrerupător: „închisă”, când este
polarizată şi „deschisă” când este polarizată invers.
Consideraţii teoretice
Diodele semiconductoare sunt dispozitive electronice formate dintr-o
joncţiune pn, două contacte metal semiconductor închise ermetic într-o
capsulă metalică sau din material plastic prevăzută cu două terminale.
Terminalul corespunzător regiunii de tip p se numeşte anod (A), iar cel
corespunzător regiunii de tip n se numeşte catod (K). Diodele se
folosesc ca elemente fizice de circuit asigurând o conducţie
unidirecţională.
Regimul de conducţie are loc doar atunci când dioda este polarizată
direct (+ pe anod şi – pe catod). Caracteristica unei diode
semiconductoare este prezentată în fig.1.1.

Se disting trei zone de funcționare ale diodei:

I – zona de conducție directă

unde: n – coeficient între 1÷2

UT = tensiune termică
Is – curentul de saturație a joncțiunii
UT – are valoarea de 25 mV la T = 300°K
II – zona de blocare corespunzătoare polarizării inverse a diodei
Is – depinde de concentrația purtătorilor minoritari la echilibru care
depind de materialul utilizat și de tehnologia de realizare. Curentul tipic
de saturație al joncțiunii pentru diodele cu siliciu este Is ≈ 10-9 A.
III – zona de străpungere
Prin multiplicarea în avalanșă curentul crește foarte mult iar tensiunea
rămâne practic constantă, efect folosit la realizarea diodelor Zener.
Un alt parametru care caracterizează diodele semiconductoare este
rezistența diferențială.

unde ID este curentul corespunzător punctului static de funcționare.

Simbolul, schema echivalentă de curent continuu și caracteristica statică
a unei diode redresoare sunt prezentate în fig.1.2 a,b,c.

Datele de catalog cele mai importante pentru o diodă redresoare sunt:

I0 – curentul mediu redresat
VRM – tensiunea directă maximă admisă
VBR – tensiunea inversă de străpungere
VRM = (0,5÷0,8)VBR
Dioda precum o supapă de închidere (analogie)
Comportamentul diodei este analog comportamentului dispozitivului
hidraulic denumit supapă de închidere. O supapă de închidere permite
trecerea fluidului doar într-o singură direcţie.
Supapele de închidere sunt de fapt dispozitive controlate cu ajutorul
presiunii: acestea se deschid şi permit trecerea fluidului dacă
„polaritatea” presiunii pe suprafaţă lor este corectă. Dacă „polaritatea”
presiunii este de sens contrar, diferenţa de presiune pe suprafaţa valvei
va duce la închiderea acesteia, iar curgerea fluidului nu mai este
posibilă. Acelaşi lucru este valabil şi în cazul diodelor, doar ca în acest
caz presiunea este reprezentată de tensiune.
Explicaţie

Să reluăm circuitul de mai sus, dar folosind de această dată un aparat de

măsură pentru determinarea căderilor de tensiune pe diferite
componente ale circuitului.
O diodă polarizată direct conduce curent şi prezintă o cădere mică de
tensiune la bornele sale, astfel încât majoritatea tensiunii disponibile la
bornele sursei de alimentare se regăseşte pe lampă (sarcină). Dacă
polaritatea bateriei este inversată, dioda devine polarizată invers, şi toată
tensiunea disponibilă la bornele sursei de alimentare se regăseşte pe
diodă, iar căderea de tensiune pe sarcină va fi egală cu zero. Putem
considera dioda ca fiind un întrerupător „automat” (se închide când este
polarizat direct şi se deschide când este polarizat invers). Singura
diferenţă notabilă este căderea de tensiune mult mai mare la bornele
diodei (0,7 V), faţa de căderea de tensiune pe un întrerupător mecanic
(câţiva mV).

Această cădere de tensiune de polarizare directă se datorează acţiunii

zonei de golire formată de joncţiunea P-N sub influenţa tensiunii
aplicate. Dacă nu există nicio tensiune aplicată la bornele diodei
semiconductoare, existenţa zonei de golire înguste în jurul joncţiunii P-
N previne apariţia curentului (figura alăturată (a)). Purtătorii de sarcină
aproape că lipsesc în zona de golire, şi prin urmare aceasta se comportă
precum un izolator.
Dacă dioda este polarizată invers, zona de golire se extinde şi blochează
şi mai bine trecerea curentului prin dispozitiv.
Tensiunea de polarizare directă

Dacă dioda este polarizată direct însă, zona de golire devine mult mai
subţire (figura alăturată (a), polarizare parţială), iar rezistenţa faţă de
curent scade. Pentru funcţionarea corectă a diodei însă, zona de golire
trebuie să dispară complet. Acest lucru se poate realiza prin aplicarea
unei anumite tensiuni minime, denumită tensiune de polarizare directă
(figura alăturată (b)), care pentru diodele de siliciu este în mod normal
0,7 V, iar pentru cele de germaniu de doar 0,3 V.
Căderea de tensiune la bornele diodei rămâne aproximativ constantă
pentru o gamă largă de curenţi prin diodă. Pentru analiza circuitelor
electronice simplificate, putem considera căderea de tensiune pe diodă
ca fiind constantă (nu depinde de valoarea curentului prin diodă).
Curentul invers
Deşi o diodă polarizată invers, nu permite curentului să treacă prin ea
datorită extinderii zonei de golire, în realitate există un mic curent de
scurgere ce trece prin diodă chiar şi la polarizarea inversă, iar acest
curent poartă numele de curent invers. Curentul invers poate fi însă
ignorat pentru majoritatea aplicaţiilor.
Tensiunea de străpungere
Dioda nu poate suporta o tensiune de polarizare inversă infinit de mare.
Dacă această tensiune devine prea mare, dioda va fi distrusă datorită
unei condiţii denumită străpungere. Această tensiune inversă maximă
poartă numele de tensiune de străpungere (inversă), notată cu Vs.
Tensiunea de străpungerea creşte odată cu creşterea temperaturii şi
scade cu scăderea temperaturii – exact invers faţă de tensiunea de
polarizare directă.
Lista parametrilor
Principalele caracteristici ale diodelor, trecute în cataloage, sunt
următoarele:
VRRM – tensiunea inversă repetitivă maximă, este tensiunea maximă
inversă la care poate rezista dioda, atunci când această tensiune este
atinsă în mod repetat. Ideal, această valoare ar fi infinită.
VR sau VDC – tensiunea maximă inversă de curent continuu, este
valoarea maximă a tensiunii la care dioda poate funcţiona neîntrerupt,
fără distrugerea acesteia. Ideal, această valoare a fi infinită.
VF – tensiunea (de polarizare) directă maximă, de obicei este specificată
împreună cu valoarea curentului direct. Ideal, această valoare ar fi zero:
ideal, dioda nu ar prezenta niciun fel de opoziţie în faţa deplasării
electronilor. În realitate, tensiunea directă este descrisă de ecuaţia
diodei.
IF(AV) – valoarea maximă (medie) a curentului direct, valoarea maximă
medie a curentului pe care bobina o poate suportă la polarizarea directă.
Această limitarea este practic o limitare termică: câtă căldură poate
„suporta” joncţiunea P-N, având în vedere că puterea disipată reprezintă
produsul dintre curent şi tensiune, iar tensiunea de polarizare directă
depinde atât de curent cât şi de temperatura joncţiunii. Ideal, această
valoare ar fi infinită.
IFSM sau if(vârf) – curentul de polarizare directă maxim, reprezintă curentul
de vârf maxim pe care dioda îl poate conduce la polarizare directă, fără
ca acest curent să ducă la distrugerea diodei. Din nou, această valoare
este limitată de capacitatea termică a joncţiunii diodei, şi este de obicei
mult mai mare decât valoarea curentului mediu datorită inerţiei termice.
Ideal, această valoare ar fi infinită.
PD – puterea maximă disipată totală, reprezintă valoarea puterii (în Watt)
pe care dioda o poate disipa fără ca această putere să ducă la distrugerea
diodei. Această valoare este limitată de capacitatea termică a diodei.
Ideal, această valoare ar fi infinită.
TJ – temperatura de funcţionare a joncţiunii, reprezintă temperatura
maximă admisă a joncţiunii P-N a diodei, valoare dată de obicei în oC.
Căldura reprezintă punctul critic al dispozitivelor semiconductoare:
acestea trebuie menţinute la o temperatură cât mai apropiată de
temperatura camerei pentru funcţionarea lor corectă şi o durată de
funcţionare cât mai lungă.
TSTG – temperatura de depozitare, reprezintă valoarea temperaturii de
stocare a diodelor (nepolarizate).
R(Θ) – rezistenţa termică, reprezintă diferenţa dintre temperatura
joncţiunii şi temperatura aerului exterior diodei (R(Θ)JA), sau dintre
joncţiune şi contacte (R(Θ)JL), pentru o anumită putere disipată.
Valoarea este exprimată în oC/W. Ideal, această valoare ar fi zero, ceea
ce ar înseamna că învelişul (carcasa) diodei ar fi un conductor şi radiator
termic perfect, fiind capabil să transfere energie sub formă de căldură
dinspre joncţiune spre mediul exterior (sau spre contacte) fără nicio
diferenţă de temperatură existentă în grosimea carcasei. O rezistenţă
termică ridicată se traduce prin faptul că dioda va stoca o temperatură
excesivă în jurul joncţiunii (punctul critic), în ciuda eforturilor susţinute
de răcire a mediului exterior diodei; acest lucru duce la limitarea puterii
maxime disipate.
IR – curentul maxim de polarizare inversă, reprezintă valoarea curentului
prin diodă la polarizarea inversă şi aplicarea tensiunii de polarizare
inversă maximă de curent continuu(VDC). Mai este cunoscut şi sub
numele de curent de scăpări. Ideal, această valoare ar fi zero, deoarece o
diodă perfectă ar bloca toţi curenţii atunci când este polarizată invers. În
realitate, această valoarea este mică în comparaţie cu valoarea curentului
maxim de polarizare directă.
CJ – capacitatea tipică a joncţiunii, reprezintă capacitatea intrinsecă
joncţiunii, datorită comportării zonei de golire precum un dielectric între
anod şi catod. Această valoare este de obicei foarte mică, de ordinul
picofarazilor (pF).
trr – timpul de revenire invers, reprezintă durata de timp necesară
„stingerii” diodei atunci când tensiunea la bornele sale alternează între
polarizare directă şi polarizare inversă. Ideal, această valoare ar fi zero:
dioda se „stinge” imediat după inversarea polarităţii. Pentru o diodă
redresoare tipică, timpul de revenire este de ordinul zecilor de
microsecunde (ms); pentru o diodă de comutaţie rapidă, acest timp poate
ajunge la doar câteva nanosecunde (ns).

Dioda semiconductoare este un dispozitiv electronic format

dintr-o jonctiune PN prevazuta cu doua terminale: Anod (+) si
Catod (-). De obicei constructia jonctiunii PN se bazeaza pe
metalele semiconductoare germaniu si siliciu.

Structura fizica a unei diode

Asocierea sensurilor pentru curent si tensiune

Polarizarea diodelor

Prin polarizare se intelege aplicarea la terminalele diodei a

unei tensiuni continue.

Aproximarea diodelor

Trei aproximari diferite pot fi folosite in analiza circuitelor ce

contin diode, depinzand de acuratetea de calcul dorita:

Prima aproximatie, cunoscuta si sub numele

de aproximarea ideala a diodelor trateaza o dioda polarizata
direct, ca un comutator inchis, avand o cadere de tensiune
nula, pe cand polarizarea inversa e echivalata cu un comutator
deschis avand curentul nul. Pe scurt, modelul ideal (dioda
ideala) contine doar proprietatea de conductie unilaterala a
curentului. Dioda ideala se comporta ca un comutator
automat care interzice total trecerea curentului daca
tensiunea la borne este negativa, respectiv permite trecerea
curentului daca tensiunea la borne tinde sa devina pozitiva.
A doua aproximatie trateaza o dioda polarizata direct drept o
dioda ideala inseriata cu o baterie. Pentru diodele pe baza de
siliciu, tensiunea bateriei este presupusa a fi de 0,7 V, la fel ca
potentialul de bariera, VB, la o jonctiune p – n de siliciu. Pe
cand in cazul polarizarii inverse, se pastreaza echivalarea cu
un comutator deschis. Din caracteristica statica se observa ca
dioda este considerata blocata pana cand tensiunea de
polarizarea atinge pragul de 0,7 V. De asemenea, se
presupune ca va exista o cadere de tensiune de 0,7 V la
intrarea in conductie.
A treia aproximatie tine cont si de rezistenta
semiconductoarelor de tip p si n. Valoarea sa este dependenta
de nivelul de dopaj cu impuritati dar si de dimensiunea
materialelor.

VF = VB + rB*IF

Parametrii diodelor

Urmatoarea lista defineste succint parametri electrici ale

diodelor semiconductoare.

VBR: tensiunea maxima inversa de curent continuu, este

valoarea maxima a tensiunii la care dioda poate functiona
neintrerupt, fara distrugerea acesteia. Ideal, aceasta valoare a
fi infinita.

PD: puterea maxima disipata totala, reprezinta valoarea

puterii (in Watt) pe care dioda o poate disipa fara ca aceasta
putere sa duca la distrugerea diodei. Aceasta valoare este
limitata de capacitatea termica a diodei. Ideal, aceasta valoare
ar fi infinita.
IO: valoarea maxima (medie) a curentului direct, valoarea
maxima medie a curentului pe care dioda o poate suporta la
polarizarea directa. Aceasta limitare este practic o limitare
termica: cata caldura poate "suporta" jonctiunea P-N, avand in
vedere ca puterea disipata reprezinta produsul dintre curent si
tensiune, iar tensiunea de polarizare directa depinde atat de
curent cat si de temperatura jonctiunii. Ideal, aceasta valoare
ar fi infinita.

IFSM: Curentul maxim de polarizare directa, reprezinta

curentul de varf maxim pe care dioda il poate conduce la
polarizare directa, fara ca acest curent sa duca la distrugerea
diodei. Din nou, aceasta valoare este limitata de capacitatea
termica a jonctiunii diodei, si este de obicei mult mai mare
decat valoarea curentului mediu datorita inertiei termice.
Ideal, aceasta valoare ar fi infinita.

IR: curentul maxim de polarizare inversa, reprezinta valoarea

curentului prin dioda la polarizarea inversa si aplicarea
tensiunii de polarizare inversa maxima de curent continuu
(VDC). Mai este cunoscut si sub numele de curent de scurgeri.
Ideal, aceasta valoare ar fi zero, deoarece o dioda perfecta ar
bloca toti curentii atunci cand este polarizata invers. In
realitate, aceasta valoarea este mica in comparatie cu valoarea
curentului maxim de polarizare directa.

Valoarea se specifica la o anumita valoare a tensiunii de

polarizare inversa. Spre exemplu o foaie de catalog pentru o
dioda 1N4002 specifica o valoare IR tipica de 0,05 A pentru o
temperature a jonctiuni TJ = 25C si o tensiune inversa, VR, de
100 V. Cu aceste date, rezistenta inversa, RR, poate fi calculata,
aplicand legea lui Ohm.
In cele ce urmeaza, vom prezenta 10 tipuri de diode
semiconductoare si aplicatiile in care sunt folosite:

1. Dioda de semnal mic (Small signal Diode)

Este un dispozitiv mic cu caracteristici disproportionate si are

aplicabilitate in principal la dispozitivele de inalta frecventa si
la curenti foarte mici, cum ar fi radiourile, televizoarele etc.
Pentru a proteja dioda de contaminare, aceasta este invelita in
sticla, asa ca este numita si dioda pasivizata din sticla care
este utilizata in mod extensiv ca 1N4148.

2. Dioda de semnal mare (Large signal Diode)

Aceste diode au un strat mare de jonctiune P-N.

Astfel, transformarea tensiunii AC in DC nu este limitata.
Aceste semnale mari vor perturba si punctul functional, din
acest motiv nu este potrivita pentru aplicatii de inalta
frecventa. Principalele aplicatii ale acestor diode sunt in
dispozitivele de incarcare a bateriilor, cum ar fi invertoarele.
Deoarece au performante inalte de curent si de tensiune,
acestea pot fi utilizate in dispozitive electrice care sunt utilizate
pentru a suprima tensiunile de varf ridicate.

3. Dioda Zener

Diodele Zener sunt proiectate sa functioneze polarizate invers.

Tensiunea la care aceste diode incep sa conduca este
denumita tensiune Zener (tensiunea de strapungere). Dioda
Zener poate functiona pe post de stabilizator de tensiune.

4. Dioda LED (Light emitting Diode)

Aceste diode transforma energia electrica in energie

luminoasa. Prima productie a inceput in anul 1968. Se supune
procesului de electroluminescenta in care gaurile si electronii
sunt recombinate pentru a produce energie sub forma de
lumina in starea de polarizare. Utilizata in principal in aplicatii
precum iluminatul aviatic, semnalele de trafic, bliturile camerei
de filmat, etc.

5. Dioda de curent constant

Rolul acestei diode este de a regla tensiunea la un anumit

curent. Functioneaza ca limitator de curent cu doua terminale.
Aceasta actioneaza ca limitator de curent pentru a obtine
impedanta de iesire mare. Simbolul diodei curentului
constant este prezentat mai jos:

6. Dioda Schottky

In acest tip de dioda, jonctiunea este formata prin contactarea

materialului semiconductor cu metalul. Datorita acestui fapt,
caderea de tensiune este redusa la minim. Materialul
semiconductor este siliciu de tip N care actioneaza ca un
anod. Metalul, poate fi alcatuit din crom, platina etc.
actionand ca un catod.

Datorita jonctiunii metalice, aceste diode au capacitate de

conducere ridicata, astfel timpul de comutare se reduce. In
principal datorita jonctiunii metal-semiconductor, caderea
tensiunii este scazuta, astfel, se reduc pierderile de putere.
Deci, acestea sunt utilizate in aplicatiile redresorului de
inalta frecventa.
7. Dioda Shockley

Aceasta dioda se mai numeste si dioda PNPN. Este

asemanatoare cu un tiristor fara terminal de poarta, ceea ce
inseamna ca terminalul portii este deconectat.

Deoarece nu exista intrari de declansare, singura modalitate

de dirijare a diodei este furnizarea de tensiuni inainte. Se
foloseste la comutatoare de declansare si se mai comporta ca
si un oscillator de relaxare.

8. Dioda cu recuperare (Step Recovery diode)

Dioda Step Recovery este un dispozitiv semiconductor cu

dopaj neobisnuit; Poate fi considerata, un condensator variabil
dependent de tensiune. Densitatea dopajului este extrem de
mica in zona de jonctiune.

Astfel, densitatea purtatorilor de sarcina este de asemenea

scazuta in apropierea jonctiunii. Este folosita ca un coputator
rapid controlat in diverse aplicatii cu frectente joase. Isi
schimba starea ON/OFF instantaneu. La frecvente inalte,
procesul de comutare necesita timp.
9. Dioda Tunnel (Esaki)

Aceasta dioda este folosita ca si comutator de viteza mare, de

ordinul nano-secundelor. Datorita efectului de tunel
functioneaza foarte rapid in regiunea de frecvente cu
microunde (frecvente de ordinul gigahertzilor) . Diodele
Tunnel sunt utilizate in circuite oscilante, circuite cu
microunde, amplificatoare etc.

La polarizare directa normala, cu cresterea tensiunii,

electronii intai tuneleaza prin bariera foarte ingusta a
jonctiunii p-n deoarece nivelele umplute cu electroni din
banda de conductie din regiunea n se aliniaza cu nivelele
libere din banda de valenta din regiunea p a jonctiunii. Daca
tensiunea creste mai mult, aceste nivele devin mai puternic
defazate iar curentul scade – ceea ce se numeste rezistenta
negativa, deoarece curentul scade cu cresterea tensiunii.
 10. Dioda Varicap

Acest tip de dioda se comporta ca si un condesator variabil.

Acesta dioda este renumita datorita proprietatii sale de a
schimba intervalele de capacitate din circuit in prezenta
fluxului de tensiune constanta.

Aceste diode se folosesc in urmatoarele

aplicatii: condesatoare cu tensiune controlata, oscilatoare cu
tensiune controlata, amplificatoare parametrice,
transmitatoare FM, radiouri, televizoare si telefoane mobile.

Stabilizator de tensiune cu dioda Zener.

Rolul stabilizatorului de tensiune este de a mentine tensiunea la

iesirea sa constanta, in conditiile in care tensiunea de la intrare, sau
curentul prin rezistenta de sarcina, sau temperatura de lucru poate
varia intre anumite limite. Acest circuit este utilizat in sursele de
alimentare ale sistemelor electronice

Elementul principal, care asigura stabilizarea tensiunii la iesirea

stabilizatorului este dioda Zener, care, atunci cand functioneaza in
regiunea de strapungere, mentine tensiunea intre terminalele sale la
o valoare constanta si egala cu tensiunea de strapungere VZ, pentru
un domeniu extins de valori [IZMINIZMAX] pe care curentul prin dioda le
poate avea (vezi Figura 11).

Figura 25. Stabilizator de tensiune cu dioda Zener.

In Figura 25 este prezentata schema celui mai simplu stabilizator

de tensiune cu dioda Zener. Rezistenta R este rezistenta de
polarizare a diodei Zener. Valoarea acestei rezistente trebuie astfel
aleasa incat dioda Zener sa se mentina permanent in regiunea de
strapungere, indiferent de valoarea tensiunii de intrare. Daca
rezistenta de polarizare R este corect aleasa, atunci tensiunea de
iesire vo, furnizata rezistentei de sarcina RL, se mentine la o valoare
constanta si egala cu tensiunea de strapungere a diodei Zener, desi
tensiunea de intrare variaza in interiorul domeniului de
valori viI[ViMINViMAX] si curentul prin rezistenta de sarcina variaza in
interiorul domeniului de valori ioI[IoMINIoMAX]:

3.14

Se poate demonstra ca, pentru buna functionare a stabilizatorului,

rezistenta de polarizare R trebuie sa fie aleasa in domeniul de valori:

3.15
unde VZ, IZMIN si IZMAX sunt parametrii diodei alese (luati din catalogul
de diode), iar restul valorilor sunt impuse de cerintele de proiectare.
Pentru imbunatatirea performantelor stabilizatorului, valoarea
lui R se alege cat mai apropiata de valoare maxima a intervalului de
valori de mai sus. In cazul in care, dupa calcularea limitelor
intervalului de valori de mai sus, se constata ca limita inferioara este
mai mare decat limita superioara (numeric este posibil sa se ajunga
la o asemenea situatie), atunci trebuie aleasa o alta dioda Zener,
care sa aiba un parametru IZMIN mai mic si un parametru IZMAX mai
mare.

In cazul in care rezistenta R este aleasa dupa procedura indicata

mai sus, formele de unda ale tensiunilor de intrare, respectiv de
iesire vor fi conform Figurii 26.

Figura 26. Formele de unda pentru tensiunilor de intrare, respectiv

de iesire ale stabilizatorului.

Stabilizatoarele de tensiune sunt utilizate in sursele de alimentare.

Tensiunea de la intrarea stabilizatorului este chiar tensiunea
obsinuta la iesirea redresorului (vezi laboratorul - surse de
alimentare).

Ce este dioda tunel: funcționarea și aplicațiile sale

O diodă tunel a fost descoperită de Leo Esaki în anul 1958.
El a observat că, dacă o diodă semiconductoare este dopată
puternic prin impurități, atunci va genera rezistență
negativă, ceea ce înseamnă că fluxul de curent peste diodă
va scădea odată cu creșterea tensiunii. Leo Esaki a obținut
Premiul Nobel la subiectul fizicii pentru inventarea efectului
tunelului de electroni care este utilizat în aceste tipuri de
diode în anul 1973. Aceste diode sunt una dintre cele mai
importante componente electronice în stare solidă. După
cum sugerează și numele, această diodă poartă numele lui
Leo Esaki pentru efectul său de tunelare. Acest articol
discută o imagine de ansamblu asupra efectului de tunelare
și a funcționării sale. Această diodă include o joncțiune PN
puternic dopată cu o lățime de 10 nm. Într-un material
semiconductor, tunelarea este incidentul conducției în care
purtătorul de sarcină lovește bariera mai degrabă decât să

se monteze prin ea. Dioda tunel

Acest tip de diodă este folosit ca dispozitiv de comutare cu
viteză extremă în computere și, de asemenea, în
amplificatoare și oscilatoare de înaltă frecvență. Simbolul
unei diode tunel este prezentat mai jos, unde
semiconductorul de tip p funcționează ca un anod, iar
semiconductorul de tip n funcționează ca un catod.
 Simbolul diodei tunelului În general, un
anod asemănător unui electrod este încărcat puternic, care
atrage electronii, în timp ce un catod este un electrod
încărcat negativ care generează electroni. Alternativ, un
semiconductor de tip p atrage electronii generați de la tipul
n la tipul p se numește anod. Funcționarea acestei diode
depinde în principal de principiul mecanicii cuantice se
numește tunelare. În electronică, tunelarea nu este altceva
decât un flux direct de electroni peste regiunea de epuizare
de la o bandă la alta, cum ar fi conducerea pe partea n
către valența pe partea p. Construcția diodei tunelului
Materialele utilizate pentru fabricarea diodei tunelului sunt
germaniu, antimonid de galiu, siliciu și galiu. arsenid.
Această diodă este proiectată cu cele două terminale
precum anod și catod. Aici, materialul semiconductor ca tip
p funcționează ca un anod în timp ce tipul n funcționează ca

un catod. Construcția diodei

tunelului În materialul de germaniu, raportul dintre valoarea
maximă a curentului înainte și valoarea curentului de vale
este cel mai mare și scăzut pentru siliciu. Prin urmare,
materialul siliciu nu este utilizat pentru construirea acestei
diode. Densitatea de dopaj a diodei poate fi mai mare de
1000 de ori în comparație cu dioda normală. Într-o diodă de
joncțiune PN, concentrația de dopaj este de 1 atom în 108
atomi. Cu toate acestea, în Tunel Diode, concentrația de
dopaj este de 1 atom în 103 atomi. Datorită concentrației
ridicate de impurități a ionilor, lățimea stratului de epuizare
poate fi scăzută și se transformă în aproximativ 10-5 mm.
Functie diodă tunel Odată ce nu se aplică tensiune sau
imparțială această diodă, banda de conducție a materialului
semiconductor de tip n acoperă parțial prin banda de
valență a materialului de tip p. Deci, acest lucru se
datorează dopajului intens. Găurile și nivelurile de energie
ale electronilor din tipul P și tipul N rămân aceleași în mod
corespunzător. Odată ce temperatura crește, electronii se
cufundă din regiunea n a benzii de conducere în regiunea p
a benzii de valență. În același mod, găurile se vizionează de
la banda de valance a regiunilor p la banda de conducere a
regiunii n. Deci, în această condiție, dioda va fi imparțială,
ceea ce înseamnă că nu există flux de curent prin diodă.
Odată ce tensiunea mică este aplicată acestei diode, atunci
zero electroni curg peste regiunea de epuizare și zero surse
de curent în întreaga diodă. În regiunea n, câțiva electroni
din banda de conducție sunt vizuinați în banda de valență
din regiunea p din cauza vizuinării electronilor, astfel încât
un curent redus înainte va furniza în întreaga regiune de
epuizare. Odată ce tensiunea înaltă este aplicată diodei
tunelului, atunci vor fi generate purtători de încărcare
precum găuri și electroni. Când tensiunea aplicată crește,
ambele benzi se vor suprapune, iar nivelurile de energie de
ambele benzi din două regiuni vor fi egale. Prin urmare, cel
mai mare curent curge prin tunel. Odată ce tensiunea
aplicată este din nou crescută, ambele benzi ale diodei sunt
ușor nealiniate. Cu toate acestea, ambele benzi din cele
două regiuni se suprapun încă. Alimentarea cu curent redus
în toată dioda, atunci curentul tunelului va începe să se
reducă. Dacă tensiunea conductorului crește puternic,
curentul tunelului se va reduce la zero. În această stare,
ambele benzi nu se vor suprapune între ele, astfel încât
această diodă funcționează ca o diodă normală de joncțiune
PN. În comparație cu tensiunea încorporată, magnitudinea
tensiunii este mai mare decât curentul înainte care se va
alimenta în toată dioda tunelului. Diagrama circuitului diodei
tunelului Diagrama circuitului diodei tunelului este
prezentată mai jos. În următoarea diagramă, rezistența
terminalelor de conectare ale acestei diode și material
semiconductor poate fi reprezentată prin „Rs”, care este
echivalent cu cei 5 ohmi. Inductanța terminalelor de
conectare „Ls” este aproape echivalentă cu

0.5nH. Diagrama circuitului

Termeni principali utilizați în dioda tunel Termenii cheie
utilizați în dioda tunel sunt curentul de tunelare,
caracteristicile de rezistență negativă și curentul de vale.
Lățimea epuizării subțiri permite unor electroni liberi să
îngroape joncțiunea în loc să zboare peste ea. Difuzia
electronilor va produce un curent numit curent de tunelare.
Proprietatea specifică, cum ar fi caracteristicile de rezistență
negativă, este capacitatea specială a acestei diode în care
curentul înseamnă căderea chiar și odată cu creșterea
tensiunii aplicate. Odată ce tunelarea atinge cea mai mică
valoare atunci când potențialul înainte crește, cea mai mică
valoare a curentului de tunelare poate fi punctul de vale al
dispozitivului. Caracteristici ale diodei tunelului VI
Caracteristica VI a diodei tunelului este prezentată mai jos.
În această diodă, se poate produce o conducere puternică
de dopaj din cauza polarizării directe. Tensiunea aplicată
acestei diode este „Vp”, iar cel mai mare curent atins de
această diodă este „Ip”. Odată ce tensiunea înaltă este
aplicată acestei diode, atunci valoarea curentului va fi
redusă. VI Caracteristici Fluxul
de curent va scădea până când va obține cea mai mică
valoare, astfel încât valoarea mică a curentului este „Iv”.
Din următorul grafic caracteristic, putem observa că debitul
de curent va fi redus odată ce tensiunea se reduce. Deci,
aceasta este regiunea rezistenței negative pentru această
diodă. Dioda generează energie în locul absorbției sale.
Oscilatorul cu diode în tunel Una dintre aplicațiile diodei în
tunel este oscilatorul cu diode în tunel. Dacă circuitul
rezervorului care include o capacitate de inductanță (L) (C)
și rezistență internă (RP) este conectat de-a lungul diodei a
cărei rezistență -ve ca –Rn și rezistența netă ca Req
semnifică RP & –Rn în paralel, care poate fi dată byReq = -
RnRp / Rp-Rn Dacă „Rp” este mai mare decât „Rn”, atunci
„Req” va fi negativ și oscilațiile pot crește. După aceea,
amplitudinea oscilației crește până când ocupă un interval
de tensiune mai mare decât cantitatea zonei de rezistență

negativă a caracteristicilor.
Oscilator cu diode tunel Odată ce punctul de operare intră în
regiunea de rezistență pozitivă, amplitudinea oscilației
poate fi restricționată. Pentru a obține cea mai mare ieșire,
punctul inactiv trebuie plasat cu precizie la mijlocul zonei de
rezistență negativă. Deci frecvența de oscilație poate fi dată
de următoarea ecuație F = 1 / 2π√LCA dioda tunel include o
regiune de rezistență negativă caracteristică între tensiunile
0.1 și 0.3V. Poate fi folosit ca oscilator la frecvențe de
100GHz. Când oscilatorul cu diodă tunel funcționează
extrem de bine la frecvențe extrem de ridicate, nu poate fi
utilizat în mod capabil la frecvențe mai mici. Acesta este
principalul dezavantaj al oscilatorului cu diode și se mai
numește și oscilator cu rezistență negativă. este scăzut
Operațiunea este de mare viteză Protecția mediului Fluxul
de curent datorită majorității purtătorilor de încărcare din
această diodă poate răspunde foarte repede la schimbările
de tensiune. Deci, această proprietate este extrem de utilă
pentru aplicații de mare viteză. Alimentări cu curent mare la
o tensiune inversă mică datorită suprapunerii semnificative
între două benzi, cum ar fi valența și conducția. Aceasta
este o proprietate foarte utilă, cum ar fi un convertor de
frecvență. Generează o caracteristică de rezistență negativă
care este utilizată în oscilatoare și amplificatoare de reflecție
Dezavantaje Dezavantajele diodei tunel includ următoarele.
Aceste diode sunt dispozitive cu putere redusă. Intervalul
de putere de ieșire este limitat la doar câțiva milliwați,
deoarece potențialul DC aplicat ar trebui să fie scăzut în
comparație cu potențialul bandgap al diodei. Nu există
izolare între intrare și ieșire, deoarece este un dispozitiv cu
2 terminale. dioda tunel include următoarele. Dioda tunel
este utilizată în diferite oscilatoare, cum ar fi relaxare,
cuptor cu microunde etc. Este utilizată ca dispozitiv de
comutare cu viteză foarte mare. Este utilizată ca un
dispozitiv de stocare a memoriei logice. Este utilizată ca
oscilator cu microunde cu frecvență înaltă Această diodă
este utilizată ca oscilator, amplificator și comutator Este
utilizată ca componentă de înaltă frecvență. Funcționează ca
dispozitiv de stocare pentru stocarea memoriei logice. Este
utilizată în receptoare FM și circuite oscilatoare, deoarece
este un dispozitiv cu curent redus Astfel, este vorba despre
o prezentare generală a diodei tunelului, construcție,
funcționare, avantaje, dezavantaje și aplicațiile sale. Aceste
diode sunt utilizate ca un oscilator, amplificator, comutator
etc. Această diodă poate fi utilizată ca componentă de înaltă
frecvență datorită răspunsului său rapid, cu toate acestea,
nu este aleasă datorită accesibilității dispozitivelor mai
bune.