COLEGIUL AGRICOL “DIMITRIE PETRESCU”

CARACAL - OLT

LUCRARE PENTRU OBŢINEREA

CERTIFICATULUI DE COMPETENŢE
PROFESIONALE
NIVEL III

PROFESOR INDRUMATOR: Ing. NUNCĂ OVIDIU

ABSOLVENT:
ELEV: RAICA MADALIN
CLASA A XII A C

2014
COLEGIUL AGRICOL “DIMITRIE PETRESCU”
CARACAL - OLT

TEMA LUCRÃRII

COMPONENTE ELECTRONICE – ELEMENTE ACTIVE

2
 CUPRINS

ARGUMENT
CAPITOLUL 1

Elemente active...................................................................................................................pag. 5

Dioda ...................................................................................................................................pag.7

Dioda redresoare…………………………………………………………………...…….pag.9

Redresorul monofazat……………………………………………………….….…...…pag.10

CAPITOLUL 2

Tranzistoare unipolare………………………………………………………....……….pag.12

Tranzistorul bipolar ……………………………………………………………...…….pag. 14

Conexiuni fundamentale le tranzistotului bipolar……………………………………..pag.19

Caracteristici ale tranzistorului bipolar ……………………………………………….pag.22

Comparaţie între tranzistoarele bipolare şi unipolare (TEC)………………………..pag.27

CAPITOLUL 3

Tiristoare ………………………………………………………………………………..pag. 28

CAPITOLUL 4

Triacul …………………………………..…………………………………….…..……..pag.31

Anexe
Bibliografie

3
 ARGUMENT

DISPOZITIVE ELECTRONICE Supapele electronice, inventate la inceputul

anilor 1900, au facut posibila amplificarea semnalelor electrice. De atunci,

electronica s-a dezvoltat rapid, devenind o ramura importanta a tehnologiei.

Componentele active permit transformarea energiei de curent continuu în

energie de curent alternativ. Această proprietate permite să se obţină amplificarea

semalelor variabile în putere. Exemple: tranzistoare, tiristoare, etc.

Aparitia tranzistorilor si a celorlalte dispozitive semiconductoare a adus

schimbari majore in radiotehnica. Tranzistorii ocupa un volum mic si se poare

realiza miniaturizarea aparaturii. Ei nu necesita alimentare de incalzire, iar

tensiunea continua necesara pentru functionare este mai redusa decat la tuburi,

de aceea au un consum electric mai mic. Ei au de asemenea o durata de

functionare mai mare.

Tranzistoarele sunt larg utilizate în prezent, datorită avantajelor pe care le oferă

în circuitele integrate şi în integrarea pe scară largă (Large Scale Integration

LSI). Aceste tranzistoare sunt considerate dispozitive de viitor, de primă

importanţă.

În lucrarea se prezintă dispozitivele şi circuitele electronice fundamentale ce

intervin în prelucrarea electronică a semnalelor analogice. Termenul de

4
 "electronic" este asociat me. Circuitele formate numai din componente pasive

nu pot efectua cea mai importantă funcţie electronică: amplificarea. Aceasta

poate fi realizată de componentele active, care sunt elemente care pot comanda

sau modula fluxul de energie dintr-un circuit. Ex.: dioda semiconductoare,

tranzistoare, tuburi cu vid sau cu gaz, dispozitive optoelectronice etc. Uzual,

pentru componentele pasive se foloseşte termenul de "componente", iar pentru

cele active, termenul de "dispozitive". Dispozitivele electronice se bazează pe

controlul mişcării purtătorilor de sarcină în corpul solid (de regulă în

semiconductoare), în gaze sau în vid.

canismului electronic de conducţie electrică.

Lucrarea prezinta in mod logic si clar fenomenele care stau la baza

functionarii componentelor active d ecircuit . Pentru analiza circuitelor electronice

se utilizează legile fundamentale ale circuitelor (legea lui Ohm, legile lui

Kirchhoff), precum şi o serie de teoreme (superpoziţiei, Thèvenin, Norton etc.).

Elaborarea lucrării s-a făcut pe baza unui bogat material bibliografic, a

standardelor, normelor şi elementelor de noutate existente.Din materialul analizat

s- căutat să se reţină problemele cele mai importante care se întâlnesc în teoria,

construcţia şi funcţionarea circuitelor electronice .

5
CAPITOLUL 1

Elemente active

Un element de circuit activ este orice tip de component ce poate controla

deplasarea electronilor (curentul) pe cale electrică. Pentru ca un circuit să poarte
numele de circuit electronic, acesta trebuie să conţină cel puţin un astfel de element
activ.

Elementele active includ, printre altele, tuburile cu vid, tranzistoarele,

redresoarele cu semiconductoare, şi triacurile.

Toate dispozitivele active controlează curentul prin ele. Unele dispozitive active
realizează acest lucru prin intermediul unei tensiuni, iar altele prin intermediul
curentului. Cele care utilizează o tensiune statică ca şi semnal de control, sunt
denumite dispozitive controlate în tensiune. Cele care folosesc un alt curent pentru
controlul curentului în cauză sunt cunoscute sub numele de dispozitive controlate în
curent. Tuburile cu vid sunt dispozitive controlate în tensiune iar tranzistoarele pot fi de
ambele tipuri.

6
 DIODA
 Prezentare teoretica
 Parti componente
 Functionare
 Conectare in circuit
 Aplicatii

Tipuri de diode

      Prezentare teoretica 

  Dioda semiconductoare

   Este formată din două zone semiconductoare, una de tip p şi una de tip n, iar la
suprafaţa lor de contact definim joncţiunea p-n.  

      În figură am desenat golurile cu roşu , electronii cu albastru, iar  zona desenată cu verde este
chiar joncţiunea.

 Polarizarea inversa a diodei 

 În continuare aplicăm pe joncţiune un câmp electric extern cu + pe catodul diodei şi - pe
anod. Dioda este polarizată invers, electronii care sunt purtători majoritari în zona n
(desenaţi cu albastru) sunt atraşi de borna +, golurile  care sunt purtători majoritari in
zona p (desenate cu roşu) sunt atrase de borna -, regiunea de trecere desenată cu verde se

7
 măreşte şi prin ea nu vom avea circulaţie de purtători majoritari de la zona p la zona n şi
invers şi deci nu circulă curent electric prin joncţiune.

Polarizarea directa a diodei 

 Inversăm acum polii sursei de alimentare aplicând + pe zona p şi - pe zona n. Ştim că, în
acest caz, dioda conduce şi prin ea trece un curent semnificativ format din purtători
majoritari (electronii din zona n şi golurile din zona p). Pentru ca dioda să conducă, este
necesar ca potenţialul sursei exterioare să fie mai mare de 0,2 V pentru Germaniu si de
0,6V pentru Siliciu. pentru ca să fie depăşită bariera de potenţial din zona joncţiunii care
apare în mod natural atunci cand am realizat joncţiunea p-n, dar nu aplicăm nici un câmp
electric exterior.

 
 Diodele semiconductoare au marcat cu un cerc catodul, sau zona n, ca în figura de mai jos:
 
 

Caracteristica de transfer a diodei semiconductoare

8
  

 Graficul din figura de mai sus reprezintă caracteristica de transfer a diodei

semiconductoare. Ud reprezintă tensiune de polarizare directă a diodei iar UINV este
tensiunea inversă de polarizare a diodei. În polarizare directă dioda începe să conducă
numai dacă tensiunea directă aplicată pe ea este mai mare decât valoarea barierei de
potenţial care este de 0,2 V la Ge şi 0,6 V la Si. În cazul în care tensiunea de polarizare
inversă, UINV, aplicată diodei depăşeşte valoarea tensiunii de străpungere inversă, dioda
va conduce din nou. Acest mod de lucru al diodei este însă periculos şi poate conduce la
distrugerea diodei, dacă nu limităm curentul invers prin diodă cu rezistenţe exterioare.
Fenomenul de străpungere al joncţiunii p-n în polarizare inversă este numit:
 efect Zener, dacă valoarea tensiunii inverse de străpungere este mai mică de 5V;
 efect de avalanşă, dacă valoarea tensiunii inverse de străpungere este mai mare de 5V;
 Dioda semiconductoare este foarte folosită în schemele electronice de amplificatoare,
oscilatoare, circuite de detecţie şi modulaţie dar şi în alimentatoare ca diodă redresoare

Dioda redresoare 

     O dioda redresoare ideală ar trebui să posede o caracteristică statică de forma celei din
figura de mai jos, adică dispozitivul să se comporte ca un scurtcircuit (rezistenţă nulă) în
sens direct şi ca un întrerupător deschis (rezistentă infinită) în sens invers.
 Simbolul diodei redresoare:

9
 

IA

VA

     O dioda redresoare ideală ar trebui să posede o caracteristică statică de forma celei din
figura de mai sus, adică dispozitivul să se comporte ca un scurtcircuit (rezistenţă nulă) în
sens direct şi ca un întrerupător deschis (rezistentă infinită) în sens invers.  

  În sens direct, curentul prin diodă apare, practic, numai de la o anumită tensiune aplicată,
numită tensiune de deschidere, VD (sau de prag VP), cu valori de 0,2 – 0,3 V la Ge şi 0,6 – 0,7
V la Si. Din acest punct de vedere, dioda redresoare cu Ge este mai avantajoasă, randamentul de
redresare fiind mai bun.  

Redresorul monofazat monoalternanţã

 Funcţionarea are loc astfel: la aplicarea unei tensiuni alternative în primar, ia naştere în
secundar tot o tensiune alternativã, ce se aplicã pe anodul diodei, dioda conduce, în
circuit apare un curent proporţional cu tensiunea aplicatã, deci având aceaşi formã cu ea.
Pe durata alternanţelor negative, dioda este blocatã şi curentul prin circuit este nul.
Curentul prin sarcinã circulã deci într-un singur sens, sub forma unor alternanţe (curent
pulsatoriu).  

Forma de unda la redresor monoalternanta

10
Schema electrica , redresor monoalternanta

11
 CAPITOLUL 2

TRANZISTOARE UNIPOLARE

Tranzistoarele unipolare asigură conducţia printr-un singur tip de

purtători de sarcină (fie e- , fie goluri+ ).
Comanda curentului în tranzistor se realizează cu un câmp electric
motiv pentru care se mai numesc tranzistoare cu efect de câmp (TEC).
Are 3 sau 4 terminale : - sursă (S)
- drenă (D)
- grilă (G) sau poartă (P)
- bază (B) sau substrat, care poate fi legat cu G, în
interiorul capsulei.
Zona din semiconductor prin care se deplasează purtătorii de sarcină
(calea de curent) de la sursă la drenă, se numeşte canal.
După natura semiconductorului, canalul poate fi de tip n sau de tip p.
După modul de variaţie a rezistenţei canalului, datorită grilei de
comandă, pot fi:
- cu grilă joncţiune  TEC-J

- cu grilă izolată  TEC-MOS

La TEC-J câmpul electric de comandă se obţine prin polarizarea
inversă a unei joncţiuni.
La TEC-MOS câmpul electric se creează prin aplicarea unei tensiuni
între G şi S. G şi S sunt separate printr-un izolator foarte bun, uzual un oxid, rezultând o
structură metal-oxid-semiconductor (MOS).
 TEC-J

Curentul prin canalul n este format din sarcini negative (electroni), deci
polaritatea drenei faţă de sursă trebuie să fie pozitivă.
Polarizarea negativă a grilei G introduce un efect de respingere electrostatică a
electronilor spre centrul canalului. Cu cât negativarea grilei este mai intensă, cu atât se
reduce mai mult secţiunea canalului, cu efect de creştere a rezistenţei între sursă şi
drenă şi implicit de micşorare a curentului de drenă.
Structura unui TEC-J cu canal p este asemănătoare cu structura TEC-J cu canal
n, cu observaţia că se inversează structurile p şi n între ele, precum şi polarităţile
bornelor G şi D. În acest caz, curentul prin canalul p este format din sarcinile pozitive,
antrenate spre drena polarizată negativ.

Datorită celor două joncţiuni polarizate invers, curentul de grilă este practice nul.
Sensul săgeţii din grilă – în prelungire spre sursă – indică sensul tehnic al curentului în
sursă şi implicit al curentului între drenă şi sursă.
Din sensul curentului de drenă rezultă polaritatea drenei (faţă de sursă).
Tipul canalului (p sau n) şi polaritatea grilei (faţă de sursă) sunt opuse polarităţii
drenei.
De exemplu pentru un TEC-J cu canal n, prelungirea săgeţii arată sensul tehnic
de circulaţie, spre exterior a curentului sursei, rezultând astfel sensul curentului de
drenă (de la drenă spre sursă).
Deci, faţă de sursă, drena va fi polarizată pozitiv, canalul va fi de tip n (semn
invers faţă de D), iar grila faţă de sursă va fi polarizată negativ (aceeaşi polaritate cu a
canalului).
Caracteristicile statice de ieşire reprezintă variaţia curentului de drenă în funcţie
de tensiunea între drenă şi sursă, atunci când se menţine constantă tensiunea grilă-
sursă.

13
 ID= f(UDS) când UGS= ct.

Curentul de drenă are valoarea maximă atunci când tensiunea U GS=0 . Valoarea
lui este cu atât mai mare cu cât tensiunea de drenă este mai mare.
Caracteristica de transfer reprezintă variaţia curentului de drenă în funcţie de
tensiunea pe grilă, pentru o anumită valoare a tensiunii de drenă.

ID= f(UGS) când UDS=ct.

Parametrii specifici:
curentul IDmax este curentul de drenă maxim garantat de fabricant
curentul IDSS pentru UGS=0 este curentul de saturaţie pentru tensiunea de
grilă nulă
tensiunea de prag (de tăiere) este tensiunea de grilă pentru care curentul
prin tranzistor se anulează

TRANZISTORUL BIPOLAR
Tranzistoarele bipolare sunt dispozitive semiconductoare cu doua jonctiuni care functioneaza
pe baza injectiei de purtatori minoritari. Tranzistorul poate inlocui trioda cu emisie
termoelectrica.
Tranzistorul este alcatuit dintr-un semiconductor cu trei straturi de conductie diferita: un
strat n intre 2 straturi p, la tranzistorul p-n-p, sau un strat p intre 2 n, la tranzistorul n-p-n.

P N P N P N

C C
B B
E E

Tranzistorul p-n-p Tranzistorul n-p-n

Functionarea tranzistorului n-p-n

Stratul din mijloc al semiconductorului se numeste baza, straturile laterale se numesc emitor
si colector. Baza are o dopare mai mica decat emitorul. Tranzistorul poate fi considerat ca
format din doua diode semiconductoare: una emitor-baza si alta baza-colector.
Pentru functionarea tranzistorului, pe dioda baza-colector, se aplica o tensiune inversa, cu
polul pozitiv la partea n, adica la colector. Deoarece in zona p nu sunt electroni liberi care sa fie
atrasi de polul pozitiv de la colector, in circuitul colectorului curentul este practic nul. Daca in
baza se injecteaza electroni din emitor, prin aplicarea unei tensiuni directe pe dioda emitor-baza,
electronii injectati vor fi atrasi de colectorul pozitiv si in circuitul colectorului va circula curent.
In acest fel curentul in circuitul colectorului este comandat de curentul din circuitul emitorului,
care la randul sau este determinat de tensiunea aplicata intre emitor si baza.
Peste anumite valori ale tensiunii baza-colector toti electronii injectati in baza sunt
colectati de colector, curentul de colector atinge valori de saturatie si curentul de baza (care

14
circula intre baza si sursa Ubc) este foarte mic. Se observa ca pe masura ce creste curentul
emitorului creste si curentul colectorului, iar tensiunea baza-colector practic nu influenteaza
curentul colectorului.
Aplicand intre emitor si baza o tensiune alternativa, variatiile de tensiune provoaca
variatii ale curentului emitorului, care produc variatii ale curentului colectorului. Pe rezistorul de
sarcina Rs, mare, din circuitul colectorului variatiile de curent produc variatii de tensiune, mai
mari decat ale tensiunii de intrare. Asadar tranzistorul poate functiona ca amplificator de
tensiune.
Pentru ca semnalul amplificat sa nu fie deformat, in circuitul emitorului se introduce o
tensiune continua U0 care are rolul de a stabili un punct de functionare al tranzistorului: tensiunea
U0 produce unanumit curent de emitor, in jurul caruia se produc variatiile dare de tensiunea
alternativa. Daca se alege punctul de functionare pentru care Ie=0, dioda emitor-baza permite
numai trecerea alternantelor pozitive, pentru care este polarizata direct si deci tranzistorul
functioneaza ca detector.

a) Functionarea tranzistorului

b) Montaj in baza comuna

Tranzistorul p-n-p functioneaza dupa un principiu analog, dar tensiunile aplicate trebuie sa

aiba o polaritate inversa.

15
Etaj de amplificare

Schema unui etaj de amplificare cu un tranzistor montat cu emitorul comun este reprezentata

in figura de mai jos. Functionrea sa din acest montaj este analoaga cu a unei triode. Electronii

sunt emisi de emitor, controlati de tensiunea aplicata bazei si colectati de colector. Circuitul

EDBE este al bazei, iar ECSE este al colectorului. Pe dioda baza-colector se aplica tensiune

inversa (de la sursa S). O parte din tensiunea sursei se aplica rezistentei de sarcina si o mica

parte diodei emitor-baza. Deoarece tensiunea directa aplicata in felul acesta pe dioda emitor-

baza nu este suficienta pentru stabilirea punctului de functionare, pe dioda-emitor-baza se

aplica o tensiune mai mare cu ajutorul unui divizor de tensiune format din rezistorii Rd1 si

Rd2. Tensiunea sursei se distribuie pe acesti doi rezistori si de pe Rd2 se culege tensiunea

necesara pentru stabilirea punctului de functionare.

c) Etaj de amplificare

Intrarea in circuitul emitorului se face intre punctul masa si baza cu ajutorul unui condensator

Cs care lasa sa treaca numai componentele alternative. Iesirea se face la capetele rezistorului

de sarcina. Condensatorul C’s lasa sa treaca numai componenetele alternative si de aceea este

16
 indiferent daca iesirea se face intre punctele a si b’ sau intre a si b care include si sursa. In al

doilea caz, insa, se poate face conectarea etajului la intrarea unui etaj de amplificare, analog.

Importanta practica

La modul cel mai simplu, tranzistorul bipor poate fi privit ca două diode
semiconductoare legate în serie.
În partea de jos avem o zonă de semiconductor de tip n cu un contact metalic,
care reprezintă Emitorul. Deasupra acesteia există o zonă semiconductoare foarte
subţire de tip p, la care se conectează un electrod metalic, numit Bază. Apare astfel
prima joncţiune p-n. A doua zonă de tip n cu un contact metalic reprezintă Colectorul şi,
împreună cu zona n a Bazei, formează a doua joncţiune p-n. Rezultă în final tranzistorul
npn.

Acest tranzistor bipolar are următoarele caracteristici constructive:

 regiunea Bazei este foarte subţire şi slab dopată;

 regiunea Emitorului este puternic dopată;
 Regiunea Colectorului este mare şi de obicei este conectată la capsula metalică
pentru disiparea uşoară a căldurii

După cum se poate vedea joncţiunea Emitor-Bază este polarizată direct iar
joncţiunea Colector-Bază este polarizată invers. Emitorul puternic dopat va emite spre
regiunea Bazei purtători majoritari, electronii care vor penetra adanc în Bază deoarece
aceasta este foarte subţire şi slab dopată. O mică parte din aceşti electroni se vor
recombina cu golurile majoritare din bază. Ceilalţi electroni care au ajuns în Bază devin
aici purtători minoritari pentru joncţiunea Colector-Bază polarizată invers şi ei vor fi
antrenaţi spre Colector datorită tensiunii Ucc de valoare mare care polarizează invers
joncţiunea Colectorului. Putem spune că suprafaţa mare a Colectorului va “colecta”
electronii care vin din Bază. Se poate observa că are loc un transfer al electronilor
majoritari din Emitor în Bază datorită polarizării directe a joncţiunii p-n. Aceşti electroni
care vin din Emitor devin în Bază purtători minoritari şi sunt antrenaţi spre Colector
datorită tensiunii inverse aplicate pe Colector. Astfel electronii minoritari din Bază sunt

17
 trasferaţi în Colector unde devin din nou purtători majoritari asigurând asfel un curent
mare de Colector. Acest efect se numeşte efect de transistor (transfer resistor) de
unde şi denumirea de transistor. Două diode montate in opoziţie (de fapt transistorul
este format din 3 regiuni n, p, n sau altfel spus din două joncţiuno p-n)care în mod
normal nu funcţionează în această conexiune. Graţie efectului de transistor descris
anterior funcţionarea transistorului bipolar devin posibilă.

Cel mai important aspect al funcţionării transistorului bipolar este faptul că printr-
un curent mic de Bază putem controla un curent mare de colector.
Putem folosi aici analogia cu robinetul care să ajute mai mult la inţelegerea
fenomenului din transistorul bipolar. Apa potabilă de la sistemul de canalizare din oras
are un debit şi o presiune de valori ridicate la fel cum valoarea curentului de Colector
este mult mai mare decat curentul de Bază. Debitul prin robinet este controlat de o forţă
foarte mică, generată mecanic de mâna noastră prin învârtirea acestuia. La fel se
petrece şi în cazul transistorului bipolar unde printr-un curent mic de Bază putem
controla un curent mare de colector.
Din tot ceea ce am arătat până acum rezultă că tranzistorul se comportă ca un
amplificator de curent cu factorul de amplificare directă in curent β care este definit în
curent continuu ca raportul dintre curentul de Colector şi curentul de Emitor.

IC
β= .. De aici rezultă că IC=
IB
β*IB
Teoretic β ia valori
cuprinse între 19 şi 499 dar
practic el are valori cuprinse între 50 şi
200.
Celălalt tip de transistor bipolar este cel de tipul pnp ca în figura de mai jos :
GENERALITĂŢI. STRUCTURA TRANZISTORULUI BIPOLAR
    Tranzistoarele bipolare (TB) sunt dispozitive semiconductoare alcătuite dintr-o
succesiune de trei regiuni realizate prin impurificarea aceluiaşi cristal semiconductor,
regiunea centrală fiind mult mai îngustă şi de tip diferit faţă de regiunile laterale.
Regiunea centrala este mult mai slab
E B C E B C
dotată cu impurităţi decât celelalte
p n p n p n regiuni şi se numeşte baza (B). Una
dintre regiunile laterale, puternic
dotată cu impurităţi, se numeşte
emitor ©, iar cealaltă, mai săracă în
E impurităţi decât emitorul, se numeşte
C
E colector (C). Regiunile TB formează
C cele doua joncţiuni ale acestuia.
    În figura 1 sunt reprezentate cele
două structuri ale TB şi simbolurile
B acestora.
B

a b
Fig. 1. Structura şi simbolul TB de tip :
a) pnp ; b) npn

   

18
 Structurile din fig.1. ale celor două tipuri de TB reprezintă modelele structurale
unidimensionale ale acestora. Denumirile regiunilor extreme sunt corelate cu funcţiile
lor. E este sursa de purtători, care determină în general curentul prin tranzistor, iar C
colectează purtătorii ajunşi aici. B are rolul de a controla (modifica) intensitatea
curentului prin tranzistor în funcţie de tensiunea dintre B si E. Tranzistorul transferă
curentul din circuitul de intrare de rezistenţă mică în circuitul de ieşire de rezistenţă
mare, de unde şi denumirea de tranzistor (TRANSISTOR = TRANSFER RESISTOR).

Ce două joncţiuni ale tranzistorului sunt :

    – joncţiunea de emitor sau : – emitor-baza (EB) pentru TB pnp ;
    – baza-emitor (BE) pentru TB npn ;
    – joncţiunea de colector sau : – colector-baza (CB) pentru TB pnp ;
    – baza-colector (BC) pentru TB npn.

  TB este un dispozitiv activ care are ca funcţie de bază pe cea de amplificare.

Proprietatea de amplificare a TB se datoreşte aşa-numitului efect de tranzistor. Pentru
TB se pot defini trei curenţi şi trei tensiuni, aşa cum sunt prezentate în fig. 2.

VCE VCE
Ie ic C E ie ic
E C
w
VEB VCB
Ib VEB Ib VCB
B B
a b

Fig.2. Mărimile la borne ale TB: a) pnp; b) npn

Tensiunile sunt legate prin relaţia: v CB = vCE + vEB, (1) iar curentii prin relatia: i E = iC + iB.
(2)
    Pentru a obţine relatia (2), TB este asimilat cu un nod în care suma algebrică a
curenţilor este zero. Ca urmare a relatiilor (1) si (2), numai două tensiuni şi doi curenţi
sunt mărimi independente. Alegerea mărimilor electrice care descriu comportarea
tranzistorului se poate face în moduri diferite. Criteriul este urmatorul: se consideră
tranzistorul ca un diport (un bloc cu două borne ce formează poarta de intrare şi alte
două borne ce formează poarta de ieşire). Deoarece tranzistorul are doar trei borne
(terminale), una dintre ele trebuie să fie comună intrării şi ieşirii. Borna comună
defineşte conexiunea tranzistorului.

CONEXIUNI FUNDAMENTALE ALE TRANZISTORULUI BIPOLAR

    Aşa cum am mai spus, TB trebuie tratat ca un diport (cuadripol), dar având doar trei
borne, una dintre ele va fi comună circuitelor de intrare şi ieşire. TB are trei noduri de
conectare fundamentale :
    – conexiunea BC (cu baza comunaă) (fig. 3, a) ;

19
     – conexiunea EC (cu emitorul comun) (fig. 3, b) ;
    – conexiunea CC (cu colectorul comun) (fig. 3,c)

pnp npn
I E I- C I E I+ C

V
+
V V
-
EE+ - V
IV
+ CC
EE-
IV V
CC

V EB B
CB a
EB B
CB

pnp npn
I I C
I I B
C
B

V V IV V b V V IV V
BB EB E CE CC BB EB E CE CC

pnp npn
IE I E
I B I B

V + V
V CB
 CE
V
- EE
c V CB
+ CE 
V EE
V CC V CC
- 

Fig. 3. Conexiunile fundamentale ale TB:

a) conexiunea BC; b) conexiunea EC; c) conexiunea CC

1.c. Regimurile de funcţionare ale tranzistoarelor

După felul polarizării aplicate celor două joncţiuni ale unui tranzistor, se pot deosebi
patru regimuri de funcţionare:

 regim activ normal: - joncţiunea emitorului polarizată direct;

- joncţiunea colectorului polarizată invers;

 regim de saturaţie - joncţiunea emitorului polarizată direct;

- joncţiunea colectorului polarizată direct;

 regim de tăiere - joncţiunea emitorului polarizată invers;

- joncţiunea colectorului polarizată invers;

 regim activ invers - joncţiunea emitorului polarizată invers;

- joncţiunea colectorului polarizată direct;
20
  Regim activ normal a fost prezentat până acum.
 Regim de saturaţie. Ambele joncţiuni sunt polarizate direct. Pe
tranzistor sursele sunt montate în opoziţie, având valori apropiate. Tensiunea rezultantă
colector-emitor va fi:
U CE  U CB  U EB
Valoarea U CE de saturaţie este de valoare mică, aproximativ de 0,2 – 0,3 V. Curentul
ce trece prin tranzistor are valori relativ mari, dar mai mici decât în cazul regimului activ
normal; aceasta deoarece, prin joncţiunea colectorului, trec în sens contrar atât curentul de
goluri al emitorului, cât şi curentul de difuziune dat de golurile majoritare ale colectorului
dirijate spre bază. Curentul rezultat, de saturaţie este egal cu diferenţa celor doi curenţi.
 Regimul de tăiere (de blocare) se caracterizează prin faptul că,
ambele joncţiuni fiind polarizate invers, curenţii care circulă prin tranzistor sunt curenţi
reziduali de valoare mică. Când tranzistorul se află în acest regim, tensiunea la bornele
sale este foarte mare, deci şi rezistenţa sa echivalentă este foarte mare. În acest regim el
se comportă ca un comutator ce întrerupe circuitul, un comutator deschis.
 Regim activ invers. În acest caz emitorul joacă rolul colectorului,
iar colectorul pe cel al emitorului. Joncţiunea colectorului fiind polarizată direct, colectorul
injectează goluri în bază iar emitorul, a cărui joncţiune este polarizată invers, le colectează.
În acest regim tranzistoarele sunt folosite forte rar, deoarece coeficientul de amplificare în
curent este mai mic ca în regim activ normal. În adevăr, tehnologic suprafaţa colectorului
se face mai mare decât a emitorului, tocmai pentru a îmbunătăţi procesul de captare. În
situaţia inversă, electrodul care captează (emitorul) are o suprafaţă mai mică decât cel ce
injectează (colectorul), deci amplificarea în curent este mai scăzută. Se utilizează
câteodată în regim de comutaţi

21
 CARACTERISTICILE STATICE ALE TRANZISTORULUI BIPOLAR

       Pentru calcule practice ale circuitelor cu tranzistoare se utilizează caracteristicile

statice ridicate experimental. Există trei tipuri de caracteristici în TB:

a. caracteristicile de intrare care corelează două mărimi de intrare, parametru fiind

o mărime de ieşire;
b. caracteristicile de transfer care corelează o mărime de ieşire cu una de intrare,
ca parametru putând fi, în principiu, oricare altă mărime;
c. caracteristicile de ieşire care corelează două mărimi de ieşire, parametru fiind o
mărime de intrare.

    Întrucât caracteristicile statice depind de tipul schemei de conectare, în cele ce

urmează le prezentăm pe cele corespunzătoare conexiunii EC.

Caracteristicile statice ale tranzistoarelor bipolare în conexiunea EC

   Vom considera cazul unui TB npn de mică putere. În schema EC, tensiunile au ca
nivel de referinţă potenţialul emitorului. Ca mărimi de intrare avem: V BE = –VEB si IB, iar
ca mărimi de ieşire pe VCE şi IC.

    a) Caracteristici de intrare

    Considerăm caracteristica IB = IB(VBE)

I [A]
B
cu VCE = ct. În figură sunt reprezentate
caracteristicile de intrare tipice pentru un
TB cu Si.
V  0V
CC V CC
 0.1V
 r
Fig. 4 Caracteristica statică de intrare

IB = IB(VBE) cu VCE = ct. (conexiune EC)

0
V V
BE 0 BE
[V ]     Examinând caracteristicile, observăm
că dacă plecăm de la VBE = 0 şi, mărind
valoarea acestei tensiuni, curentul I B este
practic nul până la o anumită valoare V BED = (VBE,on = Vα ) numită tensiune de
deschidere sau de prag. În jurul acestei valori curentul creşte exponenţial cu V BE, după
care variaţia acestuia poate fi considerată practic liniară.
Se defineşte rezistenţa diferenţială de intrare a tranzistorului în montaj EC cu relaţia:
d V BE
R in , EC

dI B    (32)
V CE  ct

Trebuie remarcat că TB în montaj EC, datorită variaţiilor mici al lui I B, posedă o

rezistenţă diferenţială de intrare de valoare mare (mii de Ω ), spre deosebire de cazul
montajului BC, pentru care Rin,BC are o valoare foarte mică (zeci de Ω).

   

b) Caracteristici de transfer
Considerăm caracteristica IC = IC(IB) pentru VCE = ct. (fig.5  ).

22
 I  mAV
C

CE
 10V
V CE
 5V

I C1

I B1
I  A
B

Fig. 5 Caracteristica de transfer (conexiune EC) IC = IC(IB) pentru VCE = ct.

    În regiunea valorilor medii ale curentilor dependenta experimentala I C = IC(IB) este
I
cvasiliniara, astfel încât în zona acestor curenţi     C 1   (33)    poate fi considerat
F
I B1
constant.

Caracteristici de ieşire

    În figura 6 este reprezentată familia caracteristicilor experimentale de ieşire I C =

IC(VCE) cu IB = ct., caracteristice pentru un tranzistor npn.

I C
[mA] Regiune de
saturaţie
50A
40A
Regiune active
30A
normala 20A
10A
I B
0
10
Regiune de tăiere
20 V CC
[V ]

V CE
, sat  0,05 : 0,3V
Caracteristica IB = 0 nu este, de fapt,
limita regiunii de tăiere. Pentru a bloca
tranzistorul este necesară blocarea
joncţiunii emitorului. În acest caz, pentru
TB IC este egal cu ICE0. Funcţionarea TB
în regim de saturaţie este întâlnită
frecvent în circuitele digitale, deoarece
în această regiune se asigură o
tensiune de ieşire bine specificată, care
reprezintă o stare logică. În circuitele

23
 analogice se evită în mod uzual
regiunea de saturaţie, deoarece factorul
de amplificare al TB este foarte mic.

Fig. 6. Caracteristicile de ieşire IC = IC(VCE) cu IB = ct.

     2) Tensiuni tipice pe jonctiunile tranzistorului

    Considerăm caracteristica de transfer IC = IC(VBE) pentru tranzistorul npn cu Ge,

respectiv cu Si (fig. 7).

Tabelul 1. Valori tipice ale tensiunilor pe joncţunile tranzistorului npn

Tensiune [V]
VCE,sat VBE,sat = V VBE,reg.activ VBED (V ) VBE,taiere
Tip tranzistor

Si 0,2 0,8 0,7 0,5 0,0

Ge 0,1 0,3 0,2 0,1 – 0,1

I I I I
C CBS IC
C CB 0 IC
I I
C
Baza in
CB
gol
(baza in gol)

I I
C CES
 I CBE

VBE [V]

-0.1 V   Reg
0
0V
.1

 0 .3 VBE[V] -0.3 -0.2
0.7 0.8
-0.1 0 0.06 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6

activ
Saturati
e
V V Reg. activa

Blocare
Blocar Deschidere
e (prag) Saturat
ie

Fig. 7. Valori tipice ale tensiunilor pe joncţunile tranzistorului

24
 Comparaţie între tranzistoarele bipolare
şi unipolare (TEC)

Tranzistoarele cu efect de câmp sunt larg utilizate în prezent, datorită avantajelor

pe care le oferă în circuitele integrate şi în integrarea pe scară largă (Large Scale
Integration LSI). Aceste tranzistoare sunt considerate dispozitive de viitor, de primă
importanţă.
Analiza comparativă a tranzistoarelor bipolare şi a celor unipolare scoate în
evidenţă particularităţile tranzistoarelor unipolare şi principalele avantaje ale acestora:
1. Tranzistorul bipolar este un dispozitiv „comandat în curent”, iar TEC, un dispozitiv
comandat în tensiune. Tranzistoarele unipolare sunt dispozitive a căror comportare
este determinată de un singur tip de purtători de sarcină.
2. Impedanţa de intrare emitor-bază a tranzistoarelor bipolare este mică – de ordinul
x (0.1 … 1) k - reprezentând impedanţa unei diode polarizate direct.
Tranzistoarele unipolare au impedanţă de intrare foarte mare – de ordinul x 100
M. La TEC-J, această impedanţă corespunde unei joncţiuni polarizate invers (în
circuitul de intrare grilă-sursă).
3. Tranzistoarele cu efect de câmp prezintă o capacitate de intrare şi ieşire mai
redusă, comparativ cu cele bipolare, ceea ce le conferă avantaje la amplificarea
semnalelor de frecvenţe înalte.
4. Structurile TEC-MOS se obţin cu o tehnologie mai simplă decât tranzistoarele
bipolare (circuitele integrate TEC-MOS se formează prin utilizarea a numai 2/3 din
numărul de operaţii necesar circuitelor integrate bipolare) şi implicit, au un preţ de
cost mai redus.
5. TEC prezintă unele dezavantaje faţă de tranzistoarele bipolare, cum ar fi:
 viteză de comutaţie mai redusă
 tensiune de saturaţie mai mare
 pericol de distrugere în prezenţa câmpurilor electrice, prin
străpungerea instalaţiei dintre grilă şi substrat (la
tranzistoarele TEC-MOS).

Observaţie: Protecţia internă a dispozitivelor TEC-MOS împotriva străpungerii prin

câmp electric se realizează prin diode înglobate în capsulă, iar protecţia externă
prin scurtcircuitarea terminalelor (cu un inel) şi respectarea unor tehnologii
speciale de testare, montare şi depănare.
 CAPITOLUL 3

TIRISTOARE

Generalităţi
Tiristorul este un „redresor cu siliciu comandat”, care în lipsa semnalului de
comandă, blochează trecerea curentului în ambele sensuri. La apariţia unui impuls de
comandă, tiristorul ajunge în stare de conducţie, permiţând trecerea curentului într-un
singur sens.
Constructiv, tiristorul este alcătuit din trei joncţiuni semiconductoare pn notate cu
J1, J2, J3 (patru straturi pnpn). Regiunea extremă p este anodul A, regiunea extremă
n constituie catodul K iar regiunea intermediară p reprezintă electrodul de comandă,
numit grilă G (în limba engleză GATE=poartă). Sensul direct de conducţie a
tiristorului este de la anod la catod. Joncţiunea J3 se numeşte joncţiune de comandă.

Structură Simbol

ANOD A
p
J1
n
GRILĂ G
J2
p
J3
CATOD n
K

26
 Intrarea tiristorului în conducţie se obţine „injectând” în grilă un impuls
pozitiv de curent, de amplitudine şi durată corespunzătoare. Curentul de
comandă al tiristorului se consideră având sens pozitiv când intră în grilă (circulă
de la grilă spre catod). Cu cât curentul de poartă creşte, cu atât se micşorează
valoarea tensiunii anodice la care apare comutaţia.

Tiristorul ca element de comutaţie

Toate dispozitivele de comutaţie inclusiv tiristorul, posedă două stări extreme de
funcţionare: blocare şi conducţie. Trecerea tiristorului din starea blocată în starea de
conducţie se realizează cu ajutorul grilei (electrod de comandă).

- în stare blocată, tiristorul este dezamorsat şi se comportă între anod şi catod

ca un întrerupător deschis (rezistenţă anod-catod foarte mare – până la zeci de M,
curent anodic neglijabil şi tensiune anod-catod egală cu tensiunea de alimentare).
- în stare de conducţie, tiristorul este amorsat şi între anod-catod se comportă
ca un întrerupător închis (rezistenţă anod-catod neglijabilă – ohmi sau zeci de ohmi,
curent anodic egal cu curentul de sarcină şi cădere de tensiune foarte mică 1…2 V)

Caracteristica şi parametrii principali ai tiristorului

Caracteristica tensiune-curent a tiristorului permite definirea principalilor

parametrii ai tiristorului, specificaţi şi în cataloagele firmelor producătoare:

- Curentul mediu redresat Imax sau curentul nominal al tiristorului=

valoarea recomandată de firma producătoare pentru curentul tiristorului
în conducţie şi care asigură o funcţionare îndelungată. Producătorii
specifică valoarea lui Imax pentru tiristoare cu un anumit tip de radiator
sau fără radiator.
- Tensiunea inversă de vârf de lucru în stare blocată Uinv max =
tensiunea de vârf maximă admisă, la funcţionare în stare blocată, cu
polarizare inversă.
- Tensiunea directă de vârf de lucru în stare blocată UAK max = tensiunea
de vârf maxim admisă, la funcţionare în stare blocată, cu polarizare
directă.
- Curentul continuu de menţinere Imin = curentul continuu minim care
trebuie să circule prin tiristorul amorsat, pentru ca tiristorul să se menţină
în stare de conducţie .
- Curentul de grilă de amorsare IGT = curentul de grilă minim necesar
pentru a provoca amorsarea.
- Tensiunea de amorsare VGT = tensiunea între grilă şi catod pentru care
tiristorul se amorsează cu certitudine (pentru o tensiune mică anod-
catod). 27
 Observaţie: Alegerea tiristoarelor se face astfel încât curentul de sarcină să fie cu
20…30% mai mic decât valoarea de catalog I0 iar tensiunea de polarizare directă şi
inversă, pe tiristorul blocat să nu depăşească valorile de catalog.

28
 Caracteristica curent-tensiune a tiristorului

Caracteristica tiristorului pentru diferite tensiuni aplicate pe poartă:

Tiristorul este un dispozitiv unidirecţional, adică se poate comanda prin grilă

(poartă) numai la polarizare directă (+ pe anod). Polarizat invers el se comportă ca
o diodă redresoare blocată.
Dezamorsarea tiristorului se obţine prin reducerea curentului anodic sub
valoarea curentului de menţinere sau prin inversarea polarităţii tensiunii aplicate
între anod şi catod.

29
 CAPITOLUL 4

TRIACUL

Este un dispozitiv semiconductor echivalent cu 2 tiristoare în antiparalel montate

în aceeaşi capsulă, având un singur electrod de comandă. Deci triacul este „versiunea
A1
bidirecţională a tiristorului”.

VA
Are 3 terminale: anodul 1 - A1, anodul 2 – A2 , şi grila de comandă G. A1 şi A2
îndeplinesc succesiv rol de anod şi rol de catod.
G
A2
Amorsarea triacului se realizează prin impulsuri
de curent, pozitive sau negative, aplicate grilei,
indiferent de polarizarea triacului. Combinaţiile uzuale
pentru amorsarea triacului sunt:

A2 - pozitiv (VA2>VA1), G – pozitiv

A2 - negativ (VA2<VA1), G – negativ

Caracteristica statică a triacului esteamorsare

După simetricăse
şi dispusă
menţine în
în cadranele
conducţie Icât
şi III,
timp
semănând foarte mult cu ceaexistă
a tiristorului
curent anodic IA>IH, poarta pierzându-şi rolul de
comandă. (IH este curentul de menţinere).

A1 DIACUL

Diacul este un triac fără electrodul de comandă, adică

fără grilă.
A2 El este blocat în ambele sensuri atât timp cât
tensiunea aplicată între A2 şi A1 nu depăşeşte o anumită
valoare, specifică fiecărui tip.
Dacă tensiunea de amorsare este depăşită, diacul se
deschide şi tensiunea la borne scade brusc, astfel că în
circuitul exterior apar impulsuri de curent destul de intense,
ce pot fi utilizate pentru comanda tiristoarelor sau triacurilor.

ANEXA 1

Tranzistoare

30
Tiristoare

31
 ANEXA 2

2.6. GLOSAR DE TERMENI

 amorsare – comutarea dispozitivului electronic din starea de

blocare în starea de conducţie

 antiparalel – legarea în paralel a două diode sau tiristoare având

sensuri de conducţie opuse

 comutaţie – trecerea rapidă a unei joncţiuni din stare de

conducţie în stare de blocare şi invers

 dezamorsare – comutarea dispozitivului electronic din starea de

conducţie în starea de blocare

 polarizare directă – aplicarea unei diferenţe de potenţial unei joncţiuni

pn astfel ca + să fie conectat la regiune p, iar – la
regiunea n

 polarizare inversă – aplicarea unei diferenţe de potenţial unei joncţiuni

pn astfel ca - să fie conectat la regiune p, iar + la
regiunea n

 validitate – îndeplinirea condiţiilor pentru o funcţionare

normală, de către un dispozitiv electronic

Această listă de termeni poate fi completată cu termenii noi

32
 BIBLIOGRAFIE

[1] Damachi, E., Tunsoiu, A. : Electronică. Editura Didactică şi Pedagogică, Bucureşti, 1999
[2] Componente şi circuite electronice - manual pentru cl. a X - a licee industriale. Editura
Didactică şi Pedagogică, Bucureşti, 1996
[3] Diode şi tiristoare de putere – manual de utilizare. Editura Tehnică, Bucureşti, 1989
[4] Coloşi, T., Morar, R., Miron, C. : Tehnologie electronică – componente discrete.
IPCN Facultatea de Electrotehnică, 1979
[5] Ion, M., Goagă, F. : Ghid metodic de evaluare pentru învăţământul profesional şi
tehnic
preuniversitar. Editura INFO, Craiova, 1999
[6] Ghid metodologic pentru aplicarea programelor şcolare Tehnologii. Consiliul Naţional
pentru Curriculum, 2002
[7] Drăgulănescu, N. : Agenda radioelectronistului. Editura Tehnică, Bucureşti, 1989.

33