1

CAPITOLUL I

GENERALITATI

Definiţia componentei electronice: o realizare distinctă,

caracterizată de mai multe proprietăţi fizice, cu carcater monolitic (deci fără
posibilitatea descompunerii în alte elemente utilizabile în construcţia
aparatelor electronice).
Clasificarea lor se poate face după mai multe criterii:
1.Capacitatea de a transforma energia electrică de curent
continuu în energie de curent alternativ
2.Natura purtătorilor de sarcină ce participă la conducţia electrică
din componentă
Componentele pasive nu permit, numai prin funcţionalitatea lor,
transformarea energia de curent continuu în energie de curent alternativ.
Ca o consecinţă cu ele nu se poate realiza amplificarea în putere a
semnalelor variabile. Exemple: rezistorul, condensatorul, bobina, dioda,
etc.
Componentele active permit transformarea energiei de curent
continuu în energie de curent alternativ. Această proprietate permite să se
obţină amplificarea semalelor variabile în putere. Exemple: tranzistoare,
tiristoare, etc.

2
 1.1 DIODA
 Prezentare teoretica
 Parti componente
 Functionare
 Conectare in circuit
 Aplicatii

Tipuri de diode

      Prezentare teoretica 

  Dioda semiconductoare

   Este formată din două zone semiconductoare, una de tip p şi una de tip n, iar la
suprafaţa lor de contact definim joncţiunea p-n.  

      În figură am desenat golurile cu roşu , electronii cu albastru, iar  zona desenată cu verde este
chiar joncţiunea.

 Polarizarea inversa a diodei 

 În continuare aplicăm pe joncţiune un câmp electric extern cu + pe catodul diodei şi - pe
anod. Dioda este polarizată invers, electronii care sunt purtători majoritari în zona n
(desenaţi cu albastru) sunt atraşi de borna +, golurile  care sunt purtători majoritari in
zona p (desenate cu roşu) sunt atrase de borna -, regiunea de trecere desenată cu verde se

3
 măreşte şi prin ea nu vom avea circulaţie de purtători majoritari de la zona p la zona n şi
invers şi deci nu circulă curent electric prin joncţiune.

Polarizarea directa a diodei 

 Inversăm acum polii sursei de alimentare aplicând + pe zona p şi - pe zona n. Ştim că, în
acest caz, dioda conduce şi prin ea trece un curent semnificativ format din purtători
majoritari (electronii din zona n şi golurile din zona p). Pentru ca dioda să conducă, este
necesar ca potenţialul sursei exterioare să fie mai mare de 0,2 V pentru Germaniu si de
0,6V pentru Siliciu. pentru ca să fie depăşită bariera de potenţial din zona joncţiunii care
apare în mod natural atunci cand am realizat joncţiunea p-n, dar nu aplicăm nici un câmp
electric exterior.

 
 Diodele semiconductoare au marcat cu un cerc catodul, sau zona n, ca în figura de mai jos:
 
 

Caracteristica de transfer a diodei semiconductoare

4
  

 Graficul din figura de mai sus reprezintă caracteristica de transfer a diodei

semiconductoare. Ud reprezintă tensiune de polarizare directă a diodei iar UINV este
tensiunea inversă de polarizare a diodei. În polarizare directă dioda începe să conducă
numai dacă tensiunea directă aplicată pe ea este mai mare decât valoarea barierei de
potenţial care este de 0,2 V la Ge şi 0,6 V la Si. În cazul în care tensiunea de polarizare
inversă, UINV, aplicată diodei depăşeşte valoarea tensiunii de străpungere inversă, dioda
va conduce din nou. Acest mod de lucru al diodei este însă periculos şi poate conduce la
distrugerea diodei, dacă nu limităm curentul invers prin diodă cu rezistenţe exterioare.
Fenomenul de străpungere al joncţiunii p-n în polarizare inversă este numit:
 efect Zener, dacă valoarea tensiunii inverse de străpungere este mai mică de 5V;
 efect de avalanşă, dacă valoarea tensiunii inverse de străpungere este mai mare de 5V;
 Dioda semiconductoare este foarte folosită în schemele electronice de amplificatoare,
oscilatoare, circuite de detecţie şi modulaţie dar şi în alimentatoare ca diodă redresoare

Dioda redresoare 

     O dioda redresoare ideală ar trebui să posede o caracteristică statică de forma celei din
figura de mai jos, adică dispozitivul să se comporte ca un scurtcircuit (rezistenţă nulă) în
sens direct şi ca un întrerupător deschis (rezistentă infinită) în sens invers.
 Simbolul diodei redresoare:

5
 

IA

VA

     O dioda redresoare ideală ar trebui să posede o caracteristică statică de forma celei din
figura de mai sus, adică dispozitivul să se comporte ca un scurtcircuit (rezistenţă nulă) în
sens direct şi ca un întrerupător deschis (rezistentă infinită) în sens invers.  

  În sens direct, curentul prin diodă apare, practic, numai de la o anumită tensiune aplicată,
numită tensiune de deschidere, VD (sau de prag VP), cu valori de 0,2 – 0,3 V la Ge şi 0,6 – 0,7
V la Si. Din acest punct de vedere, dioda redresoare cu Ge este mai avantajoasă, randamentul de
redresare fiind mai bun.  

Redresorul monofazat monoalternanţã

 Funcţionarea are loc astfel: la aplicarea unei tensiuni alternative în primar, ia naştere în
secundar tot o tensiune alternativã, ce se aplicã pe anodul diodei, dioda conduce, în
circuit apare un curent proporţional cu tensiunea aplicatã, deci având aceaşi formã cu ea.
Pe durata alternanţelor negative, dioda este blocatã şi curentul prin circuit este nul.
Curentul prin sarcinã circulã deci într-un singur sens, sub forma unor alternanţe (curent
pulsatoriu).  

Forma de unda la redresor monoalternanta

6
Schema electrica , redresor monoalternanta

7
 1.2 TRANZISTOARE

Tranzistoarele unipolare asigură conducţia printr-un singur tip de

purtători de sarcină (fie e- , fie goluri+ ).
Comanda curentului în tranzistor se realizează cu un câmp electric
motiv pentru care se mai numesc tranzistoare cu efect de câmp (TEC).
Are 3 sau 4 terminale : - sursă (S)
- drenă (D)
- grilă (G) sau poartă (P)
- bază (B) sau substrat, care poate fi legat cu G, în
interiorul capsulei.
Zona din semiconductor prin care se deplasează purtătorii de sarcină
(calea de curent) de la sursă la drenă, se numeşte canal.
După natura semiconductorului, canalul poate fi de tip n sau de tip p.
După modul de variaţie a rezistenţei canalului, datorită grilei de
comandă, pot fi:
- cu grilă joncţiune  TEC-J

- cu grilă izolată  TEC-MOS

La TEC-J câmpul electric de comandă se obţine prin polarizarea
inversă a unei joncţiuni.
La TEC-MOS câmpul electric se creează prin aplicarea unei tensiuni
între G şi S. G şi S sunt separate printr-un izolator foarte bun, uzual un oxid, rezultând o
structură metal-oxid-semiconductor (MOS).

37
 TEC-J

Curentul prin canalul n este format din sarcini negative (electroni), deci
polaritatea drenei faţă de sursă trebuie să fie pozitivă.
Polarizarea negativă a grilei G introduce un efect de respingere electrostatică a
electronilor spre centrul canalului. Cu cât negativarea grilei este mai intensă, cu atât se
reduce mai mult secţiunea canalului, cu efect de creştere a rezistenţei între sursă şi
drenă şi implicit de micşorare a curentului de drenă.
Structura unui TEC-J cu canal p este asemănătoare cu structura TEC-J cu canal
n, cu observaţia că se inversează structurile p şi n între ele, precum şi polarităţile
bornelor G şi D. În acest caz, curentul prin canalul p este format din sarcinile pozitive,
antrenate spre drena polarizată negativ.

Datorită celor două joncţiuni polarizate invers, curentul de grilă este practice nul.
Sensul săgeţii din grilă – în prelungire spre sursă – indică sensul tehnic al curentului în
sursă şi implicit al curentului între drenă şi sursă.
Din sensul curentului de drenă rezultă polaritatea drenei (faţă de sursă).
Tipul canalului (p sau n) şi polaritatea grilei (faţă de sursă) sunt opuse polarităţii
drenei.
De exemplu pentru un TEC-J cu canal n, prelungirea săgeţii arată sensul tehnic
de circulaţie, spre exterior a curentului sursei, rezultând astfel sensul curentului de
drenă (de la drenă spre sursă).
Deci, faţă de sursă, drena va fi polarizată pozitiv, canalul va fi de tip n (semn
invers faţă de D), iar grila faţă de sursă va fi polarizată negativ (aceeaşi polaritate cu a
canalului).
Caracteristicile statice de ieşire reprezintă variaţia curentului de drenă în funcţie
de tensiunea între drenă şi sursă, atunci când se menţine constantă tensiunea grilă-
sursă.

38
 ID= f(UDS) când UGS= ct.

Curentul de drenă are valoarea maximă atunci când tensiunea U GS=0 . Valoarea
lui este cu atât mai mare cu cât tensiunea de drenă este mai mare.
Caracteristica de transfer reprezintă variaţia curentului de drenă în funcţie de
tensiunea pe grilă, pentru o anumită valoare a tensiunii de drenă.

ID= f(UGS) când UDS=ct.

Parametrii specifici:
curentul IDmax este curentul de drenă maxim garantat de fabricant
curentul IDSS pentru UGS=0 este curentul de saturaţie pentru tensiunea de
grilă nulă
tensiunea de prag (de tăiere) este tensiunea de grilă pentru care curentul
prin tranzistor se anulează

TRANZISTORUL BIPOLAR
Tranzistoarele bipolare sunt dispozitive semiconductoare cu doua jonctiuni care functioneaza
pe baza injectiei de purtatori minoritari. Tranzistorul poate inlocui trioda cu emisie
termoelectrica.
Tranzistorul este alcatuit dintr-un semiconductor cu trei straturi de conductie diferita: un
strat n intre 2 straturi p, la tranzistorul p-n-p, sau un strat p intre 2 n, la tranzistorul n-p-n.

P N P N P N

C C
B B
E E

Tranzistorul p-n-p Tranzistorul n-p-n

Functionarea tranzistorului n-p-n

Stratul din mijloc al semiconductorului se numeste baza, straturile laterale se numesc emitor
si colector. Baza are o dopare mai mica decat emitorul. Tranzistorul poate fi considerat ca
format din doua diode semiconductoare: una emitor-baza si alta baza-colector.
Pentru functionarea tranzistorului, pe dioda baza-colector, se aplica o tensiune inversa, cu
polul pozitiv la partea n, adica la colector. Deoarece in zona p nu sunt electroni liberi care sa fie
atrasi de polul pozitiv de la colector, in circuitul colectorului curentul este practic nul. Daca in
baza se injecteaza electroni din emitor, prin aplicarea unei tensiuni directe pe dioda emitor-baza,
electronii injectati vor fi atrasi de colectorul pozitiv si in circuitul colectorului va circula curent.
In acest fel curentul in circuitul colectorului este comandat de curentul din circuitul emitorului,
care la randul sau este determinat de tensiunea aplicata intre emitor si baza.
Peste anumite valori ale tensiunii baza-colector toti electronii injectati in baza sunt
colectati de colector, curentul de colector atinge valori de saturatie si curentul de baza (care

39
circula intre baza si sursa Ubc) este foarte mic. Se observa ca pe masura ce creste curentul
emitorului creste si curentul colectorului, iar tensiunea baza-colector practic nu influenteaza
curentul colectorului.
Aplicand intre emitor si baza o tensiune alternativa, variatiile de tensiune provoaca
variatii ale curentului emitorului, care produc variatii ale curentului colectorului. Pe rezistorul de
sarcina Rs, mare, din circuitul colectorului variatiile de curent produc variatii de tensiune, mai
mari decat ale tensiunii de intrare. Asadar tranzistorul poate functiona ca amplificator de
tensiune.
Pentru ca semnalul amplificat sa nu fie deformat, in circuitul emitorului se introduce o
tensiune continua U0 care are rolul de a stabili un punct de functionare al tranzistorului: tensiunea
U0 produce unanumit curent de emitor, in jurul caruia se produc variatiile dare de tensiunea
alternativa. Daca se alege punctul de functionare pentru care Ie=0, dioda emitor-baza permite
numai trecerea alternantelor pozitive, pentru care este polarizata direct si deci tranzistorul
functioneaza ca detector.

a) Functionarea tranzistorului

b) Montaj in baza comuna

Tranzistorul p-n-p functioneaza dupa un principiu analog, dar tensiunile aplicate trebuie sa

aiba o polaritate inversa.

40
Etaj de amplificare

Schema unui etaj de amplificare cu un tranzistor montat cu emitorul comun este reprezentata

in figura de mai jos. Functionrea sa din acest montaj este analoaga cu a unei triode. Electronii

sunt emisi de emitor, controlati de tensiunea aplicata bazei si colectati de colector. Circuitul

EDBE este al bazei, iar ECSE este al colectorului. Pe dioda baza-colector se aplica tensiune

inversa (de la sursa S). O parte din tensiunea sursei se aplica rezistentei de sarcina si o mica

parte diodei emitor-baza. Deoarece tensiunea directa aplicata in felul acesta pe dioda emitor-

baza nu este suficienta pentru stabilirea punctului de functionare, pe dioda-emitor-baza se

aplica o tensiune mai mare cu ajutorul unui divizor de tensiune format din rezistorii Rd1 si

Rd2. Tensiunea sursei se distribuie pe acesti doi rezistori si de pe Rd2 se culege tensiunea

necesara pentru stabilirea punctului de functionare.

c) Etaj de amplificare

Intrarea in circuitul emitorului se face intre punctul masa si baza cu ajutorul unui condensator

Cs care lasa sa treaca numai componentele alternative. Iesirea se face la capetele rezistorului

de sarcina. Condensatorul C’s lasa sa treaca numai componenetele alternative si de aceea este

41
 indiferent daca iesirea se face intre punctele a si b’ sau intre a si b care include si sursa. In al

doilea caz, insa, se poate face conectarea etajului la intrarea unui etaj de amplificare, analog.

Importanta practica

Aparitia tranzistorilor si a celorlalte dispozitive semiconductoare a adus schimbari majore in

radiotehnica. Tranzistorii ocupa un volum mic si se poare realiza miniaturizarea aparaturii. Ei

nu necesita alimentare de incalzire, iar tensiunea continua necesara pentru functionare este

mai redusa decat la tuburi, de aceea au un consum electric mai mic. Ei au de asemenea o

durata de functionare mai mare.

La modul cel mai simplu, tranzistorul bipor poate fi privit ca două diode
semiconductoare legate în serie.
În partea de jos avem o zonă de semiconductor de tip n cu un contact metalic,
care reprezintă Emitorul. Deasupra acesteia există o zonă semiconductoare foarte
subţire de tip p, la care se conectează un electrod metalic, numit Bază. Apare astfel
prima joncţiune p-n. A doua zonă de tip n cu un contact metalic reprezintă Colectorul şi,
împreună cu zona n a Bazei, formează a doua joncţiune p-n. Rezultă în final tranzistorul
npn.

Acest tranzistor bipolar are următoarele caracteristici constructive:

 regiunea Bazei este foarte subţire şi slab dopată;

 regiunea Emitorului este puternic dopată;
 Regiunea Colectorului este mare şi de obicei este conectată la capsula metalică
pentru disiparea uşoară a căldurii

După cum se poate vedea joncţiunea Emitor-Bază este polarizată direct iar
joncţiunea Colector-Bază este polarizată invers. Emitorul puternic dopat va emite spre

42
 regiunea Bazei purtători majoritari, electronii care vor penetra adanc în Bază deoarece
aceasta este foarte subţire şi slab dopată. O mică parte din aceşti electroni se vor
recombina cu golurile majoritare din bază. Ceilalţi electroni care au ajuns în Bază devin
aici purtători minoritari pentru joncţiunea Colector-Bază polarizată invers şi ei vor fi
antrenaţi spre Colector datorită tensiunii Ucc de valoare mare care polarizează invers
joncţiunea Colectorului. Putem spune că suprafaţa mare a Colectorului va “colecta”
electronii care vin din Bază. Se poate observa că are loc un transfer al electronilor
majoritari din Emitor în Bază datorită polarizării directe a joncţiunii p-n. Aceşti electroni
care vin din Emitor devin în Bază purtători minoritari şi sunt antrenaţi spre Colector
datorită tensiunii inverse aplicate pe Colector. Astfel electronii minoritari din Bază sunt
trasferaţi în Colector unde devin din nou purtători majoritari asigurând asfel un curent
mare de Colector. Acest efect se numeşte efect de transistor (transfer resistor) de
unde şi denumirea de transistor. Două diode montate in opoziţie (de fapt transistorul
este format din 3 regiuni n, p, n sau altfel spus din două joncţiuno p-n)care în mod
normal nu funcţionează în această conexiune. Graţie efectului de transistor descris
anterior funcţionarea transistorului bipolar devin posibilă.

Cel mai important aspect al funcţionării transistorului bipolar este faptul că printr-
un curent mic de Bază putem controla un curent mare de colector.
Putem folosi aici analogia cu robinetul care să ajute mai mult la inţelegerea
fenomenului din transistorul bipolar. Apa potabilă de la sistemul de canalizare din oras
are un debit şi o presiune de valori ridicate la fel cum valoarea curentului de Colector
este mult mai mare decat curentul de Bază. Debitul prin robinet este controlat de o forţă
foarte mică, generată mecanic de mâna noastră prin învârtirea acestuia. La fel se
petrece şi în cazul transistorului bipolar unde printr-un curent mic de Bază putem
controla un curent mare de colector.
Din tot ceea ce am arătat până acum rezultă că tranzistorul se comportă ca un
amplificator de curent cu factorul de amplificare directă in curent β care este definit în
curent continuu ca raportul dintre curentul de Colector şi curentul de Emitor.

IC
β= .. De aici rezultă că IC=
IB
β*IB
Teoretic β ia valori
cuprinse între 19 şi 499 dar
practic el are valori cuprinse între 50 şi
200.
Celălalt tip de transistor bipolar este cel de tipul pnp ca în figura de mai jos :

GENERALITĂŢI. STRUCTURA TRANZISTORULUI BIPOLAR

    Tranzistoarele bipolare (TB) sunt dispozitive semiconductoare alcătuite dintr-o
succesiune de trei regiuni realizate
E B C E B C prin impurificarea aceluiaşi cristal
semiconductor, regiunea centrală fiind
p n p n p n
mult mai îngustă şi de tip diferit faţă de
regiunile laterale. Regiunea centrala
este mult mai slab dotată cu impurităţi
decât celelalte regiuni şi se numeşte
E C baza (B). Una dintre regiunile laterale,
E C puternic dotată cu impurităţi, se
numeşte emitor ©, iar cealaltă, mai
săracă în impurităţi decât emitorul, se
B
B 43

a b
numeşte colector (C). Regiunile TB formează cele doua joncţiuni ale acestuia.
    În figura 1 sunt reprezentate cele două structuri ale TB şi simbolurile acestora.

Fig. 1. Structura şi simbolul TB de tip : a) pnp ; b) npn

   

Structurile din fig.1. ale celor două tipuri de TB reprezintă modelele structurale
unidimensionale ale acestora. Denumirile regiunilor extreme sunt corelate cu funcţiile
lor. E este sursa de purtători, care determină în general curentul prin tranzistor, iar C
colectează purtătorii ajunşi aici. B are rolul de a controla (modifica) intensitatea
curentului prin tranzistor în funcţie de tensiunea dintre B si E. Tranzistorul transferă
curentul din circuitul de intrare de rezistenţă mică în circuitul de ieşire de rezistenţă
mare, de unde şi denumirea de tranzistor (TRANSISTOR = TRANSFER RESISTOR).

Ce două joncţiuni ale tranzistorului sunt :

    – joncţiunea de emitor sau : – emitor-baza (EB) pentru TB pnp ;
    – baza-emitor (BE) pentru TB npn ;
    – joncţiunea de colector sau : – colector-baza (CB) pentru TB pnp ;
    – baza-colector (BC) pentru TB npn.

  TB este un dispozitiv activ care are ca funcţie de bază pe cea de amplificare.

Proprietatea de amplificare a TB se datoreşte aşa-numitului efect de tranzistor. Pentru
TB se pot defini trei curenţi şi trei tensiuni, aşa cum sunt prezentate în fig. 2.

VCE VCE
Ie ic C E ie ic
E C
w
VEB VCB
Ib VEB Ib VCB
B B
a b

Fig.2. Mărimile la borne ale TB: a) pnp; b) npn

Tensiunile sunt legate prin relaţia: v CB = vCE + vEB, (1) iar curentii prin relatia: i E = iC + iB.
(2)
    Pentru a obţine relatia (2), TB este asimilat cu un nod în care suma algebrică a
curenţilor este zero. Ca urmare a relatiilor (1) si (2), numai două tensiuni şi doi curenţi
sunt mărimi independente. Alegerea mărimilor electrice care descriu comportarea
tranzistorului se poate face în moduri diferite. Criteriul este urmatorul: se consideră
tranzistorul ca un diport (un bloc cu două borne ce formează poarta de intrare şi alte
două borne ce formează poarta de ieşire). Deoarece tranzistorul are doar trei borne
(terminale), una dintre ele trebuie să fie comună intrării şi ieşirii. Borna comună
defineşte conexiunea tranzistorului.

44
 CONEXIUNI FUNDAMENTALE ALE TRANZISTORULUI BIPOLAR

    Aşa cum am mai spus, TB trebuie tratat ca un diport (cuadripol), dar având doar trei
borne, una dintre ele va fi comună circuitelor de intrare şi ieşire. TB are trei noduri de
conectare fundamentale :
    – conexiunea BC (cu baza comunaă) (fig. 3, a) ;
    – conexiunea EC (cu emitorul comun) (fig. 3, b) ;
    – conexiunea CC (cu colectorul comun) (fig. 3,c)

pnp npn
I E I- C I E I+ C

V
+
V V
-
EE+ - V
IV
+ CC
EE-
IV V
CC

V EB B
CB a
EB B
CB

pnp npn
I I C
I
I B
C
B

V V IV V b V V IV V
BB EB E CE CC BB EB E CE CC

pnp npn
IE I E
I B I B

V + V
V CB
 CE
V
- EE
c V CB
+ CE 
V EE
V CC V CC
- 

Fig. 3. Conexiunile fundamentale ale TB:

a) conexiunea BC; b) conexiunea EC; c) conexiunea CC

1.c. Regimurile de funcţionare ale tranzistoarelor

După felul polarizării aplicate celor două joncţiuni ale unui tranzistor, se pot deosebi
patru regimuri de funcţionare:

 regim activ normal: - joncţiunea emitorului polarizată direct;

- joncţiunea colectorului polarizată invers;

45
  regim de saturaţie - joncţiunea emitorului polarizată direct;
- joncţiunea colectorului polarizată direct;

 regim de tăiere - joncţiunea emitorului polarizată invers;

- joncţiunea colectorului polarizată invers;

 regim activ invers - joncţiunea emitorului polarizată invers;

- joncţiunea colectorului polarizată direct;

 Regim activ normal a fost prezentat până acum.

 Regim de saturaţie. Ambele joncţiuni sunt polarizate direct. Pe
tranzistor sursele sunt montate în opoziţie, având valori apropiate. Tensiunea rezultantă
colector-emitor va fi:
U CE  U CB  U EB
Valoarea U CE de saturaţie este de valoare mică, aproximativ de 0,2 – 0,3 V. Curentul
ce trece prin tranzistor are valori relativ mari, dar mai mici decât în cazul regimului activ
normal; aceasta deoarece, prin joncţiunea colectorului, trec în sens contrar atât curentul de
goluri al emitorului, cât şi curentul de difuziune dat de golurile majoritare ale colectorului
dirijate spre bază. Curentul rezultat, de saturaţie este egal cu diferenţa celor doi curenţi.
 Regimul de tăiere (de blocare) se caracterizează prin faptul că,
ambele joncţiuni fiind polarizate invers, curenţii care circulă prin tranzistor sunt curenţi
reziduali de valoare mică. Când tranzistorul se află în acest regim, tensiunea la bornele
sale este foarte mare, deci şi rezistenţa sa echivalentă este foarte mare. În acest regim el
se comportă ca un comutator ce întrerupe circuitul, un comutator deschis.
 Regim activ invers. În acest caz emitorul joacă rolul colectorului,
iar colectorul pe cel al emitorului. Joncţiunea colectorului fiind polarizată direct, colectorul
injectează goluri în bază iar emitorul, a cărui joncţiune este polarizată invers, le colectează.
În acest regim tranzistoarele sunt folosite forte rar, deoarece coeficientul de amplificare în
curent este mai mic ca în regim activ normal. În adevăr, tehnologic suprafaţa colectorului
se face mai mare decât a emitorului, tocmai pentru a îmbunătăţi procesul de captare. În
situaţia inversă, electrodul care captează (emitorul) are o suprafaţă mai mică decât cel ce
injectează (colectorul), deci amplificarea în curent este mai scăzută. Se utilizează
câteodată în regim de comutaţi

46
 CARACTERISTICILE STATICE ALE TRANZISTORULUI BIPOLAR

       Pentru calcule practice ale circuitelor cu tranzistoare se utilizează caracteristicile

statice ridicate experimental. Există trei tipuri de caracteristici în TB:

a. caracteristicile de intrare care corelează două mărimi de intrare, parametru fiind

o mărime de ieşire;
b. caracteristicile de transfer care corelează o mărime de ieşire cu una de intrare,
ca parametru putând fi, în principiu, oricare altă mărime;
c. caracteristicile de ieşire care corelează două mărimi de ieşire, parametru fiind o
mărime de intrare.

    Întrucât caracteristicile statice depind de tipul schemei de conectare, în cele ce

urmează le prezentăm pe cele corespunzătoare conexiunii EC.

Comparaţie între tranzistoarele bipolare

şi unipolare (TEC)
Tranzistoarele cu efect de câmp sunt larg utilizate în prezent, datorită avantajelor
pe care le oferă în circuitele integrate şi în integrarea pe scară largă (Large Scale
Integration LSI). Aceste tranzistoare sunt considerate dispozitive de viitor, de primă
importanţă.
Analiza comparativă a tranzistoarelor bipolare şi a celor unipolare scoate în
evidenţă particularităţile tranzistoarelor unipolare şi principalele avantaje ale acestora:
1. Tranzistorul bipolar este un dispozitiv „comandat în curent”, iar TEC, un
dispozitiv comandat în tensiune. Tranzistoarele unipolare sunt dispozitive a căror
comportare este determinată de un singur tip de purtători de sarcină.
2. Impedanţa de intrare emitor-bază a tranzistoarelor bipolare este mică – de
ordinul x (0.1 … 1) k - reprezentând impedanţa unei diode polarizate direct.
Tranzistoarele unipolare au impedanţă de intrare foarte mare – de ordinul x 100
M. La TEC-J, această impedanţă corespunde unei joncţiuni polarizate invers
(în circuitul de intrare grilă-sursă).
3. Tranzistoarele cu efect de câmp prezintă o capacitate de intrare şi ieşire mai
redusă, comparativ cu cele bipolare, ceea ce le conferă avantaje la amplificarea
semnalelor de frecvenţe înalte.
4. Structurile TEC-MOS se obţin cu o tehnologie mai simplă decât tranzistoarele
bipolare (circuitele integrate TEC-MOS se formează prin utilizarea a numai 2/3
din numărul de operaţii necesar circuitelor integrate bipolare) şi implicit, au un
preţ de cost mai redus.
5. TEC prezintă unele dezavantaje faţă de tranzistoarele bipolare, cum ar fi:
 viteză de comutaţie mai redusă
 tensiune de saturaţie mai mare
 pericol de distrugere în prezenţa câmpurilor electrice, prin
străpungerea instalaţiei dintre grilă şi substrat (la
tranzistoarele TEC-MOS).
Protecţia internă a dispozitivelor TEC-MOS împotriva străpungerii prin câmp
electric se realizează prin diode înglobate în capsulă, iar protecţia externă prin
scurtcircuitarea terminalelor (cu un inel) şi respectarea unor tehnologii speciale de
testare, montare şi depănare.
 CAPITOLUL II

2.1 TIRISTOARE

Generalităţi
Tiristorul este un „redresor cu siliciu comandat”, care în lipsa semnalului de
comandă, blochează trecerea curentului în ambele sensuri. La apariţia unui impuls de
comandă, tiristorul ajunge în stare de conducţie, permiţând trecerea curentului într-un
singur sens.
Constructiv, tiristorul este alcătuit din trei joncţiuni semiconductoare pn notate cu
J1, J2, J3 (patru straturi pnpn). Regiunea extremă p este anodul A, regiunea extremă n
constituie catodul K iar regiunea intermediară p reprezintă electrodul de comandă,
numit grilă G (în limba engleză GATE=poartă). Sensul direct de conducţie a tiristorului
este de la anod la catod. Joncţiunea J3 se numeşte joncţiune de comandă.

Structură Simbol

ANOD A
p
J1
n
GRILĂ G
J2
p
J3
CATOD n
K

Intrarea tiristorului în conducţie se obţine „injectând” în grilă un impuls

pozitiv de curent, de amplitudine şi durată corespunzătoare. Curentul de comandă
al tiristorului se consideră având sens pozitiv când intră în grilă (circulă de la grilă spre
catod). Cu cât curentul de poartă creşte, cu atât se micşorează valoarea tensiunii
anodice la care apare comutaţia.

Tiristorul ca element de comutaţie

Toate dispozitivele de comutaţie inclusiv tiristorul, posedă două stări extreme de
funcţionare: blocare şi conducţie. Trecerea tiristorului din starea blocată în starea de
conducţie se realizează cu ajutorul grilei (electrod de comandă).

în stare blocată, tiristorul este dezamorsat şi se comportă între anod şi catod ca

un întrerupător deschis (rezistenţă anod-catod foarte mare – până la zeci de M, curent
anodic neglijabil şi tensiune anod-catod egală cu tensiunea de alimentare).
- în stare de conducţie, tiristorul este amorsat şi între anod-catod se comportă
ca un întrerupător închis (rezistenţă anod-catod neglijabilă – ohmi sau zeci de ohmi,
curent anodic egal cu curentul de sarcină şi cădere de tensiune foarte mică 1…2 V)
 Alegerea tiristoarelor se face astfel încât curentul de sarcină să fie cu 20…30%
mai mic decât valoarea de catalog I0 iar tensiunea de polarizare directă şi inversă, pe
tiristorul blocat să nu depăşească valorile de catalog.

Caracteristica şi parametrii principali ai tiristorului

Caracteristica tensiune-curent a tiristorului permite definirea principalilor

parametrii ai tiristorului, specificaţi şi în cataloagele firmelor producătoare:

- Curentul mediu redresat Imax sau curentul nominal al tiristorului=

valoarea recomandată de firma producătoare pentru curentul tiristorului în
conducţie şi care asigură o funcţionare îndelungată. Producătorii specifică
valoarea lui Imax pentru tiristoare cu un anumit tip de radiator sau fără
radiator.
- Tensiunea inversă de vârf de lucru în stare blocată Uinv max = tensiunea
de vârf maximă admisă, la funcţionare în stare blocată, cu polarizare
inversă.
- Tensiunea directă de vârf de lucru în stare blocată UAK max = tensiunea
de vârf maxim admisă, la funcţionare în stare blocată, cu polarizare
directă.
- Curentul continuu de menţinere Imin = curentul continuu minim care
trebuie să circule prin tiristorul amorsat, pentru ca tiristorul să se menţină
în stare de conducţie .
- Curentul de grilă de amorsare IGT = curentul de grilă minim necesar
pentru a provoca amorsarea.
- Tensiunea de amorsare VGT = tensiunea între grilă şi catod pentru care
tiristorul se amorsează cu certitudine (pentru o tensiune mică anod-catod).
 Caracteristica curent-tensiune a tiristorului

Caracteristica tiristorului pentru diferite tensiuni aplicate pe poartă:

Tiristorul este un dispozitiv unidirecţional, adică se poate comanda prin grilă

(poartă) numai la polarizare directă (+ pe anod). Polarizat invers el se comportă ca o
diodă redresoare blocată.
Dezamorsarea tiristorului se obţine prin reducerea curentului anodic sub
valoarea curentului de menţinere sau prin inversarea polarităţii tensiunii aplicate între
anod şi catod.

2.2 TRIACUL
 Este un dispozitiv semiconductor echivalent cu 2 tiristoare în antiparalel montate
în aceeaşi capsulă, având un singur electrod de comandă. Deci triacul este „versiunea
bidirecţională a tiristorului”.
A1

VA

G
A2
Are 3 terminale: anodul 1 - A1, anodul 2 – A 2 , şi grila de comandă G.
A1 şi A2 îndeplinesc succesiv rol de anod şi rol de catod.
Amorsarea triacului se realizează prin impulsuri de curent, pozitive sau negative,
aplicate grilei, indiferent de polarizarea triacului. Combinaţiile uzuale pentru amorsarea
triacului sunt:

A2 - pozitiv (VA2>VA1), G – pozitiv

A2 - negativ (VA2<VA1), G – negativ

După amorsare se menţine în conducţie cât timp există curent anodic IA>IH,
poarta pierzându-şi rolul de comandă. (IH este curentul de menţinere).

Caracteristica statică a triacului este simetrică şi dispusă în cadranele I şi III,

semănând foarte mult cu cea a tiristorului

A1
DIACUL

A2

Diacul este un triac fără electrodul de comandă, adică fără grilă.

El este blocat în ambele sensuri atât timp cât tensiunea aplicată între A 2 şi A1 nu
depăşeşte o anumită valoare, specifică fiecărui tip.
Dacă tensiunea de amorsare este depăşită, diacul se deschide şi tensiunea la
borne scade brusc, astfel că în circuitul exterior apar impulsuri de curent destul de
intense, ce pot fi utilizate pentru comanda tiristoarelor sau triacurilor.
Tranzistoare

Tiristoare
 CAPITOLUL III

MASURI DE PROTECTIA MUNCII LA UTILIZAREA

INSTALATIILOR SI ECHIPAMENTELOR ELECTRICE

Pentru evitarea accidentelor prin electrocutare, este necesara eliminarea

posibilitatii de trecere a unui curent periculos prin corpul omului.
Masurile, amenajarile si mijloacele de protectie trebuie sa fie cunoscute de
catre tot personalul muncitor din toate domeniile de activitate.
Principalele masuri de prevenire a electrocutarii la locurile de munca sunt:
 Asigurarea inaccesibilitatii elementelor care fac parte din circuitele electrice
si care se realizeaza prin:
o amplasarea conductelor electrice, chiar izolate, precum si a unor
echipamente electrice, la o inaltime inaccesibila pentru om. Astfel,
normele prevad ca inaltimea minima la care se pozeaza orice fel de
conducto electric sa fie de 4M, la traversarea partilor carosabile de
6M, iar acolo unde se manipuleaza materiale sau piese cu un gabarit
mai mare, aceasta inaltime se depaseasca cu 2.25m gabaritele
respective.
o Izolarea electrica a conductoarelor;
o Folosirea carcaselor de protectie legate la pamant;
o Ingradirea cu plase metalice sau cu tablii perforate, respectandu-se
distanta impusa pana la elementele sub tensiune.
 Folosirea tensiunilor reduse (de 12, 24, 36V) pentru lampile si sculele
electrice portative. Sculele si lampile portative care functioneaza la tensiune
redusa se alimenteaza la un transformator coborator. Deoarece exista
pericolul inversarii bornelor este bine ca atat distanta picioruselor fiselor de
12, 24 si 36V, cat si grosimea acestor picioruse, sa fie mai mari decat cele ale
fiselor obisnuite de 120, 220 si 380 V, pentru a evita posibilitatea inversarii
lor.
La utilizarea uneltelor si lampilor portative alimentate electric, sunt
obligatorii:
o varificarea atenta a uneltei, a izolatii ai a fixarii sculei inainte de
incperea lucrului;
o evitarea rasucirii sau a incolacirii cablului de alimentare in timpul
lucrului si a deplasarii muncitorului, pentru mentinerea bunei stari a
izolatiei;
o menajarea cablului de legatura in timpul mutarii uneltei dint-un loc de
munca in altul, pentru a fi solicitat prin intindere sau rasucire; unealta
nu va fi purtata tinandu-se de acest cablu;
 o evitarea trecerii cablului de alimentare peste drumurile de acces si in
locurile de depozitare a materialelor; daca acest lucru nu poate fi
evitat, cablul va fi protejat prin ingropare, acoperire, cu scanduri sau
suspendate;
o interzicerea repararii sau remedierii defectelor in timpul functionarii
motorului sau lasarea fara supraveghere a uneltei conectate la reteua
electrica.
 Folosirea mijloacelor individuale de protectie si mijloacelor de avertizare.
Mijloacele de protectie individuala se intrebuinteaza de catre electricieni
pentru prevenirea electrocutarii prin atingere directa si pot fi impartite in
doua categorii: principale si auxiliare.
Mijloacele principale de protectie constau din: tije electroizolante, clesti
izolanti si scule cu manere izolante. Izolatia acestor mijloace suporta tensiunea de
regim a instalatiei in conditii sigure; cu ajutorul lor este permisa atingerea
partilor conductoare de curent aflate sub tensiune.
Mijloacele auxiliare de protectie constau din: echipament de protectie
(manusi, cizme, galosi electroizolanti), covorase de cauciuc, platforme si gratare
cu picioruse electroizolante din portelan etc. Aceste mijloace nu pot realiza insa
singure securitatea impotriva electrocutarilor.
Intotdeauna este necesara folosirea simultana cel putin a unui mijloc
principal si a unuia auxiliar.
Mijloacele de avertizare constau din placi avertizoare, indicatoare de
seuritate (stabilita prin standarde si care contin indicatii de atentionare), ingradiri
provizorii prevazute si cu placute etc. Acestea nu izoleaza, ci folosesc numai
pentru avertizarea muncitorilor sau a persoanelor care se apropie de punctele de
lucru periculoase.
 Deconectarea automata in cazul aparitiei unei tensiuni de atingere
periculoase sau a unor scurgeri de curent periculoase. Se aplica mai ales la
instalatiile electrice care functioneaza cu punctul neutru al sursei de
alimentare izolat fata de pamant.
Mentionand faptul ca un curent de defect 300-500A poate deveni in anumite
conditii, un factor provocator de incendii, aparatul prezentat asigura protectia si
impotriva acestui pericol.
Intreruptorul este prevazut cu carcase izolante, si este echipat cu
declansatoare termice, electromagnetice si releu de protectie la curenti de defect.
 Separarea de protectie se realizeaza cu ajutorul unui transformator de
separatie. Prin acesta, se urmareste crearea unui circuit izolat fata de
pamant, pentru alimentarea echipamentelor electrice, la care trebuie
inlaturat pericolul de electrocutare. In cazul uni defect, intensitatea
curentului care se inchide prin om este foarte mica, deoarece trebuie sa
treaca prin izolatia care are o rezistenta foarte mare.
 Conditiile principale care trebuie indeplinite de o protectie prin separare
sunt:
o la un transformator de separatie sa nu se poata conecta dacat un
singur utilaj;
o izolatia conductorului de alimentare sa fie intotdeuna in stare buna,
pentru a fi exclusa posibilitatea aparitii unui curent de punere la
pamant de valoare mare.
 Izolarea suplimentara de protectie consta in executarea unei izolari
suplimentare fata de izolarea obtinuta de lucru, dar care nu trebuie sa reduca
calitatile mecanice si electrice impuse izolarii de lucru.
Izolarea suplimentara de protectie se poate realiza prin:
o aplicarea unei izolari suplimentare intre izolatia obisnuita de lucru si
elementele bune conducatoare de electricitate ale utilajului;
o aplicarea unei izolatii exterioare pe carcasa utilajului electric;
o izolarea amplasamentului muncitorului fata de pamant.
 Protectia prin legarea la pamant este folosita pentru asigurarea personalului
contra electrocutarii prin atingerea achipamentelor si instalatiilor care nu
fac parte din circuitele de lucru, dar care pot intra accidental sub tensiune,
din cauza unui defect de izolatie. Elementele care se leaga la pamant sut
urmatoarele: carcasele si postamentele utilajelor, masinilor si ale apartelor
electrice, scheletele metalicecare sustin instaltiile electrice de distributie,
carcasele tablourilor de distributie si ale tablourilor de comanda, corpurile
mansoanelor de calibru si mantalele electrice ale cablurilor, conductoarele
de protectie ale liniilor electrice de transport etc. Instalatia de legare la
pamant consta din conductoarele de legare la pamant si priza de pamant,
formata din electrozi. Prizele de paman verticale sau orizontale se realizeaza
astfel incat diferenta de potential la care ar putea fi expus muncitorul prin
atingere directa sa nu fie mai mare de 40V.
In general, pentru a se realiza o priza buna, cu rezistenta mica, elementele
ei metalice se vor ingropa la o adancime de peste 1M, in pamantul bun conducator
de electricitate, bine umezit si batut.
Sistemul de priza (legare la pamant) separata pentru fiecare utilaj
prezinta urmatoarele dezavantaje: este costisitor (cantitati mari de materiale
si manopera); unele utilaje (transformatoare de sudura, benzi transportoare
etc.) se muta frecvent dintr-un loc in altul; legatura este de multe ori incorect
executata datorita caracterului de provizorat al instalatiei.
 Protectia prin legare la nul se realizeaza prin construirea unei retele
generale de protectie care insotesc in permanenta reteua de alimenare
cu energi electrica a utilajelor.
Reteaua de protectie are rolul unui conductor principal de legare la
pamant, legat la prize de pamant cu rezistenta suficient de mica.
Sistemul prezinta o serie de avantaje:
- utilajle electrice pot fi legate la o instalatie de legare la pamant cu o
rezistenta suficient de mica;
- este economic, deoarece la instalatiile provizorii pentru santiere,
materialele folosite pot fi recuperate in cea mai mare parte;
- este usor de realizat, putand fi folosite prizele de pamant naturale,
constituite chiar din constructiile de beton armat;
- permite sa se execute legaturi sigure de exploatare, deoarece are prize
stabile cu durata mare de functionare;
- toate utilajele electrice pot fi racordate cu usurinta la reteua de
protectie;
- se poate executa in mod facil un control al instalatiei de legare la
pamant, deoarece legaturile sunt simple si vizibile, iar prizele de pamant pot
fi separate pe rand pentru masurare, utilajele ramanand protejatesigur de
celelalte prize. Pentru cazul unei intreruperi accidentale a legaturii la nul se
prevede, ca o masura suplimentara, un numar de prize de pamant.
In aceeasi instalatie nu este permisa protejarea unor utilaje electrice
prin legare la pamant, iar a altora prin legare la nul. Instalatia de protectie
nu poate fi modificata in timpul exploatarii, fara un proiect si fara dispozitia
sefului unitatii respective.
Conductoarele de legare la pamant si la nul nu se vor folosi pentru
alte scopuri (alimentarea corpurilor de iluminat, a prizelor monofazate etc.).
Conductoarele circuitelor electrice prin care circula curentul de lucru
(conductoarele de nul, de lucru) nu pot fi folosite drept conductoare de
protectie. Pentru a nu se crea confuzii, conductoarele de nul de protectie se
vopsesc in culoarea rosie (sau se folosesc conductoare cu izolatie rosie), iar
cele de lucru in culoare alb-cenusie.
 Protectia prin egalizarea potentialelor este un mijloc secundar de
protectie si consta in efectuarea unor legaturi, prin conductoare, in
toate partile metalice ale diverselor instalatii si ale constructiilor, care
in mod accidental ar putea intra sub tensiune si ar fi atinse de catre un
muncitor ce lucreaza sau de catre o persoana care trece prin acel loc.
Prin intermediul legatuirlor se realizeaza o reducere diferentelor de
potential dintre diferite obiecte metalice sau chiar o anulare a acestor
diferente, obtinandu-se astfel egalizarea potentialelor si deci eliminarea
pericolului de electrocutare. De precizat insa ca reteua de egalizare trebuie
conectata la instalatia de legare la pamant sau la nul.
 BIBLIOGRAFIE

[1] Damachi, E., Tunsoiu, A. : Electronică. Editura Didactică şi Pedagogică,

Bucureşti, 1999
[2] Componente şi circuite electronice - manual pentru cl. a X - a licee
industriale. Editura
Didactică şi Pedagogică, Bucureşti, 1996
[3] Diode şi tiristoare de putere – manual de utilizare. Editura Tehnică, Bucureşti,
1989
[4] Coloşi, T., Morar, R., Miron, C. : Tehnologie electronică –
componente discrete.
IPCN Facultatea de Electrotehnică, 1979
[5] Ion, M., Goagă, F. : Ghid metodic de evaluare pentru învăţământul
profesional şi tehnic
preuniversitar. Editura INFO, Craiova, 1999
[6] Ghid metodologic pentru aplicarea programelor şcolare Tehnologii.
Consiliul Naţional
pentru Curriculum, 2002
[7] Drăgulănescu, N. : Agenda radioelectronistului. Editura Tehnică, Bucureşti,
1989.