Sunteți pe pagina 1din 15

ECHIPAMENT ELECTRIC SI ELECTRONIC AUTO: SISTEMUL DE ALIMENTARE

1.5.COMPONENETE ELECTRONICE

A K 1.5.1.Dioda semiconductoare
id Dioda semiconductoare este un
p n
dispozitiv electronic cu 2 terminale
ud bazat pe o jonctiune semiconductoare
a)Structura
abrupta (asocierea a 2 volume
id K semiconductoare impurificate diferit,
c)Caracteristica cu trecere brusca de la zona p la zona
A n, v.fig 1.7.a). Materialul
b)simbol semiconductor poate fi Ge, Si, GaAs,
ud
etc. dar cel mai utilizat pe
autovehicule este Si. Simbolul diodei
Fig.1.7. Dioda semiconductoare este prezentat in fig.1.7b. Terminalul
conectat la zona p se cheama anod
(A), iar cel conectat la n catod (K). Daca se considera sensurile de referinta din
fig.1.7.b pentru curentul (id ) si tensiunea pe dioda (ud), rezulta pentru aceasta
caracteristica din fig.1.7.c. In cadranul 1 (ud, id > 0) se spune ca dioda este polarizata
"in direct". In acest caz ea conduce curentul , care are o crestere exponentiala,
atingind o valoare mare, la o valoare mica a tensiunii:

id =I0* exp[-(e*ud)/k*T)] (1.63)

unde I0 este curentul rezidual, e este sarcina electronului, k constanta lui Boltzman,
T temperatura absoluta.
In cadranul 3, curentul invers este foarte mic, neglijabil, indiferent de
tensiunea inversa aplicata. Dioda este in polarizare "inversa" si blocheaza curentul.
Daca tensiunea inversa depaseste o anumita valoare, dioda se strapunge si apare o
circulatie importanta de purtatori, generati in avalansa. Daca curentul nu este limitat
exterior, dioda se distruge.
De obicei marimile asociate diodei (curenti, tensiuni) in cadranul 1 se noteaza
cu indice F (Forward=direct in limba engleza) iar cele din cadranul 3 se noteaza R
(Reverse=invers).
In practica insa, se utilizeaza o serie de caracteristici simplificate, prezentate
in fig.1.8. Caracteristica din fig.1.8.a, aproximeaza caracteristica reala prin doua
drepte. Se pune in evidenta faptul ca pentru tensiuni mai mici decit V F curentul poate
fi neglijat. De obicei la siliciu VF este in jur de 0,7V. Pentru tensiuni in direct mai mari
de VF se introduce notiunea de rezistenta dinamica(rd), egala cu inversul pantei
dreptei oblice. Rezulta definitia cu diferente (v.fig.1.8.a) :

rd =  ud / id (1.64)

25
I-REZUMAT DE ELECTRICITATE

Deoarece rd este de obicei mica (citiva ohmi) ea se neglijeaza de multe ori si se


obtine astfel diagrama mai simplificata din fig.1.8.b. Daca se neglijeaza si V F fata de
alte tensiuni din circuit, se obtine caracteristica cea mai simplificata, cea din fig.1.8.c.
In dimensionarea
unei scheme cu diode sint
id id id de mare importanta
id urmatorii parametri limita
(depasirea lor ducind la
distrugerea dispozitivului
ud ud ud
semiconductor):
ud VF - VRRM =tensiunea
inversa repetitiva maxima,
Fig.1.8.Caracteristici simplificate la dioda este cea mai mare valoare
de tensiune in invers ce
poate fi suportata de dioda un numar infinit de ori. La functionarea normala a unei
diode, in momentul blocarii pot apare supratensiuni de scurta durata ce pot depasi de
1,8 ori valoarea tensiunii din regim stationar. De aceea la alegerea unei diode se
utilizeaza de obicei un coeficient de siguranta in tensiune de 2, fata de cea mai mare
tensiune inversa de regim stationar
- IFAV = curent mediu redresat (pentru puls semisinusoidal). Valoarea maxima
a curentului in direct depinde de incalzirea diodei. Aceasta depinde la rindul ei de
forma curentului prin dioda si de conditiile de racire. De aceea, curentul maxim
trebuie raportat la conditiile de racire impuse de fabricant. In ceea ce priveste forma
curentului, forma standard este pentru functionare normala ca redresor: puls
semisinusoidal (semisinusoida pozitiva trece, restul zero). Daca insa sarcina
redresorului are un filtru (un condensator), sau cum e cazul redresoarelor auto la
care bateria este un foarte bun filtru, forma curentului se schimba. Dioda va conduce
un curent mai mare, dar mai putin timp, la aceeasi valoare medie. Ea este mai
solicitata, astfel incit la alegerea ei se utilizeaza un coeficient de siguranta intre 1,2 si
2.
- IFSM = curent direct de virf (un timp foarte scurt). Pentru scurt timp dioda
admite o incarcare mai mare in curent. Daca acest timp se prelungeste, dioda se
incalzeste excesiv si se distruge. De obicei acest parametru se utilizeaza in asociere
cu elementele de protectie electronice sau electromecanice (sigurante fuzibile si
intreruptoare automate). In caz de defect pe sarcina (scurtcircuit), elementul de
protectie nu intervine instantaneu ci in timpul tR timp in care curentul creste dar nu
trebuie sa depaseasca IFSM. Doarece nu totdeauna timpul de interventie a protectiei,
tR este identic cu timpul prescris de suprasarcina al diodei, t P, constructorul da si
niste curbe de echivalare, sau citeodata se introduce notiunea de integrala termica.

Tabelul 1.1

26
ECHIPAMENT ELECTRIC SI ELECTRONIC AUTO: SISTEMUL DE ALIMENTARE

Tip Capsula IFAV VRRM IFSM VF la IF IR la VR APLICATII


tp<
10ms
u.m. A V A V A A V
1N4148 D-035 0,15 100 2 2 1 Comutatie
(tP< trr=4ns
1s)
1N4001 F-126 1 50 20 1,1 1 50 50 Redresor
50Hz
1N4003 -"- -"- 200 -"- -"- -"- -"-
1N4005 -"- -"- 600 -"- -"- -"- -"-
1N5007 -"- -"- 1000 -"- -"- -"- -"-
RA220 RA 20 200 250 1,4 60 3000 200 Punti auto
RA220R Are aceleasi performante cu RA200 dar conexiune inversata

Mai este de remarcat ca dioda nu trece instantaneu din conductie in blocare si


invers. Cel mai semnificativ timp de comutare este timpul de blocare, trr. Din acest
punct de vedere diodele 1N400x sint lente si pot fi folosite doar in jur de 50Hz.
Diodele auto (ex.RA220) sint facute sa functioneze la peste 7,2kHz cit da maxim un
alternator (la 12000rot/min, cu punte trifazata ce da 6 pulsuri pe perioada si cu 6
perechi poli in rotor). Date pentru citeva tipuri de diode sint date in tabelul 1.1.

OBSERVATII:1.20)Toate valorile maxime trebuie respectate in conditiile de racire si


ventilare indicate. In tabel datele sint date pentru dioda calda, la 150 0C pe
jonctiune. Daca ventilatia si racirea nu respecta aceste conditii, incarcarile in
curent trebuie coborite.
1.21)Depasirea chiar pentru scurta durata a valorilor maxime duce la
distrugerea definitiva a dispozitivului. Aceste doua observatii sint valabile la toate
dispozitivele electronice active.

1.5.2Verificarea diodelor
Aceasta operatie se poate face cu ohmetrul sau cu lampa de control in curent
continuu (CC), ca in fig.1.9. In ambele cazuri verificarea se face cu diodele
deconectate din circuit, altfel verificarea poate fi alterata de influenta circuitului
exterior.
Verificarea cu ohmetrul. Ohmetrul contine un aparat de masura, notat Ri in
serie cu o rezistenta de reglaj si limitare, R, tot montajul alimentat de la o baterie
interna (v.fig.1.9a) . La bornele externe se leaga rezistenta necunoscuta. Curentul
indicat de aparat este invers proportional cu rezistenta necunoscuta, conform legii lui
Ohm, relatiile(1.43) si (1.43'). Aparatul se gradeaza direct in ohmi.
In cazul de fata se masoara rezistenta diodei conectind in ambele
sensuri dioda la bornele ohmetrului. Daca dioda conduce in ambele cazuri este
strapunsa, daca nu conduce in nici un caz este intrerupta si daca conduce doar intr-
un sens este buna. Orice dioda se poate verifica cu ohmetrul.

27
I-REZUMAT DE ELECTRICITATE

OBSERVATIE: 1.22) De obicei la multimetrele cu ohmetru, borna  are polaritate


negativa. Se va tine cont de acest lucru la identificarea catodului diodei.

a)Ohmetru b)Lampa de control

R
Masura Masura
Ri 5W
1,5V 12V

Fig.1.9. Verificarea diodelor

Verificarea cu lampa de control. Aceasta are conexiunea din fig.1.9b. Cu


lampa de control nu se pot masura decit diode care suporta un curent in direct mai
mare decit cel limitat de becul folosit.
De ex: daca U=12V si becul este de P=21W rezulta:

Rbec = U2/P = 7  ,
iar curentul limitat va fi:

I = (U-VF)/Rbec = 1,5A.
Deci nu se poate controla 1N4005 care are IFAV=1A dar se poate
controla o dioda auto RA220. Mai mult, initial becul este rece si
rezistenta lui mai mica, deci curentul initial mai mare.

Semiconductoarele nu rezista la depasiri ale limitelor nici pentru timpi foarte


scurti, astfel incit trebuie sa se tina cont de acest lucru la verificarea diodelor, pentru
a nu fi distruse chiar la verificare. Daca in urma verificarii lampa se aprinde in ambele
sensuri de conectare a diodei, aceasta este strapunsa, daca nu se aprinde deloc
este intrerupta si daca se aprinde doar intr-un sens este buna.

Identificarea polaritatii. Se face tot cu lampa de control sau ohmetrul. Cind


lampa este aprinsa sau ohmetrul indica rezistenta mica, borna pozitiva a acestora
este in contact cu anodul.

1.5.2.Dioda Zener
Dioda Zener are simbolul ca in fig 1.10.a. Ea are tot o jonctiune
semiconductoare iar caracteristica ei se deosebeste de a unei diode redresoare doar
in zona de polarizare inversa (fig.1.10.b). La o anumita valoare a tensiunii inverse,
curentul incepe sa circule cu valori importante (fara sa distruga dioda) iar tensiunea
ramine practic constanta, rezistenta dinamica in aceasta zona fiind foarte mica, iar

28
ECHIPAMENT ELECTRIC SI ELECTRONIC AUTO: SISTEMUL DE ALIMENTARE

caracteristica devine apropae verticala. Asta este zona in care lucreaza de obicei
dioda Zener.
a)Simbol b)Caracteristica
id
VZM VZ ud

IZ

I ZM

Fig.1.10.Dioda Zener
Parametri mai importanti pentru proiectare si exploatare sint:
Ptot = puterea totala admisa , disipata pe dioda
VZT = tensiune stabilizata nominala
IZT = curent stabilizat nominal (ce corespunde la VZT )
IZM = curent stabilizat maxim

De exemplu pentru dioda PL 4V7Z avem:


Ptot=1W; VZT= 4,7V ; IZT= 100mA; IZM=200mA

Verificarea diodei se face cu ohmetrul ca la dioda redresoare, cu conditia ca


tensiunea de alimentare sa fie mult mai mica decit tensiunea de stabilizare.

1.5.3. Dioda luminiscenta, LED


(Light Emitting Diode)
Dioda liminiscenta este o jonctiune semiconductoare,
realizata deobicei din arseniura de galiu(GaAs), care emite
radiatii electromagnetice cind este parcursa de curent in
direct. Simbolul este dat in fig.1.11. Caracteristica este
asemanatoare cu a unei diode obisnuite, dar tensiunea de
deschidere VF este mai mare, semicoductorul fiind GaAs si
Fig.1.11.Simbol nu Si. Fiecare dioda emite radiatii intr-un anumit spectru. De
LED
obicei se utilizeaza cele in vizibil si infrarosu. Mai mult, radiatiile in vizibil sint
caracterizate de o animita culoare, accentuata de carcasa diodei: rosu, verde,
galben, etc. Forma carcasei poate diferi functie de aplicatia diodei: diode individuale(
rotunde, dreptunghiulare,triunghiulare ), elemente de afisare numerica cu o cifra (7
diode sub forma de linii si un punct), sau de o cifra si jumatate, cu semn sau nu, etc.
Evident ca intensitatea luminoasa este dependenta de curentul trecut in direct. De
obicei LED-urile emit acceptabil incepind cu 8 mA. Proiectarea se face de obicei
pentru un curent intre 16 si 20mA. In tot acest interval tensiunea este aproape
constanata de 2V. Daca curentul nu este constant, intensitatea luminoasa este data

29
I-REZUMAT DE ELECTRICITATE

de valoarea medie a curentului. Daca de exemplu trec 20mA timp de 0,1s si 0mA
timp de 0,1s dioda va lumina aproximativ ca atunci cind trec 10mA tot timpul. Daca
frecventa de modificare a curentului este mica (<24Hz) ea se observa cu ochiul liber,
altfel apare o senzatie de iluminare constanta, ca la cinematograf, receptia TV, etc.
In situatia curentului in impulsuri se poate creste valoarea maxima a curentului peste
20mA.
De exemplu, dioda tip MDE 1101 R are urmatoarele date de catalog:
-valori maxime absolute:
- IFmax(curent maxim permanent in direct) = 50mA;
- IFpeak max (curent maxim in direct, impuls 1s, 300 pulsuri/sec) = 1A;
- Pdmax(putere disipata maxima) = 150mW;
o
-TA(temperatura de lucru)=0...70 C;
o
-Tead(temperatura maxima de lipire)=260 C;

-valori caracteristice:
- culoare: Rosu(de unde si ultima litera din simbol) cu =680nm;
- Iv (intensitate luminoasa la 20mA) = 1mcd;
- VF(tensiunea in direct)=2V la 20mA;
- VRbr(tensiunea de strapungere)=3V la 100A.

1.5.4. Tranzistorul bipolar


IC IC Acest dispozitiv are 3 terminale :
emitor(E), baza (B) si colector (C) si
C B simbolul din fig.1.12. Sint posibile doua
B structuri: p-n-p si n-p-n. Functionarea
celor doua structuri este asemanatoare,
se schimba insa sensurile la curenti si
E
E tensiuni. Structura liniara pentru varianta
n-p-n este prezentata in fig.1.13 si se
n-p-n p-n-p
vede ca are 2 jonctiuni alaturate (n-p si
Fig.1.12 Simboluti tranzistor bipolar p-n).
Functionarea . Presupunem ca
jonctiunea B-E se polarizeaza direct iar cea B-C invers. Atunci purtatorii trecuti prin
jonctiunea B-E strabat repede baza (care este subtire) si pot trece prin jonctiunea B-
C pe care altfel nu ar putea-o strabate (ca la o dioda polarizata invers).Capacitatea
purtatorilor de a circula prin jonctiunea B-C polarizata invers este dependenta de
curentul de baza, putind scrie chiar:
IC =  * I B (1.65)
Coeficientul  se poate presupune in prima instanta constant si de valoare mare.
Atunci se poate scrie:
IE  IC = ß I B (1.66)

30
ECHIPAMENT ELECTRIC SI ELECTRONIC AUTO: SISTEMUL DE ALIMENTARE

OBSERVATII:1.23)La tranzistorii de puteri mici (ex. BC107 ) ß este peste 300 , la


cei de puteri medii (ex. BD135) ß este in jur de 60, iar la cei de puteri mari (ex.
2N3055 ) ß este in jur de 10.
1.24)In functionare tensiunea B-E se poate considera constanta (de obicei
0,7V ca la orice jonctiune cu Si).
1.25)Tranzistorul se poate considera ca un ventil (robinet) pus intre colector
si emitor. Comanda acestui ventil se face electric, prin curentul dat in baza.

Pentru descrierea
n p p n p
n comportarii tranzistorului se
C utilizeaza de multe ori
E B E C
B caracteristicilor de iesire
Fig.1.13.Structuri tranzistor (fig.1.14), care dau dependenta
curentului de colector functie de
tensiunea colector-emitor pentru diferite valori de curent de baza. Se disting 3 zone
de functionare:

1)Tranzistor blocat. Curentul de colector


este nul, indiferent de tensiunea colector IC
emitor, care este mare. Se ajunge in acest IB3>IB2
regim anulind curentul de baza, sau echivalent I B2
aplicind o tensiune baza-emitor inversa sau RAN
zero. Intre C si E tranzistorul este echivalent cu
un contact deschis sau un ventil blocat. IB1
2)Regiunea activa normala (RAN).
Curentul de baza respecta aproximativ relatia Sat
Blocat UCE
(1.65), iar tensiunea colector-emitor nu este
nici maxima nici zero. Functionarea este
liniara.
3)Regiunea de saturare. Curentul de Fig.1.14.Caracteristici de iesire
colector este mai mic decit arata relatia (1.65),
adica :
IC < * IB (1.67)

iar tensiunea colector-emitor este minima posibil. In analizele teoretice de multe ori
se considera zero, cu toate ca valaorea ei este de 1-2V. Intre C si E tranzistorul este
echivalent cu un contact inchis sau un ventil deschis la maxim. Se ajunge in acest
regim dind o comanda (curent de baza) mare.
Pentru exemplificare se considara analiza schemei elementare din fig.1.15.
Acesta este un montaj foarte simplu dar foarte des utilizat inclusiv pe autovehicule.
Tranzistorul in montaj cu emitor comun, alimenteaza sarcina din colector, modelata
de rezistenta RC. Ea poate fi un bec de semnalizare de pe bord, infasurarea unui
injector la o injectie de benzina, bobina de inductie la o aprindere electronica
integrala, etc. Tranzistorul este un comutator static, comandat de tensiunea din baza.
Curentul de comanda iese scriind legea lui Ohm pe circuitul de intrare:

31
I-REZUMAT DE ELECTRICITATE

Ui = RB * IB + VBE (1.68)

Daca tensiunea de intrare este pozitiva, tensiunea baza-emitor este constanta la cea
de deschidere, 0,7V. Daca tensiunea de intrare este negativa, jonctiunea se
blocheaza, iar curentul de baza este zero.
In circuitul de iesire se poate scrie:

V+ = RC* IC + VCE (1.69)


+
V
IC Cind IB = 0, tranzistorul este blocat, IC = 0 si
+
atunci VCE = V , tensiunea maxima posibila.
RC
Daca se creste comanda (curentul de baza),
Uo incepe sa cresca si curentul de colector,
IB RB conform relatiei (1.65). Tranzistorul se
deschide, este in RAN. Cu cit comanda este
UCE
mai mare cu atit tranzistorul se deschide mai
mult. Mecanismul prin care tranzistorul
Ui mareste curentul de colector este de fapt
Fig.1.15.Schema simpla cu modificarea tensiunii VCE. Cind VCE a ajuns la
tranzistor zero ea nu mai poate scade. Orice crestere
suplimentara a curentului de baza nu va mai
avea nici un efect. Curentul de colector ramine constant, la valoarea maxima
posibila, iar tranzistorul este saturat.
Functionarea in RAN este caracteristica schemelor liniare din sistemele
acustice, video, etc. Pe autovehicule, de obicei tranzistoarele functioneaza in
comutatie, adica prin alternari ale regimului blocat cu saturat. In aceasta situatie,
tranzistorul este echivalent cu un releu, cind inchis cind deschis. "Releul" electronic
nu are insa piese in miscare si nu are uzuri (nici mecanice, nici electrice prin arc).
Daca este corect proiectat, circuitul cu tranzistoare are durata de viata mult mai mare
ca un releu, practic mult mai mare decit viata automobilului. Mai mult, la ora actuala
tranzistorii pot comuta curenti mult mai mari decit releele, cu timpi de raspuns, mult
mai mici. Aceasta a dus la generalizarea comenzilor prin comutatoare
statice(electronice). Conform observatiei 1.21 tranzistorul este insa foarte sensibil la
o exploatare gresita, sau la o proiectare eronata. In ultima vreme s-au dezvoltat insa
componente cu protectii interne la accident, numite "Smart Power Devices", care
practic nu mai pot fi distruse.

OBSERVATIE:1.26)Principiul lucrului in comutatie s-a generalizat in electronica de


putere. Practic peste puteri de citiva wati, toate montajele electronice lucreaza in
comutatie. Principalele avantaje rezida in simplitatea montajelor, comparate cu
cele liniare, dar si faptul ca realizeaza randamente de reglaj foarte mari (peste
80%). Intra-adevar, puterea care se disipa in tranzistor este in principal puterea
din colector, P=VCE*IC. In cazul tranzistorului blocat, IC=0, iar la cel saturat
VCE=0, deci puterea pierduta este zero. Apare insa o putere ce se pierde in

32
ECHIPAMENT ELECTRIC SI ELECTRONIC AUTO: SISTEMUL DE ALIMENTARE

comutatie, caci trecerea intre blocat si saturat nu este instantanee. Se trece prin
RAN unde cele doua componente ale puterii sint simultan nenule. In orice caz
insa puterea pierduta este mica. Aceasta scadere a pierderilor pe tranzistor pe
de o parte duce la o crestere a randamentului de reglaj care este puterea ajunsa
in sarcina raportata la puterea luata de la sursa, dar scazind incalzirile
tranzistorului, se pot utiliza pentru o anumita putere de controlat tranzistoare mult
mai mici, deci mai ieftine si mai putin voluminoase. Creste fiabilitatea si durata de
viata a montajului.

Parametrii principali ai tranzistorului care


C trebuie avuti in vedere la proiectare sint dati mai jos,
indicindu-se actiunea de distrugere in caz de
B nerespectare. Se face o exemplificare in tabelul 1.2.
ICmax = curentul de colector maxim (regim de
lunga durata)(distruge)
VCEOmax = tensiunea colector-emitor maxima(cu
baza in aer)(strapunge)
Ptot = puterea totala disipata(distruge
E tranzistorul)
VEBo = tensiunea inversa emitor-baza(distruge
Fig.1.16.Tranzistor jonctiunea)
Darlington
h21E = ß = factorul static de amplificare in curent (v.
relatia (1.65) )
VCEsat = tensiunea colector-emitor de saturatie
Tj = temperatura maxima a jonctiunilor
fT = frecventa de taiere (de obicei frecenta maxima de lucru se ia 0.1*f T)

De multe ori pentru cresterea lui  se utilizeaza doua tranzistoare in montaj


Darlington ca in fig.1.14. In ultima vreme acest montaj se realizeaza dintr-o singura
pastila de siliciu si se impacheteaza intr-o singura capsula cu 3 terminale si este
numit tranzistor Darlington. Acesta poate contine si o dioda antiparalel si eventual si
altele.
Verificarea grosiera a tranzistorului se face cu ohmetrul, verificind cele 2
jonctiuni. Intre baza-emitor si baza-colectror trebuie sa existe o rezitenta finita intr-un
sens si infinita in celalalt. Intre emitor-colectror trebuie sa fie rezistenta infinita
(f.mare) in ambele sensuri. Verificarea trebuie facuta cu tranzistorul scos din circuit.
Deasemenea trebuie tinut cont ca tranzistoarele Darlington pot avea integrate
rezistente in paralel cu jonctiunile baza-emitor de la tranzistoare. Mai mult poate
exista integrata si o dioda in antiparalel cu bornele finale C-E.
Verificarea completa a tranzistorului se face pe caracterograf.

Tabel 1.2Exemplu de tranzistoare


Tip Fel Valori limita absolute Valori caracteristice Aplicatii

33
I-REZUMAT DE ELECTRICITATE

VCE VEB IC Pto Tj h21E la IC VCesat/IC fT


o o t
o
V V A W C mA V A MHz
BC npn 45 6 0,1 0,3 175 125- 2 300 Mica
107 900 putere
BC -"- -"- -"- -"- -"- -"- -"- -"- -"- -"-
171
BC pnp Complementarul lui BC107. Are aceleasi caracteristici
177
BC pnp Complementarul lui BC171. Are aceleasi caracteristici
251
BD npn 45 5 1,5 12,5 150 33- 150 0,6 1 50 Putere
135 300 medie
BD pnp Complemetar al lui BD135
136
2N npn 60 7 15 117 175 20- 4000 1,1 4 0,8 Putere
3055 70
BU npn 400 8 86 175 15 5 8 6 Inalta
526 tensiune
BU npn 450 15 150 175 50 8000 1,8 8 Darling-
932 ton
aprinder

1.5.5. Componente Electronice Pasive


De obicei sub aceasta titulatura intra rezistoarele si condensatoarele. Bobinele
sint mai rar intilnite in scheme si se construiesc la cerere.
a)Rezistoarele sint elemente de circuit caracterizate in special de rezistenta lor.
In cazul unui rezistor omogen, rezistenta este data de relatia (1.9). De obicei
rezistentele se fabrica intre 0.1  si 10 M. Pentru alte valori se fabrica la cerere.
Principalele caracteristici sint:
-toleranta, care exprima abaterea maxima garantata a valorii unui rezistor de la
valoarea nominala (inscriptionata). Valori industriale ale tolerantei sint 5% , 10% si
20%. Pentru aplicatii profesionale se utilizeaza 0.5% ,1% , 2%. Evident ca pretul
creste cu scaderea tolerantei. Tot datorita tolerantei, valorile nominale sint prinse intr-
o gama normata data in tabelul 1.3. Valorile reale nominale se obtin din gama
normata prin multiplicari/diviziuni cu puteri ale lui 10.
-puterea nominala. Ea reprezinta puterea maxima admisibila a se disipa in regim
de lunga durata. Evident ca daca rezistorul functioneaza in impulsuri, puterea
disipata de scurta durata poate creste. Si aici exista o scala normata de puteri
(0.125, 0.25, 0.5, 1, 3, 5, 8, 16,...) exprimate in W. Din punct de vedere tehnologic
rezistoarele se realizeaza dintr-un material rezistiv (cu parametri controlabili si cit mai
constanti) si un suport izolant avind si rol de racire. De la 1W in sus rezistoarele se
fac deobicei prin bobinare cu sirma de nichelina, constantan, etc. pe un suport
cilindric ceramic. Toate conexiunile sint prin stringere mecanica si nu prin lipire.
Pentru a se micsora dimensiunile rezistorului sirma se bobineaza pe cilindru, fapt
care ii creste inductivitatea si care trebuie considerat la aplicatiile in comutatie sau de
inalta frecventa.

34
ECHIPAMENT ELECTRIC SI ELECTRONIC AUTO: SISTEMUL DE ALIMENTARE

-tehnologia de realizare.Rezistoarele de mica putere se fac prin depunere pe


suport ceramic a unei pelicule rezistive (metalica sau chimica). Cele cu pelicula
metalica sint mai precise si cu coeficient termic mai mic, dar mai scumpe. De
substratul ceramic se sudeaza doua terminale de cupru care la rindul lor se lipesc in
montajul dorit. Pe automobile insa conditiile de exploatare sint grele in special
datorita vibratiilor, gamei mari de temperaturi si coroziunii chimice. Pentru a rezista la
vibratii se utilizeaza constructii speciale de montare a terminalelor pe substrat, iar
pentru montaje se impregneaza totul in rasina. O solutie moderna este utilizarea
circuitelor electronice hibride la care rezistoarele fie se depun direct pe cablaj (care
este ceramic in acest caz) fie se realizeaza sub forma unor placute ce se lipesc direct
pe cablaj fara a avea terminale intermediare. In acest fel se elimina doua rinduri de
suduri si scade costul si rata defectelor.
Variante de rezistoare cu intrebuintare speciala sint:
- reostatele (sau potentiometre) care sint rezistoare cu rezistenta variabila. Pe
elementul rezistiv calca un cursor mobil scos la o borna externa. Valoarea rezistentei
intre cursor si un capat al rezistorului este variabila cu pozitia cursorului. Datorita
miscarii mecanice, potentiometrele prezinta uzura si constituie o sursa potentiala de
defecte. Pentru exploatare auto se tinde ca ele sa fie eliminate. Sint insa si situatii
care le impun prezenta (ex. la o injectie de benzina pozitia clapetei traductorului de
debit de aer este inregistrata de un potentiometru care traduce electric pozitia
clapetei). In acest caz constructiile sint speciale, mai scumpe, proiectate si testate
pentru o mare fiabilitate.
- termistoarele sint rezistoare cu coeficienti  de variatie cu temperatura (v.relatia
1.10) foarte mari. Coeficientul  poate fi pozitiv sau (deobicei) negativ, cind
termistorul este realizat din material semiconductor. Aceste elemente sint foarte des
utilizate pe autovehicule drept traductoare electrice de temperatura. Daca se
monteaza in blocul motor (senzor de temperatura apa sau ulei) elementul rezistiv se
inchide intr-o capsula metalica ce se fileteaza in bloc. Tot termistoarele se utilizeaza
in montaje pentru a realiza compensari termice (ex. la regulatoarele de tensiune
electronice).

OBSERVATIE:1.27)De multe ori variatia termistoarelor nu este liniara cu


temperatura, adica  nu este constant.

Un rezistor are urmatoarele date nominale care se marcheaza pe ele si se


dau in scheme: rezistenta, puterea, toleranta. De celelalte caracteristici se tine cont
in proiectare. Marcarea se poate face in clar sau in codul culorilor.

b)Condensatoarele sint elemente de circuit caracterizate in special de


capacitate, (v. #1.1/10). Simboluri pentru ele se
dau in figura 1.17. Condensatoarele sint General Polarizate
formate din doua placi conductoare (armaturi) de
suprafata S, intre care este pus un dielectric de grosime d si permitivitate .
Principalele caracteristici ale condensatoarelor sint:

+ +
35

Fig.1.17.Simboluri condensatoare
I-REZUMAT DE ELECTRICITATE

- toleranta. Valorile nominale ale ei se iau tot din gama normata data in
tabelul 1.3. Se remarca insa toleranta mult mai slaba a condensatoarelor (5%, 10%,
20%). In multe cazuri capacitatea poate varia chiar intre -20% si +80% .
- tensiunea nominala reprezinta valoarea maxima a tensiunii care poate fi
aplicata in regim permanent fara a se strapunge condensatorul. Aceasta valoare
poate fi depasita pentru perioade foarte scurte de timp, dar fenomenul nu este
controlabil, incit se recomanda in practica alegerea unei tensiuni nominale superioara
oricaror valori de tensiune ce pot apare in functionare. Tensiunea nominala variaza si
ea intr-o gama normata.
- functionare CC sau CA. Multe condensatoare sint prin constructie
polarizate (ex: cele electrolitice, cele cu tantal, etc). Tensiunea intre terminale admite
variatii, dar totdeauna unul dintre terminale trebuie sa fie mai pozitiv decit celalalt si
se marcheaza cu . Inversarea tensiunii in functionare are ca efect distrugerea
condensatorului, care de multe ori explodeaza, putind produce chiar accidente. De
accea trebuie acordata mare atentie nu numai la proiectare ci mai ales la montaj si la
inlocuiri.
- frecventa. Indiferent ca
sint polarizite (de CC) sau nu,
condensatoarele sint caracterizate Cu polistiren
de spectrul frecventelor pe care le
Ceramici
pot accepta (v.fig.1.15). De obicei
la frecventa prea mare cresc mult Cu poliester
pierderile si condensatorul se
Cu hirtie
incalzeste. Deasemenea la
frecventa mare se modifica Electrolitici
parametrii f[Hz]
condensatorului(capacitatea si
inductivitatea parazita) si pot sa-l 10
0
10
2
10
4
10
6
10
8
10
10
faca inutilizbil. De exemplu
condensatoarele electrolitice au Fig.1.18.Functionarea in frecventa
capacitatea raportata la volum a condensatoarelor
foarte mare, dar au frecventa mica
de functionare. De multe ori pentru a se pastra comportarea in frecventa se asociaza
in paralel cu un condensator electrolitic si unul ceramic. Acesta din urma are o
densitate mica a capacitatii, dar merge bine in frecventa.
- tangenta unghiului de pierderi. Unghiul de pierderi,  , este unghiul dintre
fazorul puterii active si reactive la bornele condensatorului si la o anumita frecventa.
Se arata ca pierderile din condensator sint proportionale cu tg (de unde si numele
de unghi de pierderi), cu frecventa, cu capacitatea si cu patratul tensiunii eficace.
Este evident ca si condensatoarele sint caracterizate si influentate ca si toate
celelalte componente electronice de unii factori generali: gama temperaturilor de
lucru, vibratii, factori chimici, etc. Pentru a tine cont de ei, apar constructii speciale,
materiale speciale, etc.

Tabel 1.3 Gama valorilor normate


TOLERANTA 5% 10% 20%

36
ECHIPAMENT ELECTRIC SI ELECTRONIC AUTO: SISTEMUL DE ALIMENTARE

1,0 1,0 1,0


1,1
1,2 1,2
1,3
1,5 1,5 1,5
1,6
1,8 1,8
2,0
2,2 2,2 2,2
2,4
2,7 2,7
3,0
3,3 3,3 3,3
3,6
3,9 3,9
4,3
4,7 4,7 4,7
5,1
5,6 5,6
6,2
6,8 6,8 6,8
7,5
8,2 8,2
9,1

1.5.6. Codul culorilor pentru rezitente si condensatoarelor


Rezistentele cilindrice de puteri mici (sub 1W) se pot marca cu benzi circulare
colorate. Pot exista 3 sau 4 benzi iar citirea incepe de la capatul cel mai apropiat de
ternimal. Prima si a doua banda indica cifra zecilor si a unitatilor(respectiv) (tabel
1.4). Banda a treia indica factorul de multiplicare. Exprimarea este in ohmi. A patra
banda indica toleranta.
Condensatoarele ceramice se marcheaza cu 3, 4 sau 5 dungi dispuse
perpendicular pe directia terminalelor si numerotate dinspre acestea. Semnificatia
benzilor este data in tabelul 1.5.

Tabel 1.4. Codul culorilor la rezistente


ZECI SI UNITATI MULTIPLICARE TOLERANTA
0 NEGRU 0 NEGRU 1% MARO
10
1 MARO 1 MARO 2% ROSU
10
2 ROSU 2 ROSU 5% AURIU
10
3 PORTOCALIU 3 PORTOCALIU 10% ARGINTIU
10
4 GALBEN 4 GALBEN 20% -lipsa banda-
10
5 VERDE 5 VERDE
10
6 ALBASTRU 6 ALBASTRU
10

37
I-REZUMAT DE ELECTRICITATE

7 VIOLET 7 VIOLET
10
8 GRI -1 AURIU
10
9 ALB -2 ARGINTIU
10

Tabel 1.5. Semnificatia benzilor la condensatoare


3 BENZI 4 BENZI 5 BENZI
A CIFRA ZECI A CIFRA ZECI A COEF.TERMIC
1 BANDA 1 1
A CIFRA UNIT. A CIFRA UNIT. A CIFRA ZECI
2 BANDA 2 2
A MULTIPLU A MULTIPLU A CIFRA UNIT.
3 BANDA 3 3
A TOLERANTA A MULTIPLU
4 4
A TOLERANTA
5

Coeficientul termic, , exprima variatia capacitatii cu temperatura dupa o


o
relatie de forma relatiei (1.10), fata de capacitatea nominala la 25 C. Coeficientul se
exprima in parti pe milion (p.p.m.) si valoarea sa este data in tabelul 1.6. Daca
coeficientul nu se da, el nu este controlabil sau toleranta este asa mare, incit
ponderea coeficientului termic devine minora si nu mai este necesar sa se dea.
Prima si a doua cifra(zeci si unitati) cit si multiplicatorul au coduri asemanatoare cu
ale rezistentelor, date in tabelul 1.4. Valorile sint date in picofarazi. In fine toleranta
la condensatoare este data in tabelul 1.6. Daca toleranta nu se specifica, ca in cazul
marcarii cu 3 dungi, ea este, intre -20% si +80% (foarte mare).

Exemplu: presupun ca am 5 benzi in ordine: maro, galben, violet, negru, verde.


Atunci capacitatea nominala (la 25 oC) va fi: Co= 47*1 pF = 47pF, cu toleranta de
-6 o
5% si coeficientul termic: -330*10 . La 10 C capacitatea va fi: C= 47*[1+(-
-6
330*10 )*(10-25)] = 47 + 0.23265 =~ 47.23pF. In acest caz variatia este mai
mica decit toleranta care este: 47*0.05 = 2.35pF. Daca insa plaja de temperatura
este mare (cum este in cazul auto) ele pot fi comparabile.

Tabelul 1.6Marcarea condensatoarelor


ZECI, UNITATI si COEFICIENT TERMIC TOLERANTA
MULTIPLICARE (ppm) C10pF C<10pF
CA LA REZISTOARE 0 NEGRU 20% NEGRU
-33 MARO 1% MARO
-75 ROSU 2% 0,25pF ROSU

38
ECHIPAMENT ELECTRIC SI ELECTRONIC AUTO: SISTEMUL DE ALIMENTARE

-150 PORTOCALIU GALBEN


-220 GALBEN 5% 0,5pF VERDE
-330 VERDE GRI
-470 ALBASTRU 10% 1pF ALB
-750 VIOLET
+100 AURIU

39

S-ar putea să vă placă și