DCE I ndrumar de laborator

Dioda semiconductoare

Lucrarea nr. 1

DIODA SEMICONDUCTOARE

Cuprins

I. Scopul lucrrii
II. Noiuni teoretice
III. Desfurarea lucrrii
IV. Tem de cas
V. Simulri
VI. Anex

DCE I ndrumar de laborator

Dioda semiconductoare

I. Scopul lucrrii
Scopul lucrrii const n ridicarea caracteristicilor i determinarea principalilor
parametri ai diodelor semiconductoare; studiul comportrii diodei semiconductoare n
circuitele elementare.
Cuprins

II. Noiuni teoretice

1. Jonciunea pn reprezint o structur fizic realizat ntr-un monocristal care are
dou regiuni vecine, una de tip p i alta de tip n. Linia de demarcaie dintre cele dou regiuni
se numete jonciune metalurgic. Marea majoritate a dispozitivelor semiconductoare conin
una sau mai multe jonciuni. Cel mai simplu dispozitiv electronic, realizat cu o singur
jonciune, este dioda semiconductoare.
Observaie: Nu trebuie fcut confuzia de echivalen ntre termenii jonciune pn i
diod semiconductoare, pentru c dioda semiconductoare poate fi realizat i pe baza altor
structuri fizice, cum ar fi contactul metal-semiconductor. n plus dioda semiconductoare
reprezint un ansamblu tehnic care cuprinde, pe lng structura fizic care o definete, i alte
structuri cum ar fi contactele ohmice, sistemele de prindere i de evacuare a cldurii (capsula),
etc.
2. Caracteristica static teoretic a unei diode semiconductoare reprezint
caracteristica curent-tensiune, dedus prin analiza fenomenelor fizice dintr-o jonctiune pn
ideal ce au loc atunci cnd din exterior la bornele ei, ntre anod i catod, este aplicat o
tensiune, numit i tensiune de polarizare. Aceast caracteristic este aproximat de o lege de
variaie (numit i ecuaia Shockley pentru dioda semiconductoare), dat de:
qu A

I A = I 0 (e

kT

1) ,

unde: - I 0 reprezint curentul de saturaie al diodei i este dat de expresia:

Dp
Dn
I 0 = qni2 (
+
)S ,
L p N D Ln N A

(1.1)

(1.2)

i este dependent de parametrii fizici i tehnologici ai jonciunii pn ( suprafaa jonciunii S,

concentraia intrinsec de purttori ni , coeficienii de difuzie D p , Dn , lungimile de
difuzie L p , Ln ale purttorilor de sarcin, precum i concentraiile de impuriti N D , N A );
- este un coeficient empiric (numit i coeficient de emisie), cu valori cuprinse ntre 1
i 2, cu valori mai apropiate de 1 pentru Ge, i mai apropiate de 2 pentru Si, i care rezult din
considerarea efectului de recombinare din zona de sarcin spatial la tensiuni de polarizare
directe mici (efect cu importan la diodele cu Si la temperatura camerei).
n funcie de suprafaa jonciunii pn, la rndul ei, dependent de curentul maxim pe
care trebuie s-l accepte dioda n conducie direct, curentul de saturaie, I 0 , are, la
temperatura camerei, valori de ordinul de mrime, 110A, pentru diodele cu Ge respectiv
1100mA pentru diodele din Si.
La cureni direci de ordinul 110A (valori des ntlnite n practic) tensiunea direct
pe diod este de 0.20.3V pentru diodele din Ge respectiv0.6-0.8V pentru diodele din Si.
2

DCE I ndrumar de laborator

Dioda semiconductoare

3. Cele dou mrimi, I 0 i , se determin prin reprezentarea ecuaiei diodei

semiconductoare la scar semilogaritmic (ca n fig 1.2 unde pe abscis se reprezint
tensiunea aplicat pentru conducie direct la scar liniar i pe vertical curentul pe dioda la
scara logaritmic).
Panta dreptei astfel obinute permite deducerea coeficientului , cu relaia:

q 1 u A
.
kT 2.3 lg i A

(1.3)

Prin prelungirea aceleai drepte, la intersecia cu axa ordonatei se obine curentul de

saturaie I 0 .

iA(mA)

iA(mA)

100
15

I0

lg iA

10

10

u A

0.2

0.4

0.6

I0

uA(V)

0.2

0.4

0.6

uA(V)

fig.1.2

fig.1.1

4. Dependena de temperatura a caracteristicii statice a unei diode semiconductoare

este foarte puternic, nregistrndu-se o dublare a curentului de saturaie la fiecare 10C pentru
diode din Ge respectiv la fiecare 6C pentru diodele din Si. Aceasta dependen poate fi pus
n evidena i prin coeficientul de variaie a tensiunii directe de pe diod cu temperatura, la
curent constant. Teoretic acest curent este de circa 2V/C, pentru ambele tipuri de material
utilizate curent pentru realizarea diodelor semiconductoare.
5. La polarizare invers, conform ecuaiei teoretice 1.1, curentul este constant i egal
cu I 0 . Dar pentru tensiuni inverse aplicate diodei, regiunea de sarcin spaial se mrete i
apare un curent de generare, dependent de tensiunea aplicat, cu valori relative importante
pentru diodele din Si (n fig. 1.1 contribuia acestui curent la caracteristica diodei a fost
reprezentat punctat). La tensiuni de polarizare invers mai mari, datorit fenomenului Zener,
i fenomenului de multiplicare n avalan (predominant de obicei), curentul invers crete,
valoarea lui fiind limitat numai de circuitul exterior. Tensiunile de strpugere, la care apare
aceasta cretere a curentului, sunt dependente de natura materialului semiconductor din care
este realizat dispozitivul, precum i de concentraiile de impuriti, fiind cu att mai mici cu
ct concentraiile de impuriti sunt mai mari.
Fenomenul Zener apare la jonciunile din semiconductoare puternic dopate cu
impuriti, n cazul alimentrii cu tensiuni inverse. Chiar dac aceste tensiuni inverse sunt
mici, n regiunea de trecere ia natere un cmp electric foarte puternic. Datorit acestui cmp,
3

DCE I ndrumar de laborator

Dioda semiconductoare

asupra electronilor se exercit fore foarte mari care tind s-i scoatdin atracia nucleului, are
loc ruperea legturilor covalente, rezultnd electroni i goluri disponibile pentru conducie.
Multiplicarea prin avalan apare la jonciunile din semiconductoare cu concentraie
mic de impuriti, deci regiune de trecere larg. Odat cu creterea tensiunii inverse, deci a
cmpului electric electronul ctig energie astfel nct la o ciocnire cu un electron de valen
acesta poate fi scos din legtur, generndu-se o pereche electron-gol. Prin ciocnire electronul
incident i reduce viteza, ns datorit tensiunii aplicate electronul i particulele generate vor
fi din nou accelerate.
6. La tensiuni directe mari caracteristica static tinde s se liniarizeze, datorit
cderilor de tensiune pe zonele neutre ale jonciunii pn, care nu mai pot fi neglijabile.
7. n circuitele electronice, diodele semiconductoare pot ndeplini mai multe funciuni
(redresare, detecie, limitare, etc) n mai multe situaii fiind necesar stabilirea unui regim
static de funcionare.
Pentru circuitul elementar din fig. 1.3 punctul static de funcionare se determin prin
rezolvarea grafoanalitic a sistemului de ecuaii format din ecuaia caracteristicii statice a
diodei (1.1) i ecuaia dreptei statice de funcionare:

u A = E Ri A

R
+
E _

(1.4)

iA

iA

fig. 1.4

E/R
D

uA

M( UA , IA )

IA

fig.1.3

UA

uA

Punctul static de funcionare M are coordonatele M( U A , I A ), iar n acest punct de

funcionare dioda este caracterizat din punct de vedere al semnalelor lent variabile (ce pot fi
aplicate n serie cu tensiunea continu E) printr-o rezistent dinamic, pentru care se deduce
relaia:

rD =

kT
.
qI A

(1.5)

Rezistena dinamic rD se determin experimental prin calculul pantei caracteristicii

statice, n punctul static de funcionare M conform relaiei:
rD =

u A
i A

(1.6)

DCE I ndrumar de laborator

Dioda semiconductoare

8.
Diodele
stabilizatoare
de
tensiune(impropriu
dar frecvent denumite diode
Zener) sunt caracterizate printr-o tensiune de
strpungere bine definit (datorit efectului de
multiplicare n avalan care determin o cretere
foarte puternic a curentului invers n zona de
strpungere), controlat prin concentraiile de
impuriti, funcionare normal a diodei fiind n
aceast zon. Fig 1.5 , n care este reprezentat
caracteristica static, att cea direct ct i cea
invers, permite nelegerea noiunii de tensiune
stabilizat, UZ, precum i determinarea rezistenei
dinamice a diodei rz, conform relaiei:

rz =

U Z
I Z

iA

UZ

uA
M

IZ

IZ

fig.1.5

(1.7).
I Z = ct

Cuprins
III. Desfurarea lucrrii

1. Identificarea montajului

Se identific montajul din fig 1.6. Grupul de componente format din tranzistoarele T1,
T2, rezistenele R1, R2, R3, i poteniometrul P constituie o sursa de curent reglabil.
Alimentat n curent continuu ntre bornele 3 (+5V) i 2 (mas), sursa furnizeaz la borna 7
un curent reglabil ntre 050mA, iar la borna 8 un curent de maximum 500mA, ambele
nchizndu-se spre borna comun de mas (borna 2).

3
P

R2

R3

R
4

T1
T2

D1
7

10

R1

fig.1.6

D2

D3

DCE I ndrumar de laborator

Dioda semiconductoare

Aplicaie simulat de laborator:

--n fiierul deschis prin link-ul de mai jos s se realizeze
schema din fig.1.6 i se alimenteaz montajul la bornele
corespunztoare;
Atenie: La sfritul laboratorului se va terge coninutul fiierului
deschis prin link;
Fisiere DS\DS-PRACTIC.EWB

2. Caracteristicile statice

Se ridic caracteristicile statice la polarizarea direct pentru diodele D1 - EFR 136

(diod redresoare din Ge) cu cureni cuprini ntre 0.5500 mA (borna 4 reprezint anodul),
D2 - BA 243 (diod din Si, de uz general, de putere mic) cu cureni n domeniul 0.150 mA
(borna 5 este anodul) i D3 - BZX 85 C7V5 (diod stabilizatoare de tensiune) cu cureni n
domeniul 0.120 mA (anodul este borna 6).
mA
Ridicarea caracteristicilor directe se face
_
+
cu montajul din fig. 1.7; curentul prin diod se
msoar cu un miliampermetru, pe o scar
+
corespunzatoare de cureni, iar tensiunea la
I
D
VN
bornele diodei cu un voltmetru electronic (de
_
preferina voltmetru numeric). Curentul se va
regla la valori pentru care se poate face o
reprezentare comod la scar logaritmic adic
multiplii i submultiplii zecimali ai numerelor 1,2
fig.1.7
i 5 (ai cror logaritmi zecimali sunt,
aproximativ, 0, 0.3 respectiv 0.7).
Pentru dioda EFR 136 se va folosi borna 8 a generatorului pentru cureni mai mari de
50 mA iar pentru celelalte cazuri se va folosi numai borna 7 a generatorului de curent.
Rezultatele msurtorilor se vor trece ntr-un tabel.
Aplicaie simulat de laborator:
--n fiierul deschis de link-ul de mai jos, avnd salvat aplicaia
de la punctul 1, se realizeaz montajul din fig.1.7 pentru dioda D1. Se
pornete noua aplicaie i se extrag valorile corespunztoare ale
caracteristicii statice simulate. ;
--se repet simularea i pentru celelalte dou diode;
--rezultatele obinute prin simulare se trec n acelai tabel cu cele
experimentale i se compar cu acestea;
Fisiere DS\DS-PRACTIC.EWB

Cu ajutorul unei aplicaii grafice din WORD, COREL sau EXCEL, sau manual pe
hrtie milimetric, i folosind rezultatele experimentale i simulate din tabelul de mai sus se
vor reprezenta cele trei caracteristici la scar liniar, pe un acelai grafic, n domeniul de
cureni comun diodelor. n mod asemntor se traseaz caracteristicile statice ale celor trei
diode la scar semilogaritmic (ca n fig.1.2).

DCE I ndrumar de laborator

Dioda semiconductoare

3. Dependena de temperatur
La curentul I A = 5mA se nclzete (cu mna sau prin apropierea unui ciocan de lipit
nclzit) dioda BA 243 i se constat, calitativ, modificarea tensiunii directe pe diod.
4. Determinarea parametrilor I 0 i

Pe caracterisicile statice obinute la scar semilogaritmic, pentru fiecare din cele trei
diode, se determin parametrii I 0 i procednd ca n fig. 1.2 i folosind formula (1.3).
5. Punctul static de funcionare
Se va determina punctul static de funcionare M (prin precizarea coordonatelor sale,
U A i I A ) pentru dioda de Si prin trei metode: grafoanalitic, experimental i prin simulare.
Metoda grafoanalitic presupune ca pe graficul corespunztor caracteristicii statice
experimentale, obinut la punctul 2, s trasm i dreapta static de funcionare dat de ecuaia
1.4 (pentru E = 5V i R = 820). Punctul M se va gsi la intersecia dintre dreapta static de
funcionare cu caracteristica static direct.
Metoda experimental presupune realizarea circuitului din fig. 1.3, cu E = 5V i
R=820. Pentru realizarea acestui circuit este suficient ca n montajul precedent s comutam
legtura de la borna 7 a generatorului de curent la borna 9 a rezistenei R. Se msoar
mrimile caracteristice punctului static de funcionare, U A (cu voltmetru numeric montat n
paralel cu dioda) i I A (cu un miliampermetru montat n serie cu dioda) i se compar cu
rezultatele obinute prin metoda grafoanalitic.

Aplicaie simulat de laborator:

--se deschide link-ul de mai jos;
--se realizeaz circuitul virtual asemntor cu cel de la metoda
experimental ;
--se pornete aplicaia i se citesc valorile corespunztoare U A i I A
Fisiere DS\DS-PRACTIC.EWB

6. Rezistena dinamic

Valoarea teoretic a rezistenei dinamice se obine cu ajutorul formulei 1.5 n care

kT
= 26mV , are valoarea dedus la punctul 4 iar I A are valoarea dat de punctul static de
q
funcionare.
Valoarea experimental a rezistenei dinamice se obine n punctul static de
funcionare stabilit la punctul anterior pe graficul de la metoda grafoanalitic. Se va
determina, grafic, rezistena dinamic cu ajutorul relaiei 1.6.
Se vor compara cele dou rezultate.
7. Caracteristica invers
7A. Cu montajul din fig. 1.8 se msoar curentul invers prin diodele EFR 136 i BA
243 la tensiunile E = 0V, -5V, -10V, -20V.

DCE I ndrumar de laborator

Dioda semiconductoare

Aplicaie simulat de laborator:

--se deschide link-ul de mai jos;
--se realizeaz montajul din fig. 1.8 i
pentru valorile specificate ale tensiunii E se
msoar curentul invers prin dioda de Si aleas;
Fisiere DS\DS-PRACTIC.EWB

+
_

mA

+
fig. 1.8

7B. Se determin caracteristica invers a diodei stabilizatoare de tensiune cu montajul

din fig. 1.9, pentru cureni ntre 0.1 mA i 20 mA. Pentru aceasta, generatorul de curent se
alimenteaza cu +15V (la borna 3), bornele 7 i 1 se conecteaza mpreun printr-un
miliampermetru iar tensiunea se msoar cu un voltmetru numeric (bornele 2 i 6 sunt i ele
cuplate).
Se traseaz caracteristica invers a diodei
mA
stabilizatoare la scar liniar pe un grafic pe care se
_
+
traseaz, spre comparaie i caracteristica direct. n
punctul static de funcionare caracterizat prin
+
I Z = 10mA , se determin rezistena dinamic,
I
VN
DZ
_
msurnd tensiunea pe diod la curenii: I Z = 5mA i
I Z = 15mA .
fig. 1.9

Aplicaie simulat de laborator:

n fiierul deschis de link-ul de mai jos se realizeaz virtual
montajul din fig. 1.9 i se determin caracteristica invers a diodei
stabilizatoare aleas ; se compar reyultatele cu cele experimentale.
Fisiere DS\DS-PRACTIC.EWB

Cuprins

IV. Tem de cas

Referatul va conine: schemele de principiu pentru ridicarea caracteristicilor directe i

inverse ale diodelor, tabelele cu rezultatele msurtorilor experimentale i simulate, graficele
i determinrile fcute pe baza acestora, precum i compararea cu rezultatele teoretice.

Cuprins

DCE I ndrumar de laborator

Dioda semiconductoare

V. Simulri

Aplicaia simulat pentru punctul 1.

Fisiere DS\DS-PCT1.EWB

Aplicaia simulat pentru punctul 2.

Fisiere DS\DS-PCT2.EWB

Aplicaia simulat pentru punctul 5.

Fisiere DS\DS-PCT5.EWB

Aplicaia simulat pentru punctul 7A.

Fisiere DS\DS-PCT7A.EWB

Aplicaia simulat pentru punctul 7B.

Fisiere DS\DS-PCT7B.EWB

Cuprins

VI. Anex
Valorile rezistenelor de pe plcua din laborator sunt:
R1 = 20K;

R2 = 200;

R3 = 2,2K;

R = 0,82K;

R=1K;

P = 50 K.

Cuprins