Sunteți pe pagina 1din 16

Avrămoiu Lucian Ionuț 311

Universitatea de Stat din Pitesti Facultatea de Electronica, Comunicatii si Calculatoare

Avrămoiu Lucian Ionu ț 311 Universitatea de Stat din Pitesti Facultatea de Electronica, Comunicatii si Calculatoare

Bazele sistemelor de achiziții de date

TEMA1

Professor: Lita Ioan Student: Avrămoiu Lucian Ionuț Specializare: RSTc31

Avrămoiu Lucian Ionuț 311

Circuitul din figura reprezinta un traductor integrat pentru masurarea temperaturii absolute.Ariile tranzistoarelor sunt scalate ca in figura:

Avrămoiu Lucian Ionu ț 311 Circuitul din figura reprezinta un traductor integrat pentru masurarea temperaturii absolute.Ariile

a)Considerand pentru toate tranzistoarele (pnp si npn) aceeasi densitate de current

de saturatie

J

S

si ca toate tranzistoarele functioneaza in zona activa normala , iar

0

F



∞ sa se gaseasca expresia curentului prin dipole I.

b)Care este valoarea minima a tensiunii V pentru o functionare ca la punctual a).

c)Sa se determine

R

E

astfel ca sensibilitatea traductorului sa fie S=1µA/K.

Avrămoiu Lucian Ionuț 311

Rezolvare:

Avrămoiu Lucian Ionu ț 311 Rezolvare: Functionare : - Tranzistoarele T1 , T2 si T3 formeaza

Functionare:

  • - Tranzistoarele T1 , T2 si T3 formeaza o oglinda simpla de current; Oglinda de current asigura egalitatea curentilor de colector pentru tranzistorul T1 si

pentru structura T2,T3;

  • - Tranzistoarele T4 si T5 formeaza un etaj diferential;

  • - Tranzistoarele T6 , T7 si rezistenta

R

E

V

BE

6

V

T

* ln

I

C 1

I

S 1

;

I

C

1

*

I

B

6

V

BE

7

V

T

* ln

I

C 2

I

S 2

;

I

C

2

*

I

B

7

1(

TK o

1

) :

V

BE

6`

V

BE

7

R

E

*

I

formeaza o sursa Widlar:

Avrămoiu Lucian Ionuț 311

Traductoarele de temperatură au la bază diferite efecte fizice determinate de modificarea temperaturii, cum sunt: variaţia tensiunii electromotoare la joncţiunea a două metale diferite, variaţia rezistenţei electrice a unor conductoare sau semiconductoare, dilataţia corpurilor lichide sau solide,

variaţia presiunii vaporilor în echilibru, variaţia frecvenţei de rezonanţă a unui cristal de cuarţ, variaţia intensităţii şi frecvenţei radiaţiilor termice etc. Cel mai frecvent, un senzor de temperatură este folosit pentru a converti o valoare a temperaturii la o valoare electrica. Senzorii de temperatură sunt cheia pentru a citi temperatura corect și pentru a controla temperatura în aplicații industrial Temperatura este cantitatea de mediu cel mai adesea măsurată. Acest lucru ar putea fi de așteptat, deoarece cele mai multe sisteme biologice fizice, electronice,

chimice, mecanice

sunt afectate de temperatură. Anumite reacții chimice, procesele

biologice, și chiar circuite electronice funcționează cel mai bine în domenii de

temperatură limitate. Temperatura este unul dintre cele mai frecvent măsurate variabile și,

prin urmare, nu este surprinzător faptul că există multe moduri de detectare.

Detectarea

Temperaturei se poate face fie prin contact direct cu sursa de încălzire, sau de la distanță,

fără contact direct cu sursa de energie cu ajutorul radiată în schimb. Există o mare varietate de senzori de temperatură pe piață astăzi, inclusiv Detectoare de temperatura, termistori, infraroșu, și senzori semiconductori.

Senzori cu dispozitive semiconductoare

Se ştie că intensitatea curentului prin joncţiunea unei diode semiconductoare poate fi exprimată cu ajutorul relaţiei:

I

I

s

eU

d

kT

e

1

 

în care

I

s

este curentul de saturaţie prin joncţiunea polarizată invers. În polarizare directă

exponenţiala este mult supraunitară, astfel încât se poate scrie cu o foarte bună aproximaţie:

eU d I  I e kT S
eU
d
I  I e
kT
S

Relaţia precedentă este valabilă şi pentru juncţiunea bază-emitor a unui tranzistor bipolar şi neglijînd contribuţia curentului de bază la curentul de colector, se poate scrie:

Avrămoiu Lucian Ionuț 311

I

C

eU

BE

I e

S

kT

Exprimând tensiunea dintre bază şi emitor din relaţia precedentă:

U

BE

kT

ln

e

I

C

I

S

Figura următoare redă caracteristica tensiune-temperatură a unei joncţiuni, fie ea a unei diode, sau joncţiunea bază-emitor a unui tranzistor:

Avrămoiu Lucian Ionu ț 311 I C eU BE  I e S kT Exprimând tensiunea

Avrămoiu Lucian Ionuț 311

Avrămoiu Lucian Ionu ț 311

Avrămoiu Lucian Ionuț 311

a) Rezolvare: I  I  I  I  I 1 2 3 4 
a)
Rezolvare:
I
 I  I  I  I
1
2
3
4
BE
I
2AJ
* exp    V
1
S
V
  
T
BE
I
AJ
* exp    V
2
S
V
   
T
BE
I
2AJ
* exp    V
3
S
V
  
T
BE
I
AJ
*exp    V
 
4
S
V
 
T
BE
BE
BE
BE
BE
I
2AJ
*exp
   AJ
*exp
2
AJ
*exp
   AJ
*exp
6 AJ
S
   V
S
   V
S
   V
S
   V
S
   V
V
V
V
V
V
   
  
   
T
T
T
T
T
BE
I
6AJ
* exp    V
S
V
  
T
b)
Rezolvare:
V
 V
 V
 V
(1)
BE 2
CE 5
BE 6
RAN:
V
 V
(2)
CE
5
BE
Din relatiile (1) si (2) rezulta:
V
 3V
BE
c)
Rezolvare:
S=1µA/K.
KT
I
KT
7
S 6
7
U
V
V
*ln
*
*ln    I
RE
BE
7
BE
6
   I
q
I
I
q
I
  
  
S 7
6
6
I
 2I
 I
(3)
1
2
6

Avrămoiu Lucian Ionuț 311

I

7

I

2

I

4

2I

2

(4)

Din relatiile (3) si (4) rezulta:

I

6

I

7

U

RE

KT

* ln 8

q

I

6

AJ

S

* exp

V

BE

VT

3 I

6

(6)

Din relatia (6) rezulta:

I

3

R

E

KT

* ln 8

q

U

RE

I * R

6

E

rezulta:

U

RE

I

3

* R

E

I

3

KT

qR

E

* ln 8

q

6.24 *10

18

[

C

]

K

1.3806505(24) *10

23

J / K

S

dI

3

K

dT qR

E

*ln8



R

E

3

K

qS

*ln8 520

Proiectarea circuitului

Avrămoiu Lucian Ionuț 311

Pentru tranzistoarele bipolare de tip PNP

T ;T

1

2

;T

3

din oglinda simpla de

current, aleg tranzistoare bipolare de tip PNP PN2907,carora le modific parametrul ariei

astfel incat

T

1

are aria 2 * A ; iar

T

2

si

T 3
T
3

au aceeasi arie A. Aleg A=1.Pentru

tranzistoarele bipolare NPN

T 3
T
3

si

T

4

din etajul diferential aleg trazistoare bipolare de

tip Q2N2222 care au aceeasi arie A.Pentru tranzsitoarele bipolare NPN din sursa Widlar

T 6
T
6

;

T 7
T
7

;

T 8
T
8

aleg tranzistoare bipolare de tip NPN Q2N2222 carora le modific

parametrul ariei astfel incat

arie A.

Aleg rezistenta

R

E

520

T 6
T
6

are aria de 8*A iar tranzistoarele

T 7
T
7

si

T 8
T
8

au aceeasi

Simularile efectuate asupra acestei scheme:

Avrămoiu Lucian Ionu ț 311 Pentru tranzistoarele bipolare de tip PNP T ; T 1 2

Vizualizare semnal:

Avrămoiu Lucian Ionuț 311

Caracteristica de transfer tesnsiune-temperatura:

18.4nV 18.2nV 18.0nV 17.8nV 17.6nV 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50
18.4nV
18.2nV
18.0nV
17.8nV
17.6nV
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
V(Q9:e)

TEMP

Avrămoiu Lucian Ionuț 311

UNIVERSITATEA DE STAT DIN PITESTI Facultatea De Electronica, Comunicatii si Calculatoare

Avrămoiu Lucian Ionu ț 311 UNIVERSITATEA DE STAT DIN PITESTI Facultatea De Electronica, Comunicatii si Calculatoare

BAZELE SISTEMELOR DE ACHIZIȚIE DE DATE TEMA 2

Indrumator: Lita Ioan

Student: Avrămoiu Ionuț Lucian

Grupa: RSTc 311

Avrămoiu Lucian Ionuț 311

Se da circuitul:

Avrămoiu Lucian Ionu ț 311 Se da circuitul: Rezolvare: a) Circuitul prezentat este un Convertor U-I

Rezolvare:

  • a) Circuitul prezentat este un Convertor U-I unidirectional >0. Cand este nevoie de transmiterea unui semnal intr-o

Avrămoiu Lucian Ionu ț 311 Se da circuitul: Rezolvare: a) Circuitul prezentat este un Convertor U-I

pentru

linie mai lunga pe o sarcina si daca acest semnal este de tip tensiune este mai usor afectat de paraziti, datorita impedantei liniei se pierde foarte mult din amplitudinea semnalului. Din aceasta cauza semnalul va trebui sa fie transmis forma de curent care are aceias intensitate de la inceputul pana la sfarsitul liniei coform legii lui kirchhoff. Iata deci o aplicatie in care semnalul trebuie sa fie sub forma de current atunci cand la intrare se aplica tensiune (convertor U-I).

  • b) Functia de transfer poate fi calculata conform

urmatoarelor

expresii:

Avrămoiu Lucian Ionu ț 311 Se da circuitul: Rezolvare: a) Circuitul prezentat este un Convertor U-I

=

Avrămoiu Lucian Ionu ț 311 Se da circuitul: Rezolvare: a) Circuitul prezentat este un Convertor U-I

*R

Avrămoiu Lucian Ionuț 311

Unde , rezulta
Unde
, rezulta
(1+ ( )
(1+
(
)

)*R

  • c) Pentru ca relatia de la punctual b) sa fie valabila trebuie

ca tranzistoarele da fie deschise astfel se impune aplicarea unei tensiuni in baza mai mici decat celei din emitor, dar cum se observa emitorul este conectat la masa deci se impune ca in baza sa se gaseasca tensiune negativa data de amplificatorul operational iar

cum tensiunea relatia

Avrămoiu Lucian Ionu ț 311 Unde , rezulta (1+ ( ) )*R c) Pentru ca relatia

a amplificatorului operational este data de

Avrămoiu Lucian Ionu ț 311 Unde , rezulta (1+ ( ) )*R c) Pentru ca relatia

Iar

Avrămoiu Lucian Ionu ț 311 Unde , rezulta (1+ ( ) )*R c) Pentru ca relatia

minim poate fii -13.6V rezulta

Avrămoiu Lucian Ionu ț 311 Unde , rezulta (1+ ( ) )*R c) Pentru ca relatia

minim poate fii

-12.2V, iar

Avrămoiu Lucian Ionu ț 311 Unde , rezulta (1+ ( ) )*R c) Pentru ca relatia

maxim poate fii -1.4V impus de deschiderea

tranzistoarelor rezulta

  • maxim poate fii 0V.

Avrămoiu Lucian Ionuț 311

  • d) Simulare circuit:

Avrămoiu Lucian Ionu ț 311 d) Simulare circuit:

Avrămoiu Lucian Ionuț 311

2.0A 1.5A 1.0A 0.5A 0A 0V 1V 2V 3V 4V 5V 6V 7V 8V 9V 10V
2.0A
1.5A
1.0A
0.5A
0A
0V
1V
2V
3V
4V
5V
6V
7V
8V
9V
10V
11V
12V
13V
I(RS)

V_Vi

Pe axa Y se gaseste intensitatea curentuluiintre 0 si 2A Pe axa X se gaseste valoarea tensiunii de intrare intre 0 si 12.2V conform proiectarii de mai jos. Se observa o dependenta liniara intre Vi si Is prin rezistorul de sarcina e) Proiectare circuit:

Se allege un convertor unidirectional din foaia de catalog avand curentul maxim de iesire=±30mA iar plaja tensiunii de alimentare intre 3÷15V. Pentru a nu lucra la limita se alege ca tensiunea de alimentare

Avrămoiu Lucian Ionu ț 311 2.0A 1.5A 1.0A 0.5A 0A 0V 1V 2V 3V 4V 5V
Avrămoiu Lucian Ionu ț 311 2.0A 1.5A 1.0A 0.5A 0A 0V 1V 2V 3V 4V 5V

pentru a nu defecta convertorul. Se cunoaste ca β la tranzistoarul NPN este 200.

De aici rezulta curentul maxim teoretic β =>0.03A*200=6A

Avrămoiu Lucian Ionu ț 311 2.0A 1.5A 1.0A 0.5A 0A 0V 1V 2V 3V 4V 5V

Valoarea curentului mult prea mare ce ar impune putere disipata foarte mare

Avrămoiu Lucian Ionu ț 311 2.0A 1.5A 1.0A 0.5A 0A 0V 1V 2V 3V 4V 5V

β=>0.03A*100=3A

Se observa ca si la β minim valoarea curentului prin sarcina este suficinet de mare. In practica in schemele electronice uzuale curentul prin sarcina nu depaseste 2A.

Avrămoiu Lucian Ionuț 311

Se doreste curentul maxim absorbit de sarcina in modul sa fie de

valoare

| |=2A Pentru maxim de aici=> = =-12.2V
|
|=2A Pentru
maxim de aici=>
=
=-12.2V
Avrămoiu Lucian Ionu ț 311 Se doreste curentul maxim absorbit de sarcina in modul sa fie

dar :

Avrămoiu Lucian Ionu ț 311 Se doreste curentul maxim absorbit de sarcina in modul sa fie

6.1Ω=> se alege 6.2 Ω

Curentul maxim ce strabate emitorul tranzitorului T este atunci cand curentul de sarcina are valoarea 2A si este dat de relatia

Avrămoiu Lucian Ionu ț 311 Se doreste curentul maxim absorbit de sarcina in modul sa fie
:
:

Pentru β = 100:

Avrămoiu Lucian Ionu ț 311 Se doreste curentul maxim absorbit de sarcina in modul sa fie

10mA=0.02mA+10mA=10mA