BAZELE OPTOELECTRONICII – L ABORATOR 3

S IMULAREA COMPORTAMENTULUI FOTODIODEI ÎNTR - UN CIRCUIT

OPTOELECTRONIC

Titular disciplină:

S, .l. Dr. Ing. Alina-Elena MARCU

Facultatea de Electronică, Telecomunicat, ii s, i Tehnologia Informat, iei (ETTI)

Universitatea Nat, ională de S, tiint, ă s, i Tehnologie Politehnica Bucures, ti

2023 – 2024
Cuprins

1 Scopul lucrării 1

2 Not, iuni teoretice 1

2.1 Structura fotodiodei . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
2.2 Caracteristicile electrice ale fotodiodelor . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
2.3 Caracteristicile optice ale fotodiodelor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.4 Caracteristicile curent-tensiune ale fotodiodei . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.5 Zgomotul receptorului . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.6 Modurile de funct, ionare ale fotodiodei . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
2.7 Constante numerice s, i valorile lor tipice . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

3 Desfăs, urarea lucrării 9

3.1 Regimul nepolarizat . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
3.1.1 Simulare de tip Bias Point – Sursă de tip VDC . . . . . . . . . . 9
3.1.2 Simulare de tip Transient - Semnal dreptunghiular . . . . . . . . 10
3.2 Regimul de polarizare inversă . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Laborator 3 Simularea comportamentului fotodiodei într-un circuit optoelectronic

1 Scopul lucrării

Scopul acestei lucrări este studierea funct, ionării fotodiodei într-un circuit mixt optoe-
lectronic, în regim nepolarizat s, i în regim de polarizare directă.

2 Not, iuni teoretice

Dispozitivele optoelectronice receptoare sunt dispozitive electronice bazate pe

absorbt, ia radiat, iei luminoase, realizând conversia acesteia în semnal electric.

2.1 Structura fotodiodei

Fotodiodele sunt senzori de radiat, ie optică s, i sunt realizate pe baza semiconductoare-
lor. Fotodiodele generează curent sau tensiune, când jonct, iunea semiconductoare p − n
este iradiată. O sect, iune transversală prin fotodiodă este ilustrată în figura 2.1.

Materialul din stratul p de la suprafat, a activă s, i cel din stratul n din substrat formează
jonct, iunea p−n care funct, ionează ca un convertor fotoelectric. Spre deosebire de jonct, iunile
p − n uzuale, jonct, iunile fotodiodelor au stratul superior p foarte subt, ire. Grosimea acestuia
este impusă de lungimea de undă a radiat, iei de detectat.

În vecinătatea jonct, iunii p − n, siliciul devine golit de sarcini electrice. Adâncimea

zonei de sarcină spat, ială poate fi modificată dacă se modifică tensiunea inversă de polarizare
aplicată pe jonct, iune. Stratul de golire este important pentru performant, ele fotodiodei
deoarece acesta contribuie în mare măsură la obt, inerea sensibilităt, ii la radiat, ie.

Figura 2.1. Sect, iune transversală printr-o fotodiodă.

1
Bazele optoelectronicii S, .l. Dr. Ing. Alina-Elena MARCU

Uzual, stratul p al fotodiodei din Si este format prin difuzia selectivă a borului,
într-o grosime de aproximativ 1 µm sau mai put, in. Prin controlul grosimii stratului p,
a substratului de tip n s, i a stratului inferior n+, precum s, i a concentrat, iei dopării pot fi
controlate răspunsul spectral s, i viteza de răspuns. Dacă energia fasciculului fotonic incident
pe suprafat, a activă a fotodiodei este mai mare decât energia benzii interzise, EG , electronii
suportă tranzit, ia în banda de conduct, ie, lăsând goluri în locul lor, în banda de valent, ă
(figura 2.2). Aceste perechi electron-gol pot apărea peste tot în materialele stratului p, a
zonei de sarcină spat, ială s, i a stratului n. În regiunea de sarcină spat, ială, câmpul electric
accelerează electronii spre stratul n s, i golurile spre stratul p.

Figura 2.2. Starea jonct, iunii p − n a fotodiodei.

Electronii din perechile electron-gol generate în stratul n, împreună cu electronii care

au sosit din stratul p, se deplasează în stratul n în banda de conduct, ie. În acest timp, golurile
sunt difuzate prin stratul n până în zona de sarcină spat, ială, unde sunt supus, i accelerării s, i
apoi sunt colectat, i în banda de valent, ă a stratului p. În acest mod, perechile electron-gol
care sunt generate proport, ional cu puterea radiat, iei incidente, sunt colectate în straturile n
s, i p rezultând sarcini pozitive în stratul p s, i sarcini negative în stratul n.

Dacă între straturile p s, i n se conectează un circuit exterior, electronii vor migra din
stratul n s, i golurile din stratul p înspre electrozii opus, i, respectivi. Aces, ti electroni s, i aceste
goluri, care generează un curent într-un semiconductor, sunt numit, i purtători.

2.2 Caracteristicile electrice ale fotodiodelor

În figura 2.3 este reprezentat circuitul echivalent al unei fotodiode unde IL este
curentul generat de lumina incidentă (fotocurent), proport, ional cu cantitatea de lumină, ID –
curentul prin diodă, Cj – capacitatea jonct, iunii, Rsh – rezistent, a s, unt, Rs – rezistent, a serie,
′
I – curentul prin rezistent, a s, unt, I0 – curentul de ies, ire s, i V0 este tensiunea de ies, ire.

2
Laborator 3 Simularea comportamentului fotodiodei într-un circuit optoelectronic

Rs

′
IL ID I I0

Cj Rsh RL V0

Figura 2.3. Circuitul echivalent al fotodiodei.

Cu ajutorul circuitului echivalent al fotodiodei, se determină curentul de ies, ire I0

prin relat, ia 2.1, unde IS este curentul de saturat, ie al fotodiodei, q – sarcina electronului,
k – constanta lui Boltzmann, VD – tensiunea prin diodă s, i T este temperatura absolută a
fotodiodei.    
′ qVD ′
I0 = IL − ID − I = IL − IS exp −1 −I (2.1)
kT

Se defines, te tensiunea în circuit deschis, Voc , ca fiind tensiunea de ies, ire atunci când
curentul de ies, ire, I0 , este egal cu zero (relat, ia 2.2). Tensiunea în circuit deschis este
generată cu polaritatea pozitivă la anod.
 ′ 
kT IL − I
Voc = ln +1 (2.2)
q IS

Rezistent, a s, unt reprezintă panta curbei curent-tensiune a fotodiodei în origine (V =

0). Cu toate că o fotodiodă ideală ar trebui să aibă o rezistent, ă s, unt infinită, valorile
reale variază de la 10 la 1000 M Ω. În mod experimental se obt, ine prin aplicarea unei
tensiuni de ±10mV , măsurarea curentului s, i apoi, calculul rezistent, ei. Rezistent, a s, unt
este utilizată pentru determinarea curentul de zgomot în fotodioda fără polarizare (mod
fotovoltaic). Pentru cea mai bună performant, ă a fotodiodei, este de dorit cea mai mare
valoare a rezistent, ei s, unt. Rezistent, a s, unt se determină folosind relat, ia 2.3.
10 [mV ]
Rsh = [Ω] (2.3)
ID [mA]

La nivelul jonct, iunii p − n a fotodiodei se formează un capacitor. Valoarea capacităt, ii

jonct, iunii este factorul determinant al vitezei de răspuns a fotodiodei. Când se foloses, te un
amplificator operat, ional, capacitatea jonct, iunii determină cres, terea câs, tigului de conversie.

Timpul de cres, tere tr s, i timpul de cădere tf sunt definit, i ca fiind timpii corespunzători
cres, terii semnalului de la 10% la 90% s, i respectiv scăderii semnalului de la 90% la 10% din

3
Bazele optoelectronicii S, .l. Dr. Ing. Alina-Elena MARCU

valoarea finală a semnalului. Acest parametru poate fi exprimat ca răspuns în frecvent, ă, care
este frecvent, a la care semnalul de ies, ire al fotodiodei scade cu 3dB, în raport cu semnalul
de ies, ire la 100kHz s, i se exprimă aproximativ astfel cu ajutorul relat, iei 2.4.
0,35
tr = (2.4)
f3dB

Timpul de răspuns al unei fotodiode este definit de următorii trei factori:

1. tDRIF T – timpul de colectare a purtătorilor din zona de sarcină spat, ială;

2. tDIF F U SED – timpul de colectare a purtătorilor în regiunea negolită a fotodiodei;

3. tRC – constanta de timp a combinat, iei fotodiodă-circuit.

Constanta de timp tRC se determină cu ajutorul relat, iei 2.5, unde R este suma
rezistent, ei echivalente serie a fotodiodei s, i a rezistent, ei de sarcină (R = Rs + RL ) s, i
C este suma capacităt, ilor jonct, iunii s, i a celei parazite (C = Cj + Cp ).

tRC = 2, 2 · R · C (2.5)

Timpul total de cres, tere este determinat cu ajutorul relat, iei 2.6.
p
tR = tDRIF T 2 + tDIF F U SED 2 + tRC 2 (2.6)

Tensiunea inversă maximă (VRmax ) reprezentată valoarea tensiunii inverse, care

aplicată unei fotodiode, init, iază străpungerea, fenomen ce produce deteriorări severe ale
performant, elor dispozitivului. Prin urmare, trebuie specificată s, i respectată valoarea ma-
ximă a tensiunii inverse, ca fiind tensiunea cu put, in mai mică decât valoarea tensiunii
inverse care produce străpungerea.

2.3 Caracteristicile optice ale fotodiodelor

Fotocurentul produs de un nivel dat al luminii incidente variază cu lungimea de
undă. Relat, ia între sensibilitatea fotoelectrică s, i lungimea de undă este cunoscută ca fiind
caracteristica răspunsului spectral s, i este exprimată în termeni ca fotosensibilitatea, eficient, a
cuantică, etc.

Sensibilitatea, R, este o măsură a sensibilităt, ii la lumină s, i este definită ca raportul

dintre fotocurentul rezultat, exprimat în Amperi [A], s, i puterea luminii incidente, exprimat
în Watt [W ], conform relat, iei 2.7. Ea poate fi reprezentată atât ca sensibilitate absolută
[A/W ], cât s, i ca sensibilitate relativă normalizată pentru sensibilitatea la lungimea de undă
de vârf, uzual exprimată în procente [%]. Este o măsură a eficient, ei conversiei puterii

4
Laborator 3 Simularea comportamentului fotodiodei într-un circuit optoelectronic

luminii în curent electric. Acesta variază în funct, ie de lungimea de undă a luminii incidente,
precum s, i de polarizarea inversă aplicată s, i temperatură.
 
If A
R= (2.7)
P W

Eficient, a cuantică (Q.E. – Quantum Efficiency) este numărul de electroni sau goluri
care poate fi detectat ca un fotocurent, raportat la numărul fotonilor incident, i s, i se exprimă,
uzual, în procente [%]. Eficient, a cuantică s, i fotosensibilitatea respectă următoarea relat, ia 2.8
la o lungime de undă dată în nm, unde R este R este responsivitatea la o lungime de undă
dată în nm.
hc R · 1240
Q.E. = R = · 100 [%] (2.8)
λ λ
2.4 Caracteristicile curent-tensiune ale fotodiodei
Caracteristicile curent-tensiune ale fotodiodei sunt ilustrate în figura 2.4. Când
fotodioda este iluminată, caracteristica se deplasează din pozit, ia (1) în pozit, ia (2) s, i crescând
puterea incidentă, caracteristica se deplasează în pozit, ia (3). Deplasarea caracteristicii este
dependentă de intensitatea radiat, iei incidente.

Figura 2.4. Caracteristicile curent-tensiune ale fotodiodei.

Curentul de scurtcircuit, ISC , reprezintă curentul de ies, ire atunci când rezistent, a
de sarcină, RL , s, i tensiunea de ies, ire, Vo , sunt egale cu 0 (terminalele fotodiodei sunt
scurtcircuitate, curentul circulând de la anod la catod).

   
q(ISC · RS ) ISC · RS
ISC = IL − IS exp −1 − (2.9)
kT Rsh

5
Bazele optoelectronicii S, .l. Dr. Ing. Alina-Elena MARCU

În relat, ia 2.9, al doilea s, i al treilea termen limitează liniaritatea lui ISC . Deoarece
rezistent, a RS este de cât, iva ohmi s, i Rsc este de 107 − 1011 Ω, aces, ti termeni devin neglijabili
pe o gamă destul de largă. Astfel, curentul ISC poate fi aproximat cu IL .

Curentul ISC este extrem de liniar în raport cu nivelul luminii incidente. Atunci
când lumina incidentă se află într-un interval de 10−12 − 10−2 W , domeniul de liniaritate
realizabil este mai mare de nouă ordine de mărime, în funct, ie de tipul de fotodiodă s, i
de circuitul său de funct, ionare. Limita inferioară a acestei liniarităt, i este determinată de
puterea echivalentă de zgomot (NEP – Noise Equivalent Power), în timp ce limita superioară
depinde de rezistent, a de sarcină s, i de tensiunea de polarizare inversă.

Tensiunea Voc variază logaritmic în raport cu o schimbare a nivelului de lumină s, i este

foarte afectată de variat, iile de temperatură, ceea ce o face inadecvată pentru măsurătorile
intensităt, ii luminii.

Se pot determina pentru fotodiodă trei stări diferite:

a) V = 0 – starea de nepolarizare;

b) V = +V – starea de polarizare directă;

c) V = −V – starea de polarizare inversă.

Atunci când se aplică o tensiune unei fotodiode fără lumină incidentă (condit, ie
de întuneric), caracteristica curent – tensiune este similară cu caracteristica unei diode
redresoare convent, ionale. Atunci când fotodioda este polarizată direct, există o cres, tere
exponent, ială a curentului, iar atunci când se aplică o polarizare inversă, apare un curent de
saturat, ie invers mic. Curentul de întuneric se poate determina folosind formula 2.10, unde
VA este tensiunea de polarizare aplicată.
   
qVA
ID = IS exp −1 (2.10)
kT

Pentru determinarea "zonei zero" a caracteristicii (1), figura 2.5 se măres, te caracteris-
tica din 2.4.

În domeniul valorilor tensiunii [+10 mV, -10 mV], curentul de întuneric ID este
aproximativ liniar. Panta în această regiune indică valoarea Rsh s, i această rezistent, ă
determină curentul de zgomot de întuneric.

6
Laborator 3 Simularea comportamentului fotodiodei într-un circuit optoelectronic

Figura 2.5. Curentul de întuneric în funct, ie de tensiune (regiunea zero mărită).

2.5 Zgomotul receptorului

Zgomotul receptorului include zgomotul termic, zgomotul shot, zgomotul curentului
de întuneric s, i zgomotul cuantic. Zgomotul reprezintă principalul factor care limitează
sensibilitatea receptorului. Zgomotul introdus de receptor este fie dependent, fie indepen-
dent de semnal. Zgomotul dependent de semnal rezultă din generarea aleatorie de electroni
de către puterea optică incidentă. Zgomotul independent de semnal este independent de
nivelul de putere optică incidentă.

Limitele inferioare ale puterii radiat, iei fotodetectate, sunt determinate de nivelul
zgomotului dispozitivului. Zgomotul intern al fotodiodei este dat de relat, ia 2.11, unde ij
reprezintă zgomotul termic (sau zgomotul Jhonson) al unui rezistor echivalent cu Rsh , iSD
– curentul de zgomot shot s, i iSL – zgomotul curentului de întuneric s, i al fotocurentului
generat.
q
in = ij 2 + i2SD + i2SL [A] (2.11)

Curentul ij este considerat ca zgomotul termic al rezistent, ei Rsh s, i se calculează cu

relat, ia 2.12, unde k este constanta lui Boltzmann, T este temperatura absolută a dispozitivu-
lui s, i B este lărgimea benzii de frecvent, ă de zgomot.
r
4kT B
ij = [A] (2.12)
Rsh

Când fotodioda este polarizată invers, prin aceasta circulă un curent de întuneric.
Zgomotul shot, iSD este dat de curentul de întuneric s, i se determină cu relat, ia 2.13, unde q
este sarcina electronului, ID – curentul de întuneric s, i B – lărgimea benzii de frecvent, ă de

7
Bazele optoelectronicii S, .l. Dr. Ing. Alina-Elena MARCU

zgomot.
p
iSD = 2qID B [A] (2.13)

Când suprafat, a activă a fotodiodei este iradiată cu un fascicul fotonic, prin fotodiodă
se stabiles, te un fotocurent IL , astfel încât iSL este dat de relat, ia 2.14.
p
iSL = 2qIL B [A] (2.14)

Puterea echivalentă a zgomotului (NEP – Noise Equivalent Power) este cantita-

tea de putere a luminii incidente pe un fotodetector, care generează un fotocurent egal
cu valoarea curentului de zgomot (raportul semnal/zgomot = 1). NEP este definită
cu ajutorul relat, iei 2.15, unde curentul de zgomot este normalizat la lăt, imea de bandă
√
(curentul de zgomot/ BWP D ). Deoarece nivelul zgomotului este proport, ional cu rădă-
cina de ordinul doi din banda de frecvent, ă, NEP este măsurată la lărgimea de bandă egală
cu 1 Hz. h i
W
  curentul de zgomot √AHz
N EP √ = A (2.15)
Hz fotosensibilitatea la λP W

2.6 Modurile de funct, ionare ale fotodiodei

Semnalul unei fotodiode poate fi măsurat ca o tensiune sau un curent. Măsurarea
curentului demonstrează o performant, ă mult mai bună în ceea ce prives, te liniaritatea,
componenta continuă (offset-ul) s, i lăt, imea de bandă. Fotocurentul generat este proport, ional
cu puterea luminii incidente s, i trebuie convertit în tensiune folosind o configurat, ie de
transimpedant, ă. Fotodioda poate fi operată cu sau fără polarizare inversă aplicată, în
funct, ie de cerint, ele specifice ale aplicat, iei. Astfel, fotodioda poate funct, iona în mod
"Fotoconductiv" (polarizat) s, i mod "Fotovoltaic" (nepolarizat).

• Modul "Fotoconductiv" (PC – Photoconductive Mode)

Aplicarea unei polarizări inverse (adică catod pozitiv, anod negativ) poate îmbunătăt, i
considerabil viteza de răspuns s, i liniaritatea dispozitivelor. Acest lucru se datorează cres, terii
lăt, imii regiunii de sarcină spat, ială s, i, în consecint, ă, scăderii capacităt, ii de jonct, iune. Cu
toate acestea, aplicarea unei polarizări inverse va cres, te curent, ii de întuneric s, i zgomot.

• Modul "Fotovoltaic" (PV – Photovoltaic Mode)

Modul fotovoltaic de funct, ionare (nepolarizat) este preferat atunci când o fotodiodă
este utilizată în aplicat, ii cu frecvent, ă joasă (până la 350kHz), precum s, i în aplicat, ii cu un
nivel de lumină foarte scăzut. Pe lângă faptul că oferă o configurat, ie operat, ională simplă,
fotocurent, ii din acest mod au o variat, ie mai mică a sensibilităt, ii cu temperatura.

8
Laborator 3 Simularea comportamentului fotodiodei într-un circuit optoelectronic

2.7 Constante numerice s, i valorile lor tipice

Constanta Simbol Valoarea Unitatea de măsură

−19
Sarcina electronului e sau q 1,602 × 10 C
Viteza luminii în c 2,998 × 108 m/s
vid
Constanta lui h 6,626 × 10−34 Js
Planck
Constanta lui k 1,381 × 10−23 J/K
Boltzmann
Energia termică la kT (T=300K) 0,0259 eV
temperatura
camerei
1eV - energie eV 1,602 × 10−19 J
Lungimea de undă - 1240 nm
în vid coresp. la 1
eV
Energia benzii Eg 1,12 eV
interzise la Si
Energia benzii Eg 0,66 eV
interzise la Ge

3 Desfăs, urarea lucrării

Se creează un proiect nou, de tip PSpice Analog or Mixed A/D, cu numele Laborator3.
În mod automat se va crea un director schematic, cu numele SCHEMATIC1, care va cont, ine
o singură pagina schematică numită PAGE1. Se va verifica existent, a în structura proiectului
în interiorul ferestrei Project Manager, în interiorul directorului Library, a următoarelor
biblioteci: analog.olb, source.olb, breakout.olb. Se va adăuga biblioteca opto.olb.

Se va adăuga componenta MRD510 din biblioteca opto.olb, cât s, i o rezistent, ă din

biblioteca analog.olb, la catodul fotodiodei. Se va lăsa valoarea implicită de 1kΩ.

3.1 Regimul nepolarizat

3.1.1 Simulare de tip Bias Point – Sursă de tip VDC
Se va adăuga din biblioteca SOURCE o sursă de tip VDC (generator de tensiune
continuă) astfel încât aceasta să emuleze radiat, ia optică adusă fotodiodei. Se va lăsa
valoarea acesteia la 0V .

9
Bazele optoelectronicii S, .l. Dr. Ing. Alina-Elena MARCU

Se va crea un nou profil de simulare s, i se va alege tipul de simulare Bias Point. Se va

verifica în setările profilului de simulare, în meniul Configuration Files, submeniul Library,
existent, a bibliotecii opto.lib. Dacă aceasta nu există, se va căuta folosind butonul Browse s, i
se va adăuga cu ajutorul opt, iunii Add to Design.

Se va rula simularea selectând din meniul PSpice opt, iunea Run. Pentru vizualizarea
pe schemă a tensiunii s, i a curentului se vor activa butoanele Enable Bias Voltage Display
s, i Enable Bias Current Display.

După realizarea simulării, se va determina dacă este modelat curentul de întuneric s, i

dacă valoarea tensiunii la bornele rezistent, ei din anod este 0 sau diferită. Dacă tensiunea la
bornele rezistent, ei este 0, atunci curentul de întuneric nu este modelat.

Care este valoarea s, i sensului curentului de întuneric? Avem modelat curentul de

întuneric pentru dispozitivul nostru?

Se modifică valoarea sursei de tensiune la 1 V . Cum se modifică tensiunea s, i curentul

la bornele rezistent, ei de sarcină? Se modifică valoarea sursei de tensiune la o valoare la
alegere între [5, 10] V . Există o modificare a tensiunii s, i a curentului la bornele rezistent, ei de
sarcină? Sunt cele două proport, ionale? Ce concluzie putem formula în urma modificărilor
făcute asupra sursei de tensiune?

3.1.2 Simulare de tip Transient - Semnal dreptunghiular

Se va modifica circuitul de la punctul 3.1, prin înlocuirea sursei de tip VDC (generator
de tensiune) cu o sursă de tip VPULSE (generator de impuls). Acest tip de generator are
următorii parametri:

V1 = tensiunea minimă TF = timpul de cădere

V2 = tensiunea maximă PW = lăt, imea pulsului
TD = timpul de întârziere PER = perioada
TR = timpul de cres, tere

Se va seta amplitudinea semnalului la o valoare la alegere între [5, 10] V . Se va seta

timpul de întârziere la 0, iar timpul de cres, tere s, i cel de cădere la o valoare neglijabilă, de
ordinul nanosecundelor. Se va calcula perioada s, tiind că frecvent, a semnalului este de 1
kHz. Se va alege un factor de umplere asimetric. Se vor adăuga două sonde de tensiune,
una la bornele rezistent, ei s, i una la bornele generatorului de impuls.

10
Laborator 3 Simularea comportamentului fotodiodei într-un circuit optoelectronic

Se va crea un nou profil de simulare s, i se va alege tipul de simulare Time Domain

(Transient). Se va seta durata simulării (Run To Time) astfel încât să se vizualizeze pe
ecran cel put, in o perioadă a semnalului.

Ce concluzie putem formula despre forma de undă corespunzătoare tensiunii de la

bornele rezistent, ei de sarcină? Există vreo diferent, ă fat, ă de cazul anterior? Ce concluzie
putem formula despre circuitul nostru?

Se va modifica circuitul de la punctul 3.1.2, prin setarea perioadei s, i a factorului de

umplere la o valoarea de 1000 ori mai mică (frecvent, ă de 1 MHz). Se va păstra aceeas, i
proport, ie între perioada semnalului s, i factorul de umplere. Se va relua simularea. Ce putem
spune despre timpul de cres, tere/cădere?

Se modifică valoarea rezistent, ei de sarcină la 1M Ω. Atent, ie! Pentru setarea valorii

de 1M Ω se va scrie în câmpul Value al rezistent, ei valoarea 1meg. Cum se modifică în acest
caz forma de undă corespunzătoare tensiunii de la bornele rezistent, ei de sarcină?

3.2 Regimul de polarizare inversă

Se va modifica circuitul astfel încât să polarizăm fotodioda cu o sursă de tensiune,
având astfel o polarizare inversă. Unde trebuie plasată sursa de tensiune astfel încât să
polarizăm invers dispozitivul, dar să păstrăm în circuit rezistenta de sarcină?

Se va adăuga din biblioteca SOURCE o sursă de tip VDC (generator de tensiune

continuă) astfel încât aceasta să polarizeze invers fotodioda. Se va lăsa valoarea acesteia la
0V . Se va relua simularea. Ce se întâmplă în acest caz cu forma de undă corespunzătoare
tensiunii de la bornele lui rezistent, ei de sarcină? Există vreo modificare fat, ă de cazul
anterior, în care nu aveam sursa de tensiune VDC?

Se va modifica valoarea sursei de tensiune VDC, pe rând, la 1 V, respectiv 10 V. Ce

putem spune în acest caz despre forma de undă corespunzătoare tensiunii de la bornele
rezistent, ei de sarcină?

11