1.

Dispozitive optoelectronice semiconductoare

1.1. Dispozitive receptoare de radiaie electromagnetic
1.1.1. Noiuni generale
n ciuda spectrului foarte larg al radiaiei electromagnetice, n prezent s-au pus la punct
detectori pentru toate domeniile spectrale, funcionarea acestora fiind ns foarte specializat,
pentru un anumit domeniu, ca urmare a caracteristicilor specifice de interaciune dintre un
anumit tip de radiaie electromagnetic i substan.
Detectorii de radiaii electromagnetice se pot clasifica dup mai multe criterii.
Astfel, dup modul n care este procesat informaia primit prin intermediul radiaiei,
detectorii sunt de dou feluri:
- detectori cu rspuns incoerent, la care, n procesul de detecie se pierde informaia asupra
fazei i frecvenei radiaiei detectate;
- detectori cu rspuns coerent, la care, n procesul de detecie, informaia asupra fazei i
frecvenei radiaiei detectate se pstreaz.
Un alt criteriu de clasificare este cel al mecanismului de interacie a radiaiei cu
substana, conform cruia detectorii se clasific n:
- detectori fotonici, n care fotonii interacioneaz direct cu electronii din material,
producndu-se diferite efecte fotonice;
- detectori termici, n care radiaia produce nclzirea materialului detectorului; din aceast
categorie fac parte termistorul, bolometrul, detectorul piroelectric, detectorul termoelectric,
detectorul piromagnetic i altele;
- detectori pe baz de interacie de und; din aceast categorie fac parte detectorul
heterodin, care, funcionnd pe principiul heterodinrii convertete unda incident ntr-o
alta, cu frecven mai joas, n domeniul radio sau microunde i amplificatorul parametric
n care sunt mixate dou radiaii coerente, rezultnd o radiaie cu frecvena egal cu suma
sau diferena frecvenelor celor dou radiaii iniiale.
Primele dou categorii sunt detectori cu rspuns incoerent, n timp ce a treia categorie
reprezint detectori cu rspuns coerent.
n ceea ce privete efectele fotonice, pe baza crora funcioneaz prima categorie de
detectori, ele constau n interaciuni directe ale radiaiei (fotonilor) cu electronii materialului, ele
putnd fi interne, cnd electronii excitai rmn in interiorul materialului sau externe, cnd
acetia sunt emii n exterior.
Efectele fotonice interne, care pot avea loc n semiconductori, se pot clasifica, la rndul
lor, n trei categorii:
- generare de purttori de neechilibru, caz n care pot fi generai purttori de sarcin
electric liberi, de nechilibru, prin procese asemntoare cu cele de generare termic. Ca
urmare a acestor procese, se produc dou efecte care sunt: fotoconductivitatea intrinsec sau
extrinsec (creterea conductivitii sub aciunea radiaiilor) i efectul fotovoltaic (apariia
unei tensiuni fotoelectrice datorit unui cmp electric intern care separ perechile de
electron-gol generate de radiaie)
- interaciunea fotonilor incideni cu purttorii liberi
- interacii localizate (sub aciunea radiaiei incidente, electronii sunt excitai pe stri
energetice localizate), aa cum este cazul proceselor care au loc n luminofori, filme
fotografice i detectori cuantici n infrarou.
1.1.2. Fotorezistori
Fotorezistorul este un dispozitiv semiconductor a crui rezisten electric se modific
sub aciunea radiaiei electromagnetice incidente. El poate fi construit din semiconductor
intrinsec sau extrinsec i funcioneaz pe baza fenomenului de generare optic ce duce, aa cum
s-a vzut, la modificarea conductivitii materialului i deci a rezistenei sale. Structura unui
astfel de dispozitiv este prezentat n figura 2.2.

Fig. 6. 1 Structura unui fotorezistor

n scurtcircuit, iluminat cu o radiaie incident avnd fluxul u, fotorezistorul este
strbtut de un curent:
I
sc
= eAqau

(6. 1)
unde A este aria suprafeei fotorezistorului, q randamentul cuantic, u fluxul de radiaie
incident. i a coeficientul de amplificare al fotorezistorului. Acesta din urm, se definete ca
raportul dintre numrul purttorilor de sarcin electric liberi din circuitul exterior i cel al
purttorilor generai de radiaie sau ca raportul dintre timpul de via, t, al purttorilor
(majoritari) i timpul de tranzit, t
T
al acestora ntre electrozii fotorezistorului:
a =
2
T
V
t
t t
=

(6. 2)
unde este distana dintre electrozi i V este diferena de potenial dintre acetia.
Pentru cazul cnd radiaia incident este modulat, curentul de scurtcircuit este dat de
relaia:
( )
( )
2 2 2
sc
sc
4 1
0 I
I
t v t +
= v (6. 3)
unde v este frecvena de modulare.
Frecvena v
0
= 1/2tt , la care curentul de scurtcircuit scade de 2 ori din valoarea I
sc
(0)
reprezint frecvena de tiere a fotorezistorului.
Se poate constata c produsul ov
0
este o constant a dispozitivului pentru o tensiune de
polarizare dat, ceea ce nseamn c, la creterea coeficientului de amplificare, scade frecvena
de tiere i invers.
O caracteristic foarte important a unui fotorezistor este curba spectral de rspuns, R =
R(), n funcie de care se stabilete domeniul de utilizare a dispozitivului respectiv. De
asemenea, raportul o/o
0
este o mrime caracteristic ce ne arat sensibilitatea dispozitivului la
aciunea radiaiei incidente.
Cele mai utilizate materiale pentru construirea de fotorezistori sunt sulfurile, selenurile i
telurile unor elemente, ca i compui de tipul A
3
B
5
; astfel, , pentru vizibil i ultravioletul
Elect rod transparent
V
u
Elect rod opac
Semiconductor
apropiat, cele mai utilizate materiale sunt: CdS, CdSe, Tl
2
S iar pentru infrarou: PbS, PbSe,
PbTe, InSb.
Aplicaia de baz a fotorezistorilor este cea de convertor optoelectric.
1.1.3. Fotodiode. Fotoelemente
Sub aciunea radiaiei electromagnetice incidente, n semiconductor are loc generarea
unor purttori de neechilibru care, ntr-o jonciune p-n determin apariia unui curent
suplimentar fa de curentul de polarizare, numit fotocurent, de intensitate I
L
, dat de o expresie
de forma:
I
L
=
e
h
qu
v
(6. 4)
unde e este sarcina electric elementar, q eficiena cuantic (numrul de purttori generai de
un foton absorbit), h constanta Planck, u fluxul radiaiei incidente i v frecvena acesteia,
mai mare sau cel puin egal cu frecvena de prag.
n aceste condiii, curentul electric total prin diod are expresia:
L
kT
eV
s
I 1 e I I
|
|
.
|

\
|
= (6. 5)
Se poate constata c, n scurtcircuit (fr polarizare exterioar, V = 0), prin diod circul
un curent egal cu fotocurentul, I = I
L
. Un astfel de dispozitiv, posednd o jonciune p - n
sensibil la radiaia electromagnetic, se numete fotodiod.
De obicei, fotodioda se folosete n circuite electronice ca traductor optic, permind
comanda curentului electric din circuit prin intermediul unui flux luminos, aa cum se poate
vedea n figura 2.3.a. Ea se mai poate folosi i n circuite de msurare a mrimilor fotometrice
(fotometre, luxmetre, exponometre), caz n care la bornele fotodiodei se leag un galvanometru
(figura 6.2.b) ce msoar direct fotocurentul proporional cu fluxul incident i, deci cu
iluminarea. Puterea debitat de o fotodiod este mic.


Fig. 6. 2 Scheme de utilizare a fotodiodei: traductor optic (a); detector pentru msurarea unor
mrimi fotometrice (b)

Dac jonciunea fotosensibil este n circuit deschis (I = 0), atunci se constat c, sub
aciunea radiaiei electromagnetice, la bornele acesteia apare o tensiune electromotoare, V
L
,

avnd expresia:
|
|
.
|

\
|
+ =
s
L
L
I
I
1
e
kT
V (6. 6)
n acest caz, dispozitivul se numete fotoelement, celul fotovoltaic sau celul solar,
reprezentnd o surs de tensiune electromotoare ce convertete direct energia luminoas n
energie electric. Pentru o eficien ct mai mare, fotoelementele trebuie s aib o suprafa de
recepie a luminii ct mai mare (mult mai mare dect cea a unei fotodiode). Puterea debitat n
mod obinuit de un fotoelement este de ordinul a 10
-2

W iar randamentul de conversie (raportul
dintre puterea electric disipat i fluxul energetic incident) atinge 21% utiliznd GaAs, 18%
utiliznd Si i 10 % pentru CdS.
Caracteristica curent-tensiune a unei jonciuni p n fotosensibile este reprezentat n
figura 6.3, la diferite valori ale fluxului radiaiei incidente. La valoarea u = 0, caracteristica este
cea a unei diode semiconductoare obinuite. Cum sensul fotocurentului I
L
este invers curentului
de difuzie caracteristic unei diode polarizate direct, curentul invers prin fotodiod crete odat cu
creterea fluxului radiaiei incidente. Cadranul III corespunde regimului de fotodiod,
reprezentnd funcionarea dispozitivului la polarizare invers, n timp ce cadranul IV corespunde
regimului de fotoelement.


Fig. 6. 3 Caracteristica curent-tensiune a unei jonciuni p-n fotosensibile

Evident, att fotodiodele ct i fotoelementele trebuie construite n capsule transparente
n domeniul spectral al radiaiei electromagnetice la care ele funcioneaz. Construcia trebuie s
asigure ca marea majoritate a fotonilor radiaiei incidente s ajung n regiunea jonciunii p n.
Caracteristicile primare ale unei fotodiode sunt rspunsul, curentul la ntuneric i banda
de trecere. Rspunsul este dat de raportul dintre fotocurentul I
L
i puterea optic incident, P
0
.
Fotocurentul maxim ntr-o fotodiod este date de:
I
L max
=
0
e
P
hv
(6. 7)
unde P
0
este puterea optic incident.
Acest fotocurent maxim se obine cnd fiecare foton incident creeaz o pereche electron-
gol, care contribuie la fotocurent. Fotocurentul n prezena unei reflecii R la suprafaa fotodiodei
i a unei absorbii pe grosimea d n materialul cu un coeficient de absorbie o este dat de:
I
L
= ( )( )
d in
eP
1 R 1 e
h
o

v
(6. 8)
Fotocurentul este redus i mai mult dac perechile electron-gol fotogenerate se recombin
n fotodiod n loc s ajung n regiunile unde aceti purttori sunt majoritari.
I
u = 0
V
u
2
> u
1

u
1

Curentul la ntuneric este curentul prin diod n absena luminii. n mod evident, el
limiteaz puterea minim detectat de fotodiod, deoarece un fotocurent mult mai mic dect
curentul de ntuneric este dificil de msurat. Totui, adevrata limitare este dat de zgomotul de
alice, generat de curentul prin diod (relaia 6.17).

1.1.4. Celule solare
Celulele solare sunt, de obicei, iluminate cu lumin solar i sunt folosite pentru
conversia energiei solare n energie electric. Energia solar este sub forma radiaiei
electromagnetice, mai exact de tipul radiaiei corpului negru. Spectrul Soarelui este de tipul celui
emis de un corp negru la o temperatur de 5800 K, avnd un maxim la 0,8 eV. O parte
semnificativ a energiei emise este n domeniul vizibil (400 - 700 nm). Densitatea de putere este
aproximativ 100 mW/cm
2
.
Doar o parte din spectrul luminii solare ajunge la suprafaa Pmntului. Fenomenele de
mprtiere i absorbie n atmosfer i unghiul de inciden afecteaz densitatea de putere
incident. De aceea, densitatea de putere disponibil depinde de momentul zilei, de anotimp i de
latitudinea locaiei.
Din lumina solar care ajunge la suprafaa celulei solare, doar fotonii cu energie mai
mare dect lrgimea benzii interzise a semiconductorului genereaz perechi electron-gol.
Eficiena total a conversiei de energie a celulelor solare mono-cristaline are valori ntre 10 i 30
%, determinnd o densitate de putere electric de 10 30 mW/cm
2
.
Determinarea puterii maxime a unei celule solare este ilustrat de figura 6.4. Puterea
generat depinde de celula solar nsi i de sarcina conectat la ea.



Fig. 6. 4 Caracteristicile (I-V) i (P-V) ale unei celule solare cu un fotocurent de 1 mA

Curentul i puterea n funcie de tensiunea de polarizare a diodei sunt reprezentate n
figura 6.4 pentru o celul obinuit, cu un fotocurent de 1 mA (n fapt, regiunea din cadranul IV
al graficului din figura 6.3).
Puterea electric furnizat de celul este dat de produsul dintre tensiunea la bornele
acesteia, V i curentul prin ea, I i, la nceput, ea crete liniar cu tensiunea, dar scade rapid la
zero n jurul tensiunii de deschidere. Puterea maxim este obinut la tensiunea V
m
i curentul I
m
.
Suprafaa haurat este numeric egal cu puterea generat de celula solar. Punctele
marcate pe grafic indic tensiunea V
m
i curentul I
m
, pentru care este generat puterea maxim,
P
m
.
Factorul de umplere, m, al celulei solare este definit ca raportul dintre puterea maxim a
celulei i produsul dintre tensiunea n circuit deschis, V
L
i curentul de scurtcircuit
(fotocurentul), I
L
:

m m
L L
I V
m
I V
= (6. 9)
Conversia fotovoltaic pe scar larg necesit componente ce vor opera cu celule
fotovoltaice care formeaz un sistem. n plus, sunt necesare i alte componente ce vor fi incluse
n acest sistem de conversie a energiei: dispozitive de orientare a suprafeei, concentratori de
radiaie solar, mijloace de stocare a energiei, echipamente de condiionare a puterii pentru
adaptarea ncrcrii, convertoare de curent continuu n curent alternativ i transformatoare de
tensiune. Unele dintre aceste componente au nevoie de dezvoltri viitoare i de reduceri ale
costului nainte ca sistemul fotovoltaic s devin practic pentru utilizarea pe scar larg.
Dintre aceste componente, celula fotovoltaic este elementul cheie al unui sistem
energetic solar i este cea mai important problem. Reduceri de cost de 2-3 ori ale celulelor
fotovoltaice sunt necesare nainte ca acestea s devin practice.
Exist foarte mult literatur care trateaz despre efectul fotovoltaic i despre principiile
funcionrii celulelor fotovoltaice. O celul fotovoltaic poate fi definit ca un dispozitiv care
genereaz perechi de purttori de sarcini negative i pozitive prin absorbia luminii, permite
transportul acestor purttori (n general prin difuzie) ntr-o zon de discontinuitate din vecintate
ntr-o structur sau regiune unde exist o barier de potenial i unde sarcinile negative i cele
pozitive sunt separate prin aciunea unui cmp electric, furniznd astfel un mijloc de colectare a
sarcinilor i conducerea lor printr-un circuit extern. Figura 6.5 ilustreaz prile eseniale ale unei
celule fotovoltaice.
De obicei, pentru materialele absorbante de lumin este folosit un cristal semiconductor
cu o structur perfect i chimic relativ pur. Un semiconductor pur permite sarcinilor pozitive i
negative generate s migreze la o distan finit, necesar pentru a ajunge, sub influena
cmpului electric, n apropierea zonei de discontinuitate (stratul de baraj al jonciunii p-n) fr a
se recombina. ntr-un semiconductor puternic absorbant, lumina va fi absorbit generndu-se
(generare optic intrinsec) purttori de sarcin electric ntr-o regiune limitat n adncime.
Astfel de semiconductori cu absorban nalt pot fi mai puin puri i, n consecin, o lungime de
difuzie mai sczut, n timp ce zona de discontinuitate poate fi localizat mai aproape de
regiunea unde sunt generate sarcinile.

Anod
Catod
Strat
de baraj
Circuit electric
exterior
Flux de
fotoni

Fig. 6. 5 Structura unei celule fotovoltaice

Cel mai comun mecanism de separare a sarcinilor este bariera potenial asociat cu o
jonciune p-n. O celul solar cu un monocristal de siliciu este un exemplu clasic de celul solar
cu jonciune p-n. n general, este format prin difuzia unor impuriti dopante convenabile n
masa cristalului semiconductor de siliciu, pentru a obine jonciunea p-n. Regiunea de tranziie
de la tipul p la tipul n de conducie este o homojonciune p-n.
Heterojonciunea p-n este o structur similar homojonciunii p-n, cu excepia faptului c
regiunile n i p sunt dou materiale semiconductoare diferite. Celula solar CdS este o celul cu
o heterojonciune cu Cu
2
S/CdS.
O caracteristic important a semiconductorului absorbant de lumin este banda interzis.
Aceasta are o lrgime E
g
, egal cu energia minim pe care un foton trebuie s o aib pentru a
genera o pereche electron-gol. Fotonii care au energie mai mic nu vor fi absorbii prin astfel de
procese i, de aceea, nu pot contribui la generarea de purttori de sarcin electric. Fotonii care
au o energie mai mare dect E
g
vor fi absorbii i vor genera purttori de sarcin electric,
energia n exces peste energia E
g
transformndu-se n cldur.
Cu ct este mai mare E
g
, cu att numrul perechilor de purttori generai de o surs de
lumin cu spectru larg, cum este Soarele este mai mic, dar cu att este mai mare energia asociat
fiecruia. Cu ct este mai mic E
g
, cu att numrul perechilor de purttori generai este mai mare
i cu att este mai mic energia asociat fiecruia. Pentru o surs de lumin dat, exist o valoare
optim lrgimii benzii interzise care va determina rspunsul maxim posibil al unei celule
fotovoltaice.
S-a calculat eficiena maxim posibil a conversiei, care poate fi obinut la celulele
fotovoltaice cu materiale semiconductoare din lumin solar. Tabelul 6.1 prezint aceste
rezultate pentru unele materiale semiconductoare de interes, precum i lrgimea benzii interzise a
acestora.
Rspunsul electric al unei celule solare variaz n funcie de intensitatea i coninutul
spectral al luminii incidente, de temperatura celulei i impedana sarcinii conectate la terminalele
celulei. Pentru comparaie, celulele proiectate pentru uzul terestru sunt n general testate n
lumin echivalent luminii solare normale la nivelul mrii ntr-o zi senin cu Soarele la amiaz i
cu temperatura normal a celulei ( n jur de 25
o
C). Densitatea de energie incident n aceste
condiii este de aproximativ de 100 mW/cm
2
.

Tabel 6.1 Lrgimea benzii interzise i eficiena maxim pentru celule semiconductoare
fotovoltaice (n lumina solar, la suprafaa Pmntului)
Material E
g
(eV) Eficien maxim
Cu
2
S 1,05 19,7
Si 1,12 20,3
InP 1,25 22,4
GaAs 1,35 23,7
CdTe 1,45 26,5
GaP 2,23 ~ 13
CdS 2,42 ~ 10

Celula solar clasic este o jonciune p-n de arie mare, care poate converti energia
radiaiei solare direct n energie electric. Procesul de conversie a unei celule solare poate fi
descris de o jonciune p-n polarizat invers, legat n paralel cu o surs de curent constant
generat de lumin (I
L
). Curentul total I a unui astfel de dispozitiv ideal poate fi exprimat de
relaia (6.5):
L
kT
eV
s
I 1 e I I
|
|
.
|

\
|
=
unde I
s
este curentul invers de saturaie, iar V este cderea de tensiune la bornele sarcinii.
Primul termen din membrul drept al ecuaiei (6.5) este curentul ideal al unei diode
semiconductoare (I
d1
), reprezentnd curentul de difuzie care trece prin diod cnd o tensiune de
polarizare direct reduce nlimea barierei de potenial n jonciune, permind purttorilor
majoritari s traverseze jonciunea i s difuzeze ca purttori minoritari.
ntr-o diod real unii purttori se pierd n regiunea de difuzie, ca rezultat al recombinrii
i captrii lor n reea, ceea ce determin o corecie a curentului total direct, I
d2
, dat de:
I
d
= I
s
eV
nkT
e 1
| |

|
\ .
(6. 10)
unde n este factorul de diod, caracteristic jonciunii respective (> 2).
Rezultatul recombinrii este reducerea eficienei celulei. n plus, ntr-o celul solar este
ntotdeauna prezent o rezisten intrinsec serie, R
S
, datorat n principal rezistenei regiunii de
difuzie. Rezistena de baz a regiunii i contactele sunt alte cauze ale rezistenei serie. De aceea,
tensiunea de ieire difer de tensiunea jonciunii cu valoarea IR
S
.
Curentul de unt (sau de pierderi) rezult din imperfeciuni care unteaz jonciunea, n
special la margini, unde se formeaz cu uurin ci de conducie superficiale. Acest efect este
reprezentat printr-o rezisten unt, R
SH
, de-a lungul jonciunii. De aceea, curentul final al unei
celule solare este dat de:
I = I
s
( )
S
e V IR
nkT
e 1

(
(

+
S
SH
V IR
R
| |
|
\ .
I
L
(6. 11)
Prin alegerea adecvat a sarcinii, se poate obine o putere maxim n jur de 80 % din
produsul I
L
V
L
.
Prezena centrilor de recombinare n cristal i rezistena unt reduc bineneles mrimea
lui V
L
.
n plus fa de V
L
i I
L
, din caracteristicile IV ale unei celule solare pot fi obinute
puterea maxim, P
m
, randamentul de conversie, q i factorul de umplere, m.
Randamentul celulei este dat de raportul dintre puterea maxim de ieire i puterea
radiaiei incidente (P
in
~ 100 mW/cm
2
n condiiile amintite mai sus) i e dat de:
q =
m L L
in in
P mV I
P P
= (6. 12)
Dup cum se vede din discuia de mai sus, pentru un randament superior, rezistena serie,
rezistena unt i centrii de recombinare trebuie s fie redui la minim. De aceea, defectele
punctiforme, impuritile active electric, incluziunile i precipitatele afecteaz performanele
celulei.
Proiectarea unei celule solare optimizate implic luarea n considerare, pe de o parte a
caracteristicilor sistemului i performanelor celulei, iar pe de alta a costurilor materialelor i
procesului de fabricare. n timp ce cerinele de proiectare variaz n funcie de diferitele scopuri
de aplicare, detaliile specifice de proiectare a celulelor sunt strns legate de procesele
tehnologice de fabricaie.


Fig. 6. 6 Construcia unei celule solare din siliciu monocristalin

Cea mai simpl celul de siliciu const ntr-o jonciune superficial, n contact direct cu o
regiune de baz, n care perechile de purttori se formeaz la absorbia luminii. Sunt necesare
contacte electrice externe la aceste regiuni. Pentru mbuntirea performantelor celulei, se
folosesc elemente de proiectare adiionale, cum sunt:
- un strat de material antireflectorizant, depus pe suprafaa frontal, pentru creterea
procentului intensitii luminii incidente care intr n celul;
- contact metalizat pe suprafaa posterioar, cu rol suplimentar de reflexie optic, n scopul
creterii grosimii efective a celulei;
- o jonciune de cmp superficial posterior, pentru creterea tensiunii i curentului de ieire;
- structur cu impurificare gradat, pentru mbuntirea eficienei de colectare a purttorilor.
Construcia unei celule solare cu CdS cu expunere posterioar este reprezentat n figura
6.7.
n principiu, ea este asemntoare cu cea a celulei cu expunere frontal, cu excepia
faptului c substratul este transparent iar electrodul pozitiv nu este transparent i, de aceea,
lumina intr n celul prin substrat i apoi ajunge la pelicula de CdS, n loc s fie direct incident
pe stratul de Cu
2
S. n mod obinuit, celulele cu expunere posterioar sunt fcute pe substraturi de
sticl conductoare cu pelicul de CdS format prin proces de pulverizare pirolitic.
Contact frontal
Vedere de sus
Vedere lateral
Contact frontal
jonciune p-n
Contact posterior
p
+

n
+

p
hv
Cmp superficial posterior

Fig.6. 7 Construcia unei celule solare cu CdS cu expunere posterioar

Celulele cu expunere posterioar cu cost redus, realizate n producia de mas, sunt
fabricate conform unui proces n care nveliul conductor din SnO
2
, pelicula subire de CdS i
stratul de Cu
2
S sunt toate formate prin depunere pirolitic pe un strat lung i continuu de sticl.
Acesta este tiat apoi n uniti modulare de lungime fix, pentru delimitarea celulelor
individuale i pentru depunerea electrozilor i ncapsularea final.
Ca substrat pentru celulele cu expunere posterioar este folosit sticla sodic, fr
coninut de fier, pentru a reduce absorbia de lumin n sticl. Cum substratul de sticl este partea
structural principal a dispozitivelor cu celule cu expunere posterioar, acesta trebuie s fie
destul de gros pentru a susine fizic dispozitivul pentru perioade lungi de expunere n mediul
exterior. Valoarea uzual a grosimii sticlei este de aproximativ 0,3 mm. Grosimea este foarte
important pentru c substratul de sticl n sine reprezint mai mult de o jumtate din costul final
estimat al panoului solar.
Cele mai bune celule cu pelicul de CdS cu expunere posterioar implic straturi fine de
SnO
2
, cu o textur neted avnd o mrime a granulelor de aproximativ 0,1 m. La temperaturile
relativ nalte cerute de depunerea pirolitic, este de ateptat ca urme de impuriti din sticl s
difuze n stratul de SnO
2
i Sn i urme de impuriti din stratul de SnO
2
s difuze n stratul de
CdS i chiar dincolo de limitele regiunii de jonciune. De aceea, compoziia i puritatea
substratului i ale variatelor soluii pulverizate au un efect asupra proprietilor optice i electrice
ale celulelor i trebuie controlate cu atenie.
Celulele cu pelicul de CdS cu expunere posterioar mai moderne folosesc un strat dublu
de CdS, format prin descompunerea pirolitic a soluiilor pulverizate de sruri de cadmiu. Primul
strat din apropierea stratului de SnO
2
este puternic dopat cu aluminiu. Acest strat este foarte bun
conductor electric i are structura cristalin necesar. Al doilea strat nu este dopat i de aceea are
o rezisten electric mai mare. Ambele straturi nu prezint structura de granule piramidale, care
este caracteristic celulelor cu expunere frontal i granulele sunt mai fine ca mrime dect cele
ale acestora din urm. Granulele superficiale au aproximativ 0,4 m n diametru. Peliculele sunt
mult mai subiri, de ordinul 13 m, pentru fiecare din cele dou straturi CdS. O alt diferen e
aceea c suprafaa peliculei de CdS folosite pentru celulele cu expunere posterioar nu este
texturat.
sticl
electrod negativ din SO
x

CdS puternic dopat
CdS nedopat
Pb (2,0 m)
Cu (0,7 m)
Cu
2
S
Cu colector
+ +
Stratul de Cu
2
S poate fi format n mai multe feluri. Celulele cu tensiunea de ieire cea
mai nalt sunt fabricate folosind procese de schimb de ioni n soluii, dei producia de mas
presupune un proces de pulverizare pirolitic. Stratul de Cu
2
S al celulei cu expunere posterioar
este de dou-trei ori mai gros dect la celula cu expunere frontal, dar, cum se constat doar o
uoar ptrundere a Cu
2
S n pelicula de CdS, grosimea efectiv este aproximativ aceeai.
Cuprul evaporat n vid este folosit drept contact pozitiv al celulei. Acesta este o arie de
contact care acoper toat suprafaa stratului de Cu
2
S, ceea ce este posibil pentru celula cu
expunere posterioar, ntruct iluminarea se face prin faa opus. Cuprul are o grosime mai mic
de un micron i este precedat de strat i mai subire de plumb, de asemenea depus n vid. Rolul
plumbului este n primul rnd acela de a proteja cuprul de factorii atmosferici.
Celulele solare cu pelicul din CdS cu expunere posterioar au o eficien medie de
aproximativ 4,9 % n lumina solar, ajungnd pn la 5,7 %. Curentul de scurtcircuit ajunge la
1820 mA/cm
2
, iar tensiunea de circuit deschis este de 0,36 0,41 V. Rspunsul celulei este n
principal la lungimi de und ntre 0,53 1,05 m. Datorit modului de operare a celulelor cu
expunere posterioar, lungimile de und sub 0,53 m sunt absorbite n CdS. Durata de via a
purttorilor minoritari din CdS este prea mic pentru a se colecta o cantitate apreciabil din zona
n a jonciunii.
Celula cu expunere posterioar din CdS depozitat pirolitic se afl n centrul unor studii
intensive i eforturi de dezvoltare i de mbuntire a performanelor de ieire. mbuntirile ar
putea rezulta din tensiuni mai mari de circuit deschis (0,4 V), din scderea pierderilor optice (n
substratul de sticl, stratul de SnO
2
i pelicula de CdS) i prin mbuntirea absorbiei n stratul
de Cu
2
S. Este posibil dublarea eficienei de conversie.
1.1.5. Fotodiode p-i-n
Dezavantajul principal al fotodiodelor p-n const n faptul c absorbia are loc numai n
stratul de baraj, care este foarte subire.
Figura 6.8.a prezint schematic structura unei fotodiode p-i-n, care are o regiune puternic
dopat de semiconductor de tip p, o regiune larg intrinsec (i) i o regiune puternic dopat de tip
n. Stratul intrinsec este mult mai gros dect regiunile p i n, de obicei grosimea sa fiind de 5 50
m.
Figurile 6.8.b i 6.8.c prezint densitatea de sarcin spaial net i cmpul electric intern
de-a lungul dispozitivului. n stratul i-Si apare un cmp electric intern uniform, E
0
, orientat de la
ionii donori pozitivi n regiunea n la ionii negativi acceptori din regiunea p (figura 6.8.c). n mod
obinuit, detectorul p-i-n este polarizat invers (figura 6.8.d). Tensiunea aplicat cade pe regiunea
rezistiv intrinsec i determin creterea cmpului electric intern la valoarea E = E
0
+ V/w, unde
w este lrgimea regiunii intrinseci.
Cnd un foton cu energia mai mare dect lrgimea benzii interzise, E
g
, cade pe jonciune,
el este absorbit n regiunea intrinsec (regiunea p este foarte subire) i genereaz o pereche
electron liber-gol. De obicei, energia fotonului este astfel nct fotogenerarea are loc n stratul
intrinsec. Cmpul electric separ electronii i golurile i i conduce n sensuri opuse pn cnd
ajung n regiunile neutre (figura 6.8.d). Aceast deplasare genereaz un fotocurent I
f
n circuitul
exterior, acesta reprezentnd semnalul electric. Structura fotodiodei p-i-n prezentat n figura
6.8.a este, desigur, idealizat. n realitate, stratul i-Si are o oarecare dopare. De exemplu, dac
acest strat are o slab dopare de tip n, el este notat ca fiind stratul v, iar structura este de tip
p
+
vn
+
. Stratul v devine astfel un strat de srcire cu o mic concentraie de donori pozitivi. n
acest caz, cmpul intern nu este uniform de-a lungul structurii fotodiodei. El este maxim la
jonciunea p
+
v i scade lent n stratul v-Si, pentru a atinge un minim la stratul n
+
. Cu o bun
aproximaie, se poate totui considera stratul v-Si ca un strat i-Si.
Fotodiodele p-i-n au un numr de avantaje clare fa de fotodiodele p-n obinuite. Avnd
o regiune de srcire mai larg, ele au o eficien cuantic mai bun. Capacitatea regiunii de
srcire este mult mai mic dect cea a jonciunii p-n i relativ independent de tensiunea de
polarizare invers. n consecin constanta de timp RC asociat cu capacitatea regiunii de
srcire C este mic dac rezistena extern R n figura 6.8.d este mic. n plus, pe dioda p-i-n
pot fi aplicate tensiuni de polarizare invers mai mari dect pe jonciunea p-n fr a se produce
strpungerea. Viteza unei fotodiode p-i-n este n mod normal limitat de timpul de tranzit al celor
mai leni purttori de sarcin fotogenerai. Ea crete cu tensiunea de polarizare invers pn cnd
viteza de drift a purttorilor se satureaz.
Fotodioda p-i-n este probabil unul dintre cei mai populari fotodetectori utilizai n
aplicaiile optoelectronice, datorit vitezei de lucru mari i a rspunsului bun.


Fig. 6. 8 a) - schema structurii unei fotodiode p-i-n ideale; b) - densitatea de sarcin spaial net
n fotodiod; c) - cmpul electric intern n fotodiod; d) - fotodioda p-i-n polarizat invers pentru
fotodetecie

1.1.6. Fotodiode cu avalan
O limitare a fotodiodei p-i-n este lipsa amplificrii interne un foton incident produce o
singur pereche electron-gol. Aplicaiile legate de fluxuri slabe de lumin necesit detectori cu
amplificare intern, pentru ridicarea nivelului semnalului peste nivelul de zgomot al
dispozitivelor electronice care urmeaz. Muli ani, totui, singurul dispozitiv care putea asigura
aceast amplificare a fost fotomultiplicatorul, funcionnd pe baza efectului electric extern. Dei
acesta ofer o amplificare mare, el are un anumit numr de limitri practice: este un tub vidat
voluminos, genereaz cldur i, comparat cu o fotodiod, prezint o liniaritate limitat, un
domeniu ngust al rspunsului spectral i un randament electric sczut (< 25%).
Fotodiodele cu avalan (Avalanche Fotodiode APD) ofer o alternativ pentru
majoritatea aplicaiilor fotomultiplicatorului, fiind larg utilizate n diferite aplicaii
optoelectronice, n special n comunicaiile optice, datorit vitezei de lucru mari i amplificrii
interne. O schem simplificat a structurii unei diode cu avalan este prezentat n figura 6.9.a.
Zona n este subire i este partea care este iluminat printr-o fereastr. n continuarea stratului n
sunt trei straturi de tip p, cu diferite niveluri de dopare, astfel nct distribuia cmpului de-a
lungul structurii s fie cea dorit. Primul este un strat subire de tip p, al doilea este un strat gros
de tip p slab dopat (aproape intrinsec), stratul . Iar al treilea este un strat p puternic dopat. Dioda
este polarizat invers pentru a crete cmpul n regiunile de srcire. Distribuia de sarcin
spaial net n diod, datorat ionilor de impuriti dopante este prezentat n figura 6.9.b. La
polarizare nul, n regiunea p (ntre n
+
p), n mod normal regiunea de srcire nu se extinde n
acest strat. Cnd ns este aplicat o tensiune de polarizare invers suficient de mare, regiunea de
srcire n stratul p se lrgete i ptrunde n stratul t. Cmpul se extinde de la impuritile
donoare cu sarcin pozitiv din stratul subire de srcire din zona n
+
, pn la impuritile
acceptoare cu sarcin negativ din strat subire de srcire din zona p
+
.
Variaia cmpului n diod este reprezentat n figura 6.9.c. Liniile de cmp pornesc de la
ionii pozitivi i ajung la ionii negativi care exist n straturile p, i p
+
. Aceasta nseamn c E
este maxim la jonciunea n
+
p, apoi descrete lent n stratul p. n stratul t, el descrete doar foarte
puin, ntruct densitatea de sarcin spaial este mic. Cmpul se anuleaz la captul zonei de
srcire n zona p
+
.
Absorbia fotonilor i n consecin fotogenerarea au loc n principal n stratul t. Cmpul
aproximativ uniform de aici separ perechile de purttori i i orienteaz la viteze aproape de
valoarea de saturaie spre zonele n
+
, respectiv p
+
. Cnd electronii de conducie ajung la stratul p,
ei ntlnesc aici un cmp i mai mare i n consecin acumuleaz suficient energie cinetic (mai
mare dect E
g
) pentru a produce ionizri prin ciocnirea nodurilor reelei semiconductoare de Si i
a forma perechi de purttori.


Fig. 6. 9 a) - ilustrare schematic a structurii unei fotodiode cu avalan polarizat pentru
amplificarea n avalan; b) densitatea de sarcin spaial n fotodiod; c) distribuia cmpului
electric n diod

Acetia, la rndul lor, pot fi de asemenea accelerai de cmpul nalt n aceast regiune la
suficient de mari energii cinetice pentru a produce n continuare aceleai procese de ionizare prin
ciocnire i generare de perechi electron-gol, ceea ce conduce la o avalan de astfel de procese.
Astfel, de la un singur electron care intr n stratul p, se poate genera un mare numr de perechi
electron-gol, toi acetia contribuind la fotocurentul total. Fotodioda posed mecanism de
amplificare intern, n care o singur absorbie de foton conduce la un mare numr de perechi
electron-gol generate. De aceea, fotocurentul n prezena multiplicrii n avalan corespunde
unui randament cuantic efectiv mai mare dect unitatea.
Motivul pentru care procesul de fotogenerare este pstrat n interiorul regiunii t i este
separat de regiunea p, n care are loc multiplicarea n avalan a purttorilor este faptul c
multiplicarea n avalan este un proces statistic, ceea ce duce la fluctuaii ale generrii de
purttori, care la rndul lor duc la un zgomot n exces n fotocurent. Acesta este minimizat dac
ionizarea prin ciocnire este limitat la purttorii cu cel mai mare randament de ionizare prin
ciocnire, care n Si sunt electronii.
1.1.7. Fotodiode cu avalan cu heterojonciune
Fotodiodele cu avalan cu heterojonciune bazat pe compui III-V s-au dezvoltat pentru
utilizarea n comunicaii optice la lungimile de und de 1,3 m i 1,55 m. Ca i la dispozitivele
descrise n paragraful anterior, regiunea de absorbie i fotogenerare este separat de regiunea de
multiplicare n avalan. Absorbia i multiplicarea separate sunt tipice unei heterostructuri, aa
cum se poate vedea n figura 6.10, unde este considerat cazul structurii InGaAs-InP, cu lrgimi
ale benzii interzise diferite. InP are o band interzis mai larg dect InGaAs. Tipul de
impurificare p sau n a InP este indicat prin majuscule, P i N. Stratul principal de srcire este
ntre straturile P
+
-InP i N-InP, adic acolo unde cmpul este cel mai intens. La o polarizare
invers suficient de mare stratul de srcire din stratul n-InGaAs ajunge pn n stratul N-InP.
Cmpul n stratul de srcire din n-InGaAs nu este att de intens ca n stratul N-InP. Dei fotonii
cu lungime de und mare sunt incideni pe faa InP, ei nu sunt absorbii n InP, ntruct energia
fotonilor este mai mic dect lrgimea benzii interzise a InP (E
g
= 1,35 eV). Fotonii trec prin
stratul de InP i sunt absorbii n straturile n-InGaAs. Cmpul n stratul n-InGaAs conduce
golurile spre regiunea de multiplicare, unde ionizarea prin ciocniri multiplic purttorii. Golurile
fotogenerate care se deplaseaz de la stratul n-InGaAs spre stratul N-InP sunt captate la interfa
deoarece aici este cretere abrupt n lrgimea benzii interzise i o variaie brusc E
v
n
valoarea lui E
v
(limita superioar a benzii de valen) ntre cei doi semiconductori i golurile nu
pot depi uor bariera de potenial E
v
. Aceast problem este depit prin utilizarea unor
straturi subiri de InGaAsP de tip n cu lrgimi ale benzii interzise medii pentru a asigura o
tranziie gradat de la InGaAs la InP. Practic E
v
este defalcat n mai multe trepte. Ambele
straturi InP sunt crescute epitaxial pe un substrat InP. Substratul nsui nu este utilizat direct
pentru formarea jonciunii P-N pentru evitarea defectelor (dislocaii, de exemplu) din substrat
care se pot propaga n regiunea de multiplicare, scznd performanele dispozitivului.


Fig. 6. 10 Schem simplificat a unei fotodiode cu avalan cu heterojonciune InGaAs-InP

1.1.8. Dispozitive cu cuplare (transfer) de sarcin (CCD)
O categorie important de detectori de radiaie electromagnetic este cea a dispozitivelor
cu cuplare (transfer) de sarcin (CCD din expresia n englez: charge-coupled device).
Acestea sunt structuri MOS distribuite sub forma unei matrie, utilizate ca senzori de imagine.
1.1.9. Fototranzistori
Fototranzistorul este un dispozitiv asemntor cu tranzistorul bipolar, realizat din Si, Ge
sau GaAs, a crui comand se realizeaz pe cale optic, de ctre un flux luminos ce cade pe
regiunea bazei.
Fototranzistorul funcioneaz (de regul) cu baza n gol i este ncapsulat ntr-o capsul
prevzut cu o fereastr care permite iluminarea bazei de ctre radiaia incident.
Fototranzistorul are simbolul specificat n fig. 6.11.a. Caracteristicile I
C
V
CE
ale
fototranzistorului sunt date n fig. 6.11.b. Curentul prin fototranzistor crete cu iluminarea, ca
rezultat al generrii de perechi electron-gol, ca urmare a energiei primite din exterior.


Fig. 6. 11 a) - simbolul fototranzistorului; b) - caracteristica fototranzistorului

Aceste dispozitive au o sensibilitate mai mare, datorit amplificrii, avnd ns un curent
de ntuneric mult mai mare dect al unei fotodiode.
1.1.10. Optocuploare
n optoelectronic sunt utilizate i dispozitive numite optocuploare, alctuite dintr-un
fotoemitor, cuplat cu un fotoreceptor prin intermediul unui mediu optic, ambele elemente fiind
montate n aceeai capsul, avnd principalul avantaj de a separa electric circuitul de intrare de
cel de ieire.
Cele mai utilizate variante de optocuploare sunt cele realizate dintr-o diod
electroluminescent pe baz de GaAs i o fotodiod sau un fototranzistor cu Si, funcionnd n
domeniul ~ 900 nm.
1.1.11. Mrimi caracteristice fotodetectorilor
Sunt mai multe mrimi caracteristice importante care caracterizeaz performana unui
fotodetector.
- Randamentul cuantic intern al fotodetectorului este numrul perechilor de electron liber-
gol fotogenerate de un foton absorbit (i nu de un foton incident pe dispozitiv). Deoarece
randamentul cuantic intern este definit pe un foton absorbit, el este mai mare dect
randamentul cuantic extern, care este definit pe un foton incident; nu toi fotonii incideni
sunt absorbii.
- Randamentul cuantic extern al fotodetectorului este definit ca numrul perechilor electron
liber-electron colectate pentru un foton incident. Nu toi fotonii incident sunt absorbii pentru
a crea perechi electron liber-gol care pot fi colectate pentru a crea un fotocurent.
Fotocurentul I
L
msurat n circuitul extern este datorat fluxului de electron spre terminalele
dispozitivului. Numrul de electroni colectai pe secund este I
L
/e. Dac P
0
este puterea optic
incident, atunci numrul fotonilor incideni n unitatea de timp pe dispozitiv este P
0
/hv. Atunci,
randamentul cuantic extern poate fi definit cu expresia:
q =
L
0
I h
P e
v

(6. 13)
unde h este constanta Planck, e este sarcina electric elementar i v este frecvena radiaiei
incidente. Nu toi fotonii absorbii pot fotogenera perechi electron liber-gol care pot fi colectai.
Unele dintre acetia pot disprea prin recombinare fr contribuie la fotocurent sau s fie
imediat captai. n plus, dac grosimea semiconductorului este comparabil cu adncimea de
ptrundere 1/, (unde este coeficientul de absorbie al materialului), atunci nu toi fotonii vor fi
absorbii. Randamentul cuantic extern al dispozitivului QE este de aceea ntotdeauna mai mic
dect unitatea. El depinde de coeficientul de absorbie al semiconductorului la lungimea de und
de interes i de structura dispozitivului i poate fi crescut prin reducerea reflexiilor la suprafaa
semiconductorului, prin creterea absorbiei n stratul de baraj i prin prevenirea recombinrilor
sau captrilor de purttori nainte ca ei s fie colectai.
- Rspunsul R descrie dependena semnalului (tensiune sau curent) la ieirea detectorului de
lungimea de und (sau frecvena) radiaiei incidente. El se exprim prin raportarea
fotocurentului la unitatea de putere radiant incident pe intervalul unitar de lungime de
und. R depinde de randamentul cuantic extern i de lungimea de und a radiaiei incidente.
R =
e
h
q
v
(6. 14)
unde este randamentul cuantic extern, care depinde de lungimea de und a luminii incidente
i v este frecvena acesteia. De aceea, rspunsul depinde clar de lungimea de und. R mai este
numit i rspuns spectral, sau sensibilitate radiant.


Fig. 6.12 Rspunsul spectral al unui fotodetector (ideal) comparat cu cel al unui detector termic

n figura 6.12 se prezint rspunsul spectral al detectorului fotonic, respectiv termic ideal.
Se constat c, n timp ce rspunsul detectorului termic este practic constant n ntreg spectrul de
radiaie, nedepinznd de lungimea de und a radiaiei incidente, rspunsul spectral al detectorului
fotonic crete liniar cu lungimea de und pn la o lungime de und de prag,
0
, la care scade
brusc la zero, peste acest prag detectorul nemaifiind sensibil.
0
reprezint pragul de producere a
efectului fotoelectric n detector.
- puterea echivalent de zgomot (NEP - Noise Equivalent Power), P
N
, este puterea radiaiei
incidente pe detector care determin un semnal la ieire egal cu semnalul de zgomot. P
N
este
direct proporional cu rdcina ptrat a benzii de frecven a detectorului, depinznd i de
aria detectorului.
- detectivitatea reprezint raportul semnal-zgomot pe intervalul unitar de frecven:
z
s
v
v
P
B A
D

= (6. 15)
unde A este aria detectorului, B - lrgimea benzii de frecven, P - puterea radiaiei incidente i
(v
s
/v
z
) - raportul semnal-zgomot global al detectorului.
- timpul de rspuns, cu valori de ordinul 10
-7
10
-10
s este o caracteristic important a
detectorului, el determinnd limitele frecvenei de modulare a radiaiei. Se poate determina cu
formula t = 1/2tv
0
unde v
0
este frecvena de modulare a radiaiei la care semnalul
detectorului se reduce de 1,42 ori fa de valoarea de la frecvena de modulare nul.
1.1.12. Limitarea performanelor detectorilor. Zgomotul
Performanele fotodetectorilor sunt limitate de anumii factori, interni sau externi. Cel
mai important factor intern este zgomotul intern, care poate fi datorat mai multor fenomene:
- zgomotul Johnson este datorat fluctuaiilor energiei (i deci, vitezei) purttorilor de sarcin
liberi din detector. Tensiunea de zgomot Johnson este dat de relaia:
U
x
=
2
z
u = 4kTRB (6. 16)
unde B este banda de frecven, R - rezistena detectorului, T - temperatura absolut, k -
constanta Boltzmann, medierea fcndu-se n unitatea de timp. U
x
este acelai, indiferent dac
detectorul este polarizat sau nu.
- zgomotul de alice este datorat fluctuaiilor concentraiei purttorilor de sarcin electric liberi
i apare n prezena polarizrii. Pentru o fotodiod, curentul datorat zgomotului de alice este
dat de relaia:
eIB 2 i I
2
A A
= = (6. 17)
unde I este curentul prin diod (inclusiv fotocurentul), e este sarcina electric a electronului i B
este banda de trecere a diodei, care este afectat de timpul de tranzit al purttorilor foto-generai
prin diod i de capacitatea diodei (timpul de tranzit determin banda intrinsec, n timp ce
capacitatea mpreun cu impedana amplificatorului sau a liniei de transmisie conectate la diod
determin o ntrziere parazit, RC.
- zgomotul de generare-recombinare este datorat fluctuaiilor n ratele de generare i
recombinare, ceea ce determin fluctuaii n concentraia purttorilor.
- zgomotul de scnteiere, care apare n mod special la detectorii n infrarou la frecvene joase,
este datorat strilor de suprafa.
n afara zgomotului intern, la detectori mai intervin i alte tipuri de zgomote, n special
zgomotul de fond i zgomotul amplificatorului. Primul dintre acestea este datorat mediului
nconjurtor, n primul rnd radiaiei electromagnetice (alta dect cea care trebuie detectat)
provenite din exteriorul detectorului.
Evident, performanele detectorilor sunt limitate de efectele cumulative ale diferitelor
tipuri de zgomote, astfel nct, pentru un detector dat, este caracteristic puterea minim a
radiaiei ce poate fi detectat, considerat a fi puterea echivalent de zgomot, mrime definit
anterior.
Practic, n general se impune condiia ca puterea minim a radiaiei detectate s fie
limitat de zgomotul de fond, ceea ce impune ca puterile echivalente de zgomot datorate
celorlalte tipuri de zgomote s fie mult mai mici dect puterea echivalent a zgomotului de fond.
Pentru a se realiza aceast condiie, este necesar ca randamentul cuantic s tind spre valoarea
unitar i banda de frecven n care se msoar semnalul s fie ct mai ngust, ceea ce impune
i funcionarea sub o temperatur limit.
Se arat c, pentru ca performanele fotodetectorului s fie limitate de zgomotul de fond,
este necesar ndeplinirea condiiei:
f
2
2
e
kT
RA
u
>> q o (6. 18)
unde o este coeficientul de amplificare al fotodetectorului (la fotodiode el este unitar), q -
randamentul cuantic, R - rezistena fotodetectorului, A - aria acestuia i u
f
fluxul radiaiei de
fond.

1.2. Dispozitive emitoare de radiaie electromagnetic
1.2.1. Diode luminescente
Dioda luminescent (numit i LED
1
) are la baza funcionrii sale fenomenul de
electroluminescen, care const n emiterea de radiaie luminoas sub aciunea curentului
electric. Dispozitivul este deci o diod semiconductoare n care jonciunea p - n este polarizat
direct cu o tensiune suficient pentru a excita electronii din banda de valen, astfel ca apoi, prin
tranziia din banda de conducie sau de pe nivelurile de impuriti n banda de valen sau pe
nivelurile de impuriti, s se produc fenomenul de recombinare radiativ. Este necesar ca
aceasta s se produc cu o probabilitate suficient de mare (n comparaie cu recombinrile
neradiative) pentru a se obine un randament de conversie a energiei electrice n energie
luminoas suficient de bun. Cele mai bune materiale semiconductoare, din acest punct de vedere,
sunt cele compuse, de tipul SiC i de tipul III-V, cum sunt GaAs, GaP. Pentru ca radiaia emis
s fie n domeniul vizibil, este necesar ca diferena dintre nivelurile energetice ntre care ale loc
tranziia electronilor s fie mai mare dect 1,7 eV. Lrgimea benzii interzise a GaAs este de 1,43
eV, ceea ce face ca radiaia emis n acest caz s fie n domeniul infrarou ( = 920 nm), n timp
ce lrgimea benzii interzise a GaP este de 2,1 eV, astfel nct radiaia emis este n domeniul
vizibil, verde ( = 560 nm). Dac se realizeaz o soluie solid a celor dou materiale, se pot
obine radiaii de diferite culori, ntruct lrgimea benzii interzise depinde de proporia celor
dou materiale n soluie. Cteva exemple sunt date n tabelul 6.2.

Tabel 6.2 Domeniul spectral de emisie al unor semiconductori
Semiconductor (nm) Domeniu spectral
GaAs 920 infrarou
0,6GaAs - 0,4GaP 660 rou
0,5GaAs - 0,5GaP 610 portocaliu
0,2GaAs - 0,8GaP 590 galben
GaP 560 verde

Dei domeniul spectral n care emit diodele luminescente este ngust, lumina emis nu
este totui monocromatic, lrgimea benzii emise fiind destul de mare. Parametrii electrici mai
importani ai diodelor luminescente sunt:
- tensiunea de deschidere a jonciunii p-n polarizate direct (1,2 3 V)
- curentul maxim (10 50 mA)
- tensiunea invers admis (3 10 V)

1
Diodele luminescente mai sunt cunoscute i sub numele de LED-uri, denumire care vine de la iniialele cuvintelor
Light Emitting Diode, care, n limba englez nseamn diod emitoare de lumin
Pentru ca dioda s emit lumin, ea trebuie polarizat direct, prin nserierea unui rezistor
de limitare a curentului.
O diod luminescent este n esen o diod tipic cu jonciune p-n, realizat dintr-un
semiconductor cu band interzis direct, de exemplu GaAs, n care recombinarea unei perechi
electron-gol are drept rezultat emisia unui foton. Energia fotonului emis, hv, este aproximativ
egal cu energia corespunztoare lrgimii benzii interzise, E
g


Fig. 6.13 Diagrama structurii benzilor energetice a unei jonciuni p-n (zona n puternic dopat); a)
- jonciune nepolarizat; b) - jonciune polarizat direct

Figura 6.13.a prezint diagrama benzilor energetice pentru o jonciune nepolarizat, n
care zona n este mai puternic dopat dect zona p. Nivelul Fermi, E
F
, este constant n toat
jonciunea, rezultat al condiiei de echilibru cnd jonciunea nu este polarizat. Regiunea de
srcire (stratul de baraj) se extinde n majoritate n zona p. Apare o barier de potenial, eV
0
, de
la E
C
n zona n la E
C
n zona p, unde V
0
este aa-numitul potenial de contact, determinat de
cmpul electric intern al stratului de baraj. Aceast barier de potenial mpiedic difuzia
electronilor din zona n n zona p.
Dac se aplic o tensiune de polarizare direct, V, potenialul de contact se reduce la V
0

V
,
ceea ce permite mai multor electroni din zona n s difuzeze n zona p, adic acetia sunt
injectai n zona p, aa cum se poate vedea n figura 6.13.b. Componenta injeciei de goluri din
zona p n zona n este mult mai mic dect cea a injeciei de electroni. Recombinarea electronilor
injectai n regiunea de srcire i n interiorul unui volum ce se extinde pe o distan egal cu
lungimea de difuzie a electronilor n zona p are ca rezultat emisia fotonilor. Fenomenul de emisie
a luminii din recombinarea perechilor electron-gol ca rezultat al injeciei purttorilor minoritari
se numete electroluminescen de injecie.

Tabel 6.3 Diferite materiale semiconductoare, lungimile de und de emisie, randamente
externe tipice. (D = band interzis direct, I = band interzis indirect)
Semiconductor Band
interzis
(nm) q
ext

(%)
Obs.
GaAs D 870 900 10 infrarou (IR)
Al
x
Ga
1x
As
(0< x < 0.4)
D 640 870 3 20 rou spre IR
In
1x
Ga
x
As
y
P
1y

(y 2,20x, 0 < x < 0,47)
D 1 1,6 m > 10
LED-uri n
comunicaii
Aliaje InGaN D
430 460
500 530
1 2
3 5
albastru
verde
InGaN/GaN (Quantum
Well)
D 450 530 > 5
albastru -
verde
SiC I 460 470 0,02 albastru
In
0,49
Al
x
Ga
0,51x
P D 590 630 1 10
galben,
verde, rou
GaAs
1y
P
y
(y < 0,45) D 630 870 < 1 rou - IR
GaAs
1y
P
y
(y > 0,45)
(N or Zn, O doping
I 560 700 < 1
rou,
portocaliu,
galben
GaP (Zn-O) I 700 2 3 rou
GaP (N) I 565 < 1 verde

Datorit naturii statistice a proceselor de recombinare dintre electroni i goluri, fotonii
sunt emii n direcii aleatoare; ei rezult din procese de emisie spontan. Structura unei LED
trebuie s fie astfel nct fotonii emii s poat iei din dispozitiv fr a fi reabsorbii de
materialul semiconductor. Aceasta nseamn c zona p trebuie s fie suficient de ngust, sau
trebuie utilizate dispozitive cu heterostructur.
Randamentul extern, q
ext
, al unei LED msoar eficiena conversiei energiei electrice n
energie luminoas emis n exterior. El include randamentul intern al proceselor de recombinare
radiativ, q
int
i eficiena extraciei fotonului din dispozitiv. Puterea electric de intrare a unei
LED este, evident dat de produsul dintre curentul I prin diod i tensiunea de polarizare a
acesteia (IV). Dac P
out
este puterea optic emis de dispozitiv, atunci randamentul extern este
P
out
/(IV); unele valori tipice sunt date n tabelul 6.3. Pentru semiconductorii cu band interzis
indirect q
ext
este n general mai mic dect 1%, n timp ce pentru semiconductorii cu band
interzis direct, cu o structur corect, q
ext
poate fi considerabil mai mare (> 10%). Tabelul 6.3
prezint domeniile tipice ale lungimilor de und ale diferitelor tipuri de LED.
O heterojonciune este o jonciune ntre dou semiconductoare cu lrgimea benzii
interzise diferit. Pentru a se obine o cretere a intensitii luminii emise, LED-urile sunt
construite n structuri de duble heterojonciuni. Figura 6.14.a prezint un dispozitiv cu doubl
heterostructur, alctuit din dou jonciuni ntre materiale semiconductoare diferite, cu lrgimi
ale benzii interzise diferite. n acest caz, semiconductorii sunt AlGaAs, cu E
g
2 eV i GaAs, cu
E
g
1,4 eV. Dubla heterostructur din figura 6.14.a are o heterojonciune ntre zona n-AlGaAs i
zona p-GaAs. O a doua heterojonciune se formeaz ntre zona p-GaAs i zona p-AlGaAs. Zona
p-GaAs este un strat subire, tipic o fraciune de micron i este dopat slab.
O diagram simplificat a structurii energetice a dispozitivului n absena unei tensiuni de
polarizare este prezentat n figura 6.14.ab. Nivelul Fermi E
F
este continuu n ntreaga structur.
Bariera de potenial eV
0
pentru electronii din BC a zonei n-AlGaAs se opune difuziei acestora n
zona p-GaAs. La jonciunea dintre zona p-GaAs i zona p-AlGaAs apare un salt E
C
n valoarea
lui E
C
. Acest salt este efectiv o barier de potenial care mpiedic orice electron din BC a zonei
p-GaAs s treac n BC a zonei p-AlGaAs. (exist, de asemenea i un salt E
V
, dar este mic i nu
este reprezentat n figur).
Cnd este aplicat o tensiune de polarizare direct, cea mai mare parte a acesteia cade
ntre zona n-AlGaAs i zona p-GaAs i reduce bariera de potenial eV
0
, exact ca la jonciunea p-
n normal. Aceasta permite electronilor din BC a zonei n-AlGaAs s fie injectai n BC a zonei
p-GaAs (figura 6.14.c). Aceti electroni sunt totui confinai (captai), n BC a zonei p-GaAs,
ntruct aici este o barier de potenial, E
C
, ntre zonele p-GaAs i p-AlGaAs.
Straturile cu band interzis larg p-AlGaAs acioneaz ca straturi de confinare, care
limiteaz accesul electronilor injectai doar n stratul p-GaAs. Recombinarea electronilor injectai
cu golurile deja prezente n acest strat p-GaAs are drept rezultat emisia spontan de fotoni.
Stratul p-GaAs este numit strat activ, deoarece acesta este stratul n care este generat lumina.
Cum lrgimea benzii interzise a AlGaAs este mai mare dect a GaAs, fotonii emii nu vor fi
reabsorbii la ieirea din stratul activ i astfel pot ajunge la suprafaa dispozitivului (figura
6.14.d).


Fig. 6.14 a) - Heterostructur dubl a unei LED; o diod cu heterostructur dubl are dou
jonciuni care se formeaz ntre doi semiconductori cu lrgime a benzii interzise diferit (GaAs i
AlGaAs); b) - diagram simplificat a structurii de benzi energetice; c) - polarizare direct; d) -
ilustrare schematic a fotonilor care nu se recombin n stratul AlGaAs i sunt emii n exteriorul
dispozitivului

Spectrul radiaiei emise este determinat de spectrul energetic al electronilor din BC i de
cel al golurilor din BV n regiunea activ. Cum acesta este n ambele cazuri de ordinul 2kT (unde
k este constanta Boltzmann i T temperatura absolut), lrgimea liniei spectrale a emisiei
corespunde unui spectru energetic de civa kT. La creterea temperaturii, lrgimea liniei, ,
devine mai mare i maximul emisiei se deplaseaz spre lungimi de und mai mari, deoarece
lrgimea benzii interzise, E
g
scade cu temperatura (figura 6.15)


Fig. 6.15 Spectrul de emisie al unei LED cu AlGaAs (valori normalizate fa de maximul de emisie
la 25C)

1.2.2. Laseri cu semiconductori
Laserii cu semiconductori ocup n prezent aproximativ 70% din piaa total a laserilor,
ceea ce nseamn c ei prezint avantaje importante, dar i limitri care i mpiedic s ocupe
totalitatea pieei.
Trsturile specifice ale laserilor cu semiconductori pot fi rezumate simplu astfel:
densitatea atomilor activi este cea a substanei condensate i nu cea a atomilor dopani, ai unui
lichid sau ai unui gaz. Aceast densitate asigur amplificri gigantice i construcia unor
dispozitive compacte;
mecanismul de conversie electron-foton est foarte eficace, ca urmare a controlului eficient al
fabricrii heterostructurilor semiconductoare, de o mare puritate, fr defecte. n consecin,
randementul este foarte mare, putnd atinge 70%;
fabricarea de natur colectiv a dispozitivelor (consecin, de asemenea, a compactitii lor) de
ctre industria semiconductorilor duce la costuri de producie mici, ntr-o spiral vertiginoas
odat cu dezvoltarea pe scar larg a pieei;
diferitele materiale accesibile i ingineria structurii benzii interzise permit realizarea laserilor de
lungimi de und corespunztoare ntr-o anumit gam; se dispune astfel pe pia de laseri cu
semiconductori cu lungimi de und ntre rou i infrarou pn la 2 m i chiar n domeniul
albastru, sau infraroul mediu;
n ce privete limitrile lor, laserii cu semiconductori sunt laseri de energie mic,
explicat natural prin compactitatea dispozitivelor i puterea limitat pe care o pot suporta ntr-
un volum att de mic, pe de o parte i, pe de alt parte, printr-un timp de via radiativ scurt i
deci o incapacitate de a stoca energie.
Alte puncte slabe ale laserilor cu semiconductori sunt, pe de o parte calitatea mediocr a
fasciculului (n comparaie cu cea de la laserii cu solid sau gaz) i, pe de alt parte, domeniile de
lungime de und nc puin acoperite de diodele laseri: n primul rnd, verde, albastru sau UV,
domenii spectrale n care performanele laserilor cu semiconductori sunt nc slabe.
n privina perspectivelor, diodele laser sunt nc departe de a-i demonstra toate posibilitile.
Cucerirea noilor domenii spectrale face obiectul unei cercetri foarte intense pentru aplicaii de
stocarea informaiei, imprimarea laser, sau de imagistic laser. Aceast cercetare est dificil, cci
emisia n domeniul albastru presupune utilizarea semiconductorilor cu band interzis mare (cum
este GaN), mai puin stpnit dect cea a semiconductorilor depui pe GaAs sau InP. De
cealalt parte a spectrului, n IR mediu, materialele pe baz de antimoniu prezint performane n
cretere rapid pentru lungimi de und situate ntre 2 et 3 m. Dincolo de acest domeniu, laserii
n cascad cuantic, aprui recent, ofer o gam foarte extins de lungimi de und accessibile,
ntre 4 et peste 15 m.
Efectul laser poate fi obinut, n anumite condiii, i n materialele semiconductoare, n
care inversia de populaie se realizeaz fie prin pompaj optic, fie prin pompaj cu fascicul de
electroni, fie electric.
Pompajul optic este utilizat pentru obinerea inversiei de populaie ntr-un semiconductor
cu care este dificil s se realizeze o jonciune p-n i el se realizeaz prin iradierea
semiconductorului respectiv (omogen) cu o radiaie provenit de la un alt laser, cnd are loc n
semiconductor generarea optic de perechi electron-gol. Astfel, un semiconductor omogen InSb,
excitat cu radiaie provenit de la un laser GaAs cu jonciune, cu = 840 nm, emite o radiaie
laser cu = 5300 nm iar un semiconductor omogen CdSe, excitat cu radiaie cu = 632,8 nm,
provenit de la un laser cu He-Ne, emite o radiaie laser cu = 690 nm.
Efect laser se poate obine i prin bombardarea unui semiconductor cu un fascicul de
electroni de energie mare (~ 200 keV), metod folosit n special pentru semiconductori cu o
lrgime a benzii interzise mare (ZnS, CdS), care, evident, vor genera radiaie laser cu frecven
mare, n domeniul ultraviolet.
Inversia de populaie realizat pe cale electric se poate produce n dou moduri: prin
ionizare prin ciocniri n cmp electric intens sau prin injecie la zona de contact.
Este cunoscut faptul c, sub aciunea unui cmp electric intens, purttorii de sarcin
electric liberi sunt accelerai, cptnd suficient energie pentru a genera alte perechi de
purttori, astfel avnd loc o multiplicare n avalan a purttorilor care se recombin radiativ.
Utiliznd structuri de tip pp
+
p din GaAs, se poate obine o radiaie laser plasnd structura ntr-o
cavitate Fabry-Perot. Radiaia este emis prin recombinarea coerent n zona p
+
a electronilor
generai prin multiplicarea n avalan n zona p de rezistivitate mare.
A doua metod de realizare a inversiei de populaie pe cale electric, aceea de injecie la
zona de contact, se poate obine n jonciuni p-n polarizate direct, n structuri metal-
semiconductor, sau n structuri MOS.
Laserul cu jonciune p-n sau dioda laser este un dispozitiv realizat dintr-o jonciune p-n
cu dopare puternic n ambele regiuni. Polariznd direct jonciunea, n zona stratului de baraj se
produce o inversie de populaie.
Laserul cu semiconductor se deosebete esenial de alte tipuri de laser, prin urmtoarele
caracteristici:
- tranziiile radiative au loc n laserul cu semiconductor nu ntre niveluri energetice discrete, ca
la ceilali laseri, ci ntre benzi energetice, n funcie de structura de benzi a
semiconductorului;
- dimensiunile geometrice ale laserului cu semiconductor sunt foarte mici;
- caracteristicile spectrale i spaiale ale fasciculului laser emis de un laser cu semiconductor
depind substanial de proprietile materialului semiconductor utilizat; monocromaticitatea
radiaiei laser este mai puin pronunat, coerena i direcionalitatea fasciculului fiind de
asemenea mai slabe fa de alte tipuri de laseri.
1.2.3. Diode laser
Condiia necesar pentru ca un semiconductor s devin o surs de radiaie stimulat este
aceea ca s se realizeze situaia de inversie de populaie, adic situaia n care numrul de
electroni aflai n stri energetice superioare, din banda de conducie, s fie mai mare dect
numrul electronilor aflai n stri energetice cu energie mai joas, situate n banda de valen.
Aa cum s-a artat anterior, pentru a obine inversia de populaie, se utilizeaz diferite
metode, dintre care cea mai des utilizat este aceea de excitare prin injecia purttorilor n
jonciunea p n.
Pentru construcia diodelor laser (laseri cu semiconductori funcionnd prin injecie) sunt
folosite materiale semiconductoare cu benzi aliniate, astfel nct s predomine tranziiile optice
directe, la care absorbia optic este puternic, deci i coeficientul de amplificare optic este mai
mare n comparaie cu tranziiile optice indirecte i care, fiind procese optice de ordinul doi (n
care particip i cea de-a treia particul un fonon sau alt centru de mprtiere), au un coeficient
de absorbie mult mai mic. Materialele cele mai folosite n acest scop sunt compuii
semiconductori, mai ales de tipul A
III
B
V
, cum sunt: GaAs, GaP, GaAs
x
P
1-x
, InP, InAs etc.,
caracterizai prin tranziii optice directe.
Procesele care au loc sunt ilustrate schematic n figura 6.16, n care este reprezentat
structura energetic a semiconductorului n care s-a realizat starea de inversie de populaie.

Fig. 6.16 Schema tranziiilor ntr-un semiconductor
F
n

F
p

W
C

W
V

E
g

stri ocupate
hv
stri libere
e
m
i
s
i
e

a
b
s
o
r
b

i
e

B.C.
B.V.

Se observ c, spre deosebire de semiconductorul aflat n stare de echilibru, la care toate
strile energetice din banda de valen sunt ocupate (la 0 K) iar cele din banda de conducie sunt
libere, n cazul realizrii inversiei de populaie, care este o stare de cvasi-echilibru la T = 0 K,
prin aciunea unor factori externi banda de valen are stri energetice neocupate ntre nivelul
Fermi, F
P
i limita superioar a benzii de valen, W
V
iar banda de conducie are strile
energetice ocupate pn la nivelul Fermi, F
n
. Sistemul fiind n cvasi-echilibru, mult mai
probabile sunt tranziiile electronilor din banda de conducie n banda de valen, nsoite de
emisia stimulat a radiaiei (n urma recombinrii radiative, cu fotoni de energie: hv >
g
,
dect absorbia fotonilor n semiconductor (deoarece fotonii incideni nu au la dispoziie
electroni n banda de valen pentru a-i determina s treac n banda de conducie, nivelurile
energetice din aceasta din urm fiind deja ocupate pn la nivelul Fermi, F
n
. Este evident c att
gradul de inversie de populaie, ct i rata de recombinare radiativ sunt cu att mai mari, cu ct
concentraia purttorilor este mai mare, deci cu ct semiconductorul are un grad mai mare de
dopare; de aceea, laserii cu semiconductori cu injecie se realizeaz cu jonciuni p-n puternic
dopate (pn la nivelul de degenerare).
Aa cum este cunoscut, distribuia dup energii a purttorilor de sarcin n condiii de
neechilibru se poate descrie cu ajutorul funciei de distribuie Fermi-Dirac, n care energia
nivelului Fermi, F, este nlocuit cu energia cvasi-nivelurilor Fermi F
n
, respectiv F
p
, pentru
electroni i, respectiv goluri, adic:
( )
n
C
F
kT
1
f
e 1
c
c =
+
(6. 19)
( )
p
V
F
kT
1
f
e 1
c
c =
+

(6. 20)
n relaiile 6.18 i 6.20, f
C
(c) i f
V
(c) sunt funciile de distribuie pentru electronii din
banda de conducie i, respectiv, din banda de valen n condiii de neechilibru. Intensitatea
procesului de emisie fotonic, adic intensitatea fasciculului laser, este determinat de numrul
proceselor de tranziie a electronilor din stri de energie superioare (c, din banda de conducie) n
strile de energie inferioare (c hv, din banda de valen).
Dac N
C
(c) i N
V
(c) reprezint densitile de stri energetice din banda de conducie,
respectiv din banda de valen, intensitatea procesului de emisie este proporional cu produsul
dintre densitatea de stri energetice ocupate din banda de conducie, N
C
(c)f
C
(c) i densitatea de
stri libere din banda de valen, N
V
(c hv)[1 f
V
(c hv)]. Astfel, pentru intensitatea total a
proceselor de emisie, rezult probabilitatea total de emisie:
p
e
~ N
C
(c)f
C
(c)N
V
(c hv)[1 f
V
(c hv)]dc (6. 21)
Analog, pentru intensitatea total a proceselor de absorbie, se poate scrie probabilitatea:
p
a
~ N
V
(c hv)f
V
(c hv) N
C
(c)[1 f
C
(c)]dc (6. 22)
Expresiile 6.21 i 6.22 au acelai coeficient de proporionalitate, legat de probabilitile
de tranziie band band. Pentru a avea loc fenomenul de amplificare a radiaiei este necesar ca
p
e
> p
a
i, ca urmare, din relaiile 6.21 i 6.22, rezult:
F
n
F
p
> hv (6. 23)
Relaia 6.23 reprezint condiia ca intensitatea tranziiilor band-band cu emisie
stimulat s fie mai mare dect intensitatea tranziiilor cu absorbie de fotoni. Dac
semiconductorul conine impuriti n banda interzis (cum este cazul diodelor laser), iar nivelul
energetic al impuritilor reprezint fie starea iniial fie starea final pe care au loc tranziiile,
atunci n relaia 6.23 se utilizeaz cvasi-nivelul Fermi pentru nivelul impuritilor cu coeficientul
corespunztor de degenerare.
Cel mai utilizat semiconductor pentru construcia laserilor cu injecie cu homojonciuni
p-n este arseniura de galiu (GaAs). Construcia se realizeaz astfel: Se folosete un mic
monocristal, cu lungimea de cteva zecimi de mm, din GaAs, de form cubic sau
paralelipipedic (figura 6.17), dopat cu impuriti donoare (Se, Te etc.), n care, ntr-o regiune se
difuzeaz apoi impuriti acceptoare (Zn, Cd etc.), n concentraie mai mare.

Fig. 6.17 Structura constructiv a unei diode laser

La zona de contact dintre regiunea dopat cu impuriti donoare i cea n care s-au difuzat
impuriti acceptoare se formeaz homojonciunea p-n, structura de benzi a acesteia fiind
reprezentat n figura 6.18.a. Datorit doprii puternice a ambelor regiuni, necesar obinerii unui
grad ridicat de inversie de populaii, aceast structur este asemntoare celei a unei diode tunel,
adic nivelul Fermi este situat n banda de conducie n zona n i n banda de valen n zona p.
La aplicarea unei tensiuni de polarizare direct (figura 6.18. b), nivelurile Fermi n cele dou
regiuni se distaneaz cu valoarea eV, unde V este tensiunea aplicat. Bariera de potenial a
stratului de baraj scade i se produce fenomenul de injecie, care este cu att mai intens, cu ct V
este mai mare i n mod corespunztor va fi mai intens i curentul prin jonciunea p-n.
Electronii din zona n trec prin bariera (mai sczut) de potenial n zona p, n strile libere
din banda de valen, ceea ce determin emisia fotonilor cu energia hv. Recombinarea
purttorilor cu emisie spontan sau stimulat de radiaie are loc cu o probabilitate mare dac n
vecintatea aceluiai punct se realizeaz concentraii mari de purttori de neechilibru, aa cum se
ntmpl i n cazul fenomenului de injecie n regiunea de sarcin spaial (stratul de baraj). Ca
urmare, recombinarea radiativ are loc chiar n aceast regiune de sarcin spaial. n aceast
regiune, electronii care difuzeaz ntr-un sens se recombin cu golurile care difuzeaz n sens
invers, n urma acestui proces rezultnd un flux de fotoni emii din stratul de baraj care
constituie n acest caz mediul activ laser.
strat metalic (anod)
electrod metalic (catod)
strat de baraj
(mediu activ laser)
hv
n
p

Fig. 6.18 Structura benzilor energetice n dioda laser n lipsa polarizrii (a) i n prezena acesteia
(b)

Grosimea stratului de baraj este n general de ordinul de mrime al lungimii de difuzie.
Rata de recombinare radiativ poate fi mrit prin asigurarea condiiilor ca fotonii generai s
parcurg de mai multe ori regiunea activ n planul jonciunii.
La cureni de injecie mici, jonciunea se comport ca o diod luminescent obinuit,
emind o radiaie necoerent, avnd un interval spectral mai larg (~ 100 nm) i o divergen
mare pe direcia de emisie.
La cureni de injecie mai mari, peste valoarea de prag, radiaia devine coerent, foarte
intens, cu un interval spectral ngust i cu o divergen mic a fasciculului emis, avnd toate
calitile unei radiaii laser.
Un parametru important al laserilor cu injecie cu jonciune p-n este randamentul cuantic
intern, q
i
, definit ca raportul dintre probabilitatea de recombinare radiativ, P
rr
i probabilitatea
total de recombinare, P
rt
.
rr
i
rt
P
P
q = (6. 24)
P
rr
i P
rt
depind de timpii de via efectivi ai perechilor electron-gol care se recombin
radiativ, t
rr
sau neradiativ, t
rn
. Timpul total de via efectiv este dat de:
rt
rr rn
1 1 1
P = + =
t t t
(6. 25)
Atunci:
rr rn
i
rt rr rn
P
P
t
q = =
t + t
(6. 26)
Diodele laser produc un fascicul de calitate inferioar celor produse de alte tipuri de
laseri. Acest fascicul este destul de divergent, eliptic i astigmatic. De obicei, aceste deficiene
sunt corectate prin utilizarea diferitelor sisteme optice corectoare.
Temperatura joac un rol important n diodele laser. Lungimea de und, puterea,
zgomotul de fond al fasciculului, structura modal i timpul de via al laserului sunt toate
dependente de temperatur. Cele mai sofisticate sisteme de control activ al temperaturii conin un
dispozitiv Peltier i un ventilator ncorporat. Aceste sisteme stabilizeaz caracteristicile spectrale,
reduc zgomotul de fond al fasciculului i maximizeaz viaa dispozitivului.
E g

E
Fn

E
Fp


a

E C

E
V
h v
b

E
F


E g
eV
E C

E V

Pentru a obine efectul laser ntr-o jonciune p-n, aceasta trebuie polarizat direct i adus
la un nivel de injecie suficient de mare.
Crescnd curentul de injecie, se observ apariia unei emisii de radiaie cu spectru larg (~
100 nm), incoerent i cu divergen mare pe direcia de propagare, datorat proceselor de
recombinare radiativ spontan, caracteristic diodelor luminescente.
Cnd curentul de injecie depete o anumit valoare, numit curent de prag, apare
fenomenul de recombinare radiativ stimulat, nsoit de emisia unei radiaii de tip laser.
Primele diode laser, dezvoltate la nceputul anilor 60 din secolul trecut, au fost construite
cu homojonciuni, cu structura tipic a unei diode semiconductoare obinuite. Ele necesitau ns
un curent intens pentru meninerea inversiei de populaie i cldura generat de acesta distrugea
rapid dispozitivul.
Pentru reducerea curentului i cldurii degajate, meninnd totodat inversia de populaie,
diodele laser moderne comprim emisia stimulat ntr-o mic regiune. Astfel, densitatea de
curent rmne suficient de mare pentru meninerea inversiei de populaie, dar curentul total nu
supranclzete laserul. Sunt dou moduri prin care se poate realiza acest lucru: creterea
densitii purttorilor de sarcin i creterea densitii puterii optice intracavitare.
Ambele metode implic tehnici sofisticate de fabricaie a semiconductorilor, care au
evoluat n ultimii 40 de ani. Ele permit obinerea unor structuri complexe, prin creterea, practic
molecul cu molecul. Astzi, metode ca epitaxia cu fascicule moleculare i depunerea din faz
de vapori metal-organic permit crearea unor structuri semiconductoare care au grosimi de numai
civa atomi.
Un mod de a crete densitatea purttorilor de sarcin este utilizarea unui electrod sub
forma unei benzi nguste (fii), aa cum se poate vedea n figura urmtoare. n locul injectrii
curentului pe o arie mare a suprafeei diodei, curentul este injectat numai de-a lungul benzii
nguste, rezultnd o mult mai mare concentraie a purttorilor de sarcin n diod(figura 6.19).
Laserul confineaz curentul ntr-o mic regiune (confinarea curentului n planul
jonciunii) i de asemenea, confineaz fotonii generai perpendicular pe planul jonciunii, datorit
proiectrii de tip dubl heterostructur. Electronii i golurile se recombin ntr-o regiune
ngust de grosime d i materialul are acolo un indice de refracie mai mare dect materialul de
deasupra sau de sub el. Aceasta nseamn c fotonii sunt reflectai de interfaa dintre materiale,
fiind deci confinai n regiunea de grosime d.



Fig. 6.19 Diod laser cu un electrod n forma unei fii nguste pentru a restriciona fluxul
curentului ntr-o regiune ngust i o dubl heterostructur pentru confinarea fotonilor

O metod mai sofisticat de cretere a densitii purttorilor de sarcin implic natura
cuantic a acestor purttori n regiuni foarte subiri. Dac dimensiunea d este foarte mic, de
civa zeci de nanometri, efectele cuantice devin importante i purttorii de sarcin sunt captai
n aceast regiune subire. Astfel de structuri se numesc gropi cuantice i sunt frecvent utilizate
n laserii cu semiconductori moderni (a se vedea paragraful 6.2.7).
1.2.4. Lungimea de und a radiaiei diodelor laser
Lungimea de und a radiaiei emise de o diod laser depinde de energia eliberat sub
forma unui foton cnd se recombin un electron i un gol, care este egal, n principiu, cu
lrgimea benzii interzise. Pentru semiconductorii compui din dou elemente (binari), lrgimea
benzii interzise este fixat la o valoare dat. De exemplu, lrgimea benzii interzise a GaAs
corespunde unei lungimi de und a fotonului de 870 nm. Pentru semiconductorii compui din trei
(ternari) sau patru (cuaternari) elemente, lrgimea benzii interzise depinde de concentraia
relativ a elementelor. Arseniura de galiu i aluminiu (GaAlAs) are o lrgime a benzii interzise
corespunznd unor lungimi de und ale fotonilor de la 900 la 620 nm, astfel c lungimea de und
a radiaiei unui laser cu GaAlAs poate fi modificat prin modificarea cantitilor relative de
galiu, aluminiu i arsen n cristal. Domeniul lungimilor de und variaz de la 620 la 900 nm n
teorie, sau de la aproximativ 750 la aproximativ 850 nm n dispozitivele practice. Lungimi de
und mai scurte, n domeniul albastru, sau chiar n ultraviolet, se pot obine utiliznd compui pe
baz de azotur de galiu.
Se pot crea semiconductori ternari i cuaternari cu lrgimi ale benzii interzise ntr-un
domeniu larg, corespunznd fotonilor din infraroul mijlociu (civa m) pn n ultraviolet. Nu
se pot construi ns laseri cu muli dintre aceti compui, deoarece constanta reelei compusului
trebuie s fie foarte apropiat de cea a substratului. Arseniura de galiu (GaAs) i fosfura de indiu
(InP) sunt dou dintre cele mai bune substraturi i cerina de potrivire a constantei reelei
compusului cu cea a unuia dintre aceste cristale limiteaz lungimile de und disponibile pentru
diodele laser.
n afar de GaAlAs, laserii cu semiconductori pot fi construii cu AlGaInP (ale crui
lungimi de und sunt n domeniul 650 680 nm), InGaAsP (1,1 1,65 m) i InGaAsSb (1,7
4,3 m). Mai recent, compuii GaN au permis construirea unor diode laser n domeniul albastru,
sau chiar ultraviolet. Ali laseri cu semiconductori, pe baz de aa-numiii compui cu sruri de
plumb, includ PbSnTe (6 25 m) i PbEuSeTe (2 4 m).
1.2.5. Caracteristici ale fasciculului laser
Anumite aspecte trebuie avute n vedere cnd se folosete acest tip de laser, n mod
special datorit anumitor imperfeciuni ale fasciculului, dintre care dou sunt mai importante:
1) Circularitatea
Seciunea transversal eliptic a fasciculului este o consecin a formei rectangulare a faetei
de emisie a diodei laser. Aceast caracteristic nu d posibilitatea colimrii totale a fasciculului,
fiind astfel posibil doar o cvazicolimare.
Teoria optic ondulatorie arat c un fascicul trecnd printr-o mic deschidere are ntr-o
anumit direcie un unghi de divergen total, u, dat de relaia:
d
4
t

= u

(6. 27)
unde este lungimea de und i d este dimensiunea faetei de emisie pe direcia respectiv.
Diferena dintre u
x
i u
y
determin o seciune transversal eliptic a fasciculului emis de
diodele laser (figura 6.20). O caracterizare general din acest punct de vedere este imposibil ca
urmare a diferenelor i naturii individuale a diodelor laser. n general, raportul d
x
/d
y
poate varia
ntre 3 i 100, avnd n vedere c d
y
~ 1 m i d
x
~ 3 100 m.


Fig. 6.20 Distribuia spaial a fasciculului laser

2) Astigmatismul
Astigmatismul este un alt rezultat al formei rectangulare a faetei emitoare a diodei
laser.


Fig. 6.21 Astigmatismul fasciculului laser

Aa cum se poate vedea n figura 6.21, fasciculul emis de o mic faet este echivalent cu
un fascicul emis de o surs punctiform imaginar, a crei poziie poate fi localizat trasnd
prelungirile direciilor ce limiteaz fasciculul (i care fac unghiul u ntre ele). Se poate constata
imediat c P
x
este localizat n spatele lui P
y
, deoarece u
x
este mai mic dect u
y
. Cu ct diferena
dintre d
x
i d
y
este mai mare, cu att distana dintre Px i Py este i ea mai mare.
Acest fenomen este numit astigmatism, distana dintre P
x
i P
y
fiind exprimarea
cantitativ (numeric) a acestuia.
Existena astigmatismului nseamn c atunci cnd se utilizeaz o singur lentil
convergent, fasciculul poate fi colimat pe o singur direcie, fie direcia x fie direcia y, din
cauz c P
x
i P
y
nu pot fi simultan n focarul lentilei colimatoare.
Pentru corectarea acestor imperfeciuni, se folosesc diferite metode. Cea mai comun
metod pentru circularizarea fasciculului eliptic este utilizarea unei perechi de prisme de
corecie, aa cum se poate vedea n figura 6.22. Prismele pot lrgi sau ngusta dimensiunea
d
x

d
y

u
x

u
y

d
x

d
y

u
x
> u
x

u
y

d
x
> d
y

u
x

P
x

P
y

fasciculului pe o anumit direcie, pstrnd-o neschimbat pe alte direcii. Valoarea cu care are
loc lrgirea sau ngustarea fasciculului poate fi ajustat prim modificarea unghiului dintre cele
dou prisme. Prin ajustarea corespunztoare a unghiului dintre prisme i utilizarea unei aperturi
circulare, este posibil circularizarea unui fascicul eliptic.


Fig. 6.22 Circularizarea fasciculului laser cu prisme de corecie

Pentru corectarea astigmatismului, cea mai comun metod este utilizarea unor lentile
cilindrice foarte slabe dup lentilele de colimare, aa cum se poate vedea n figura 6.23. Cnd
orientarea i distana focal a lentilelor cilindrice sunt corecte, aceast metod permite colimarea
fasciculului n direcia u
y
, fr alterarea acestuia pe direcia u
x
.
Avantajele acestor metode sunt:
1. uurina lucrului, nefiind necesare ajustri complicate;
2. pierderi de putere mici, singurele pierderi fiind prin reflexii la suprafaa prismelor i
lentilelor; pierderea total este de aproximativ 30% 50%, dac suprafeele sunt acoperite cu
straturi antireflex;
3. pre sczut.
Dezavantajele sunt:
1. distorsionarea mare a frontului de und al fasciculului i dispersia puternic a luminii;
deoarece fasciculul trebuie s treac prin opt suprafee de sticl, defectele acestora reduc
puternic calitatea fasciculului;
2. astigmatismul rezidual; mrimea astigmatismului variaz chiar i de la o diod la alta de
acelai tip i de obicei ia valori ntre civa m i cteva zeci de m.


Fig. 6.23 Corectarea astigmatismului cu lentile cilindrice

O metod alternativ, care realizeaz att circularizarea fasciculului eliptic, ct i
corectarea astigmatismului, este utilizarea unei buci de fibr optic monomod aa cum se
prezint n figura 6.24. Fasciculul laser este cuplat prin intermediul a dou lentile colimatoare la
o fibr monomod i fasciculul de ieire din fibr este colimat de o a treia lentil colimatoare.
Lungimea fibrei trebuie s fie mult mai mare dect lungimea de und a radiaiei emise de
dioda laser. n acest fel, calitatea i caracteristicile spaiale ale fasciculului de ieire din fibr pot
fi determinate total de calitatea suprafeei i forma captului fibrei prin care iese fasciculul.
Astfel, seciunea transversal eliptic i astigmatismul fasciculului nainte de intrarea n fibr,
care variaz de la o diod la alta, nu afecteaz caracteristicile spaiale ale fasciculului de ieire
din fibr.
Fibra are o seciune circular transversal i un diametru constante. Ca urmare, fasciculul
de ieire are o seciune transversal circular. Cu alte cuvinte, el este lipsit de astigmatism.
Avantajele utilizrii acestei metode sunt:
1. distorsionare a frontului de und i dispersie a luminii reduse; calitatea frontului de und i
nivelul de dispersie a fasciculului colimat sunt afectate numai de calitatea a trei suprafee de
sticl;
2. astigmatism rezidual inexistent.
Dezavantajele sunt:
1. pierderi de putere mari; cum o fibr monomod are grosimea de numai civa m, cuplajul
optic dintre fascicul i fibr nu este eficient. Pierderea de putere rezultat n sistem este de
obicei ntre 50% 70%;
2. pre ridicat; dificultatea cuplrii fasciculului la o fibr att de subire duce la creterea preului
prilor mecanice; de asemenea, pentru compensarea pierderii de putere optic, este necesar
o putere mai mare a diodei laser;
3. dimensiuni mai mari.


Fig. 6.24 Corectarea astigmatismului i circularizarea fasciculului laser cu fibr optic

1.2.6. Diode laser cu dubl heterostructur
Toate diodele laser semiconductoare practice sunt fie bazate pe duble heterostructuri, fie
pe structuri cu gropi de potenial cuantice (quantum wells). O structur i diagrama simplificat a
benzilor energetice la polarizare direct a diodei laser cu dubl heterostructur sunt prezentate n
figura 6.25.b i 6.25.c, ele fiind similare cu cele ale unei LED.
n acest caz, semiconductorii sunt tot AlGaAs, cu E
g
2 eV i GaAs, cu E
g
1,4 eV.
Regiunea p-GaAs este un strat subire, tipic 0,1 0,2 m i constituie stratul activ, n care au loc
emisii stimulate i, ca urmare, se produce amplificarea optic. Ambele regiuni, p-GaAs i p-
AlGaAs sunt de tip p cu dopare puternic i sunt degenerate, cu nivelul Fermi n banda de
valen.


Fig. 6.25 Principiul de funcionare al unei diode laser cu dubl heterostructur. a) - densitatea de
stri i distribuia energetic a electronilor i golurilor n BC i BV ale stratului activ i
recombinarea stimulat de fotoni a electronilor i golurilor; b) - structura diodei laser cu dubl
heterojonciune (cu GaAs i AlGaAs); c) - diagrama simplificat a benzilor energetice la polarizare
direct de valoare mare; efectul laser are loc n stratul activ p-GaAs
Cnd este aplicat o tensiune de polarizare suficient de mare, E
C
a stratului n-AlGaAs se
deplaseaz deasupra valorii E
C
a stratului p-GaAs, ceea ce conduce la o larg injecie de electroni
din BC a stratului n-AlGaAs n BC a stratului p-GaAs, aa cum se vede n figura 6.25.c. Aceti
electroni sunt confinai n BC a zonei p-GaAs, deoarece ntre stratul p-GaAs i stratul p-GaAsAl
exist o barier de potenial E
C
, datorat modificrii lrgimii benzii interzise. Confinarea ntr-
un mic volum a purttorilor de sarcin injectai asigur concentraia necesar a acestora. Stratul
n care are loc confinarea este un strat cu o band interzis mai larg dect a stratului activ i
adiacent acestuia, n care sunt confinai purttorii minoritari injectai.
Stratul p-GaAs este dopat pn la nivelul de degenerare. Astfel, BV este plin de goluri,
adic are toate strile electronice goale deasupra nivelului Fermi E
Fp
n acest strat.
Polarizarea de valoare suficient injecteaz o mare concentraie de electroni din stratul n-
AlGaAs n BC a stratului p-GaAs. n consecin, aa cum se vede n figura 6.25.a, n BC se
gsete o concentraie mare de goluri i stri complet goale n partea superioar a BV, ceea ce
nseamn c aici se produce o inversie de populaie. Un foton incident cu o energie hv
0
cu puin
mai mare dect E
g
poate stimula un electron de conducie din stratul p-GaAs s treac din BC n
BV, emind un foton prin emisie stimulat. O astfel de tranziie este o recombinare electron-gol
stimulat fotonic. Astfel, o avalan de emisii stimulate n stratul activ asigur o amplificare
optic a fotonilor cu energia hv
0
n acest strat. Amplificarea depinde de msura inversiei de
populaie i deci de curentul direct prin diod. Exist un curent de prag, I
p
, sub care nu se
produce emisie stimulat i deci nici amplificare optic (figura 6.26).


Fig. 6.26 Caracteristici de ieire tipice (puterea radiaiei emise n funcie de curentul de polarizare
direct) pentru o LED i o diod laser

Orice emisie sub I
p
este datorat emisiei spontane i dispozitivul lucreaz ca LED. Figura
6.26 compar caracteristicile de ieire ale unei diode laser i ale unei LED.
Pentru construirea unui laser semiconductor cu o emisie autontreinut consistent, stratul
activ trebuie ncorporat ntr-o cavitate optic. Acesta, avnd extremiti reflecttoare, reflect
fotonii coereni i favorizeaz interferena constructiv a acestora n cavitate, ceea ce conduce la
o amplificare a oscilaiilor electromagnetice de nalt energie. O parte din aceast energie este
extras n exterior, ca urmare a faptului c una din extremitile reflecttoare ale cavitii este
parial transparent. De exemplu, o variant de cavitate optic are o oglind dielectric la o
extremitate a cristalului semiconductor i cealalt extremitate a cristalului este lustruit. n plus,
semiconductorii cu band interzis mai mare au n general indici de refracie mai mici, ceea ce
nseamn c AlGaAs are un indice de refracie mai mic dect GaAs. Modificarea n valoarea
indicelui de refracie definete un ghid de und optic dielectric care confineaz fotonii n
regiunea activ a cavitii optice i prin aceasta reduce pierderile de fotoni i crete concentraia
de fotoni. Aceast cretere a concentraiei de fotoni crete rata emisiilor stimulate i eficiena
laserului.


Fig. 6.27 Seciune printr-o diod laser cu dubl heterostructur ngropat

Dioda laser cu dubl heterostructur ngropat (buried heterostructure laser diode) este un
bun exemplu de dispozitiv semiconductor laser cu dubl heterostructur ce are o regiune activ
ngropat n dispozitiv astfel nct este nconjurat de materiale cu indice de refracie sczut,
fcnd din regiunea activ un ghid de und (figura 6.27). Deoarece stratul activ este nconjurat
de AlGaAs de indice de refracie mai sczut, el se comport ca un ghid de und dielectric,
asigurnd ca fotonii s fie confinai n regiunea activ, ceea ce crete rata emisiilor stimulate i
astfel randamentul diodei. Astfel de diode sunt numite diode cu ghid de indice (index guided
diodes). Dac heterostructura ngropat are dimensiunile potrivite comparativ cu lungimea de
und a radiaiei, atunci numai modul fundamental poate exista n structura ghidului de und.
Acesta este cazul diodei laser monomod (single mode laser diode).
Diodele laser bazate pe GaAs i AlGaAs sunt potrivite pentru emisie la lungimi de und
n jurul a 900 nm. Pentru lucrul n domeniul lungimilor de und pentru comunicaii optice (1,3 i
1,55 m), heterostructurile tipice se bazeaz pe InP (substrat) i aliaje cuaternare InGaAsP,
acestea avnd o band interzis mai ngust dect cea a InP i un indice de refracie mai mare.
Compoziia aliajului de InGaAsP este ajustat pentru a obine banda interzis necesar pentru
straturile activ i de confinare.
1.2.7. Laseri cu gropi de potenial cuantice i laseri cu centri cuantici
Un laser cu groap de potenial cuantic (Quantum Well Laser QWL) are de obicei un
strat foarte subire, tipic mai subire de 50 nm, dintr-un semiconductor cu band interzis ngust,
cum este GaAs, plasat ntre dou straturi de semiconductori cu band interzis mai larg, cu este
AlGaAs. Aceasta reprezint un dispozitiv cu heterostructur, schematizat n figura 6.28.a. Cum
lrgimea benzii interzise, E
g
, se modific la interfa, aici apar discontinuiti n valoarea lui E
C

i E
V
. Acestea, AE
C
i AE
V
, depind de materialele semiconductoare i de doparea acestora. n
cazul heterostructurii GaAs/AlGaAs, care este prezentat n figura 6.28.b, AE
C
este mai mare
dect AE
V
. Datorit barierei de potenial AE
C
, electronii de conducie din stratul subire de GaAs
sunt confinai n direcia z.
Aceast lungime de confinare, d, este aa de mic, nct electronul poate fi considerat ca
fiind ntr-o groap de potenial unidimensional pe direcia z, dar liber n planul xOy. Electronii
din BV a stratului de GaAs formeaz un gaz bi-dimensional. Electronii de conducie n groapa de
potenial GaAs pot avea energii permise cu valorile E
1
, E
2
, E
2
, peste valoarea E
C
i golurile
pot avea energii permise cu valorile E
1
, E
2
, E
2
, sub valoarea E
V
, datorit cuantificrii pe
direcia z (energia datorat micrilor electronilor pe direciile x i y este mic i se adaug la E
1
,
E
2
, E
2
, ). Densitatea strilor electronice pentru un sistem electronic bidimensional nu este
aceeai ca cea din masa semiconductorului. Pentru o concentraie de electroni dat, n, densitatea
de stri, g(E), adic numrul strilor cuantice pe unitatea de energie i pe unitatea de volum, este
constant i nu depinde de energie.
g(E) este constant la ntre E
1
i E
2
, unde crete n salt i rmne iari constant, pn la E
3
,
cnd crete din nou n salt etc. Densitatea de stri n BV are o comportare similar.
Cum la E
1
densitatea de stri este finit i substanial, electronii din BC nu au o dispersare
mare n valorile energiei. n masa semiconductorului ns, densitatea de stri la E
C
este zero i
crete lent cu energia (ca i E), ceea ce nseamn c valorile energiei electronilor sunt mai
mprtiate n BC. O mare concentraie de electroni poate fi uor obinut la E
1
, ceea nu este
cazul n masa de semiconductor. n mod asemntor, majoritatea golurilor n BV are energia n
jurul lui E
1
. La o polarizare direct, electronii sunt injectai n BC a stratului de GaAs, strat care
servete drept strat activ.



Fig. 6.28 Un dispozitiv cu groap de potenial cuantic (QW). a) - structura schematic a
dispozitivului; b) structura energetic a electronilor de conducie confinai n stratul de GaAs n
direcia z pe o lungime foarte mic, d; c) densitatea de stri a unui dispozitiv bidimensional QW.

Electronii injectai populeaz cu uurin numrul mare de stri la E
1
, ceea ce nseamn c
la E
1
concentraia de electroni crete rapid cu creterea curentului i astfel inversia de populaie
are loc rapid, fr nevoia unui curent mare. Tranziiile stimulate ale electronilor ntre E
1
i E
1

conduc la o emisie laser. Densitatea de curent de prag pentru realizarea inversiei de populaie i a
emisiei laser este redus n mod evident fa de cea a diodelor cu dubl heterostructur de
aproximativ 10 ori. Laserii cu gropi de potenial multiple (multiple quantum well laser
MQWL) au mai mult de o groap de potenial, acestea formnd o structur periodic (figura
6.29). Straturile cu benzi interzise de lrgime mai mic sunt straturile active, unde au loc
confinarea electronilor i tranziiile acestora nsoite de emisiile stimulate, n timp ce straturile cu
benzi interzise mai largi sunt straturi barier.


Fig. 6.29 O structur de dispozitiv cu gropi de potenial multiple

n prezent, un interes deosebit l prezint dezvoltarea dispozitivelor laser cu centri cuantici
(quantum dot lasers QDL). Acestea sunt alctuite din cristale cu dimensiuni att de mici, nct
electronii de conducie sunt confinai pe toate cele trei direcii, x, y, z.. Energia electronilor n
centrul cuantic este cuantificat ntr-un mod asemntor cu situaia de la o groap de potenial
finit tridimensional. Efectele cuantice devin efective atunci cnd dimensiunea cristalului este
de civa nm, tipic mai puin de 10 nm. Efectele de cuantificare asociate cu microcristale de
semiconductori binari II-VI (cum sunt CdS, CdSe, ZnS etc) sunt deja bine cunoscute. Centrii
cuantici n InAs de dimensiuni de ordinul a 10 nm pot forma structuri auto-organizate cnd InAs
este crescut pe substraturi de GaAs. Nepotrivirea dintre cele dou cristale foreaz InAs s se
grupeze ntr-un foarte mic cristal. Prepararea dispozitivelor laser cu centri cuantici utile
tehnologic este nc n stadiul de intense cercetri. Acestea au anumite avantaje n comparaie cu
dispozitivele laser cu gropi de potenial cuantice. Astfel, QDL au densitatea de curent de prag
cea mai mic dintre toate dispozitivele descrise pn acum i spectrul de emisie cel mai ngust.
n plus, curentul de prag prezint o mult mai slab dependen de temperatur dect la QWL.
1.2.8. Laseri cu reacie distribuit
Ideal, spectrul radiaiei emise de ctre un dispozitiv laser trebuie s fie ct mai ngust
posibil, ceea ce nseamn n general c, ntr-un laser avnd la baz o cavitate Fabry-Perrot,
trebuie s fie permis existena unui singur mod i trebuie reduse pierderile n cavitate ca urmare
a reflexiile pe suprafeele de la extremitile cavitii. Exist diferite dispozitive care au un
spectru cu puritate modal foarte ridicat. Dintre acestea, unul dintre cele mai importante este
laserul cu reacie distribuit (distributed feedback laser DFBL). ntr-un laser cu cavitate Fabry-
Perrot, feele cristalului asigur feedback-ul optic necesar n cavitate pentru a asigura
concentraia de fotoni. n laserul DFB, aa cum se vede n figura 6.30.a, se afl un strat striat
(canelat), numit strat de ghidaj, peste stratul activ; radiaia se propag n spaiul dintre stratul
activ i stratul de ghidaj, ale crui striaii acioneaz ca o reacie optic pe lungimea cavitii prin
producerea unor reflexii pariale (asemntor cu reflexia selectiv pe o reea de difracie). Astfel,
feedback-ul optic este distribuit pe toat lungimea cavitii.


Fig. 6.30 a) - structur laser cu reacie distribuit; b) emisie laser ideal; c) spectru de emisie tipic
pentru un laser cu reacie distribuit

n structura DFB, undele ce se propag sunt reflectate parial i periodic. Undele care se
propag la stnga sau la dreapta se pot cupla coerent pentru construcia unui mod numai dac
frecvena lor este relaionat cu perioada striaiilor, . Modurile DFB permise nu sunt exact la
lungimea de und dat de condiia Bragg,
B
, dar sunt simetric dispuse fa de aceasta.
Pragul amplificrii pentru modurile superioare este att de mare, nct efectiv doar modul
de ordinul cel mai mic sufer efectul laser. Un dispozitiv perfect simetric are dou moduri egal
distanate plasate de o parte i de alta a lui
B
(figura 6.30.b). n realitate, inevitabila asimetrie
introdus n procesul de fabricaie conduce la un singur mod. n prezent, diodele laser DFB
pentru canalul de comunicaie optic la 1,55 m prezint lrgimi spectrale ale semnalului emis
de ordinul a 0,1 nm.
1.2.9. Laseri cu emisie prin suprafaa unei caviti verticale
Una din problemele fundamentale ale diodelor laser este fasciculul puternic divergent,
eliptic al acestora. Dei divergena poate fi corectat cu sisteme optice, inerenta problem a
sursei mici, eliptice nu poate fi niciodat rezolvat complet. Diodele laser au i alte limitri
fundamentale. Dei sunt extrem de mici, cavitatea rezonatoare a lor este totui de ordinul a sute
de micrometri n lungime, suficient pentru a suporta moduri longitudinale multiple. Dac
lrgimea benzii laserului nu este redus artificial, se produce o instabilitate att n amplitudinea,
ct i n frecvena radiaiei laser. n plus, deoarece fasciculul laser emerge din muchia (bordura)
cristalului tiat, iar acesta nu este tiat pn la sfritul procesului de fabricare, nu este posibil
testarea optic a dispozitivelor n timpul fabricrii. Acest lucru determin creterea preului de
fabricare a dispozitivelor.



Fig. 6.31 ntr-o structur VCSEL (b), rezonatorul este vertical i lumina emerge din suprafaa
laserului i nu din muchia acestuia, ca la dioda laser convenional (a)

n sfrit, dei pot fi fabricate structuri monolitice bidimensionale de diode laser, procesul
este extrem de dificil i nu se ntrevede un viitor apropiat la care preul de fabricare s fie
convenabil.
Laserul cu cavitate vertical i emisie de suprafa (vertical cavity, surface-emitting laser
- VCSEL, pronunat vixel) permite depirea acestor probleme. La diodele laser convenionale,
cavitatea rezonatoare este n planul orizontal (figura 6.31.a). La un VCSEL, cavitatea este pe
direcia vertical (figura 6.31.b), iar oglinzile sunt localizate deasupra i sub zona de inversie a
populaiei, n loc de o parte i de alta a acesteia. Dioda laser convenional (cu cavitate
orizontal) este un emitor pe muchie, n timp ce dioda laser cu cavitate vertical este un
emitor de suprafa.
Se pot observa cu uurin avantajele unei astfel de proiectri, care elimin problema
fasciculului divergent, eliptic, determinat de o suprafa de emisie mic i neregulat a unui
emitor pe muchie. Aria de emisie a emitorului de suprafa este rotund i mult mai mare.
Este evident c rezonatorul unui VCSEL este mai scurt dect cel al unui laser
convenional. De fapt, este att de scurt, nct distana dintre modurile longitudinale este prea
mare pentru ca mai mult de un mod s poat oscila. (modurile longitudinale sunt distanate cu
valoarea c/2). Astfel, instabilitatea laserilor convenionali este eliminat.
Mai mult de att, dificultile de fabricare sunt reduse, deoarece este posibil testarea
optic a unei plachete cu VCSEL n timpul procesului de fabricaie. Se pot obine densiti foarte
mari, de zeci de milioane de diode pe o astfel de plachet, scznd astfel preul diodelor
individuale. i structurile bidimensionale de astfel de diode pot fi fabricate mai uor, cu un pre
mai mic.
Aa cum se poate vedea n figura anterioar, VCSEL au axa cavitii optice de-a lungul
direciei fluxului de curent, spre deosebire de diodele laser convenionale, la care aceasta este
perpendicular pe fluxul de curent. Lrgimea regiunii active este foarte mic n comparaie cu
dimensiunile laterale, astfel nct radiaia emerge de la suprafaa cavitii i nu de pe muchia
ngust a acesteia (figura 6.32). Reflectoarele de la capetele cavitii sunt oglinzi dielectrice,
alctuite multistraturi cu lame sfert de und la care indicele de refracie alterneaz (n
1
i n
2
).
Acestea asigur un grad ridicat de reflectan selectiv la o anumit lungime de und dac
grosimile straturilor alternante, d
1
i d
2
i indicii de refracie n
1
i n
2
satisfac condiia:
n
1
d
1
+ n
2
d
2
=
2

(6. 28)
ceea ce conduce la o interferen constructiv a tuturor undelor parial reflectate la interfee.
Cum unda este reflectat datorit unei variaii periodice a indicelui de refracie, oglinda
dielectric este n esen un reflector Bragg distribuit. Reflectana ridicat a acestor oglinzi este
necesar deoarece lungimea cavitii foarte scurt reduce amplificarea optic a stratului activ.
Pentru a obine reflectana necesar (~ 99%), numrul straturilor alternante este de 20 30.
ntreaga cavitate optic este vertical dac se pstreaz curentul la fel ca la cavitatea unei diode
laser convenionale.



Fig. 6.32 Schem simplificat a unei structuri VCSEL

Stratul activ este n general foarte subire (< 0,1 m) i de preferat este o structur cu
gropi de potenial multiple (MQW) pentru a obine un curent de prag convenabil. Straturile
semiconductoare necesare sunt crescute prin cretere epitaxial pe un substrat convenabil, care
este transparent la lungimea de und de emisie. De exemplu, un dispozitiv VCSEL care emite la
980 nm are stratul activ din InGaAs i substratul din GaAs (transparent la 980 nm). Oglinzile
dielectrice sunt straturi alternante de AlGaAs cu compoziie diferit i deci cu band interzis de
lrgime diferit i cu indice de refracie diferit. Cavitatea vertical este de obicei circular n
seciune transversal, astfel nct fasciculul emis are o seciune transversal circular, ceea ce
este un avantaj.
nlimea cavitii verticale poate fi de civa microni. Aadar, separarea modurilor
longitudinale este suficient de bun pentru a permite lucrul unui singur mod longitudinal. Totui,
pot aprea unul sau mai multe moduri laterale (transversale), n funcie de dimensiunea lateral a
cavitii. n practic apare un singur mod lateral n spectrul de ieire pentru diametre ale cavitii
mai mici de aproximativ 8 m. Diferitele tipuri de VCSEL fabricate au diferite moduri laterale,
dar lrgimea spectrului rmne numai de aproximativ 0,5 nm, substanial mai mic dect la o
diod laser convenional longitudinal multimod. Cu dimensiuni ale cavitii de ordinul
micronilor, un astfel de laser este cunoscut sub numele de microlaser. Unul dintre cele mai
importante avantaje ale microlaserilor este acela c ei pot fi aranjai pentru a forma o matrice
emitoare care este surs laser cu o suprafa de emisie mare. Astfel de structuri au importante
posibile aplicaii n interconectarea optic i n tehnologiile calculatoarelor optice. n plus, ele
pot furniza puteri optice mai mari (de ordinul a civa W) dect o singur diod laser
convenional.
Laserul cu emisie la suprafaa unei caviti verticale are multe avantaje fa de laserii cu
emisie pe muchie. Proiectarea sa permite chipurilor s fie fabricate i testate pe un singur soclu.
Pot fi obinute cmpuri largi de dispozitive astfel nct devin posibile aplicaii cum sunt reelele
neuronale optice. n industria telecomunicaiilor, profilul fasciculului monomod, uniform,
obinut cu un dispozitiv VCSEL este de dorit pentru cuplarea n fibrele optice. Totui,
concomitent cu aceste avantaje, apar unele probleme, n special la fabricare i la lucrul la puteri
mari.


Fig. 6.33 VCSEL cu reflector metalic

Primele dispozitive VCSEL au fost fabricate n 1965 de Melngailis i constau dintr-o
jonciune n
+
pp
+
de InSb. Rcit la 10 K i supus unui cmp magnetic pentru a confina purttorii,
dispozitivul emitea radiaie coerent la o lungime de und de aproximativ 5,2 m. Mai trziu, au
fost puse la punct i alte dispozitive asemntoare, cu emisie n infraroul apropiat, pentru
telecomunicaiii la lungimea de und de 1,5 m. Aceste prime dispozitive VCSEL aveau oglinzi
metalice care aveau ca rezultat densiti de curent de prag ridicate (44 kA/cm
2
) i erau rcite
utiliznd azot lichid (figura 6.33).
Oglinzi epitaxiale pentru dispozitive VCSEL cu GaAs/AlGaAs au fost realizate ncepnd
cu 1983, iar dispozitive VCSEL n pulsuri la temperatura camerei un an mai trziu. Reducerea
densitii de curent de prag a fost legat de reducerea volumului activ al cavitii. n prezent,
dispozitivele VCSEL cu GaAs/AlGaAs au cureni de prag de aproximativ 40 A.
Exist mai multe tipuri de structur VCSEL, dar toate au anumite aspecte comune.
Lungimea cavitii dispozitivelor VCSEL este foarte scurt, tipic de 1 pn la 3 ori lungimea de
und a luminii emise. Ca rezultat, la o singur parcurgere a cavitii, un foton are o mic ans de
a declana un proces de emisie stimulat la densiti de purttori sczute. De aceea, dispozitivele
VCSEL necesit oglinzi cu reflectan foarte mare pentru a fi eficiente.


Fig. 6.34 VCSEL cu groap gravat

La laserii cu cavitate Fabry-Perot, reflectana feelor cavitii este de aproximativ 30%.
Pentru VCSEL, reflectana necesar pentru cureni de prag sczui este mai mare de 99,9%. O
reflectan att de mare nu poate fi obinut prin utilizarea oglinzilor metalice. Dispozitivele
VCSEL utilizeaz reflectori Bragg distribuii (Distributed Bragg Reflectors DBR). Acetia sunt
formai aezarea unor straturi alternante de materiale semiconductoare sau dielectrice cu o
diferen n indicele de refracie. La dispersia minim pentru fibrele optice, materialele
semiconductoare utilizate pentru DBR au o mic diferen n indicele de refracie, de aceea sunt
necesare un numr mare de straturi. Cum straturile DBR sunt i conductoare ale curentului n
dispozitiv, mai multe straturi duc la creterea rezistenei electrice a acestuia; de aici, creterea
disiprii de cldur poate deveni o problem dac dispozitivul nu este proiectat corect. Unele
dintre tipurile de VCSEL sunt prezentate n continuare, n ordinea evoluiei acestora.


Fig. 6.35 VCSEL cu born aerian

n prezent, cele mai multe dispozitive VCSEL utilizeaz caviti cu gropi de potenial
cuantice. Prin depunerea unui strat subire de semiconductor cu o band interzis mai mic, se
poate nu numai defini o regiune pentru a se produce recombinarea, dar se pot controla i
proprietile optice ale dispozitivului. Puterea obinut de la o singur groap de potenial
cuantic este mic. Pot fi create multiple gropi de potenial n cavitate pentru a crete puterea
obinut. Poziia gropii de potenial cuantice este crucial pentru maximizarea amplificrii
dispozitivului.
Lungimea redus a cavitii n dispozitivele VCSEL i adugarea gropii de potenial
cuantice reduce semnificativ probabilitatea emisiei stimulate la parcurgerea o singur dat a
cavitii. Lumina n cavitate trebuie s fie reflectat napoi n cavitate de mai multe ori dect la
un laser cu cavitate Fabry-Perot. Timpul mediu pe care fotonii l petrec n cavitate este numit
timp mediu de via al fotonului. Reflectana oglinzilor trebuie s fie foarte mare pentru a crete
timpul mediu de via al fotonului i deci timpul de interacie cu strile electronice excitate.
Calculul d o valoare minim a reflectanei de 99,95%. Oglinzile metalice sunt limitate la o
reflectan de aproximativ 98% i astfel, pentru astfel de regiuni active mic sunt inutile.
Materialele dielectrice i semiconductoare au un coeficient de absorbie foarte mic pentru fotoni
cu energii sub lrgimea benzii interzise a materialului. Dac dou materiale dielectrice cu un
indice de refracie diferit sunt plasate mpreun pentru a forma o jonciune, lumina va fi
reflectat la suprafaa discontinuitii. Cantitatea de lumin reflectat de astfel de discontinuiti
este mic. Totui, dac straturile alternante de semiconductor sau dielectric sunt stratificate
periodic, fiecare strat avnd o grosime optic de (/4)n, refleciile pe fiecare discontinuitate se
vor adiiona n pentru a produce o reflectan mare. Se obine astfel un reflector Bragg distribuit.


Fig. 6.36 VCSEL ngropat prin recretere epitaxial

Numrul straturilor necesare pentru a produce oglind cu reflectan foarte mare la o
lungime de und particular este determinat de diferena dintre indicii de refracie ai materialelor
straturilor alternante. De asemenea, trebuie avut n vedere i constanta reelei materialelor, care
trebuie s fie asemntoare, diferenele la zonele de separare trebuind s fie sub 1%, pentru a
evita fisurile datorate tensiunilor mecanice din reea. Fiind dat indicele de refracie al
substratului, n
s
i cel al materialului nconjurtor (de obicei aer), n
0
, ca i cei ai straturilor
semiconductoare alternante, n
1
i n
2
, pentru un numr dat de perioade, m, reflectana este dat de:
R =
2
2m
s 1
0 2
2m
s 1
0 2
n n
1
n n
n n
1
n n
(
| |
(
|
( \ .
(
| |
(
+
|
(
\ .
(6. 29)
Oglinzile pentru dispozitive cu lungimi de und mari trebuie proiectate cu grij. Cele mai
importante consideraii sunt legate de alegerea materialelor utilizate pentru fabricarea straturilor
Bragg. Acestea trebuie s fie crescute utiliznd materiale cu reea care se potrivete cu cea a
materialului cavitii dispozitivului. Pentru dispozitive care lucreaz la lungimi de und mari,
alegerea tradiional a materialelor este GaAsInP/InP. Totui, contrastul dintre aceste dou
materiale este foarte mic. De aceea, este necesar un mare numr de straturi alternante pentru a
obine reflectanele mari cerute la dispozitivele VCSEL. Fiecare strat de semiconductor crete
rezistena dispozitivului i curentul de prag, astfel c este important minimizarea numrului
necesar de straturi. Oglinzi cu reflectan mare pot fi fabricate i din materiale dielectrice, cele
mai obinuite fiind ZnSe/MgF i Si/SiO
2
. Dielectricii au un contrast de indice de refracie ridicat,
pot fi depui utiliznd tehnici de temperatur sczut i nu conduc curentul electric. n plus, n
general, ei nu sunt conductori buni de cldur.
Odat cu reducerea dimensiunilor cavitii, se poate reduce i curentul de prag al
dispozitivului VCSEL prin limitarea suprafeei seciunii transversale a cavitii n care are loc
amplificarea. Sunt mai multe metode utilizate n mod curent n dispozitivele VCSEL. O metod
simpl este aceea de a grava o groap sub stratul activ (figura 6.34). Marea diferen n indicele
de refracie dintre aer i materialul dispozitivului acioneaz pentru a ghida lumina emis.
Problemele cu acest tip de structur sunt pierderile de purttori datorate recombinrilor
superficiale la pereii gropii i disiparea slab a cldurii din cavitatea laser. O alt tehnic pentru
confinarea curentului este implantarea ionic. Prin implantarea selectiv a ionilor ntr-un
semiconductor, acesta poate fi transformat ntr-un material izolator. Cel mai adesea sunt utilizai
protoni, dar i alte specii ionice, incluznd F
+
, O
+
, N
+
i H
+
au fost ncercate. Bombardarea
semiconductorului cu ioni tinde ns s distrug structura cristalin a materialului implantat i ca
atare tehnica trebuie utilizat cu precauie n apropierea stratului activ.
Puterea optic de ieire este:
P
out
=
h
q
v
q[I I
p
(I, T
jonct
)] (6. 30)
unde q depinde de doi factori:
- randamentul injeciei de curent pentru fracia de purttori injectai care contribuie la
procesul de emisie (unii purttori se pot recombina n regiunile de confinare nedopate,
unde purttorii nu interacioneaz cu cmpul optic) i
- randamentul optic pentru fracia de fotoni generai care sunt transmii n exteriorul
cavitii.
Este de notat faptul c I
p
, curentul de prag depinde de curentul de injecie ca i de
temperatura jonciunii. T
jonct
.
Randamentul cuantic diferenial este deci dependent de curent:
q(I) =
p
out
dI
dP q
1
h dI dI
| |
= q
|
v
\ .
(6. 31)
Se vede c q(I) poate fi negativ dac dI
p
/dI > 1. Graficul puterii optice de ieire n funcie de
curentul de injecie va avea o pant negativ.

1.3. Modulatoare optice
Modulaia luminii este procesul prin care are loc modificarea unuia din parametrii
purttoarei optice: amplitudinea, frecvena sau faza. Se utilizeaz de asemenea modulaia
intensitii, la care, n locul modificrii amplitudinii, se produce modificarea ptratului acesteia,
deci modificarea intensitii. Exist diferite tipuri de modulatoare, care permit realizarea tipului
de modulaie dorit.
Pentru diodele luminescente i laserii cu semiconductori, n cazul modulaiei intensitii
nu sunt necesare modulatoare externe speciale. Tensiunea de modulaie polarizeaz dispozitivul,
comandnd injecia electronilor n jonciunea p-n i variaia n limite mari a intensitii radiaiei
(figura 6.37).
Obinerea caracteristicilor de modulaie liniare la modulatoarele optice este dificil. La modulaia
analogic este necesar i realizarea liniaritii la retranslatoare, motiv pentru care se utilizeaz
n principal tipurile discrete de modulaie: manipulaia de amplitudine i manipulaia polarizare.
Datorit acestui fapt, semnalele primare analogice se transmit n sistemele optice n form
numeric sau de impuls, la care impulsul de modulaie capt valori discrete ale fazei.
Modulaia luminii se poate realiza direct (intern), sau indirect (extern). Modulaia direct se
realizeaz prin modularea curentului printr-un dispozitiv fotoemisiv, cum este o LED sau o diod
laser. La modulaia direct, intensitatea luminii generate este controlat de un semnal electric.
Modulaia direct este larg utilizat n comunicaiile optic. Ea sunt anumite caracteristici. Astfel,
nu este posibil obinerea unei modulaii de vitez mare, tipic mai mult de 10 GHz. Motivul este
acela c modulaia este limitat de timpul de relaxare asociat cu purttorii de sarcin i cu
fotonii. Pe de alt parte, modulaia introduce fenomenul de chirping, prin care frecvena
pulsurilor de lumin variaz pe durata semnalului.


Fig. 6.37 Caracteristicile tipice de modulaie (putere de emisie curent) ale surselor de radiaie: 1
- laser cu semiconductor; 2 - diod luminescent

Modulaia extern implic modularea unei caracteristici a luminii: intensitatea, faza,
frecvena sau polarizarea, atunci cnd lumina trece prin modulator. Exist diferite tipuri de
modulatori, bazai pe un anumit efect fizic, cele mai importante fiind efectul electro-optic,
efectul acousto-optic, efectul magneto-optic i efectul de electro-absorbie bazat pe gropi
cuantice multiple.
1.3.1. Modulatoare electro-optice
Efectele electrooptice constau n modificri ale indicelui de refracie al unui material
induse de aplicarea unui cmp electric extern, care deci moduleaz proprietile optice; cmpul
aplicat nu este cmpul electric al unei unde luminoase ci un cmp extern separat. Un astfel de
cmp extern se poate aplica prin plasarea unor electrozi pe feele opuse ale unui cristal i
conectarea acestora la o surs de t.e.m. Prezena unui astfel de cmp distorsioneaz micrile
electronilor din atomi sau a moleculelor n substan, sau distorsioneaz structura cristalin,
rezultnd modificri n proprietile optice. De exemplu, un cmp extern aplicat poate determina
ca un cristal optic izotrop, cum este GaAs, s devin birefringent. n acest caz, cmpul induce
axe optice principale n cristal. De obicei, modificrile indicelui de refracie sunt mici. Frecvena
cmpului aplicat trebuie s fie de o astfel de valoare, astfel nct cmpul s apar ca fiind static
pe intervalul de timp necesar ca mediul s-i modifice proprietile, ceea ce corespunde timpului
necesar ca lumina s traverseze substana. Efectele electro-optice sunt clasificate n dou
categorii: efecte de ordinul I i efecte de ordinul al doilea. Dac se consider indicele de refracie
n ca fiind funcie de cmpul electric aplicat, E, adic n = n(E), aceast expresie se poate dezvolta
n serie Taylor. Noul indice de refracie n este atunci:
n = n + a
1
E + a
2
E
2
+ (6. 32)
unde coeficienii a
1
i a
2
a1 i sunt numii coeficientul efectului electro-optic liniar, respectiv
coeficientul efectului electro-optic ptratic.
Termenii de ordin superior n dezvoltarea n serie Taylor sunt n general foarte mici i
efectele lor neglijabile pentru majoritatea cmpurilor de interes practic. Modificarea lui n
datorat primului termen este numit efect Pockels. Modificarea lui n datorat termenului de
ordinul al doilea este numit efect Kerr i coeficientul a
2
este n general scris sub forma K, unde
K este numit coeficient Kerr. Astfel, cele dou efecte sunt exprimate prin
An = a
1
E (6. 33)
respectiv
An = a
2
E
2
= (K)E
2
(6. 34)
Toate materialele prezint efectul Kerr, n schimb numai unele materiale cristaline
prezint efectul Pockels. Astfel, a
1
= 0 pentru toate materialele necristaline (cum sunt sticlele i
lichidele). De asemenea, dac structura cristalin are un centru of simetrie, atunci a
1
este tot zero.
Numai cristalele care nu au centre de simetrie prezint efectul Pockels. Ca un exemplu, un cristal
de NaCl nu prezint efectul Pockels, dar un cristal de GaAs prezint acest efect.
Unul dintre cele mai simple exemple de aplicaie n optoelectronic a efectului Pockels
este modulatorul de polarizare, prezentat n figura 6.38 i care este realizat dintr-un ghid de und
ncastrat, obinut prin implantarea unui substrat de LiNbO
3
cu atomi de Ti care cresc indicele de
refracie al materialului. Doi electrozi coplanari sub form de band sunt depui de-a lungul
ghidului de und, de o parte i de alta a acestuia, permind aplicarea unui cmp E
a
,
perpendicular pe direcia de propagare a luminii, z.


Figura 6.38 a) Modulator cu celul Pockels; b) seciune transversal a aceluiai dispozitiv

Tensiunea extern de modulaie, V(t) este aplicat ntre electrozii coplanari i, n virtutea
efectului Pockels, induce o variaie n a indicelui de refracie i deci o variaie de faz
dependent de tensiune, a luminii. Reprezentnd propagarea luminii de-a lungul ghidului sub
forma a dou componente ortogonale, E
x
pe direcia x i E
y
pe direcia y, cele dou componente
sufer modificri de faz simetrice. Defazarea ntre componentele E
x
i E
y
este proporional
cu variaia indicelui de refracie, deci cu cmpul aplicat. Totui, cmpul aplicat nu este uniform
ntre electrozi i, n consecin, nu toate liniile cmpului aplicat sunt n interiorul ghidului de
und. Efectul electro-optic se produce n toat regiunea de suprapunere spaial dintre cmpul
aplicat i cmpurile optic. Totui, este proporional cu V/d (cmpul aparent aplicat), i cu
lungimea L a canalului (figura 6.38).
Rezult deci c dispozitivul este un modulator de faz; este modulat de V(t). De
exemplu, dac tensiunea induce o defazare de /2, atunci o radiaie liniar polarizat la un unghi
de 45 fa de axa x poate fi transformat ntr-o radiaie circular polarizat. Tensiunea necesar
pentru a produce o defazare = este numit tensiune seminund, V
/2
. La = 1,5 m, pentru
un modulator ca n figura 6.38, cu d 10 m, V
/2
L 35 Vcm. De exemplu, un modulator cu L
= 2 cm are o tensiune semiund V
/2
= 17,5 V. Prin comparare, pentru un modulator de LiNbO
3

la care propagarea luminii se face pe direcia y iar cmpul este aplicat pe direcia z, V
/2
L 5
Vcm.
Modulatorul Mach-Zender este un dispozitiv electro-optic pe baz de LiNbO
3
n care
transmitana luminii este controlat printr-o tensiune extern. Dispozitivul utilizeaz efectul
Pockels n LiNbO
3
i interferena dintre unde care au o diferen de faz relativ, indus de o
tensiune extern aplicat. Dispozitivul convertete defazarea indus ntr-o variaie de
amplitudine prin utilizarea unui interferometru n care interfer dou unde de aceeai frecven
dar de faze diferite.


Figura 6.39 Modulator de intensitate optic integrat Mach-Zender

Aa cum se poate vedea n figura 6.39, dispozitivul are implantat un ghid de und
monomod ntr-un substrat de LiNbO
3
(sau alt material electro-optic), n geometria artat.
Ghidul de und de la intrare, C, se bifurc n dou ramuri, A i B, care ulterior se unesc ntr-o
singur ramur. D, care constituie ramura de ieire. n cazul ideal, puterea optic a undei
luminoase de la intrare este egal divizat pe ramurile A i B, astfel nct cmpul electric al undei
este divizat cu un factor 2 pe fiecare ramur. Structura acioneaz ca un interferometru
deoarece cele dou unde care se propag prin ramurile A i B interfer la ieirea D i
amplitudinea undei la ieire depinde de diferena de faz (diferena de drum optic) dintre undele
din cele dou ramuri. Aa cum se vede n figura 24, cmpul extern aplicat n ramura A este de
sens opus cu cel aplicat n ramura B. Variaiile indicelui de refracie sunt n consecin opuse,
ceea ce nseamn c i modificrile fazelor n ramurile A i B sunt opuse. De exemplu, dac un
cmp electric extern aplicat induce o variaie a fazei de /2 n ramura A, n ramura B ea va fi de
/2, astfel nct undele din ramurile A i B vor fi defazate cu . Aceste dou unde interfer apoi
distructiv i se anuleaz reciproc, intensitatea la ieire fiind zero. Cum tensiunea exterioar
aplicat controleaz diferena de faz dintre cele dou unde, A i B la ieire, aceasta controleaz
deci i intensitatea luminii la ieire, dei relaia nu este liniar. n practic, pierderile n jonciuni
i scindarea inegal au ca rezultat scderea performanelor modulatorului; undele din ramurile A
i B nu se anuleaz complet cnd A = .
1.3.2. Modulatoare acousto-optice
Modulatoarele acousto-optice se bazeaz pe efectul fotoeleastic, n care o solicitare
mecanic exercitat asupra unui cristal induce modificri ale indicelui de refracie n al acestuia.
Relaia dintre solicitarea mecanic i indicele de refracie este destul de complicat, deoarece
trebuie considerat efectul unei solicitri S pe o direcie n cristal asupra variaiei induse n n
pentru o direcie particular de propagare a luminii i o polarizare specific. ntr-o prim
aproximaie, efectul fotoeleastic poate fi considerat liniar, variaia n indus fiind proporional
cu mrimea solicitrii mecanice, S.
Se pot genera unde acustice sau ultrasonice la suprafaa unui cristal piezoelectric (cum
este LiNbO
3
) prin plasarea unor electrozi ntreptruni pe suprafaa sa, aa cum se poate vedea n
figura 6.40 i prin aplicarea pe acetia a unei tensiuni sinusoidale de frecvene radio. Efectul
piezoelectric este fenomenul de generare a unei tensiuni mecanice ntr-un cristal prin aplicarea
unui cmp electric extern. Tensiunea variabil aplicat pe electrozi va genera astfel o und
acustic superficial prin intermediul efectului piezoelectric.


Figura 6.40 Modulator acusto-optic

Aceste unde acustice se propag prin dilatri i comprimri regiunilor superficiale ale
cristalului, care duc la o variaie periodic a densitii i de aici la o variaie periodic a indicelui
de refracie, sincronizat cu amplitudinea undei acustice. Rezultatul const ntr-un fel de reea
de difracie care se creeaz la suprafaa cristalului datorit undei acustice. Aceasta produce
difracia fasciculului optic i permite modularea unghiului i intensitii undei difractate prin
amplitudinea i frecvena semnalului RF aplicat. Apare o modificare n frecvena fasciculului
difractat, cu o valoare ce corespunde frecvenei acustice.

1.4. Multiplexoare i demultiplexoare
Multiplexoarele combin mai multe semnale de diferite lungimi de und, provenite de la
mai multe surse laser. Aceste semnale sunt transmise printr-o fibr optic, ntr-un singur fascicul
luminos. Demultiplexoarele separ acest fascicul luminos incident n semnale de lungimi de
und individuale, care sunt apoi trimise spre detectori. Realizarea lor se bazeaz pe utilizarea
filtrelor i reelelor de difracie. Se folosesc n principal trei tehnologii: filtre n straturi subiri,
reele Bragg gravate n fibr (FBG) i Arrayed Waveguide Gratings (AWG).
1.4.1. Filtre n straturi subiri
Aceste filtre sunt cel mai rspndite n sistemele MUX/DEMUX DWDM cu un numr
mic de canale i se bazeaz pe principiul interferenei create datorit unei acoperiri n strat
subire, pe un substrat de sticl.
n prezent, aceast tehnologie este complet matur i ofer o stabilitate perfect n
temperatur, ca i o bun izolaie ntre canale. Totui, aceste filtre necesit modaliti de
fabricaie complexe, cnd numrul de canale devine important. La mai mult de 32 canale,
realizarea lor devine cvasi-imposibil.
1.4.2. Reele Bragg gravate n fibr
Aceast tehnologie est rezultatul unei fibre monomod de-a lungul miezului creia este
gravat o reea de difracie. Modificarea periodic a indicelui de refracie permite funcia de
filtraj prin eliminarea anumitor lungimi de und, altele traversnd reeaua cu un minim de
atenuare.
Reeaua de difracie este fabricat prin expunerea fibrei la aciunea unui puternic fascicul
ultraviolet, numit fotoinscriptor.
1.4.3. AWG
AWG sunt ghiduri de und n siliciu sau n dioxid de siliciu, fabricate pe un substrat
semiconductor standard. Semnalul luminos incident este divizat de mai multe ori de un cuplor i
fiecare semnal individual trece prin ghiduri de und curbate. Fiecare ghid de und are o lungime
cu puin diferit de a celuilalt, ceea ce determin un timp de parcurs diferit n AWG.
Aceast ntrziere a luminii n fiecare ghid de und provoac interferene i structuri de
difracie n cuplorul de ieire. n final, semnalele de fiecare lungime de und emerg separat din
cuplorul de ieire.
AWG prezint avantajul de a fi capabile s separe eficient un foarte mare numr de
semnale de lungimi de und diferite i sunt utilizate n sisteme DWDM care integreaz o foarte
mare densitate de canale.

1.5. Amplificatoare optice
Exist mai multe tipuri de amplificatoare: EDFA, amplificatoare Raman (amplificare activ
pe toat lungimea fibrei), laseri de pompaj, EDWA, SOA etc.
1.5.1. Amplificatoare cu fibr dopat cu erbiu
Modulele amplificatoare cu fibr dopat cu erbiu (Erbium-Doped Fiber Amplifier EDFA)
sunt utilizate pentru amplificarea semnalelor luminoase prezente ntr-o fibr optic. Acestea
primesc la intrare un semnal luminos de amplitudine mic i l amplific respectnd domeniul
optic al acestuia. Modulele EDFA utilizeaz laseri de pompaj pentru excitarea unui material
dopat cu erbiu, aflat chiar n fibr, care restituie aceast energie de pompaj amplificnd semnalul
luminos prezent n aceasta. Sistemele EDFA sunt constituite din mai multe platforme de tratare a
semnalelor, incluznd sisteme de compensare n dispersie, de atenuare variabil i de egalizare a
amplificrii.



Figura 6.41 Schema benzilor energetice ale erbiului i tranziiile care pot avea loc ntre acestea

Deci, EDFA este un tip de amplificator optic, utilizat pentru creterea intensitii
semnalelor optice transportate prin fibr optic n sistemele de comunicaii. El este alctuit dintr-
o fibr al crui miez este puternic dopat cu ioni de erbiu i funcioneaz pe baza fenomenului de
emisie stimulat. Lucreaz n banda C (1530-1560 nm) i L (1570-1610 nm). Este folosit erbiul,
deoarece acesta are cteva proprieti importante, care l fac s constituie o alegere excelent
pentru un amplificator optic. Ionii de erbiu (Er
3+
) au niveluri cuantice care permit stimularea
pentru emisia n banda de 1540 nm, care este banda cu pierderile de putere cele mai mici n
majoritatea fibrelor pe baz de oxid de siliciu. Nivelurile cuantice ale erbiului permit, de
asemenea, ca acesta s fie excitat cu un semnal optic att la 980 nm, ct i la 1480 nm, amndou
putnd fi transmise prin fibra optic pe baz de oxid de siliciu fr pierderi mari. Pentru
nelegerea funcionrii unui EDFA
nelegerea funcionrii amplificatorului optic cu fibr dopat cu erbiu poate fi neleas
foarte uor, pe baza analizei schemei din figura 6.41.


Figura 6.42 Diagrama-bloc a unui EDFA

n figura 6.42 este prezentat diagrama-bloc a unui EDFA, iar n figura 6.43, principalele
caracteristici ale EDFA, amplificarea i zgomotul, n banda de lucru a amplificatorului.



Figura 6.43 Caracteristicile a unui EDFA

Avantajele EDFA sunt: disponibilitate comercial n banda C i banda L, insensibilitate la
starea de polarizare a luminii, amplificare mare, zgomot redus (4,5 6 dB), lipsa distorsiunilor la
fluxuri de date mari, amplificarea simultan a semnalelor multiplexate prin divizarea lungimii de
und, imunitate la interferene ntre canalele de multiplexare, nu necesit electronic de vitez
mare, independena vitezei de transmisie (bit rate transparency).
1.5.2. Amplificatoare Raman
Amplificarea Raman est activ pe toat lungimea fibrei optice, pe distane putnd atinge
10 km, fapt ce o deosebete de amplificarea de tip EDFA, care nu este activ dect pe civa
metri n jurul dispozitivului. Modulele amplificatoare Raman necesit utilizarea de componente
de tip FBG, izolatoare, cuploare sau alte componente pasive.
1.5.3. Laseri de pompaj
Laserii de pompaj sunt laseri cu semiconductori, utilizai pentru amplificarea semnalelor
optice. Ei sunt caracterizai de puteri mari (300 400 mW).
Laserii de pompaj funcioneaz la 980 nm sau 1480 nm. Randamentul laserilor la 980 nm
nu este nc suficient pentru a se putea obine puteri mari. n schimb, laserii de pompaj la 1480
nm sunt produi i folosii pe scar larg.
Modulele de amplificare sunt utilizate n cea mai mare parte pentru reele optice de mare
distan, n scopul regenerrii semnalelor













2. Sisteme de comunicaie optic
2.1. Canalul de comunicaie optic
O descriere complet a canalului de comunicaie optic include nu numai mediul de
transmisie ci i sursa optic, eventual un modulator i receptorul (fotodetectorul). n cel mai
simplu caz, semnalul de ieire al sursei este modulat direct de semnal, de exemplu prin variaia
curentului injectat n jonciunea p-n a unei diode semiconductoare. Recombinarea purttorilor n
jonciune conduce la emisia de fotoni, care reproduce concentraia purttorilor. La cellalt capt
al canalului, fotonii incideni n fotodetector genereaz perechi de electroni-goluri, care, la rndul
lor, produc un fotocurent proporional cu densitatea de fotoni. Curentul injectat la surs i
fotocurentul la detector sunt cele dou variabile msurabile direct care definesc canalul optic.


Fig. 7. 1 Canalul de comunicaie optic

Adesea, aceast definire riguroas exclude cteva fenomene specifice sursei. Astfel, de
exemplu, canalul optic este considerat liniar, n timp ce toate caracteristicile transmisiei sunt
independente de amplitudinea semnalului (densitatea de fotoni) dei curenii de intrare i ieire
pot fi legai printr-o relaie neliniar din cauza pragului efectelor de saturaie n surs. Aceast
definiie este convenabil deoarece permite descrierea cii de transmisie dispersive att n
domeniul de timp, ct i n cel al frecvenelor, n care ce dou sunt legate prin transformri
Fourier simple. Presupunerea de liniaritate este satisfcut cu suficient exactitate sub pragul
proceselor de mprtiere stimulat.
Un efect care influeneaz indirect liniaritatea este schimbarea n distribuia spectral a
semnalului luminos n funcie de amplitudinea semnalului. Laserii cu semiconductori tind s
oscileze ntr-un numr de rezonane distribuite la intervale egale sub aciunea radiaiei
stimulatoare dar rmn numai una sau cteva, odat ce emisia stimulat se desfoar la niveluri
nalte. Aceast limitare spectral afecteaz dispersia cromatic, astfel nct caracteristicile de
transmisie devin dependente indirect de amplitudinea semnalului. n general acest efect este mic.
Dac pierderile n canal variaz n timp, poate rezulta un fading sau zgomot depinznd de
scala de timp implicat. De exemplu, cele dou moduri de polarizare ortogonal care se propag
ntr-o fibr monomod interfer ntr-un fel care depinde critic de drumul fibrei i de temperatura
sa i conduce la un fading ntr-un receptor sensibil la polarizare. Problema poate fi soluionat
prin proiectarea unei fibre birefringente. S-a observat un fading similar cu zgomotul n fibre
multimod folosite pentru transmisia radiaiilor laser. Efectul a fost atribuit surselor de pierderi
localizate n punctele de mbinare. Influena acestor discontinuiti scade odat cu creterea
distanei fa de surs. Experiena sugereaz fie efectele de interferen n fibr, fie efectele de
auto-blocare n surs, determinate de reflexia sporadic din canal. Ambele efecte variaz odat
cu temperatura i micrile fibrelor.
Interferena poate aprea atunci cnd diferenele de ntrziere dintre moduri sunt mai mici
dect timpul de coeren n semnalul optic de intrare. Timpul de coeren al unei singure
rezonane ntr-un laser cu semiconductor este determinat de stabilitatea cavitii i este de ordinul
10 ps. Efectele de interferen pot de aceea s apar n fibre multimod cu o lungime de peste 1
km sau mai mult.
Pe lng zgomotul indus n canal discutat mai sus, exist i alte surse de zgomot, cel mai
evident fiind zgomotul de cuantificare, rezultat din natura discret a fotonilor transmii.
2.1.1. Emitorul
Emitorul unui sistem de comunicaii optice are n componena sa, n primul rnd un
dispozitiv emitor de lumin, care trebuie s ndeplineasc dou condiii. n primul rnd, trebuie
s se poat cupla la fibra optic. n al doilea rnd, trebuie s permit modularea luminii. Generic,
un astfel de dispozitiv este un traductor electro-optic.
Sunt cteva caracteristici generale care trebuie asigurate de un bun dispozitiv emitor de
lumin. Astfel, dimensiunile fizic trebuie s fie compatibile cu dimensiunea fibrei optice
utilizate, ceea ce nseamn c el trebuie s emit lumina ntr-un con cu diametrul seciunii
transversale de 8-100 m. De asemenea, el trebuie s genereze suficient putere optic, pentru a
asigura o rat de erori (bit error rate BER) corespunztoare. n plus, dispozitivul trebuie s
asigure o eficien bun n cuplarea luminii generate n fibra optic, o liniaritate suficient de
bun, pentru a preveni generarea armonicilor i distorsiunea de intermodulaie i s asigure o
vitez de modulaie suficient pentru scopul propus.
Toate aceste cerine pot fi satisfcute de diode semiconductoare cu jonciune, emitoare
de lumin, care sunt de dou tipuri: diode emitoare de lumin (light emitting diode LED) i
diode laser (lase diode LD). Cu mici excepii, diodele laser au avantaje fa de LED-uri n
urmtoarele privine:
- pot fi modulate la viteze mai mari
- pot produce o putere optic mai mare
- au o eficien de cuplare la fibra optic mai mare
i LED-urile prezint unele avantaje fa de diodele laser: fiabilitate mai mare, liniaritate
mai bun, pre de cost mai sczut.
O diferen esenial privind semnalul de ieire, ntre LED i LD este domeniul
lungimilor de und n care este distribuit puterea optic, adic domeniul spectral de emisie.
Figura 7.2 ilustreaz lrgimea spectral a semnalului emis de cele dou dispozitive. Puterea
optic generat de fiecare dispozitiv este proporional cu aria de sub curb. O diod laser are
ntotdeauna un domeniu spectral mai ngust dect cel al LED-urilor, valoarea propriu-zis
depinznd de detaliile structurii diodei respective i de materialul semiconductor. Totui, valorile
tipice ale lrgimii domeniului spectral de emisie pentru un LED sunt n jurul a 40 nm pentru
lucrul la 850 nm i 80 nm pentru lucrul la 1310 nm. Valorile tipice pentru o diod laser sunt de 1
nm pentru lucrul la 850 nm i 3 nm pentru lucrul la 1310 nm.


Fig. 7.2 Lrgimile spectrale la LED i dioda laser

Dispozitivele emitoare de lumin trebuie s aib o fereastr transparent pentru a
transmite lumina n fibra optic. Ele sunt echipate fie cu un dispozitiv special de cuplare la fibra
optic (pigtail), fie cu o fereastr transparent din plastic sau sticl, care poate avea i o
microlentil care s ajute la focalizarea luminii n fibra optic.
Funcia de modulaie poate fi asigurat prin diferite metode: modulaia n intensitate
(Intensity Modulation IM), modulaia de frecven (Frecven Modulation FM), modulaia de
faz (Phase Modulation M) i modulaia de polarizare (Polarization Modulation PM). n
cazul semnalelor discrete, de obicei, n locul termenului modulaie se utilizeaz termenul
manipulaie (shift keying). Astfel, pentru semnalele discrete, modulaia n intensitate este numit
manipulaie de amplitudine (Amplitude Shift Keying ASK) sau, n cazul semnalelor digitale,
manipulaie da-nu (On-Off Keying OOK).
Semnalul optic modulat este dat de:
E
s
(t) = E
0
m(t)cos

(2tf
s
t) (7. 1)
unde m(t) este semnalul modulator, care conine informaia i f
s
este frecvena semnalului
purttor.



Fig. 7.3 Dou metode pentru modulaia cu LED sau diode laser

Modulaia n intensitate este utilizat practic universal n legturile prin fibr optic,
deoarece se potrivete foarte bine cu modul de lucru att al LED-urilor, ct i al diodelor laser.
Purttoarea pe care acestea o genereaz este uor de modulat cu aceast tehnic. Puterea radiaiei
emise (uneori numit radian) este proporional cu intensitatea curentului ce trece prin
dispozitivul emitor i astfel puterea optic ia forma curentului. Dac acesta este de forma m(t),
reprezentnd informaia binar, semnalul optic rezultat va fi un semnal intermitent. Situaia este
ilustrat n figura 7.2 i figura 7.3. Prima dintre aceste figuri prezint circuitele de baz pentru
modulaia n intensitate ale dispozitivelor emitoare de lumin (LED sau diod laser LD). A
doua ilustreaz curentul de intrare, reprezentnd informaia, i semnalul optic rezultat, generat i
furnizat n fibra optic, m(t).



Fig. 7.3 Curentul de intrare, reprezentnd forma semnalului modulat, m(t)

2.1.2. Receptorul
Receptorul sistemului de comunicaii optice ndeplinete dou funcii. Prima este
detectarea luminii i conversia acesteia ntr-un semnal electric. A doua este demodularea
semnalului pentru a extrage informaia.


Fig. 7.4 Exemplu de diagram bloc - primul etaj a unui receptor

Detectarea luminii este realizat de o fotodiod, o diod p-i-n, sau o fotodiod cu
avalan (APD). De obicei, fotodiodele au o suprafa mare fotosensibil, care poate fi de mai
multe sute de microni n diametru, ceea ce face ca s nu fie necesare precauii speciale la
centrarea fibrei n conectorul receptorului i face preocuprile de aliniament mult mai puin
critice dect cele de la emitorul optic.
n general, semnalul optic i curentul electric rezultat din conversie au amplitudini mici.
Ca urmare, circuitele fotodiodei trebuie s fie urmate de unul sau mai multe etaje de amplificare.
0 1 0 0 0 1 0
1
m(t)
t
De asemenea, se mai pot folosi filtre i egalizatoare pentru a forma i corecta semnalul electric
purttor de informaie. Toate aceste circuite active din receptor reprezint o surs de zgomot,
care poate afecta procesul de demodulaie. Figura 7.4 prezint circuitul simplificat al unui
receptor, iar figura 7.5 schema detaliat a unui receptor analog (figura 7.5.a), respectiv digital
(figura 7.5.b).


Fig. 7.5 Schema unui receptor analog (a), respectiv digital (b)

Ca i n cazul emitoarelor, receptoarele optice sunt disponibile i n versiunea analogic
i n cea digital. Ambele tipuri folosesc de obicei un etaj preamplificator analog, urmat de un
etaj de ieire analog, respectiv digital, n funcie de tipul receptorului.
n figura 7.5.a este prezentat schema simplificat a unui receptor analog, la care primul
etaj este un amplificator operaional, conectat ca un convertor curent-tensiune. Acest etaj
primete curentul slab provenit de la fotodiod i l convertete n tensiune, de obicei de ordinul a
civa milivoli. Urmtorul etaj este un simplu amplificator operaional de tensiune, n care
semnalul este amplificat la nivelul dorit.
Figura 7.5.b prezint schema simplificat a unui receptor digital. Ca i n cazul
receptorului analog, primul etaj este un convertor curent-tensiune. Ieirea acestui etaj este cuplat
la un comparator de tensiune, care produce un semnal de ieire curat, cu un timp de cretere scurt
al pulsurilor. Ajustarea nivelului de declanare, cnd este prezent, este utilizat pentru reglarea
punctului pe semnalul analog n care comparatorul comut. Aceasta permite simetria semnalului
digital refcut signal, pentru ca acesta s poat fi rectificat cu precizia dorit.
Este important de subliniat faptul c, n timp ce cablul de fibr optic este imun la toate
formele de interferen, receptorul electronic nu este, motiv pentru care sunt necesare precauii
normale, ca ecranarea i legarea la pmnt.
Receptorul poate ncorpora un numr de alte funcii: generarea unui semnal de tact (n
cazul comunicaiilor sincrone) decodarea informaiei, detectarea erorilor i regenerarea. Un
receptor complet trebuie s aib o detectabilitate ridicat (pentru a detecta semnalele optice de
nivel sczut provenite din fibra optic), band larg sau timp de cretere scurt (pentru un rspuns
suficient de rapid, necesar demodulrii datelor digitale la vitez mare) i zgomot redus, pentru o
rat de erori (bit error rate BER) ct mai sczut.
n majoritatea aplicaiilor, elementul preferat este dioda PIN, datorit faptului c poate fi
alimentat de la o surs standard, tipic ntre 5 i 15 V.
Dispozitivele APD au o mult mai bun sensibilitate i o band de dou ori mai larg.
Totui, ele nu pot fi utilizate cu o surs de 5V. De asemenea, ele necesit o surs de alimentare
foarte bine stabilizat, ceea ce crete mult costul sistemelor care utilizeaz APD.
2.1.3. Dispozitive de cuplare i mbinare
Conectorul este un dispozitiv mecanic montat la captul unei fibre optice, al unei surse de
lumin, sau receptor. El permite adaptarea la un dispozitiv similar. Caracteristica esenial ce l
deosebete de dispozitivele de mbinare (splicing), este faptul c poate fi ataat i detaat cu
uurin, adic este deconectabil. Sunt mai multe tipuri diferite de conectoare.
Fibrele optice trebuie mbinate unele cu altele din mai multe motive.
Unul este acela al necesitii de a realiza o legtur de o anumit lungime. Cum fabricanii ofer
cabluri optice cu lungimi de 1 6 km, legturile mai lungi impun n mod evident mbinarea
fibrelor optice. Conectarea a dou fibre optice necesit o aliniere precis. Sunt dou tipuri
principale de mbinri: mecanic i prin topire. mbinarea mecanic este comod de aplicat,
necesitnd puine instrumente, dar implicnd i pierderi de aproximativ 0,2 dB. Cel de-al doilea
tip de mbinare utilizeaz un arc electric pentru a suda dou fibre optice, alinierea fiind asigurat
prin controlul computerizat; pierderile sunt de 0,05 dB.
2.1.4. Parametri ai sistemului de comunicaie
Pierderi
Pierderile P
i
sunt exprimate n decibeli (dB) la fiecare lungime de und
i
, prin relaia:
P
i
= 10
i
0
lg
u
u
(7. 2)
unde u
i
este puterea optic injectat n linia de transmisie i u
0
este puterea incident la
i
.
Diafonie
La cellalt capt al fibrei, semnalele la diferite lungimi de und sunt separate de un
demultiplexor care, la fel ca multiplexorul, trebuie s aib pierderi minime. Diafonia optic, D
ij
,
ntre canalul i i canalul j, este:
D
ij
= 10
ij
jj
lg
u
u
(7. 3)
unde u
ij
este puterea optic rezidual a canalului i la lungimea de und
i
n canalul j i u
jj

puterea optic de ieire n canalul j la lungimea de und
j
.
Diafonia optic total n canalul j este:
D
j
= 10
ij
i j
jj
lg
=
| | u
|
|
u
|
\ .

(7. 4)
Acest defect este datorat numai demultiplexorului cnd sunt folosite surse cu lrgimi
spectrale mult mai mici dect banda de trecere spectral a multiplexorului.
2.1.5. Consideraii asupra sistemului de comunicaie
Banda finit, B
c
, a purttorilor optici impune anumite constrngeri asupra tehnicilor de
transmisie posibile. Cnd se produc fluctuaii de amplitudine a purttorilor cu constante de timp
mai mici de
c
1
B
, banda mesajului, B
m
, care poate fi transmis trebuie s fie mai mic dect B
c
.
Folosind un receptor cu o band B
R
= B
m
, se poate obine o medie a celor mai rapide fluctuaii de
amplitudine. Principiul acestui proces de detecie a fost discutat anterior. Variabila Q(t) mediat
pe intervale de timp de lungime 1/2B
R
a fost folosit ca descrierea msurabil a anvelopei optice.
O metod de transmitere mai direct dect codificarea optic ar putea consta dintr-o
modulaie a anvelopei de forma:
Q(t) = Q [1 + s(t)] (7. 5)
unde s(t) este un mesaj avnd amplitudinea pulsului unitar media nul i banda B
R
.
De exemplu, s(t) ar putea fi un semnal vocal (o convorbire telefonic) sau un mesaj video
(de televiziune). n orice semnal de acest fel, zgomotul trebuie s fie foarte mic pentru a asigura
recepia adecvat n prezena semnalelor slabe. Pentru video, de exemplu, puterea maxim a
semnalului n puls trebuie s fie cu 46 ordine de mrime mai mare dect zgomotul la semnale
de amplitudine mic. n termeni relativi la fotoperechi primare, puterea semnalului n puls este
2
Q (
2
), n timp ce zgomotul pentru un semnal s(t) foarte slab poate fi aproximat de abaterea
2
Q
(
2
) + j
2
a distribuiei Gauss. Pentru amplificatoare tipice cu tranzistori bipolari j = 100 i, deci,
cel puin Q = 10
5
10
6
perechi trebuie s fie produse. Multiplicarea n avalan este de mic
valoare n aceste condiii de raport semnal-zgomot mare, n timp ce abaterea zgomotului cuantic,
Q , este de acelai ordin de mrime ca abaterea zgomotului Johnson, j
2
. n cazul unor semnale
video de 5 MHz, este necesar o putere optic de 1 W pentru producerea a aproximativ 10
6

perechi necesare.
Pe lng acest lucru, forma modulaiei impune condiii stricte asupra liniaritii canalului
i asupra particularitilor sursei, att timp ct chiar neliniariti foarte mici produc armonici
intolerabile ale semnalului. Cele mai critice pot fi evitate cu forme de modulaie mai sofisticate.
Figura 7.5 reprezint nivelurile puterii optice disponibile de la surse tipice i nivelurile de
putere necesare n cazul transmiterii video analogice cu raport semnal-zgomot ntre 10
4
10
6
.
Este de asemenea, reprezentat i puterea necesar pentru recepia digital, calculat n
paragraful 4.1. Transmisiunea digital a semnalelor audio sau video necesit o band de
aproximativ 8 ori mai mare dect pentru transmisia analogic.
Un semnal video este aproximativ echivalent cu 1000 de semnale audio. Deci, un semnal
video de 5 MHz sau 1000 semnale audio trebuie comparate cu un mesaj digital de 80 Mbit/s.
Figura 7.5 arat c aceast informaie poate fi transmis printr-un canal laser digital avnd
pierderi de 50 dB, printr-un un canal laser analogic sau LED digital, cu pierderi de 30 dB, sau
printr-un canal LED analogic cu pierderi de 15 dB.
Sistemele optice analogice cu band ngust trebuie desigur s fie comparate cu sistemele
de transmisie prin cablu coaxial, care admit de asemenea o pierdere de semnal 30 dB sau mai
mult pe canalul de transmisie. n contrast pierderile n fibre, pierderile n cablul coaxial variaz
n general foarte mult n funcie de banda mesajului, astfel nct n receptor este necesar o
egalizare corect.
Transmisia digital audio prin perechi de fibre este folosit n reelele telefonice deoarece
ea permite refacerea repetat a semnalelor cu o scdere a calitii neglijabil. Semnalele tipice 24
audio sunt codificate n formatul dat de modulaia n puls codificat, multiplexate i transmise pe
aceeai pereche de fire. Pentru o capacitate informaional de peste 500 de circuite audio, sau
pentru unul sau mai multe circuite digitale video, canalul din fibr are un avantaj evident fa de
cablul coaxial datorit benzii de transmisie largi i caracteristicilor de pierderi uniforme.
Semnalele video, audio i de date pot fi combinate pe acelai cablu de fibre optice.


Fig. 7.5 Puterea optic medie disponibil de la surse de lumin tipice i cea necesar
fotoreceptorilor la transmisia analogic i digital

Datorit disponibilitii surselor de GaAs, dezvoltarea iniial a sistemelor de transmisie
prin fibre optice s-a concentrat n banda de lungimi de und dintre 800 i 900 nm, unde pierderile
fibrei sunt de 36 dB/km. Distanele de transmisie erau limitate de aceast pierdere la valori de
pn la 816 km pentru canalele digitale cu laser lucrnd n domeniul 50 Mbit/s. Trecerea la
domeniul 1300 nm, unde pierderea scade sub 1 dB/km i banda canalului depete 1 GHz/km,
chiar i pentru surse LED, a extins foarte mult domeniul i potenialul sistemului de comunicaie
prin fibre optice. Pe baza datelor din figura 7.5, distana posibil de transmisie pentru sisteme
digitale cu LED ntre 30 300 Mbit/s este limitat de banda de transmisie (aproximativ 1
GHz/km) la aproximativ (B
m
)
1
GHz/km dac pierderea n fibra instalat este de maxim 1,5
dB/km. Deci, 140 Mbit/s pot fi transmii la o distan de 14 km fr regenerare. Semnalele
generate de laser transmise prin fibre monomod permit transmiterea fr refacerea semnalului pe
distane depind 50 km.
n general, pentru a transmite informaii este nevoie ca raportul semnal/zgomot s nu
scad sub un anumit prag. n cazul comunicaiilor prin fibre optice, comunicaii digitale, cum
standardul obinuit impune o rat de erori de 1/10
9
bii, este necesar ca semnalul util s nu scad
sub nivelul de 500 fotoni/bit (pentru o radiaie infraroie cu lungimea de und 1,5 m).
Considernd puterea optic medie a unei diode laser de ordinul a 1 mW (nsemnnd 10
16
fotoni
pe secund), la un debit de informaie de 1 Gbit/s corespunde un numr de 10
7
fotoni pe bit, ceea
ce duce la faptul c, la o transparen de 95 %, pragul de 500 fotoni pe bit este atins dup o
distan de ordinul a 200 km.
Pentru extinderea distanei peste aceste valori, se folosesc repetoare optoelectronice.
Acestea sunt alctuite dintr-o fotodiod care convertete semnalul optic ntr-unul electric, un
amplificator (amplificarea este nsoit i de refacerea formei semnalului i filtrajul zgomotului),
un circuit basculant i o diod laser pentru conversia semnalului electric n semnal optic. Aceste
repetoare determin ns o limitare a debitului maxim transmis, limitare impus de electronica
folosit n construcia acestora.
Din aceast cauz, repetitoarele optoelectronice au nceput s fie nlocuite, ncepnd cu
sfritul anilor 80, de amplificatoare optice cu fibr de sticl dopat cu erbiu, care funcioneaz
pe un principiu analog cu cel al laserului (amplificare stimulat a radiaiei). Amplificarea este
datorat dezexcitrii stimulate a ionilor de erbiu, inversia de populaie fiind realizat prin
pompajul optic cu ajutorul unei diode laser cu lungimea de und de 0,98 m sau 1,48 m. Se pot
obine amplificri n putere de ordinul a 10
2
10
4
. Avantajul acestor sisteme este c se elimin
conversia optic-electric i invers, care impune limitri severe. Pe de alt parte, cu astfel de
dispozitive, mai multe canale optice de lungimi de und diferite pot fi amplificate simultan.
Amplificatoarele optice au cteva caliti eseniale: insensibilitatea la tipul de polarizare a
undei electromagnetice, absena distorsiunilor la amplificare, compatibilitatea cu fibrele optice
standard (lipsa reflexiilor parazite), pierderi energetice minime la conexiuni, zgomot redus,
insensibilitate la variaii de temperatur ntr-un domeniu larg ( 40 C + 60 C), band de
frecvene larg (100 3000 GHz).
Un alt aspect al modernizrii transmisiilor prin fibre optice este cel referitor la nlocuirea
multiplexrii temporale, realizate electronic, avnd limitri tehnologice sau economice, cu
multiplexarea n lungime de und (Wavelength-Division Multiplexing WDM), la care
realizarea practic este efectuat de componente optice pasive, n mod asemntor cu
descompunerea culorilor la trecerea printr-o prism optic.
Aceste tehnici au totui i ele limitri (10 Gbit/s la distane de cel mult 10000 km)
datorit fenomenelor de dispersie (cromatic, neliniar etc.).
Dispersia cromatic duce la limitarea debitului prin faptul c, cu ct acesta este mai
ridicat, cu att impulsurile sunt mai scurte i mai apropiate unele de altele, ducnd pn la
suprapunerea acestora i la imposibilitatea decelrii lor individuale.
Dispersia neliniar nu permite creterea arbitrar a energiei semnalului pentru a diminua
rata erorilor; peste un anumit prag al intensitii, efectul dispersiei liniare duce la creterea
acestei rate.
Soluia depirii acestor limitri vine din partea transmisiei solitonice. Impulsul luminos
(pachetul de unde) este constituit din mai multe unde sinusoidale (moduri), fiecare caracterizat
de o anumit amplitudine i o anumit frecven. Ca urmare a dispersiei cromatice, n timp
pachetul de unde tinde s se destrame (are loc lrgirea temporal a lui). La intensiti suficient de
mari, se produce efectul electrooptic ptratic (efectul Kerr), care face ca indicele de refracie al
materialului (i, deci, viteza de propagare a undei) s depind de intensitate. Dac acest efect este
exploatat de aa natur nct el s compenseze exact efectul de dispersie cromatic, impulsul se
propag fr deformare, conservndu-i integritatea: aceasta este unda solitar sau solitonul.
Comunicaiile solitonice au atins debite de 20 100 Gbit/s, fa de cele clasice, care sunt limitate
la maxim 10 Gbit/s.
Alte limitri n funcionarea sistemelor de comunicaii prin fibre optice sunt cele legate
de fluctuaiile statistice n intensitatea semnalului, care determin un zgomot de fond parazit.

2.2. Utilizarea benzii fibrei optice de ctre mai muli utilizatori
2.2.1. Utilizarea n comun a mediului de transmisie. Multiplexarea
Imensa lrgime de band pe care o asigur comunicaia prin fibr optic ar fi utilizat cu
totul neeconomic dac ea ar fi folosit pentru o singur necesitate particular de comunicaie.
Mult mai eficient este utilizarea n comun a sistemului de comunicaie, pentru mai multe
scopuri. Tehnica utilizat pentru a obine acest lucru este numit multiplexare. Ea nu este
specific sistemelor de comunicaie prin fibr optic, ci se poate folosi pentru orice mediu de
transmisie (cablu, microunde etc.) unde banda disponibil depete cu mult nevoile unei
comunicaii individuale. Conceptual, multiplexarea este ilustrat n Figura 7.6. Aceasta prezint
n perechi surs-utilizator. Exist un multiplexor (MUX), care preia datele provenind de la cele n
surse (S
1
, S
2
, , S
n
) i le combin ntr-un flux comun, pe care l trimite prin fibra optic la cei n
utilizatori (R
1
, R
2
, R
n
). La cellalt capt al sistemului de comunicaie, demultiplexorul
(DEMUX) preia fluxul de informaii din fibr, separ diferitele date i le transmite spre
utilizatorul corespunztor.
Conexiunile de la surse la multiplexor i de la demultiplexor la utilizatori se numesc
circuite de capt (tail circuit), iar cea dinte multiplexor i demultiplexor (fibra optic, n acest
caz), este numit legtur compus, mixt (composite link). Perechile surs-utilizator nu trebuie
s fie obligatoriu de acelai tip. Ele pot fi tipuri total diferite de echipamente de date, servind
unor aplicaii diferite i cu caracteristici de vitez diferit.
Sunt dou tehnici pentru realizarea multiplexrii n sistemele de comunicaii prin fibr
optic. Acestea sunt multiplexarea prin divizare n timp (Time Division Multiplexing TDM) i
multiplexarea prin divizare n lungime de und (Wavelength Division Multiplexing WDM).


Fig. 7.6 Schem conceptual a procesului de multiplexare. O singur fibr optic este folosit n
comun de mai multe canale de comunicaie optic


MUX

DEMUX
S
1
S
2
S
n
R
1
R
2
R
n
fibr optic
2.2.2. Multiplexarea prin divizare n timp (TDM) pe cabluri de fibr optic
n TDM, a multitudine de legturi de comunicaie, fiecare pentru o pereche surs-
utilizator dat, mpart acelai cablu de fibr optic n timp. Multiplexorul stabilete o secven
continu de intervale de timp, utiliznd un ceas. Durata acestora depinde de un numr de diferii
factori de proiectare, cel mai important fiind viteza de transmisie necesar pentru diferitele
legturi. Fiecare legtur de comunicaie este alocat unui interval de timp specific, un canal
TDM, pe parcursul cruia este permis trimiterea de date de la surs la utilizator. n acest timp,
nici unei alte legturi nu i este permis transmisia de date. Multiplexorul preia datele de la
sursele conectate la el, le ncarc n canalul TDM corespunztor, iar la cellalt capt al cablului,
demultiplexorul descarc datele din fiecare canal i le trimite la utilizatorul corespunztor.
2.2.3. Multiplexarea prin divizarea n lungime de und (WDM) pe cabluri de fibr
optic
Telecomunicaiile optice permit transmisia unor semnale analoage sau digitale de pn la
civa GHz sau Gb/s pe o und purttoare de foarte nalt frecven, tipic 186 196 THz. n fapt,
viteza de transmisie a datelor poate fi crescut mai mult, folosind mai multe unde purttoare care
se propag fr vreo interaciune semnificativ n aceeai fibr. Este evident c fiecare frecven
corespunde unei lungimi de und diferite. Aceast tehnic se numete multiplexare prin divizarea
frecvenei (Frequency Division Multiplexing FDM) sau multiplexare prin divizarea lungimii de
und (Wavelength Division Multiplexing WDM). Cel de-al doilea termen este preferat de
obicei, n majoritatea cazurilor. Multiplexarea prin divizarea dens a lungimii de und (Dense
Wavelength Division Multiplexing DWDM) este rezervat pentru o spaiere foarte strns a
frecvenei (tipic, mai puin de 100 GHz, corespunztor la 0,8 nm la lungimi de und n jurul
valorii de 1,5 m).
n WDM (figura 7.7), o multitudine de legturi de comunicaie, fiecare pentru o pereche
surs-utilizator dat, mpart acelai cablu de fibr optic pe baza divizrii n lungime de und.
Datele de la fiecare surs sunt atribuite unei lungimi de und optice. Multiplexorul conine
circuite de modulaie i transmisie i moduleaz fiecare canal de date de la fiecare surs.


Fig. 7.7 Schem conceptual a procesului de multiplexare prin divizarea lungimii de und

Dup procesul de modulaie, semnalul optic rezultat, generat pentru fiecare canal de date
de la fiecare surs, este plasat pe o purttoare de lungime de und atribuit. Apoi, multiplexorul
cupleaz totalitatea semnalelor optice generate, pentru toate canalele de date de la surse, n cablul
de fibr optic. Aceste semnale optice de lungime de und diferit se propag simultan, spre
deosebire de TDM.

MUX

DMX

n fibr optic
La utilizator, demultiplexorul primete aceste semnale optice simultan i le separ
conform diferitelor lungimi de und (operaia de demultiplexare), corespunztor diferitelor
canale de date surs-utilizator. Acestea sunt n continuare demodulate i furnizate utilizatorilor
respectivi.
WDM a primit o imens atenie n contextul problemelor legate de reelele de arie larg
(Wide Area Networks WAN). Att sistemele de televiziune prin cablu (CATV), ct i cele de
telecomunicaie utilizeaz din ce n ce mai mult WDM pentru a mri capacitatea reelelor de
fibr optic instalate. n mediul WAN, multiplicitatea canalelor printr-o singur fibr a crescut
imens prin utilizarea WDM. Aceast cretere a dus la termenul multiplexare prin divizarea dens
n lungime de und (DWDM), pentru a descrie noile tehnici WDM utilizate.
Conceptul de multiplexare optic dateaz din anii 50 ai secolului XX i ea reprezint o
transpunere a tehnicilor folosite n telecomunicaiile clasice cu semnale electronice. Primele
componente practice pentru multiplexare au fost propuse prima dat n anii 70.
n prezent, majoritatea reelelor instalate utilizeaz o separare ntre canale de 0,8 nm.
Standardul Uniunii Internaionale de Telecomunicaii (International Telecommunication Union
ITU) propune o gril de frecvene cu separare de 100 GHz (aproximativ 0,8 nm), cu multipli i
submultipli. La o prim privire, o fibr fr OH ar permite 1.000 de canale la spaiere de 50 GHz.
Desigur, sunt unele limitri care apar. Principala problem este diafonia (crosstalk), datorat
defectelor tehnice n demultiplexor, dar i problemelor fizice, cum este conversia lungimii de
und de-a lungul fibrei prin FWM, SBS, SRS, sau alte efecte neliniare.

3. Elemente de optic integrat

4. Senzori cu fibr optic
Senzorii cu fibr optic sunt adesea grupai n dou clase: senzori cu fibr optic extrinseci,
sau hibrizi i senzori cu fibr optic intrinseci, sau integrali. Figura 9.1 ilustreaz cazul unui
senzor cu fibr optic extrinsec sau hibrid.



Fig. 9. 2 Senzor cu fibr optic extrinsec

n acest caz, o fibr optic duce spre o cutie neagr, care imprim informaia n
fasciculul de lumin transmis prin fibr, ca rspuns la un fenomen din mediul nconjurtor.
Informaia poate fi imprimat ca intensitate, faz, frecven, polarizare, coninut spectral sau alte
metode. O fibr optic transmite apoi lumina cu informaia imprimat spre un procesor optic
i/sau electronic. n unele cazuri, fibra optic de intrare acioneaz i ca fibr de ieire.
Senzorul cu fibr optic intrinsec, sau integral, prezentat n figura 9.2, utilizeaz o fibr
optic pentru a transmite fasciculul de lumin i fenomenul din mediul nconjurtor imprim
informaia n acesta n timp ce este n fibr.



Fig. 9. 2 Senzor cu fibr optic intrinsec, n care fasciculul de lumin ce se propag prin fibra
optic este modulat de fenomenul din mediul nconjurtor

Fiecare dintre aceste clase au, la rndul lor, mai multe subclase.
n unele cazuri, cel mai simplu tip de senzor cu fibr optic este tipul hibrid, care se
bazeaz pe modulaia de intensitate. Figura 9.3 prezint un senzor de vibraie sau nchidere, care
const din dou fibre optice care sunt inute una n apropierea celeilalte. Lumina este injectat n
una dintre fibrele optice i cnd iese, este expandat ntr-un con de lumin al crui unghi depinde
de diferena dintre indicele de refracie al miezului i nveliului fibrei optice. Cantitatea de
lumin captat de cea de-a doua fibr optic depinde de unghiul su de acceptan i de distana
d dintre fibre. Cnd distana d este modificat, rezult o modulaie de intensitate a luminii
captate.


Fig. 9. 3 Senzor de vibraie i nchidere

O variant a acestui tip de senzor este prezentat n figura 9.4. Aici este utilizat o
oglind care este montat flexibil, pentru a rspunde unui efect extern, cum ar fi presiunea. Cnd
poziia oglinzii se modific, separarea dintre fibrele optice se modific, avnd drept rezultat
modulaia de intensitate. Aceste tipuri de senzori sunt utili pentru aplicaii cum sunt nchiderea
uilor i ferestrelor.



Fig. 9. 4 Senzor cu oglind flexibil

Prin aranjarea a dou fibre optice n paralel, poate fi configurat un senzor simplu de
translaie, ca n figura 9.5. Ieirea de la cei doi detectori poate fi proporionat pentru a determina
poziia de translaie a fibrei de intrare.



Fig. 9. 5 Senzor de translaie cu fibr optic

S-au dezvoltat senzori cu fibr optic de poziie de rotaie i liniar, care au ca scop
eliminarea interferenelor electromagnetice pentru a perfeciona protecia a reduce nevoia de
ecranare i, deci, gabaritul. Figura 9.6 prezint un senzor de poziie de rotaie care const dintr-o
plac codat, cu zone de reflectan variabil, plasate astfel ca fiecare poziie are un cod unic. O
serie de fibre optice sunt utilizate pentru a determina prezena sau absena unei anumite zone.



Fig. 9. 3 Senzor de poziie de rotaie bazat pe msurarea reflectanei unor zone ntunecate i
luminoase

Un exemplu de senzor de poziie liniar utiliznd multiplexarea prin divizarea lungimii
de und este ilustrat n figura 9.7. Aici, o surs de lumin de band larg, care poate fi o diod
emitoare de lumin (LED) este utilizat pentru a cupla lumina n sistem. O singur fibr optic
este utilizat pentru a transmite fasciculul de lumin pn la elementul de multiplexare prin
divizarea lungimii de und (WDM) care mparte lumina n fibre separate, care sunt utilizate
pentru a interoga o cartel de codare i determina poziia liniar. Dreptunghiurile de pe cartel
reprezint zone de mare reflectan, iar restul suprafeei are o reflectan sczut. Semnalele
reflectate sunt apoi recombinate i separate printr-un al doilea element de multiplexare prin
divizarea lungimii de und, astfel nct fiecare semnal este citit de un detector separat.



Fig. 9. 7 Senzor de poziie liniar utiliznd multiplexarea prin divizarea lungimii de und

O a doua metod de interogare la un senzor de poziie utiliznd o singur fibr optic este
metoda multiplexare prin divizarea timpului (TDM). n figura 9.8, sursa de lumin este pulsant.
Pulsurile de lumin se propag prin fibra optic i se mpart prin multiple fibre de interogare.
Fiecare dintre aceste fibre este aranjat astfel ca ele s aib linii de ntrziere care separ
semnalul de ntoarcere de la cartela de codare printr-un interval de timp care este mai lung dect
durata pulsului. Cnd semnalele de ntoarcere sunt recombinate pe detector, rezultatul este un
semnal codat corespunznd poziiei cartelei de codare.



Fig. 9. 8 Senzor de poziie liniar utiliznd multiplexarea prin divizarea timpului

Principalele avantaje ale senzorilor de poziie cu fibr sunt imunitatea la interferenele
electromagnetice i gabaritul redus.
O alt clas de senzori cu fibr optic bazai pe msurarea intensitii este cea care
folosete principiul reflexiei totale. n cazul senzorului din figura 9.8, lumina se propag prin
miezul fibrei i ajunge la captul nclinat al acesteia. Dac mediul n care este plasat captul
fibrei are un indice de refracie suficient de mic, atunci practic toat lumina este reflectat i se
ntoarce n fibr. Dac indicele de refracie al mediului se apropie de cel al sticlei, o parte din
lumin se propag n afara fibrei optice i este pierdut, rezultnd o modulaie de intensitate.



Fig. 9. 9 Senzor cu fibr pentru msurri de presiune/indice de refracie

Acest tip de senzor poate fi utilizat pentru msurarea presiunii sau a modificrii indicelui
de refracie ntr-un lichid sau gel cu o acuratee de 10%. Aceast metod poate fi folosit i
pentru msurarea nivelului unui lichid aa cum se prezint situaia din figura 9.10.



Fig. 9. 10 Senzor cu fibr pentru msurri de nivel al lichidului

Confinarea propagrii fasciculului de lumin n regiunea miezului fibrelor i transferul de
putere ntre dou miezuri de fibr plasate foarte apropiat pot fi utilizate pentru obinerea unor
senzori cu fibr bazai pe evanescen. Figura 9.11 ilustreaz un astfel de senzor. Pentru o fibr
optic monomod, distana dintre miezurile fibrelor este de ordinul a 10 20 m.



Fig. 9. 11 Senzor cu fibr optic bazat pe evanescen

Cnd este utilizat o fibr monomod, apare o scurgere considerabil de energie din
fasciculul de lumin n jurul regiunii miezului, n nveli sau n mediul din jur. Dac un al doilea
miez de fibr este plasat n regiunea de evanescen a primului, apare o tendin de cuplare a
miezurilor adiacente. Cuplajul depinde de un numr de parametri, printre care lungimea de und
a luminii, indicele de refracie relativ al mediului n care sunt plasate miezurile de fibr, distana
dintre miezuri i lungimea de interacie. Acest tip de senzor cu fibr poate fi utilizat pentru
msurarea lungimii de und, a indicelui de refracie i observarea unor fenomene din mediul
nconjurtor acionnd asupra mediului din jurul miezului (temperatur, presiune i tensiuni
mecanice). Dificultatea la acest tip de senzor, care este comun mai multor senzori cu fibr, este
optimizarea proiectrii, astfel nct s fie detectai numai parametrii dorii.



Fig. 9. 12 Senzor cu fibr optic bazat pe evanescen

Un alt mod n care lumina se poate pierde din fibra optic este atunci cnd raza de
curbur a fibrei depete unghiul critic necesar pentru confinarea luminii n zona miezului i
apare o scurgere n nveli. Micro-ndoiturile locale ale fibrei pot determina astfel o modulaie de
intensitate a luminii ce se propag prin fibra optic. Au fost construii senzori cu fibr bazai pe
micro-ndoituri, pentru detecia vibraiilor, presiunii i a altor mrimi caracteristice fenomenelor
din mediul nconjurtor. Figura 9.12 prezint un dispozitiv tipic, constnd dintr-o surs de
lumin, o seciune de fibr optic poziionat ntr-un traductor cu micro-ndoituri, proiectat s
moduleze intensitatea luminii ca rspuns la un fenomen din mediul nconjurtor i un detector.
Un ultim exemplu de senzor bazat pe intensitate este dispozitivul cu reea, prezentat n
figura 9.13. Aici, un fascicul de lumin este colimat de o lentil i trece printr-un sistem cu dubl
reea. Una din reele este fix, iar cealalt este mobil. Rezult modificri n intensitatea
semnalului modulat la ieirea din fibra optic, care sunt n funcie de acceleraia cu care se
modific poziia relativ a reelelor.



Fig. 9. 13 Senzor de intensitate cu fibr, cu reea, pentru msurarea vibraiilor sau acceleraiei

O limitare a acestui tip de dispozitiv este datorat modificrilor n sensibilitatea
senzorului cnd reelele se deplaseaz din poziia de transparen total n cea de opacitate total.
O categorie distinct de senzori este cea a senzorilor spectrali cu fibr optic, care se
bazeaz pe modularea n lungime de und a unui fascicul de lumin, de ctre un fenomen din
mediul nconjurtor. Exemple de astfel de tipuri de senzori includ pe cei bazai pe radiaia
corpului negru, absorbie, fluorescen, etaloane i reele dispersive.
Unul dintre cei mai simpli senzori de acest tip este cel descris n figura 9.14. O cavitate
cu rol de corp negru este plasat la captul unei fibre optice. Cnd temperatura cavitii crete,
ea ncepe s radieze i acioneaz ca o surs de lumin.



Fig. 9. 14 Senzor spectral ce permite msurarea temperaturii

Senzorul utilizeaz detectori n combinaie cu filtre de band ngust pentru determinarea
profilului radiaiei, din care se obine temperatura (la peste 300 C). Performana i precizia
acestui tip de senzor sunt mai bune temperaturi mai mari i scade drastic la temperaturi n jurul a
200 C, datorit raportului semnal-zgomot mic.
Un alt tip de senzor spectral de temperatur este prezentat n figura 9.15 i este bazat pe
absorbie. n acest caz, este utilizat o prob din GaAs, n combinaie cu surs de lumin de
band larg i fibre optice. Profilul de absorbie al probei este dependent de temperatur i poate
fi utilizat pentru a determina temperatura.



Fig. 9. 15 Senzor cu fibr optic bazat pe absorbana variabil a unui material (GaAs), care
permite msurarea temperaturii i presiunii

Senzorii cu fibr bazai pe fluorescen sunt larg utilizai pentru aplicaii medicale, n
chimie i pentru msurarea unor parametri fizici, ca temperatura, viscozitatea i umiditatea. Sunt
diferite configuraii pentru aceti senzori, dintre care una este cea a senzorului n care lumina se
propag prin fibr spre o prob de material fluorescent plasat la captul acesteia. Semnalul
fluorescent rezultat este captat de aceeai fibr i direcionat napoi, spre un demodulator de
ieire. Sursele de lumin pot fi n pulsuri i sunt disponibile probe al cror rspuns depinde de
viteza de scdere a intensitii pulsului de lumin.
n modul continuu, pot fi monitorizai parametri ca viscozitatea, coninutul de vapori de
ap, procentul de coninut de fibr de carbon n materialele compozite epoxy i termoplastice.
O variant este cea care utilizeaz proprietile de evanescen ale fibrei prin gravarea
regiunilor din nveliul fibrei i umplerea golurilor cu material fluorescent.
Sunt n uz, de asemenea, senzori cu fibr optic interferometerici.
Senzori cu fibr optic s-au dezvoltat i utilizat n dou direcii majore. Prima este ca
nlocuitor direct pentru senzorii existeni, unde senzorul cu fibr ofer avantajul de performan
semnificativ mbuntit, fiabilitate, siguran i/sau cost.
Astfel, se urmrete nlocuirea tehnologiei convenionale cu senzori electronici prin
tehnologii cu senzori cu fibr optic, ce ofer senzori cu imunitate relativ la interferene
electromagnetice, reduceri semnificative n gabarit i siguran n funcionare crescut.
A doua direcie de dezvoltare a senzorilor cu fibr optic este n domeniile de aplicaie
noi.
n industrie, senzorii cu fibr s-au dezvoltat n special pentru procesul de control. O alt
arie n care senzorii cu fibr optic sunt utilizai pe scar larg este domeniul medicinii, unde
acetia sunt utilizai pentru msurarea unor parametri i a nivelului de dozare a unor
medicamente. Deoarece aceti senzori sunt complet pasivi, ei tind s nlocuiasc rapid alte tipuri
de senzori n acest domeniu. Industria de automobile, cea de construcii i alte domenii
tradiionale de utilizare a senzorilor rmn nc dependente de tehnicile clasice, n principal
datorit costurilor, dar o schimbare a situaiei este de ateptat ca urmare a perfecionrilor n
optoelectronic, ce continu s aib loc.
5. Stocarea optic a informaiei
5.1. Construcia compact-discurilor; codificarea datelor
Un compact disc (disc optic) are un diametru de 120 mm (~ 4,72 inci) sau 80 mm (~ 3,15
inci) i o grosime de 1,2 mm. Gaura central are un diametru de 15 mm. Discul este confecionat
din policarbonat (un material plastic transparent) i datele sunt nscrise pe una din suprafee.
Aceasta este acoperit cu un strat subire de aluminiu, care reflect lumina i permite citirea
informaiei inscripionate cu ajutorul unui laser n unitatea CD. Informaia este stocat sub forma
unei structuri de adncituri microscopice inscripionate pe spiral care pleac din centrul discului
i ajunge la marginea acestuia. Pentru evitarea prejudicierii stratului metalic, peste acesta este
aplicat un lac protector.
nainte de fabricarea n serie a discului, trebuie realizat iniial un exemplar master, prin
aa-numitul proces de mastering Se ncepe cu pregtirea datelor. Diferitele fiiere i date sunt
aranjate n structuri logice, conform standardelor industriale, este generat apoi o imagine a CD-
ROM-ului, sunt adugate informaii de sincronizare, un header i coduri pentru detectarea i
corectarea erorilor. Pentru toat informaia ce urmez a fi stocat pe compact disc este creat un
fiier imagine, care este scris pe o band magnetic. Cea mai convenabil cale pentru a testa un
CD nainte ca el s fie produs ntr-un mare numr de exemplare este producerea unui CD-R, care
poate reprezenta baza produciei CD-ului.
n procesul de mastering, informaia este transferat de ctre un dispozitiv de nregistrare
laser (Laser Burn Recorder - LBR) pe stratul fotosensibil depus pe un disc de sticl numit glass
master. Acest proces special este numit imaging. Imediat dup expunerea laser, discul de
sticl master este developat prin aplicarea pe suprafaa masterului a unei substane de developare,
astfel nct n stratul fotosensibil este gravat modelul adnciturilor. Masterul de sticl este
pregtit pentru etapa urmtoare de producie prin depunerea unui strat de argint pe suprafaa
fotosensibil. n acest moment, masterul de sticl are trei straturi: sticla, fotorezistul cu modelul
de adncituri i stratul de argint. n final, ntr-o baie de acoperire, masterul este acoperit cu un
strat de nichel. Stratul de nichel formeaz discul-tat (father part), care este apoi separat de
masterul de sticl i reprezint o imagine oglind a acestuia; n locul adnciturilor, pe suprafa
apar mici ridicturi. Din acest disc-tat este produs discul-mam, din care se obin mai multe
discuri-fii, care sunt copii (imagini) ale discului-tat. Matria pentru producerea CD-urilor este
discul-tat sau un disc-fiu. Ea este plasat ntr-o main de injectat mase plastice, unde, pe
suprafaa ei se toarn un strat de policarbonat. Apoi, discul de policarbonat obinut este acoperit
cu un strat metalic, astfel nct pe suprafaa de policarbonat este creat modelul de adncituri,
corespunznd masterului. Apoi este aplicat un lac protector.
Deci, diferitele stadii ale producerii unui CD sunt: dezvoltarea aplicaiei; pregtirea
datelor; pre-mastering; mastering; multiplicare; etichetare; ambalare.
Toate dispozitivele de stocare optic utilizeaz pentru citirea informaiei de pe disc un
fascicul laser. Acest fascicul este generat de un mic laser cu GaAs. Pentru citirea informaiei,
fasciculul laser este focalizat pe spirala cu adncituri de pe disc. Lumina este reflectat n moduri
diferite de adncituri i de zona plan dintre acestea. La ntlnirea unei adncituri, lumina este
difractat, n timp ce lumina ce cade pe zona plan dintre adncituri este reflectat i poate fi
detectat de un fotodetector. Pentru a citi informaia de pe disc, raza laser trebuie s fie focalizat
ntr-un spot circular de dimensiuni foarte mici. Adnciturile au o lime de 0,6 m i adncimea
de 0,12 m, lungimea adnciturilor sau a zonelor plane dintre ele putnd fi de 0,833 3,56 m.
Astfel, densitatea pistelor este de aproximativ 16000 urme/inci (tracks per inch - tpi). Pentru
comparaie, un floppy-disc are 96 tpi i un hard-disc cteva sute. Lungimea pistei unui disc de
120 mm este de aproximativ 6,5 km.
Exist dou tehnici de scriere i citire a informaiei stocate optic. Aceste tehnici sunt
numite CLV i CAV, fiind utilizate iniial pentru diferite tipuri de video-disc.
CAV (Constant Angular Velocity) este tehnica n care discul se rotete cu o vitez de
rotaie constant, de 1800 rotaii/min (rpm) pentru standardul NTSC, sau 1500 rpm pentru PAL
i SECAM. Astfel, pe fiecare fa a unui video-disc pot fi stocate 36 de minute de informaie
video. Pista CAV nu este continu de la centru spre exterior ntr-o singur linie; sunt mai multe
piste, aranjate sub form de inele concentrice cresctoare n diametru de la centru spre exterior.
Fiecare pist stocheaz o imagine video. Video-discul CAV este utilizat pentru aplicaii
interactive.
CLV (Constant Liniar Velocity) este tehnica n care discul nu se rotete cu o vitez
constant, ci variabil, n aa fel nct fasciculul laser parcurge pista i citete informaia cu
vitez liniar constant. Astfel, cnd fasciculul laser este localizat spre centrul discului, acesta se
rotete cu vitez mai mare, n timp ce atunci cd fasciculul laser citete o zon aflat spre
exteriorul discului, acesta se rotete cu o vitez mai mic. Viteza de rotaie a unui disc CLV
variaz ntre 500 i 1800 rpm (spectrul de la cea mai mic la cea mai mare vitez depinde de
sistemul video, NTSC, PAL sau SECAM). CLV permite nregistrarea a aproximativ 60 minute
de informaie video pe o fa a video-discului. Exist ns i dezavantaje ale acestei tehnici: nu se
poate avea acces aleatoriu la o imagine oarecare, nu se pot reda imagini cu ncetinitorul sau cu
derulare rapid i nu se poate obine o imagine static (stop-cadru).
Pe un video-disc sunt nregistrate semnale analoage. n schimb, informaia pe un compact
disc este stocat complet digital. Astfel, avantajul capacitii mai mari a CLV poate fi combinat
cu accesul aleatoriu la orice informaie de pe disc. Toate compact-discurile opereaz cu tehnica
CLV. Viteza de rotaie variaz ntre 200 i 500 rpm. Timpul mediu de acces la informaia de pe
un compact disc este mare (n comparaie cu un harddisk) deoarece este necesar un anumit timp
pentru ajustarea vitezei de rotaie corespunztoare locaiei citite. Unitile CD-ROM de calitate
au un timp mediu de acces de sub 300 ms.
Aparent, s-ar putea crede c este foarte simplu de codificat informaia pe un compact
disc: 1 pentru adncituri i 0 pentru zona plan, sau invers. n realitate, lucrurile nu stau chiar
aa: adnciturile, ca i zonele plane reprezint 0 logic, iar 1 logic reprezint tranziia de la o
adncitur la o zon plan sau invers. Lungimea adnciturilor i a zonelor plane indic numrul
de zerouri.
Reprezentarea biilor printr-un model de adncituri i zone plane necesit utilizarea aa-
numiilor bii-canal (channel-bits). Prin codificarea unei succesiuni de bii utiliznd adncituri i
zone plane este imposibil s se reprezinte succesiuni de 1. Chiar i prin utilizarea celor mai
scurte adncituri i zone plane posibile, vor fi mereu doi 0 ntre doi 1. Dac tranziiile ar fi mai
apropiate, ele nu ar putea fi citite de fasciculul laser sau ar conduce la erori mari. Din acest
motiv, 1 byte de informaie nu poate fi reprezentat doar de 8 bii. 1 byte de informaie poate
reprezenta 2
8
= 256 valori diferite. Pentru a obine 256 de combinaii diferite de bii pentru
reprezentarea a 256 valori este nevoie de 14 bii-canal, ceea ce nseamn minimul necesar pentru
reprezentarea a 8 bii-utilizator pe un CD. Astfel, la citire este nevoie de un tabel pentru
convertirea modelului de 14 bii-canal n 8 bii-utilizator pentru 1 byte. Pe de alt parte, cnd se
produce un CD, cei 8 bii ai fiecrui byte trebuie s fie transformai n 14 bii-canal. Aceast
transformare este numit modulaie 8-14 (Eight to Fourteen Modulation - EFM).
Rmne, totui, o problem. Dac se reprezint un byte cu 14 bii-canal i la sfritul
acestuia este un 1, acesta ar putea fi situat prea aproape de succesiunea de bii urmtoare, a celor
14 bii-canal, care ar putea ncepe tot cu 1. De aceea, trebuie s fie plasai civa bii ntre
simbolurile a doi bii-canal succesivi. Pentru rezolvarea acestei probleme, sunt utilizai 3 bii de
legtur (merge-bits). n total, sunt necesari 14 + 3 bii-canal pentru a reprezenta 1 byte pe un
CD.
ntotdeauna sunt mpachetai cte 24 baii-utilizator ntr-un pachet numit cadru (frame).
Cadrele sunt unitile de baz de stocare a datelor pe disc. Un cadru nu const ns numai din
aceti 24 baii-utilizator. El mai conine i o structur de sincronizare pentru aliniere, constnd
din 24 bii-canal plus 3 bii de legtur.
ntr-un cadru se mai afl 1 bait de informaie pentru aa-numitele sub-canale, i nc 8
baii pentru detectarea i corectarea erorilor.
Astfel, un cadru este alctuit din:
- blocul de sincronizare (sync pattern) 24+3 channel-bits
- blocul de cod sub-canal 1(14+3) channel-bits
- blocul de date utilizator 24(14+3) channel-bits
- blocul de detecie i corecie a erorilor 8(14+3) channel-bits
Pentru un cadru sunt utilizai n total 588 bii-canal. Cnd se citete informaia de pe un
compact disc, unitatea elimin mai nti cei 27 bii de sincronizare. Cei 561 bii-canal rmai
sunt convertii printr-o modulaie 8-14 invers n 33 baii [561/(14+3)=33]. Unul dintre acetia,
baitul de sub-cod, este trimis la un decodificator special, iar 8 baii sunt utilizai pentru detecia i
corecia erorilor. Orice CD player sau CD-ROM au un dispozitiv special pentru detecia i
corecia erorilor, care utilizeaz aceti 8 baii. Dac nu sunt erori, sau dup corectarea datelor,
aceti 8 baii sunt descrcai. Astfel, rmn 24 baii utili, de date ntr-un cadru. 98 de cadre
formeaz un sector (bloc), cu 2352 baii (98 cadre 24 baii). Majoritatea formatelor de CD
difer prin subdivizarea sectoarelor. Sectoarele se succed cte 75 pe secund. Informaia pe disc
este adresat n minute, secunde i sectoare (mm:ss:ss).
Toate formatele de CD, adic CD-DA, CD-ROM, CD-ROM/XA, CD-I etc., utilizeaz 9
baii din cei 33 ai unui cadru astfel: un bait de cotrol al sub-canalului i 8 pentru detecia i
corecia erorilor.
Pe un CD se ntlnesc dou tipuri diferite de erori. n primul rnd, erorile se pot produce
n timpul procesului de fabricaie: mici bule de aer sau impuriti microscopice n policarbonat
pot afecta propagarea fasciculului laser. Standardul admite 250 erori/s. Alte erori pot fi
determinate de amprente, zgrieturi, sau pete. Erorile sunt eliminate printr-un sistem special de
corectare a erorilor. Toate metodele de corectare a erorilor sunt bazate pe informaia redundant,
n combinaie cu algoritmi matematici specifici pentru detectarea erorilor i pentru reconstrucia
valorilor datelor originale. Schemele pentru detecia i corecia erorilor se numesc EDC (error
detection code), ECC (error correction code), i EDAC (error detection i correction code).
Codul de detecie a erorilor (EDC) pentru CD este bazat pe un bine-cunoscut cod de corectare a
erorilor, numit Reed Solomon Code. Playerele CD audio, ca i unitile CD-ROM, utilizeaz o
schem de corecie intern, numit Cross Interleaved Reed Solomon Code (CIRC). Decodorul
este integrat n hardware. Aceast corecie a erorilor este foarte eficient: maxim o eroare
necorectat la 109 baii pe un CD audio. Pentru stocarea datelor pe un CD-ROM este necesar o
corecie adiional a erorilor, numit Layered ECC (cod de corecie a erorilor stratificat); baiii
pentru aceasta sunt transmii mpreun cu datele din sectorul de utilizator. Codul Layered ECC
este decodat prin mijloace hardware sau software.

5.2. Tipuri de compact-discuri
1. CD-Digital Audio (CD-DA)
CD Digital Audio (CD-DA) a fost definit n 1982 n Cartea Roie de ctre Philips i
Sony. Un sector CD-DA are 2352 baii de date de utilizator. Pistele sunt adresate n minute,
secunde i sectoare. Informaia de adres este stocat n subcanalul Q. Timpul maxim de rulare a
unui CD de 12 cm este de 74 minute, respectiv 21 minute pentru un CD de 8 cm. Pentru
adresarea unui CD audio sunt dou moduri de msurare a timpului de adresare:
- ATime, adic timp absolut (absolute time), care este msurat de la pornirea discului;
- Track Relative Time, adic timpul relativ al pistei, care este msurat de la nceputul pistei.
Cele 99 piste de pe un disc pot fi accesate direct de ctre un CD-DA player. O pist este o
secven continu de date. Fiecare pist trebuie s conin cel puin 4 secunde (adic 300
sectoare, ntruct o secund este divizat n 75 sectoare). Pentru o pist poate fi utilizat la maxim
ntregul CD. O singur melodie sau secven muzical este atribuit unei piste pe CD-DA. Pe un
CD-DA, toi cei 2352 baii ai unui sector sunt date de utilizator, astfel nct 2353 baii
multiplicai cu 75 sectoare (176400 baii) sunt transferai ntr-o secund, ceea ce nseamn
aproximativ 1,41 Mb/s.
Pentru fiecare sector i 2352 baii de date de utilizator, sunt stocai 882 de baii
adiionali: 784 pentru codul de detecie i corecie a erorilor (CIRC) i 98 baii de control.
Fiecare bit al unui bait de control este desemnat printr-o liter: P, Q, R, S, T, U, V, i W. Primul
bit este bitul P, al doilea Q i aa mai departe. Succesiunea de date rezultnd din primul bit al
tuturor celor 98 de baii de control este numit sub-canalul P, iar succesiunea tuturor biilor din
poziia a doua, sub-canalul Q. Al treilea sub-canal combin biii R, S, T, U, V i W ntr-un
cuvnt de 6 bii i succesiunea acestora, rezultnd din cei 98 baii de control, este numit sub-
canalul R-W. Sub-canalul P are un marcaj (flag) ce indic nceputul datelor audio n pist. Sub-
canalul Q d codul de timp, ATime i Pist Relative Time. n blocul de nceput (lead-in) de pe
disc, acest sub-canal conine Cuprinsul (Table of Contents - TOC). 72 dintre cei 98 bii ai sub-
canalului Q sunt utilizai pentru informaii, ceilali pentru sincronizare, control i corectarea
erorilor (pentru sub-canale). Pe lng biii de sincronizare, control i corectarea erorilor, sub-
canalul R-W poate include date de utilizator (64 cuvinte de 6 bii pe sector) pentru informaie
adiional. Acest lucru este permis numai de specificaiile din Cartea Roie (pentru CD-DA), n
timp ce Cartea Galben impune ca aceti bii s fie 0. Pe un CD audio, sub-canalul R-W este
uneori utilizat pentru date grafice sau MIDI. (MIDI = Musical Instrument Digital Interface,
reprezint un protocol standard pentru comunicarea ntre instrumente muzicale electronice i
computere). Aceste discuri sunt numite CD+G (Compact disc plus graphics) or CD+MIDI, i pot
fi redate de un player special mpreun cu un aparat TV i o combin hi-fi.
2. CD-ROM
Imediat dup definirea standardului CD audio, s-a neles c acest mediu de stocare
pentru cantiti imense de date audio ar putea fi utilizat i pentru stocarea datelor de computer.
Totui, el a trebuit s fie adaptat pentru aceasta. Astfel, n 1984, Cartea Galben a firmelor
Philips i Sony a definit standardul CD-ROM pentru stocarea datelor de computer. S-au introdus
dou noi tipuri de sectoare: Mode 1, pentru stocarea datelor de computer i Mode 2, pentru datele
audio sau video/grafic comprimate.
n primul rnd, datele de computer necesit un acces mai precis dect acela al pistelor
unui CD audio. Pe un CD audio sunt accesate 99 de piste, n timp ce pe un CD-ROM pot fi mii
de fiiere de date care trebuie s fie accesate. Astfel, ambele formate, Mode 1 i Mode 2,
utilizeaz anumii baii la nceputul sectorului pentru o adresare precis. Primii 12 baii sunt baii
de sincronizare pentru separarea sectoarelor. Urmtorii patru baii sunt baii de header. Trei
dintre ei sunt utilizai pentru adresare, iar al patrulea este baitul de mod, care marcheaz modul
utilizat de sectoarele pistei.
Sectoarele de Mode 1 au 2048 baii de date de utilizator. Sectorul poate fi divizat n
blocuri logice. Pot fi utilizate diferite blocuri logice: blocuri de 512, 1024 sau 2048 baii.
Mrimea unui bloc logic nu poate fi mai mare dect mrimea sectorului.
Sectoarele sunt cele mai mici pri adresabile ale unui CD-ROM care pot fi accesate
independent de alte pri adresabile ale ariei nregistrate. Totui, pot fi accesate i blocuri logice
mai mici, prin intermediul unui sector. Baiii de adres a header-ului indic minute, secunde i
informaie adiional pentru blocuri. Prin aceast informaie poate fi identificat numrul blocului
logic (Logical Block Number - LBN). Primul sector fizic ce poate fi accesat este sectorul
00:02:00. Acest sector conine LBN 0. Dac sunt blocuri de 512 baii, 18000 blocuri fac un
minut, 300 fac o secund i 4 fac un sector. Astfel, se poate obine adresa blocului logic printr-un
algoritm simplu. Totui, n acest caz, trebuie sczute 600 blocuri, deoarece adresa primului
sector este 00:02:00 (2 secunde nseamn 600 blocuri).
CD-ROM Mode conine codul de detecie i corecie a erorilor (CIRC) al unui CD audio.
Totui, deoarece datele de computer necesit un nivel mai ridicat al integritii datelor este
implementat n CIRC un cod adiional de detecie i corecie a erorilor, numit Layered
EDC/ECC. Acesta necesit civa baii din sector dup datele de utilizator: 4 baii pentru detecia
erorilor i 276 baii pentru corecia acestora. ntre baiii pentru detecia erorilor i cei pentru
corecia acestora sunt 8 baii neutilizai. Acetia sunt redefinii n specificaiile CD-ROM/XA i
CD-I.
CD-ROM Mode 2 nu conine o schem adiional pentru detecia i corecia erorilor,
astfel nct toi cei 2336 baii de dup baiii de sincronizare i header sunt baii de utilizator.
Sectoarele Mode 1 i Mode 2 ale unui of CD-DA sau CD-ROM au aceeai mrime, dar
cantitatea de date utilizator care poate fi stocat difer considerabil, datorit utilizrii baiilor de
sincronizare, header, detecia i corecia erorilor. CD audio utilizeaz toi baiii unui sector
(2352) pentru date de utilizator, blocurile unui CD-ROM Mode 1 au 2048, iar Mode 2 au 2336
de date de utilizator. De aceea, ratele de transfer al datelor sunt diferite (aproximativ 1,22 Mb/s
pentru Mode 1 i aproximativ 1,4 Mb/s pentru Mode 2). Dei Mode 2 are o rat de transfer mai
ridicat i mai mult spaiu pentru date de utilizator, el nu este utilizat foarte des, cu excepia
tipurilor CD-ROM/XA i CD-I (care sunt ntotdeauna Mode 2).
Mode 2 poate fi citit i de uniti CD-ROM normale, dar este necesar utilizarea unui
software special.
3. CD mixt
Dac sunt necesare secvene audio de nalt nivel, pistele CD-ROM i CD audio pot fi
mixate pe un compact disc. Un CD are cadre, sectoare i piste. Pistele nu pot conine tipuri
diferite de sectoare, dar CD-ul poate avea diferite de piste. De obicei, prima pist a unui CD mixt
(Mixed Mode CD) este o pist CD-ROM Mode 1 i urmtoarele sunt piste CD-DA.
n general, exist o limitare important pentru CD mixt. O unitate CD-ROM poate s
citeasc pistele doar pe rnd, una dup alta, iar cnd este citit o pist audio, alte tipuri de date nu
pot fi transmise de la unitatea CD-ROM. Sunt dou metode obinuite pentru a rezolva aceast
problem. Prima este utilizarea unitii CD-ROM ca un player CD audio i transferarea dinainte
a programului de aplicaie i a datelor pe harddisk. Calculatorul poate astfel s citeasc
informaia program din memorie i s acceseze continuu datele audio. Pentru a face acest lucru,
calculatorul trebuie s dispun de memorie suficient i spaiu liber pe harddisk. Alternativa este
citirea informaiei program din memoria calculatorului nainte de accesarea datelor audio, dar
aceast metod atrage dup sine ntreruperea semnalului audio cnd urmtoarea poriune de date
trebuie s fie citit.
Pistele audio de pe un CD mixt pot fi adresate n dou moduri diferite: utiliznd ATime,
sau Pist Relative Time. n cele mai multe cazuri de utilizeaz Pist Relative Time, deoarece la
adresarea ATime, fiecare accesare audio necesit re-sincronizarea dac volumul datelor pistelor
CD-ROM Mode 1 s-a schimbat n timpul procesului de producie. Chiar dac pistele audio pot fi
redate cu un player CD audio, CD mixte nu trebuie s fie utilizate pe astfel de dispozitive,
deoarece n acest fel pot fi accesate i pistele CD-ROM, ceea ce ar putea duce la distrugerea
dispozitivului de redare.
4. CD-ROM/XA
Prima form a specificaiilor pentru CD-ROM/XA (Compact Disc-Read Only
Memory/eXtended Architecture) a fost introdus de Philips, Sony i Microsoft n septembrie
1989, iar descrierea final a sistemului (Final System Description) a urmat n martie 1991.
Totui, probabil nu aceasta va fi adevrata descriere final, ntruct CD-ROM/XA de nivelul 3
trebuie s integreze formatul MPEG i alte specificaii viitoare pentru identificarea sistemului de
operare gazd (GOE, Generic Operation Environments). Cum CD-ROM/XA nu este n realitate
un nou standard, ci o extensie a Crii Galbene i a definiiilor pentru CD-ROM, specificaiile
sunt numite uneori i Cartea Galben Extins (Extended YellowBook). Extensiile sunt legate de
specificaiile CD-I din Cartea Verde. Datorit acestor relaii i faptului c CD-ROM/XA poate
constitui o punte ntre sistemele de computer bazate pe XA i player-ele bazate pe CD-I, acest
standard este adesea privit ca veriga lips pentru producerea de discuri care s poat fi rulate pe
platforme diferite, pentru pieele industriale i de consum.
Pistele XA pot conine date codificate binar, dar i date video i grafice, date n format
text i date audio comprimate. Alte formate de CD utilizeaz numai un singur format de sector,
ntr-o singur pist. XA poate utiliza dou formate de sector diferite ntr-o pist. Astfel, un sector
poate fi urmat de altul, de tip diferit. Cele dou formate de sector XA sunt numite format 1 i 2
(Form 1 i Form 2). Utilizarea unuia sau a celuilalt depinde de coninut. Sectoarele de format 1
sunt utilizate pentru date de calculator. Ca i sectoarele CD-ROM Mode 1, ele pot avea un
Layered EDC adiional, utiliznd primii 12 baii pentru un modul de sincronizare i urmtorii 4
baii pentru date de header (adresare i descrierea modului). Ca i CD-ROM Mode 1, fiecare
sector format 1 conine 2048 baii de utilizator. Totui, spre deosebire de CD-ROM Mode 1, la
sectoarele format 1 este adugat un subheader dup baiii de header i nu mai exist baii
neutilizai ntre codul de detecie a erorilor codul de corecie a erorilor. EDC i ECC sunt plasate
mpreun i astfel cei 8 baii neutilizai n formatul anterior pot fi utilizai pentru subheader.
Sectoarele CD-ROM/XA format 1 conin date de computer. Sectoarele format 2 sunt aranjate n
acelai mod ca sectoarele format 1, cu excepia faptului c lipsete ECC. La sfritul datelor de
utilizator din sector este rezervat un cmp de 4 baii, care poate fi utilizat pentru controlul
calitii n timpul procesului de fabricare a discului, caz n care se utilizeaz acelai algoritm
EDC ca i pentru sectoarele format 1. n caz contrar, aceti baii sunt setai la zero.
Att sectoarele de format 1, ct i de format 2 utilizeaz 8 baii pentru un subheader care
specific datele de utilizator care urmeaz. Deoarece diferite sectoare, cu coninut diferit pot fi
stocate ntr-o manier ntreesut, primul bait din subheader este un numr pentru identificarea
sectoarelor ntreesute din cadrul unui anumit fiier. Un fiier ntreesut poate conine diferite
pri de informaie, care pot fi redate combinat sau separat. Al doilea bait din subheader este un
numr pentru selecia n timp real a informaiei. Pentru sectoare audio sunt utilizate numerele de
la 0 la 15, iar pentru sectoare video sau de date de calculator sunt utilizate numerele de la 0 la 31.
Urmtorul bait definete atributele globale ale sectorului i este numit baitul de submod. Fiecare
bit poate fi setat ca un marker (flag), de exemplu pentru a indica tipul informaiei (video, audio),
pentru a marca ultimul sector al fiierului (End Of File - EOF) sau ultimul sector al nregistrrii
(End Of Record - EOR) i pentru a fixa modul n timp real. Utilizarea sectoarelor n mod timp
real nseamn c sincronizarea citirii datelor este mult mai important dect integritatea acestora,
astfel nct corecia erorilor este efectuat numai dac sincronizarea datelor nu este afectat.
Aceasta este o caracteristic important cnd se utilizeaz date bazate pe timp, cum sunt fluxurile
de date audio. Ar fi de-a dreptul enervant pentru asculttor dac fluxul de date ar fi ntrerupt la
detectarea fiecrui bit eronat, a crui transmitere ar rmne totui probabil neobservat. Baitul de
submod este urmat de un bait pentru codificarea informaiei, care definete detaliile tipului de
date localizate n zona de utilizator a sectorului: tipul datelor audio (stereo sau mono), rezoluia
i tipul codificrii video etc. Pentru evitarea pierderilor de date, informaia din primii patru baii
din subheader este repetat n baiii 5 - 8. Este posibil mixarea pe un CD a pistelor CD-
ROM/XA, CD Mode 1 i CD audio, caz n care pista CD Mode 1 pist trebuie s fie prima pe
disc, urmat de o pist CD-ROM/XA i una CD audio.
CD-ROM/XA ofer un numr de avantaje n comparaie cu CD-ROM Mode 1, care devin
importante cnd se utilizeaz date dependente de timp n aplicaiile multimedia, deoarece datele
de calculator i datele audio comprimate pot fi citite astfel de pe aceeai pist.
Pe un CD-ROM normal, unele fiiere de pe pistele Mode 1 sunt citite i stocate n
memoria computerului sau trecute pe harddisk nainte ca aplicaia s poat fi lansat. Astfel, este
necesar un timp, care poate dura cteva secunde i uneori chiar minute, nainte ca utilizatorul s
primeasc primele informaii.
La utilizarea unui CD-ROM/XA, fiierele ntreesute pot fi citite n paralel, n acelai
timp. Sunt citite doar acele pri care sunt necesare n momentul respectiv. Utilizatorul obine
informaia n timp util i nu sunt necesare intervale lungi de timp de ateptare. Datele audio pot fi
separate de un controler la citirea discului, decomprimate i redate cu sisteme adecvate. Doar
datele necesare sunt transmise prin magistrala de date a calculatorului.
Ca i CD-ROM Mode 1, sectoarele format 1 admit o rat de transfer al datelor de 1,2 Mb/s; la
sectoarele format 2, rata crete la aproximativ 1,4 Mb/s, un sector fiind citit n 1/75 s i avnd n
plus 276 baii de date de utilizator, ceea ce nseamn transmiterea a 20 KB de date de utilizator
pe secund n plus.
Pentru producerea unui CD-ROM/XA este necesar un software special, care suport
ntreeserea fiierelor n diferite sectoare. n plus, este necesar un controler special pentru citirea
informaiei ntreesute de pe disc.
5. CD-I
Standardul CD-I a fost descris n 1987 de Philips i Sony n Cartea Verde. Sectoarele
unui CD-I sunt identice cu cele ale unui CD-ROM/XA i sunt la fel, n format 1 i 2. CD-I
permit ntreeserea sectoarelor i fiierelor n acelai mod ca la CD-ROM/XA. Din multe puncte
de vedere, s-ar putea spune c CD-I este un tip special de CD-ROM/XA pentru utilizarea n
dispozitive ale industriei electronice casnice. De aceea, specificaiile nu descriu doar formatul
sectoarelor, dar i sistemul de operare, numit CD-RTOS, pe care se bazeaz CD-I. Acesta este
derivat din OS-9. Playerele CD-I folosesc un microprocesor 68070 Motorola, fiind de obicei
montate ntr-un lan hi-fi i putnd citi i CD audio, CD foto, CD+G, utiliznd structuri
interactive i medii diferite: text, audio, grafic, animaii, video. Standardul CD-I specific
formate audio i video. Ele sunt de trei niveluri diferite pentru audio; nivelurile B i C sunt
suportate i de CD-ROM/XA. Pentru rezoluia video pe CD-I sunt definite trei niveluri: normal,
dublu i nalt. Rezoluia normal pentru TV NTSC 525 linii este 384 orizontal 240 vertical, iar
pentru sistemele PAL 625 linii 384 280. Dubla rezoluie are o rezoluie orizontal dubl i
rezoluie vertical normal, iar n rezoluia nalt ambele rezoluii, orizontal i vertical sunt
duble.
6. CD-I Ready
Un disc numit CD-I Ready este (virtual) un CD audio normal, cu anumite caracteristici
suplimentare, care pot fi redate numai cu player-e CD-I. Cartea Roie permite productorului s
stabileasc anumii indici pe un CD-DA. Dac acest mod este suportat de dispozitiv, player-ul
poate sri anumite zone marcate pe pist. De obicei sunt utilizai numai doi indici: index 0 i
index 1. Index 0 este localizat naintea zonei de tcere audio la nceputul unei piste, iar index 1
marcheaz nceputul unei piste audio. Tcerea audio dureaz 2 3 secunde. Index 0 pentru
prima pist nu este niciodat utilizat de player-ele CD audio. Pe prima pist la nceputul fiecrui
disc i Index 1 este ntotdeauna srit. CD-I Ready utilizeaz o zon de tcere mai larg ntre
index 0 i index 1, n care, naintea pistei 1 este plasat o pist CD-I care poate fi recunoscut
doar de un player CD-I. Player-ele CD audio normale ignor aceast zon, discul fiind citit ca un
CD audio normal. Player-ele CD-I pot identifica disc prin adresa de start. Dac adresa primei
piste este mai mic de 30 secunde, este vorba de un CD audio normal, n caz contrar locul unde
pot fi citite fiierele CD-I este scris n sectorul de date 00:02:16. Informaia este ncrcat n
memoria RAM a player-ului naintea nceperii redrii audio i apoi redat. n acest fel, CD-I
Ready poate fi privit ca un CD mixt utiliznd CD-I i CD-DA.
7. CD multisesiune
Termenul de CD multisesiune a fost utilizat pentru prima dat pentru CD Foto Kodak,
care stocheaz imagini de film. Astfel, ntr-o prim sesiune sunt stocate imaginile unui film i,
dac mai rmne spaiu, acesta poate fi folosit pentru o nou sesiune. Fiecare sesiune are
propriile bloc lead-in, spaiu de date i bloc lead-out. Acest mod de scriere a unui CD permite
scrierea de noi date la momente diferite de timp. Adugnd sesiuni nchise permite utilizatorului
s citeasc discul ca un CD-ROM n uniti CD obinuite. Pentru scrierea blocurilor lead-in i
lead-out pentru fiecare sesiune necesit ns o capacitate de stocare (aproximativ 20 MB), astfel
nct, dac sunt prea multe sesiuni, devine mai avantajoas scrierea discului o singur dat. Acest
mod de scriere poate fi ns utilizat i pentru scrierea sesiunilor pe un CD multisesiune, ceea ce
nseamn c o sesiune este scris continuu, de la blocul lead-in la blocul lead-aut, cu avantajul c
subcanalele P i Q sunt disponibile.
Alte moduri de transfer de date pe un CD-R sunt scrierea pist cu pist (track by track)
sau scrierea sector cu sector, Dar n acest caz datele nscrise sunt accesibile numai pentru
aplicaia particular folosit n procesul de fabricare a discului. Prin adugarea n momentul
finalizrii a structurilor ISO 9660, este posibil ns ca discurile scrise pist cu pist s poat fi
citite de uniti CD normale. Pentru fiecare bloc n modul de scriere pist cu pist sunt necesari
14336, dar aceasta nu reprezint o risip a capacitii, n comparaie cu scrierea unor mici sesiuni
multiple.
Scrierea sector cu sector este numit scriere incremental a pachetelor (incremental
packet writing), mod suportat numai de unitile CD mai noi.
8. CD-Extra
Avantajele discurilor multisesiune au fost utilizate iniial de CD-I ready. Metoda descris
mai sus a fost doar un mod de producere a CD-I ready. Dezavantajul acestei metode era acela c
utilizatorul ar fi putut accesa datele de pe CD-I utiliznd funcia de redare a unui audio player,
ceea ce ar fi putut distruge lanul audio. Astfel, s-a utilizat o alt metod, cu dou sesiuni, una
pentru pistele audio pist, a doua pentru date CD-I. Deoarece player-ele audio nu pot citi sesiuni
multiple, ele pot accesa doar prima sesiune, de tip audio. Aceeai problem apare i la utilizarea
unui CD mixt. Prima pist este o pist de date, care nu trebuie citit de un player audio. Pentru a
evita aceste probleme, conceptul de CD multisesiune a fost transferat la CD-ul mixt, rezultnd un
produs nou, numit CD-Extra. Tehnic, CD-Extra combin pistele normale de CD audio cu pistele
de date de CD-ROM/XA pe un disc de 12 cm i este similar cu CD mixt.
Dar player-ele audio pot accesa numai prima sesiune, incluznd pistele audio, n timp ce
unitile CD-ROM multisesiune pot citi i informaia din a doua sesiune, aflat n zona exterioar
a discului. O astfel de informaie poate fi de tipul video clip, text al melodiilor, biografii ale
artitilor, fotografii, animaie, aplicaii multimedia complete. Utiliznd conceptul de bridge disc,
a doua sesiune poate conine de asemenea date CD-I. CD-Extra care ruleaz pe un player audio
sau CD-I, ca i pe uniti echipnd un PC sau un computer Apple Macintosh sunt numite
Rainbow CD (CD curcubeu), deoarece conin piste conforme cu specificaiile Crii Roii (CD
audio), Crii Galbene (CD-ROM) i Crii Verzi (CD-I).
Discurile CD-Extra pot conine un fiier numit AUTORUN.INF, localizat n directorul
rdcin. Acesta conine informaie cu privire la diferitele platforme de computer care pot
executa aplicaiile de pe disc i are rolul de a porni aceste aplicaii cnd discul este introdus n
unitatea CD-ROM. CD-Extra este suportat de Microsoft Windows 9x i OS Apple Macintosh.
9. Bridge-Discul
Bridge-discurile sunt discuri coninnd informaie care poate fi citit pe uniti CD-
ROM/XA ce echipeaz un calculator, ca i cu CD-I player-e. Datorit caracterului identic al
sectoarelor i unor formate audio i video, bridge-discurile pot stoca date accesibile prin ambele
sisteme (dei sunt necesare programe diferite, depinznd de diferitele sisteme de operare). Toate
pistele de pe bridge-discuri trebuie s fie piste Mode 2. Specificaiile pentru bridge discuri, aflate
n Cartea Alb, au fost stabilite n octombrie 1991. Pentru producerea bridge discurilor este
necesar un software special. Un bine-cunoscut exemplu de bridge disc este Kodak Foto CD, care
ruleaz pe un player CD-I, ca i pe un sistem XA (i, bineneles, pe un player Foto CD).
10. CD-R, CD-MO i CD-RW
Toate CD-urile descrise pn acum sunt discuri read only, ceea ce nseamn c ele pot
fi doar citite uc player-e CD i uniti CD-ROM, dar informaia nu poare fi scris i stocat pe
astfel de discuri, cu excepia mijloacelor speciale de fabricaie. Fabricarea acestor CD Read-Only
cu maini de injectat materiale plastice, cnd se pot realiza un mare numr de copii are anumite
avantaje, n sensul c discurile pot fi produse foarte repede i la un pre sczut. Sunt ns i
dezavantaje, dac numrul copiilor este mic. n acest caz, o singur copie devine foarte scump,
iar procesul de producie este complicat i consum prea mult timp. Astfel, pentru un numr mic
de copii, ar fi mai avantajos de a scrie direct pe un disc.
S-au dezvoltat diferite metode de scriere pe un mediu de stocare optic, dar n general
sunt dou tipuri de discuri. Pe aa-numitele discuri WORM (Write Once-Read Many), informaia
poate fi scris o singur dat, procesul de scriere nefiind reversibil. Discurile MO (Magneto-
Optical) sunt reinscriptibile, astfel c informaia poate fi scris, tears i nlocuit cu alta. Cea
mai cunoscut technologie pentru discurile WORM a fost pus la punct de compania japonez
Taiyo Yuden. Construcia unui astfel de disc WORM este similar cu cea a unui CD normal. Pe
un disc de policarbonat se depune un strat subire de colorant organic (cianur sau ftalocianur).
Fasciculul laser determin schimbarea unor proprieti ale stratului de colorant n privina
absorbiei luminii. Peste stratul de colorant se depune un strat reflecttor de metal auriu
(considerat a avea proprieti mai bune dect cele ale aluminiului). Stratul metalic este acoperit
de un lac protector. Discul este preformat. Pe stratul de policarbonat este creat o spiral de 0,7
m care arat drumul de parcurs. De asemenea trebuie s fie disponibil i o anumit
informaie cu privire la viteza discului CLV, deoarece viteza de rotaie depinde de locul unde
scrie fasciculul laser pe disc. Astfel, pista are definite mici forme ondulatorii, a cror frecven
trebuie s fie meninut la 22,05 kHz n timpul nregistrrii. Exist de asemenea i o modulaie n
frecven, care indic poziia fasciculului laser i d o informaie codificat n timp (ATIP -
Absolute Time in Pregroove). La nceputul discului, nainte de blocul Lead-In, se afl o zon
numit zon de calibrare a puterii (Power Calibration Area - PCA) pentru aliniere i o zon
numit zon de memorie program (Program Memory Area - PMA) care conine numrul
pistelor nregistrrilor, inclusiv timpul de start i stop al acestora. Zona PMA este utilizat pentru
discurile nregistrate parial. Un disc WORM care corespunde standardului CD a fost definit de
Philips i Sony n noiembrie 1990 n Cartea Portocalie. Conform acestui standard, un CD-R sau
CD-WO poate fi citit de o unitate CD-ROM standard sau de un player audio. Totui, deoarece un
CD-R poate fi scris doar o dat, Cartea Portocalie permite prezena unor sesiuni multiple pe CD,
fiecare avnd propriile blocuri Lead-In, Program area, i Lead-out. Astfel, dup stocarea datelor
i terminarea primei sesiuni, o alt sesiune cu date suplimentare poate fi nregistrat ulterior. n
fiecare Lead-In este scris coninutul (TOC - Table of Contents); ultimul Lead-In conine
actualizarea ntregului disc. ncepnd cu 1992, majoritatea unitilor CD de pe pia sunt
capabile s citeasc sesiuni multiple.
Exist i un alt mod de scriere pe un disc. Discurile magneto-optice (MO) au un strat de
aliaj de ferit de terbiu i cobalt. Metoda MO de scriere modific i ea caracteristicile optice ale
unor puncte de pe suprafaa discului, astfel nct fasciculul laser de citire este reflectat ntr-o
manier diferit dect celelalte zone. Citirea unui disc MO se bazeaz pe efectul Kerr, astfel c
lumina polarizat liniar este influenat de un cmp magnetic, planul de polarizare fiind rotit.
Scrierea pe disc are loc cu un fascicul laser de putere, care este focalizat ntr-un spot foarte mic,
care nclzete aliajul la o temperatur la care proprietile feromagnetice ale acestuia se pierd.
Aceast temperatur este numit temperatur Curie. Pe cealalt parte a discului se gsete un
electromagnet, care magnetizeaz stratul de aliaj n zona de citire. Dac aceasta a fost nclzit
pn la temperatura Curie, nu mai are proprieti magnetice, astfel c la citirea cu un fascicul
laser de putere mic planul de polarizare a luminii nu este rotit n aceste zone. Rotirea planului
de polarizare este detectat cu un fotodetector.
Pe pia au aprut mai multe formate MO diferite, care nu sunt compatibile. Pentru a
standardiza aceste formate s-au stabilit specificaiile n Cartea Portocalie. Totui, datorit tipului
caracteristic de stocare optic, CD-MO nu pot fi citite de unitile CD-ROM normale sau de
player-e CD.
CD-RW, sau compact-discul reinscriptibil, lansat n 1997, se bazeaz pe o tehnic de
transformare de faz a unui material. Iniial unitile CD-ROM nu puteau citi CD-RW, deoarece,
n timp ce reflectana unui CD-R i a unui CD-ROM este definit a fi cel puin de 65 70 %,
reflectana unui CD-RW este de doar 15 20 %. La citirea acestor medii de stocare, unitile CD
normale trebuie s-i modifice valorile reflectanei, pentru a putea distinge zonele reflecttoare
de celel nereflecttoare.
Stratul ce conine informaia pe disc este constituit dintr-un aliaj de argint, indiu,
antimoniu i telur (Ag-In-Sb-Te). n faza iniial, acest strat este amorf. Prin nclzirea unei mici
zone, cu un fascicul laser de putere mare, aceasta trece ntr-o faz cristalin. Citirea datelor pe
disc se face cu un fascicul laser de putere mic, ce este reflectat de zonele cristaline i difuzat de
cele amorfe. Lumina reflectat este detectat de o fotodiod. Stratul de aliaj poate reveni la starea
amorf iniial prin nclzirea cu un fascicul laser pn la o anumit temperatur, diferit de cea
la care a avut loc trecerea n aceast stare.
Capacitatea unui CD-RW este de aproximativ 680 MB. Cu toate c Matsushita a
demonstrat c transformarea de faz se poate produce de mai mult de 1 milion de ori n ciclurile
de rescriere, aceast tehnic are practic o capacitate limitat de reinscripionare, depinznd de
complexitatea aliajului. Creterea performanelor duce ns la creterea preului, astfel c
meninerea acestuia la un nivel rezonabil face ca CD-RW disponibile s aib o limitare de
aproximativ 10000 cicluri de reinscripionare. De asemenea, a fost necesar i modificarea
standardelor ISO 9660 i un nou software pentru compatibilizarea CD-RW cu unitile CD
normale.
11. Minidiscul
Minidiscul, lansat pe pia de Sony n 1992, este adesea considerat un CD, dar n realitate
nu este aa. El este un disc MO, care nu se conformeaz cu standardele CD i nici mcar cu
specificaiile MO din Cartea Portocalie. Acest disc are un diametru de 2,5 inci i este acoperit de
un nveli de material plastic, precum un floppy-disk de 3,5 inci. El este utilizat pentru
nregistrri i redri audio n dispozitive electronice casnice, dar n viitor i se prevede o larg
utilizare n stocarea datelor, mai ales de tip multimedia.
12. CD Text
CD Text este o variant a formatului CD Digital Audio convenional, care ofer n plus
utilizatorului informaie de tip text (titlul albumului, numele artistului, titlurile cntecelor,
numele compozitorilor, aranjorilor, productorilor etc.).
13. DVD
n septembrie 1995 s-a propus i s-a acceptat un format unic pentru noua generaie de
discuri optice n format de nalt densitate. Pn atunci existau dou propuneri concurente:
Multimedia CD (MMCD), al unui grup de companii condus de Philips i Sony i Super Density
Disc (SDD), care a fost introdus de un consoriu numit SD Alliance, condus de Toshiba,
Matsushita, i Time Warner.
O privire asupra detaliilor tehnice ale unui DVD arat c principalele caracteristici ale
unui astfel de disc au fost adoptate din varianta SD. Discul este format prin alipirea a dou
discuri de grosime de 0,6 mm. Avantajul unui disc dublu este creterea valorilor mrimilor
caracteristice ale birefringenei, avnd ca rezultat reducerea aberaiilor optice n domeniul
spectral al luminii fasciculului laser. Pentru creterea densitii pistelor i alocarea unei zone de
dimensiuni mai mici pentru adnciturile de pe disc, lungimea de und a fasciculului laser a fost
redus de la 780 nm, pentru CD-ul obinuit, la maxim 650 nm. A fost necesar i modificarea
sistemului optic. Apertura numeric a acestuia a fost mrit substanial, de la 0,45 la 0,60. Aceste
modificri au permis creterea de patru ori a densitii informaiei pe disc. n comparaie cu un
CD obinuit, structura header-ului a fost modificat, eliminndu-se subcodul i utilizndu-se mai
puini bii de paritate. Discul de nalt densitate are o schem de corecie de erori mai eficient
dect CD-ul obinuit i utilizeaz un alt tip de modulaie. Aa cum s-a artat, CD-ul se bazeaz
pe modulaia EFM, la care, ca urmare a modului n care este stocat informaia, 8 bii sunt
reprezentai prin 14 bii canal propriu-zii i 3 bii de legtur, adic 17 bii canal reprezint 8 bii
de informaie. Sunt mai multe moduri efective de codificare a informaiei, cu raportul 8:16 i
8:15, care au fost propuse de Philips i Toshiba pentru discul de nalt densitate. Rezultatul
tuturor acestor modificri este o capacitate de mai mult de apte ori mai mare dect cea a CD-
ului obinuit. Primul disc de nalt densitate al firmei Toshiba (Super Density Disc - SDD) avea
o capacitate de 5 GB, utiliznd modulaia 8:15. Din motive de siguran mrit, noul DVD a
modificat metoda de modulaie la 8:16, stabilind un bit special pentru creterea siguranei, ceea
ce duce ns la scderea capacitii de la 5 GB la 4,7 GB pe fiecare strat de stocare a informaiei.
Sistemul DVD este compatibil cu formatele existente de CD, utiliznd un sistem special
de focalizare dubl pentru citirea discului. Prima aplicaie este distribuirea filmelor pe astfel de
discuri, utiliznd tehnologia de comprimare MPEG-2. Au aprut i soluiile tehnice pentru
discuri inscriptibile i reinscriptibile bazate pe straturi de colorant organic tehnologia
transformrii de faz.
5.3. Standarde pentru CD
Cnd este utilizat un CD ca mediu de stocare a datelor, este necesar un sistem pentru
accesul fiierelor i datelor, permind organizarea fiierelor n directoare i subdirectoare. La
nceputul folosirii tehnologiei CD-ROM nu exista un standard de sistem de fiiere care s
permit accesul sub sisteme de operare diferite. De aceea, productorii i-au creat propriile
sisteme, prin adaptarea sau direct a celor existente, cum ar fi MS-DOS sau Macintosh HFS
(Hierarchical File System). n acest caz, discurile pot fi citite doar de sistemul de operare
respectiv. Curnd s-a dovedit c este necesar un sistem de fiiere multi-platform. Reprezentanii
industriei electronice casnice i de computere au format un grup numit High Sierra Group
(HSG), dup numele hotelului din Nevada unde acesta s-a reunit prima dat n noiembrie 1985,
cnd s-a fcut i prima propunere de standardizare. n 1986 s-a renunat la propunerea HSG i s-
a trecut la conceperea unui standard ISO (International Organization for Standardization). n
1988 s-a adoptat standardul internaional ISO 9660, privind procesarea informaiei volumul i
structura de fiiere ale unui CD-Rom pentru schimbul de informaie (Information processing -
Volume i file structure of CD-ROM for information interchange). ntre ISO 9660 i propunerea
HSG exist unele diferene minore.
Software-ul care permite unui computer cu sistem de operare MS-DOS s citeasc discuri
n standard ISO 9660 este numit MSCDEX.EXE (Microsoft CD-ROM Extensions). Acest
program este desemnat din fiierul AUTOEXEC.BAT, exist i un alt driver hardware specific
pentru unitatea CD-ROM n fiierul CONFIG.SYS. Un driver CD-ROM pentru un PC
multimedia necesit un fiier MSCDEX n varianta minim 2.2. Un driver special este necesar de
asemenea pentru Apple Macintosh. Totui, pentru familia Macintosh exist i diferite discuri
utiliznd HFS. Pentru a permite un suport complet al standardului ISO 9660 de ctre sistemele
UNIX, la nceputul anilor 90 s-a format Rock Ridge Group (grupul reprezentanilor industriei),
care a renunat la RRIP (Rock Ridge Interchange Protocol) i a adoptat un standard
corespunztor. Discurile conforme cu standardul Rock Ridge sunt complet compatibile cu
standardul ISO 9660.
Avantajul standardului ISO 9660 este c acesta permite accesarea datelor de pe un CD de
ctre diferite sisteme de operare. Bineneles, este nevoie de programe executabile diferite pentru
sisteme de operare diferite (de exemplu, un program pentru UNIX, altul pentru Apple i un al
treilea pentru MS-DOS), dar rulnd aceste programe, aceleai fiiere de date pot fi accesate de
sisteme diferite. ISO 9660 este un sistem de fiiere ierarhic ca MS-DOS i definete directoare,
subdirectoare i ci. Ramificarea ierarhiei directoarelor nu poate fi mai mare de 8 niveluri. Pentru
identificatorii de fiiere i directoare (File i Directory Identifiers) se utilizeaz litere majuscule
de la A la Z, cifre de la 0 la 9 i semnul _. Lungimea maxim a unui nume este de 8 caractere,
cu extensia de 3 caractere. Aceste restricii sunt stabilite pentru nivelul 1 de transfer (Interchange
Level 1), cel mai utilizat de discurile ISO 9660. Exist i nivelurile de transfer 2 i 3, fr aceste
restricii pentru numele fiierelor. Majoritatea discurilor sunt n prezent conforme cu standardul
ISO 9660. De asemenea, extensiile i dezvoltrile ulterioare ale CD-ROM descrise anterior se
bazeaz pe sistemul de fiiere definit de ISO 9660, dei au fost necesare unele modificri i
adaptri, de exemplu pentru CD-R multisesiune.
n ultimii ani, multe aplicaii multimedia au aprut ca CD-uri hibrid, pentru utilizarea pe
mai mult de un singur sistem de operare, de exemplu Apple HFS i ISO 9660. n acest caz,
fiierele de date care pot fi citite i interpretate sub sisteme de operare diferite pot fi stocate o
singur dat (de exemplu fiierele de tip TIFF, JPEG sau MPEG) i utilizate n comun de
aplicaiile pentru sisteme de operare diferite.
Sistemele de operare moderne au sisteme de fiiere care permit nume lungi ale fiierelor.
Sistemul de fiiere al lui Microsoft, Joliet File System, mbuntete specificaiile ISO-9660 i
permite nume de fiiere de pn la 64 de caractere. Sunt permise, de asemenea, caractere ale
oricrei limbi. Lungimea numelui complet al unui fiier, incluznd structura de directoare, este
limitat la 120 caractere.
Pentru suportul unor noi caracteristici de scriere a unui CD, s-au dezvoltat noi specificaii
pentru sisteme de fiiere, cum este ISO 13490. De asemenea, s-au propus noi standarde pentru
suportul aa-numitelor bootable CD, permind productorilor de CD-ROM s mpacheteze
aplicaia i mediul sistemului de operare pe disc, astfel ca acesta s ruleze utiliznd toate
informaiile necesare direct de pe CD. Sistemul de specificaii ale formatului bootable CD-
ROM, propus de CD/OS Association n 1995 este numit "El Torito".
Formatul de disc universal
UDF (Universal Disk Format) este un format logic pentru toate tipurile de disc optic. n
timp ce standardul actual pentru unitile CD-ROM care lucreaz pe platforme Windows, ISO
9660, a fost conceput sub o form suficient de simpl pentru ca orice sistem de operare s poat
citi CD-ul, UDF este suficient de flexibil pentru a asigura cerinele sistemelor de operare
moderne, incluznd uniti i fiiere foarte mari, nume lungi, seturi de caractere strine, atribute
de securitate i multe altele.
UDF este bazat pe standardul ECMA 167, Volume i File Structure for Write-Once i
Rewritable Media using Non-Sequential Recording for Information Interchange (structura de
volume i fiiere pentru medii de stocare i reinscripionare utiliznd nregistrarea ne-secvenial
pentru transferul informaiei), stabilit de European Computer Manufacturers Association
(ECMA). ntr-un anumit sens, acest standard este echivalentul standardului ISO 9660, dar difer
de acesta n dou moduri importante. n primul rnd, ofer o mult mai mare funcionalitate, n
principal datorit nevoilor utilizatorului pentru un suport crescut al setului de caractere i
caracteristici superioare ale sistemului de fiiere. n al doilea rnd, recunoate nevoile separate
privind bootarea, structura de volum i cea de fiiere. n loc de a lega aceste funcii diferite
mpreun, ECMA 167 separ cu grij aceste funcii n pri distincte i descrie n detaliu cum
lucreaz mpreun. ECMA 167 a fost adoptat mai trziu de International Standards Organization
ca strandardul ISO 13346.
Specificaiile UDF ale Optical Storage Association (OSTA)sunt o implementare a
standardului ECMA 167/ISO 13346, care definete de fapt acele domenii din standardul ECMA
care sunt lsate la nelegerea dintre sistemele de origine i cele de recepie a informaiei. OSTA
este un grup cu mai mult de 30 de membri, printre care Hewlett-Packard i Toshiba. Scopul
primordial al OSTA UDF este maximizarea schimbului de date i minimizarea costului i
complexitii implementrii standardului ISO 13346. Pentru a realiza acest lucru, sunt definite
anumite Domenii. Un domeniu definete reguli i restricii n utilizarea standardului ISO 13346.
OSTA UDF definete domeniul OSTA UDF Compliant.