Tranzistorul MOSFET

Eurinsa
Approfondissement physique
Tranzistorul MOSFET
Sumar Introducere..................................................................................................................... 2 1.1 Structura de baza ....................................................................................................... 2 1.2 Principiu de functionare ............................................................................................ 3 2. Condensatorul MOS (Metal Oxid Siliciu) .............................................................. 3 2.1 Structura .................................................................................................................... 3 2.2 Regimurile de functionare ......................................................................................... 4 2.3 Modelul electric al condensatorului MOS si curba C(V).......................................... 5 3. Diferitele tipuri de tranzistor MOS ............................................................................... 6 4. Proces tehnologic CMOS .............................................................................................. 7 5. Modelisarea tranzistorului NMOS cu imbogatire si modelizarea electrica ................. 9 5.1 Polarizarea ................................................................................................................. 9 5.2 Regim blocat (figura a)............................................................................................ 10 5.3 Regim linear sau rezistif sau nesaturat (figura b).................................................... 10 5.4 Regim saturat (figura c)........................................................................................... 11 5.5 Regim de saturatie fortat (figura d) ........................................................................ 11 5.6 Caracteristici statice ................................................................................................ 12 5.7 Modelul micilor semnale simplificate..................................................................... 13 5.8 Comparatia intre modelel electrice ale tranzistorilor NMOS et PMOS.................. 13 6. Aplicatii ....................................................................................................................... 14 6.1 Inversor numeric...................................................................................................... 14 6.2 Amplificator inversor .............................................................................................. 14 6.3 Rezistenta activa...................................................................................................... 15 6.4 Oglinda de curent simplu ........................................................................................ 16 6.5 Pereche diferentiala ................................................................................................. 17 7. Bibliografie.................................................................................................................. 17 7.1 .................................................................................................................................... 17 1.
C. Gontrand, F. Calmon - version 0.1 draft
Eurinsa
1. Introducere
1.1 Structura de baza
Tranzistorul MOSFET este alcatuit din : doua zone numite : sursa si drain (zone semi-conductoare de acelasi tip de dopaj) legate la electrodl lor, respectiv. Sursa si drenul sunt realizate intr-o zona (cateodata direct in substrat) de tip opus. un electrod de comanda numit grila care este plasata deasupra zonei de canal MOSFET = Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
VSURSA
L Z
VGRILA VDREN dioxid de siliciu (SiO2)
sursa
dren
substrat VSUBSTRAT
Structura tranzistorului MOS D ID G VGS S VDS G VGS S D ID VDS
Simbol pentru NMOS
Simbol pentru PMOS
Curentul in tranzistorele MOS este un curent unipolar de purtatori majoritari : electronii in cazul tranzistorului NMOS (sursa si dren sunt de tipul N) golurile in cazul tranzistorului PMOS(sursa si dren sunt de tipul P)
Eurinsa
1.2 Principiu de functionare

Grila (G) permite controlul curentului intre cei doi electrozi sursa (S) si dren (D). Controlul se face prin potentialul aplicat intre grila si sursa. Acest sistem constituit dintr-un condensator MOS (Metal Oxide Siliciu) permite o comanda cu foarte mici curenti consumati. Se vorbeste despre tranzistor cu grila isolata. Se poate asimila sistemul dren sursa cu o rezistenta a carei valoare variaza intre
R on
(valoare min) cand tranzistorul este saturat si
R off
(valoare max) cand
tranzistorul este blocat. Pot fi folositi : In aplicatiile numerice cu folosire in comutare (tranzistorul este un intrerupator de comanda in tensiune), In aplicatiile analogice, rezistenta drenului sursa poate lua toate valorile intre
R on
si
R off .
Trebuie sa abordam mai inati condensatorul MOS (Metal Oxide Siliciu) pentru ca proprietatile sale le definesc pe cele ale tranzistorului MOS.
2. Condensatorul MOS (Metal Oxid Siliciu)

2.1 Structura
Este alcatuit dintr-o stratificare metal oxid siliciu.
Parte metalica a grilei Dioxid de siliciu (SiO2) siliciu Metal
Eurinsa
2.2 Regimurile de functionare

Definim diferitele regimuri dupa polarizarea intre cei doi electrozi. Exemplul condensatorului MOS cu substrat de tip P. Regim de acumulare
VG < 0 ---------------++++++++++++ siliciu tip P

Acumularea de purtatori majoritari la suprafata de siluciu
Regim de diminuare
VG > 0
Regim de diminuare
++++++++++++
Sau
- - - - - - - + + + siliciu tip P
xd
Saracire la suprafata de siliciu : Purtatorii majoritari sun impinsi in adancime Raman ionii negativi fixati
Eurinsa
Regimul de inveriune
VG > 0
Se creeaza o curba de
++++++++++++ xd max -----------------
inversiune la suprafata
- - - - - - - siliciu tp P
Purtatori minoritari
de silicu canalul viitorului tranzistor MOS
2.3 Modelul electric al condensatorului MOS si curba C(V)

Condensatorul MOS este echivalent cu doi condensatori in serie : condensatorul din oxid ( Cox ) si condensatorul din semi-conductor ( CSC ).
eox siliciu
Cox
CSC
Capacitatea echivalenta totala se scrie : Cu
1= 1 + 1 C Cox CSC
( r _ ox 3.9 ) ( r _SC 11.7 )
Cox =constan te= ox eox
CSC = sc xd
Eurinsa
Acumulare
VG < 0 ---------------++++++++++++ siliciu tip P
Saracire
VG > 0 ++++++++++++
Inversiune
VG > 0 ++++++++++++
xd
- - - - - - - + + + siliciu tip P
xd max
-----------------
- - - - - - - siliciu tip P
CSC >>Cox
CCox =Cmax
1 = 1 + 1 =f(VG) C Cox CSC

C Cmax = Cox
1= 1 + 1 = 1 C Cox CSC,min Cmin
Cmin
VG
3. Diferitele tipuri de tranzistor MOS

Canal N Transistor blocat. Formarea unui canal N conductor Imbogatire suprafata de tip P Trabzistor deschis. Saracire realizand abandonarea. Canal P Transistor blocat. Formarea unui canal P conductor suprafata de tip N Trabzistor deschis. realizand abandonarea.
realizand conditia de inversiune la realizand conditia de inversiune la
Eliminarea canalului N conductor Eliminarea canalului P conductor
Eurinsa
4. Proces tehnologic CMOS

Prezentarea unui proces tehnologic simplu CMOS (care permite realizarea tranzistorilor NMOS et PMOS in acelasi substrat).
Elaborarea unui substrat N
Oxidare fotogravura esi difuzia de Bor a startului P al MOS cu canal N Fotogravura si difuzia de Bor a sursei si drenului ale MOS cu canal P Oxidare fotogravura si difuzie de fosfor a sursei si drenului ale MOS cu canal N
Fotogravura grilei si oxidarea grilei
Deschiderea contactului, metalizare et fotogravura metalizarii
Eurinsa
Ameliorare : tehnologie auto aliniata, zonele sursei si drenului (create prin implantare ionica) sunt realizate dupa depunerea de polisilicium pe grila (servind de masca)
fosfor si/sau arsenic
bor
N P
NMOS
PMOS
N P
Eurinsa
5. Modelisarea tranzistorului NMOS cu imbogatire si modelizarea electrica

5.1 Polarizarea
L Z VG > 0 VD > 0
sursa N
dren N
substrat P
Eurinsa
5.2 Regim blocat (figura a)
VG =0 atunci nu trece curent, deci ID =0
oricare ar fi valoarea lui
VD
5.3 Regim linear sau rezistif sau nesaturat (figura b)

Presupunem canalul deja realizat :
VDS Ze ID = VDS = R canal L ID = ZqneVDS L
( (
R =L S
) )
= 1 nq
Q = C VG =
oxid
eoxid
Z L VG
Suprafata = Z L )
Q =Cox VG ZL
Q=qn ZLe
Q =qne ZL
de unde rezulta ca
ID = ZCox VG VDS L VDS (VG VT )VDS = R MOS
In practica, trebuie creat canalul de inversiune, de unde si notatia tensiune de prag VT , iar expresia curentului este : ID = ZCox
Modelul in semnale lungi : G ID D
VGS
RMOS
VDS
S
10
Eurinsa
unde
R MOS =
L ZCox (VG VT )
5.4 Regim saturat (figura c)

Pentru
VDS =VDS(sat ) VG >VT

si
=> apare ciupirea canalului, incepand cu aceasta valoare a lui
VDS , densitatea purtatorilor care ajung pe dren tinde spre o constanta.

Pentru
VDS
apropiat ca valoare de
VG VT
Z V 2 DS I D = Cox (VG VT )VDS L 2

5.5 Regim de saturatie fortat (figura d)
Pentru
VG >VT
si
VDS
mare :
ID = Z Cox (VDS(sat) )2 Z Cox (VG VT )2 2L 2L

considerand un grad de aproximare suplimentar :
2 ID(sat) Z Cox (VG VT ) (1+VDS) 2L
Modelul in semnale lungi : G ID(sat) D
VGS
IMOS
RMOST
VDS
S unde
IMOS Z Cox (VG VT )2 2L
11
Eurinsa
et
R MOS =
2L ZCox(VG VT )2
5.6 Caracteristici statice

ID regim linear regim de saturatie
VG
I D = f (VDS ), VG = ct
VDS
ID
I D = f (VG ), VDS = ct
Regim linear (ohmic) :
ID (VG VT )
Regim de saturatie : VT VG
ID (VG VT )2
12
Eurinsa
5.7 Modelul micilor semnale simplificate

G ID D
VGS
gm VGS
1/gd
VDS
gm : transconductanta gd : conductance du canal

Regim ohmic (linear)
gm =
ID VG ID VD
VDS =ct
gd =
VG =ct
Regim de saturatie
gm = ZCox VDS L
gm = ZCox (VG VT ) pentru ca L VDS <<1
gm =
2Z Cox ID L
5.8 Comparatia intre modelel electrice ale tranzistorilor NMOS et PMOS

PMOS Regim blocat :
NMOS Regim blocat :
VG >VT
VG <VT
ID =0
Regim ohmic :
ID =0
Regim ohmic :
VG VT <VDS <0
VG VT >VDS >0
V 2 DS Z I D = C ox (VG VT )VDS 2 L
V 2 DS Z I D = C ox (VG VT )VDS 2 L
13
Eurinsa
Regim saturat :
VDS <VG VT < 0
Regim saturat :
VDS >VG VT > 0
ID(sat) Z Cox (VG VT )2(1+VDS) ID(sat) Z Cox (VG VT )2(1+VDS) 2L 2L
6. Aplicatii
6.1 Inversor numeric
VDD
VOUT VDD
VIN VOUT
Nivel logic 1
Nivel logic 0
VSS
VSS
VIN
6.2 Amplificator inversor

VCC R VOUT VIN
Ecuatia circuitului :
VOUT = VCC R ID
=>
VIN <VT
ID =0
=>
VOUT =VCC
VIN >VT
la inceput
VDS =VOUT =VCC

14
Eurinsa
VG VT <VDS
=> MOSFET in saturatie
ID = Z Cox (VG VT )2 2L
2 VOUT = VCC R ID =VCC R Z Cox (VG VT ) 2L trecerea in regiunea lineara VOUT < VG VT
ID = ZCox (VG VT )VDS L VOUT = VCC R ID =VCC R ZCox (VG VT )VOUT L VOUT(min)= VCC R ID(max) =VCC R ZCox (VCC VT )VOUT(min) L
ID
VOUT VCC
VDS
VIN
6.3 Rezistenta activa

O rezistenta este mai dificil de integrat, o inlocuim cu o rezistenta activa realizata dintr-un tranzistor NMOS sau PMOS carora le legam grila la dren.
rezistenta
NMOS => regim de saturatie
PMOS
VDS =VG >VG VT

15
Eurinsa
2 2 ID = Z Cox (VG VT ) = Z Cox (VDSVT ) 2L 2L
VDS = VT
2 ID L ZCox
VCC
VOUT VIN Calcule tratate in TD
6.4 Oglinda de curent simplu
Calcule tratate in TD
16
Eurinsa
6.5 Pereche diferentiala
VIN1
VIN2
Calcule tratate in TD
7. Bibliografie
- Cours dpartement Sciences et Gnie des Matriaux : K. Souifi, M. Lemiti - Cours dpartement Gnie Electrique - Dispositifs et circuits intgrs semiconducteurs, A. Vapaille, R. Castagn, Dunod.
17

Tranzistorul MOSFET

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Tranzistorul MOSFET

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Eurinsa

C. Gontrand, F. Calmon - version 0.1 draft

VGRILA VDREN dioxid de siliciu (SiO2)

Simbol pentru NMOS

Simbol pentru PMOS

1.2 Principiu de functionare

(valoare min) cand tranzistorul este saturat si

(valoare max) cand

2. Condensatorul MOS (Metal Oxid Siliciu)

Parte metalica a grilei Dioxid de siliciu (SiO2) siliciu Metal

C. Gontrand, F. Calmon - version 0.1 draft

2.2 Regimurile de functionare

VG < 0 ---------------++++++++++++ siliciu tip P

C. Gontrand, F. Calmon - version 0.1 draft

++++++++++++ xd max -----------------

de silicu canalul viitorului tranzistor MOS

2.3 Modelul electric al condensatorului MOS si curba C(V)

Capacitatea echivalenta totala se scrie : Cu

Cox =constan te= ox eox

C. Gontrand, F. Calmon - version 0.1 draft

1 = 1 + 1 =f(VG) C Cox CSC

1= 1 + 1 = 1 C Cox CSC,min Cmin

3. Diferitele tipuri de tranzistor MOS

realizand conditia de inversiune la realizand conditia de inversiune la

Eliminarea canalului N conductor Eliminarea canalului P conductor

C. Gontrand, F. Calmon - version 0.1 draft

4. Proces tehnologic CMOS

Elaborarea unui substrat N

Fotogravura grilei si oxidarea grilei

Deschiderea contactului, metalizare et fotogravura metalizarii

C. Gontrand, F. Calmon - version 0.1 draft

fosfor si/sau arsenic

C. Gontrand, F. Calmon - version 0.1 draft

5. Modelisarea tranzistorului NMOS cu imbogatire si modelizarea electrica

C. Gontrand, F. Calmon - version 0.1 draft

5.2 Regim blocat (figura a)

VG =0 atunci nu trece curent, deci ID =0

oricare ar fi valoarea lui

5.3 Regim linear sau rezistif sau nesaturat (figura b)

VDS Ze ID = VDS = R canal L ID = ZqneVDS L

ID = ZCox VG VDS L VDS (VG VT )VDS = R MOS

Modelul in semnale lungi : G ID D

5.4 Regim saturat (figura c)

VDS =VDS(sat ) VG >VT

=> apare ciupirea canalului, incepand cu aceasta valoare a lui

VDS , densitatea purtatorilor care ajung pe dren tinde spre o constanta.

Z V 2 DS I D = Cox (VG VT )VDS L 2

ID = Z Cox (VDS(sat) )2 Z Cox (VG VT )2 2L 2L

Modelul in semnale lungi : G ID(sat) D

IMOS Z Cox (VG VT )2 2L

C. Gontrand, F. Calmon - version 0.1 draft

5.6 Caracteristici statice

C. Gontrand, F. Calmon - version 0.1 draft

5.7 Modelul micilor semnale simplificate

gm : transconductanta gd : conductance du canal

gm = ZCox (VG VT ) pentru ca L VDS <<1

5.8 Comparatia intre modelel electrice ale tranzistorilor NMOS et PMOS

NMOS Regim blocat :

VDS <VG VT < 0

VDS >VG VT > 0

ID(sat) Z Cox (VG VT )2(1+VDS) ID(sat) Z Cox (VG VT )2(1+VDS) 2L 2L

6.2 Amplificator inversor

VDS =VOUT =VCC

C. Gontrand, F. Calmon - version 0.1 draft