LUCRAREA NR.7 STUDIUL TRANZISTORULUI CU EFECT DE CMP (TEC), CARACTERISTICI STATICE, PARAMETRI. 1.

Tranzistorul cu efect de cmp cu poart jonciune (TECJ) Tranzistorul cu efect de cmp cu poart jonciune (TECJ) este un dispozitiv electronic unipolar (conducia se face printr-un singur tip de purttori fie electroni, fie goluri). Este format dintr-un cristal semiconductor n care se realizeaz un canal conductor prevzut la capete cu contacte pentru aplicarea tensiunii de alimentare i un electrod de comand a curentului din canal. Contactele de la capete sunt denumite: surs - electrodul prin care purttorii ptrund n canal, i dren electrodul prin care purttorii sunt evacuai din canal. Tipul n sau p al materialului semiconductor din care este fcut canalul, determin tipul purttorilor mobili de sarcin: electroni i respectiv goluri i mprirea tranzistoarelor cu efect de cmp n TECJ cu canal n i TECJ cu canal p. Schimbarea conductanei canalului se obine prin cmpul creat de o tensiune care se aplic celui de-al treilea electrod numit poart sau gril. La tranzistorul TECJ seciunea efectiv a canalului este modificat prin comanda lrgimii regiunii de trecere a unei jonciuni pn. n fig.1a, este prezentat structura simplificat a unui astfel de tranzistor realizat ntr-un cristal semiconductor tip n unde au fost obinute dou jonciuni pn care las ntre ele un canal conductor. Cele dou jonciuni sunt polarizate invers, iar mrimea tensiunii de polarizare comand lrgimea regiunilor de trecere i deci seciunea efectiv a canalului. n fig.1b, este artat o variant de realizare a unui TECJ n tehnologie planar epitaxial. Canalul este realizat din regiunea n crescut pe substratul p+. Jonciunile gril-canal i substrat-canal, delimiteaz clar canalul conductor. Realizarea contactelor ohmice se face pe regiuni dopate n+. n unele cazuri substratul este utilizabil ca 87

FLORIN MIHAI TUFESCU

ELECTRONICA FIZIC LUCRRI PRACTICE

electrod de comand similar grilei iar uneori se conecteaz mpreun cu grila. Curenii de gril , datorit polarizrii inverse a jonciunii pn sunt foarte redui: 1pA10nA astfel rezultnd o rezisten de intrare de 10101013. Atenie!: Trebuie evitat regimul accidental de polarizare direct a jonciunii poart-canal care conduce la o disipaie termic n regiunea de trecere putnd deteriora tranzistorul.
D
CANAL

S n+

D CONTACT METALIC
IZOLATOR

n+ p G

n p

CANAL
+ n n + p

p+

n+ SUBSTRAT

Fig. 1 a) Schema simplificat a unui tranzistor TECJ ; b) structura unui tranzistor TECJ planar epitaxial cu canal n. n cele ce urmeaz se va studia un tranzistor TECJ cu canal n. 2. Caracteristici statice ale TECJ 1) Caracteristici de ieire (de dren)
I D f VDS V GS ct.

(1)

n cazul tensiunilor de dren mici, ntre ID i VD exist o relaie liniar, caracteristicile ce trec prin origine sunt drepte i au panta dependent de tensiunea aplicat pe poart. Experimental se constat

88

LUCRAREA NR.7

Studiul tranzistorului cu efect de cmp caracteristici statice,parametri

c prin canal trece curent i n cazul aplicrii unei tensiuni negative pe dren. Cu creterea tensiunii pozitive pe dren , dup atingerea unei anumite valori VDS curentul se satureaz, caracteristicile fiind drepte, paralele cu abscisa. n montaje de amplificare, TECJ lucreaz n regiunea de saturaie unde curentul ID este efectiv comandat de tensiunea VGS. 2). Caracteristici de transfer.
I D f VGS V DS ct.

(2)

Aceast familie de caracteristici se traseaz de obicei pentru regimul de saturaie cnd curentul ID este slab influenat de tensiunea VDS. Se constat c aceste caracteristici sunt foarte apropiate ntre ele fiind suficient s se traseze doar una, corespunztoare unei tensiuni de dren superioar celei de saturaie. Pentru tensiuni de gril mici, caracteristica de transfer poate fi considerat liniar. Spre tensiuni negative apropiate de Vp (tensiunea de prag la care tranzistorul se blocheaz), caracteristica de transfer prezint o pant variabil.

Fig. 2 Caracteristicile tipice pentru un tranzistor TECJ, cu canal n; (a) caracteristici de ieire, (b) caracteristici de transfer

89

FLORIN MIHAI TUFESCU

ELECTRONICA FIZIC LUCRRI PRACTICE

Observaie. La tranzistorul TECJ caracteristicile de intrare nu prezint interes datorit rezistenei foarte I G f(V GS ) V DS ct. mari a circuitului de intrare ce conduce la cureni foarte mici, fapt care se constituie ntr-un parametru de performan al acestui tip de tranzistor. 3). Parametrii tranzistorului TECJ a) Transconductana (conductana mutual, panta), gm, se definete ca:
gm I D VGS dVGS VDS ct. dI D

<gm>SI=AV-1

(3)

b) Conductana de dren (conductana de ieire) gD

gD VDS I D dI D dVDS VG ct.

(4)

c) Factorul de amplificare static n tensiune, T

T VDS VGS dVDS dVGS I D ct.

(5) (6)

Parametrii gm, gD i T sunt legai prin relaia:

T gm gd

3. Montaj experimental pentru trasarea caracteristicilor la TECJ n fig.3 se prezint schema utilizat pentru analiza tranzistorului TECJ cu canal n. Va fi studiat tranzistorul tip BF 245 ale crui caracteristici principale sunt prezentate n fia tehnic care urmeaz.

90

LUCRAREA NR.7

Studiul tranzistorului cu efect de cmp caracteristici statice,parametri

mA D G V S VE VD
S

VG
S

+ -

Fig.3 Montaj pentru trasarea tranzistorul TECJ cu canal n.

caracteristicilor

statice

la

Dup ridicarea caracteristicilor statice se va proceda la calculele parametrilor tranzistorului studiat conform relaiilor (3), (4) i (5).
Atenie la meninerea tranzistorului n parametrii de fucionare admii ! Pentru protecia tranzistorului la depirea tensiunilor normale de lucru s-au prevzut diode zener de protecie gril-surs i dren-surs care limiteaz valorile acestora. FIA TEHNIC Tranzistor TECJ BFW10 i BF245 Capsule utilizate: TO72
M G S D G S D

TO92

BFW10

BF245

VEDERE DINSPRE TERMINALE

91

FLORIN MIHAI TUFESCU

ELECTRONICA FIZIC LUCRRI PRACTICE BFW10 30 -30 8...20 300 -8 8...20 0,6 3,2 BF245 30 -30 25 300 -15 2...25 1,1 6,5 UM V V mA mW V mA pF mA/V

Caracteristici electrice principale (TA=300K) VDS tensiune drena-surs VGS tensiune poart-surs ID curent de dren PD putere disipat VP tensiune de prag poart-surs IDS curent de dren cu grila scurtcircuitat la surs CRS capacitate de reacie n SC cu intrarea n scurtcircuit Y21 admitana de transfer direct cu ieirea n scurtcircuit

4. Trasarea caracteristicilor statice la un tranzisor cu efect de cmp cu poart metal-oxid-semiconductor (TECMOS) cu canal indus de tip p n conexiune surs-comun n cele mai multe cazuri n dispozitivele fabricate din siliciu izolatorul este realizat dintr-un strat de oxizi, obinndu-se o structur MOS (Metal-Oxid-Semiconductor). Tranzistoarele astfel construite se numesc TECMOS (sau n englez MOSFET; Metal-OxidSemiconductor Field Effect Tranzistor). Particularitatea cea mai important o reprezint rezistena de intrare foarte mare care atinge 1015.

Fig.4 Structura fizic a unui tranzistor TECMOS cu canal indus Se consider tranzistorul MOS din fig.4 unde pe gril este aplicat o tensiune VG suficient pentru a forma un strat de inversiune puternic ntre surs i dren n timp ce tensiunea pe dren este mic V DVG. Prin canal va circula un curent, n lungul acestuia existnd o cdere de 92

LUCRAREA NR.7

Studiul tranzistorului cu efect de cmp caracteristici statice,parametri

tensiune. Fiecare seciune a canalului este caracterizat de tensiunea VC(y). Tensiunea efectiv dintre poart i canal VGC, mrime care determin intensitatea cmpului electric transversal n izolator este variabil cu distana. Lrgimea canalului scade de la surs spre dren. n cazul TECMOS intereseaz caracteristicile de ieire i cele de transfer. n fig.5 (a) sunt prezentate caracteristicile de ieire la un astfel de tranzistor :

I D f VD VG ct

(7)

La tensiuni de dren foarte mici ID depinde liniar de VD ; urmeaz apoi poriunea neliniar a caracteristicilor, iar dup aceasta regiunea de saturaie n care canalul se nchide. Valorile curentului n cele trei cazuri sunt descrise de expresiile analitice gsite n seciunea precedent. Pstrnd constant rata de cretere a tensiunii de poart,VG , caracteristicile de ieire nu sunt echidistante deoarece ntre ID i VG exist o dependen ptratic. n majoritatea calculelor care se fac pentru utilizarea TECMOS n montaje de amplificare se consider c n regiunea saturat caracteristicile sunt paralele.

(a) (b) Fig.5. Caracteristici statice tipice pentru un tranzistor TECMOS cu canal indus: (a) caracteristici de ieire , (b) caracteristici de transfer.

Al doilea tip de caracteristici de interes sunt cele de transfer:

93

FLORIN MIHAI TUFESCU

ELECTRONICA FIZIC LUCRRI PRACTICE

I D f VG VD ct

(8)

Regimul normal de funcionare al TECMOS fiind cel de saturaie, ca urmare a influenei slabe a tensiunii V D asupra curentului ID , caracteristicile de transfer (luate la diferite tensiuni de dren) sunt foarte apropiate, n practic folosindu-se una singur ca n fig.5(b). Pe caracteristica de transfer se poate observa i valoarea tensiunii de prag, VP. De obicei sunt date curentul de dren maxim i tensiunea de poart corespunztoare. n cadrul prii experimentale se va studia tranzistorul ROS 01 pentru care vor fi trasate : Caracteristicile de ieire ID = f (V) cu VG parametru.

Caracteristicile de transfer ID = f (VG) cu VD parametru.

Se va utiliza pentru trasare metoda punct cu punct pe baza montajului din fig.6.Pentru a preveni distrugerea dispozitivului printro conectare greit n montaj, n paralel cu terminalele tranzistorului sunt conectate diode zener de protecie. IMPORTANT DE REINUT : Precauii la manipularea tranzistoarelor TECMOS Tranzistoarele TECMOS se pot distruge uor prin strpungere n timpul montrii n circuitele electronice datorit impedanei foarte mari de intrare care favorizeaz acumularea unei sarcini electrostatice i provoac apariia unei diferene de potenial pe gril, conducnd la strpungerea stratului de oxid. Capacitatea corpului uman depete 300 pF i n anumite condiii se poate ncrca electrostatic la peste 10 KV. Alte surse de tensiuni periculoase sunt casetele i distanierele din polistiren, policlorur de vinil .a. De asemenea, tensiuni mari pot genera echipamentele de testare i ciocanele de lipit.Este necesr s se prevad o serie de msuri de protecie fa de pericolul generat de aceste surse de tensiuni periculoase pentru dispozitiv:

94

LUCRAREA NR.7

Studiul tranzistorului cu efect de cmp caracteristici statice,parametri

pentru anularea sarcinii statice tranzistoarele sunt inute n cutii metalice sau cu terminalele scurtcircuitate printr-un inel conductor; toate echipamentele de manipulare i ciocanul de lipit se leag la mas, se recomand ventilarea cu aer ionizat a zonei de lucru; operatorul va purta legat la ncheietura minii un conductor conectat printr-un rezistor de 1M la masa general iar planeta de lucru este de obicei dintr-un cauciuc conductor conectat la mas; nu trebuie depite tensiunile tranzitorii de vrf specificate n foile de catalog; nu se scot i nu se introduc tranzistoarele n circuite aflate n stare de funcionare . Pentru protecia direct la unele dispozitive TECMOS sunt introduse n structur jonciuni Zener cuplate ntre gril i surs. Dezavantajul acestei soluii de protecie este reducerea impedanei de intrare a tranzistorului
mA D G

0-12V

S VE 0-20V

S1

S2

Fig.6 Montaj pentru trasarea caracteristicilor statice la un tranzistor TECMOS cu canal indus de tip p.

95

FLORIN MIHAI TUFESCU

ELECTRONICA FIZIC LUCRRI PRACTICE

FISA TEHNIC TRANZISTORUL ROS 01 Tranzistor TECMOS cu canal p de tip prin mbogire (canal indus) Rezisten ridicat n intrare RGS 1010 Rezisten cobort n conducie RDS min 50 Utilizat n comutaie, reglajul automat al amplificrii, amplificare (RDS = 50...1M). Poart protejat la sarcini electrostatice printr-o diod zener conectat la substrat.

D G S u b S

S u b S D G

Capsula TO-72 Vedere de jos.Substratul este legat la capsul

Caracteristici principale la TA = 25 0C VDM Tensiunea maxim dren-surs VGM Teniunea maxim poart-surs VGSubM Tensiunea maxim poart-substrat IDM Curent maxim de dren PD Putere disipat TA Temperatur ambiant de funcionare Tstg Temperatura de stocare VP Tensiune de prag (VG = VD , ID = 1A) IDSS Curent de pierdere dren-surs (VDS = -20V,VGS =0) IGSS Curent de pierdere al porii (VG S= -15V, VDS = 0) gm Transconductana (f = 1KHz, VDS = - 10V, ID = 20mA) CiS Capacitatea de intrare (VDS = -10V, ID = 10mA, f= 1MHz) CrS Capacitate de reacie (VDS = -10V, ID = 10mA, f= 1MHz) Valoarea -30 -40...+0,6 -40...+0,3 30 200 0...+70 -55...+125 -3...-6 1...10 0,05...1 5...9 10 3,2 U.M. V V V mA mW 0 C 0 C V nA nA mS pF pF

96