Tranzistori unijoncțiune.

TSS.
Tranzistorul TEC

•Structura interna
• Principiul de functionare
CONECTAREA DIODICĂ A TRANZISTORULUI BIPOLAR
 Tr-rul unijoncțiune
Numit inițial diod cu bază dublă. A fost creat pentru a fi utilizat în oscilatoare de relaxare
pentru producerea unor tensiuni cu formă de undă periodică triunghiulară și a unor pulsuri de
curent scurte și intense. TUJ este un dispozitiv cu trei terminale, folosit pentru caracteristica
sa de intrare care are o regiune de rezistență dinamică negativă. Simbolul ....[între cele două
baze se aplică tensiunea continuă, de ordinul 10-30 V, iar caracteristica de intrare se definește
între emitorul E și baza B1.
În absența curentului de emitor, tranzistorul
poate fi modelat ca în desenul c).
între punctul unde s-a realizat
joncțiunea și baze există "rezistențele"
electrice RB1 și RB2, suma lor fiind egală cu "rezistența" interbază RBB, de ordinul a 5-10
kOhm.. Am folosit aici ghilimele, deoarece materialul este SC și comportarea nu este aceea a
unui rezistor: de exemplu depinde de valoarea tensiunii VBB în continuare, însă, din
comoditate, vom renunța la ghilimele.
Cele două` rezistențe se comportă ca un divizor de tensiune fr fără sarcină și determin`ăun
poten\ial al punctului de interconexiune egal cu
 Cum apare rezistența dinamică negativă în caracteristica de intrare
Factorul adimensional   RB1 RBB este numit raport de divizare intrinsec (intrinsic
standoff ratio [n lb. englez`); pentru cele mai multe tipuri de TUJ el este aproximativ egal cu 1 2
.

Păstrând tensiunea constantă, si investigăm caracteristica de intrare în funcție de

potențialul VE. Atât timp cât VE<V1 , joncțiunea este blocată și prin ea curentul este
practic nul. Pentru ca această joncțiune să se deschidă este nevoie ca potențialul VE
să fie cu aproximativ 0.6 V mai ridicat decât V1 =β VBB. De fapt, IE nu este chiar zero ci
are valori de ordinul zecilor de nA, ca la orice diodă cu Si polarizată` invers. În
momentul în care joncțiunea începe să se deschidă (VE=βVBB+0,6V ) un curent de
goluri (purtători de sarcină poțzitivi) este injectat în bază prin contactul emitorului.
Aceste goluri se deplasează spre baza 1 sub influența câmpului electric și în regiunea
dintre emitor și baza1 are loc creșterea conductivității pe măsura creșterii curentului
IE; datorită creștrii conductivității, scade tensiunea între emitor și baza 1, astfel
Să revenim la caracteristica tranzistorului unijoncțiune. Scăderea potențialului
emitorului la creșterea IE, reprezentată prin porțiunea de pantă negativă, nu
continuă la nesfârșit deoarece la curenți IE mai mari concentrația de purtători
injectați ajunge atât de mare încât devin dominante alte procese care scurtează
durata lor de viață. Astfel, RB1scade din ce în ce mai lenți, datorită creșterii lui
IE, creșterea termenului al doilea al relației (6.3) începe să domine scăderea
lentă a primului termen. De la o anumită valoare a lui IE, potențialul V1 și,
corespunzător, potențialul emitorului, încep din nou să crească. Reacția a
devenit din nou negativă și regiunea cu rezistența dinamică negativă s-a
încheiat.
 Tranzistorul drift (cu câmp intern)
Particularitae distinctă a T – repartiția neuniformă a impurităților dopante în zonele
electroneutre (bază). Aceasta condue la apariția unor câmpuri electrice neplanificate, care nu
sunt generate de factori externi. În aceste condiții mecanismul de transport a purtătorilor
minoritari deja nu poate fi socotit pur de difuzie
În T de drift câmpul electric din bază accelerează purtătorii de sarcină minoritari în mișcarea
lor spre colector.
Metoda de difuzie...
Frecvența mai mare de lucru
Baza f îngustă, , coeficientul de amplificare mare....
Dispersia parametrilor f. mică
 Tranzistori cu straturi subțiri
• -identici cu TECMOS, în sensul că curentul care circulă prin dispozitiv între sursă
și drenă este comandat de către tensiunea aplicată pe poartă.
• Construcția: pe un strat izolator se depune un SC, la capetele căruia sunt realizate
drena și sursa sub forma unor contacte omice. Pe această str-ră se depune un
izolator foarte subțire și stratul metalic care constiutie poarta. Toate straturile sunt
ultrasubțiri.
• TEC
Apariţia tranzistoarelor cu efect de câmp (al căror principiu de funcţionare a fost propus de W.
Shockley încă din 1952) a constituit revoluţie în tehnica dispozitivelor semiconductoare. Ele
readuceau în marea familie a tranzistoarelor o calitate (parţial) pierdută prin înlocuirea tuburilor
electronice: impedanţa foarte mare de intrare, cu toate avantajele ei practice.
În esenţă, TEC- ul este un rezistor a cărui secţiune sau rezistivitate este controlată de un câmp
electric. Astfel, conducţia electrică are loc într-un “canal” conductiv generat într-un material SC,
ale cărui dimensiuni geometrice sau concentraţii de purtători de sarcină pot fi controlate cu
ajutorul unui câmp electric (transversal pe direcţia de curgere a curentului), creat între un
electrod de comandă numit grilă sau poartă (câmpul electric fiind determinat de potenţialul
său), situat în vecinătatea canalului şi masa semiconductorului în care este format sau indus
acesta.
Curentul se închide printr-o zonă semiconductoare (care reprezintă canalul însuşi) între doi
electrozi, unul numit sursă - pentru că furnizează purtătorii de sarcină şi celălalt numit drenă -
care are rolul de a-i colecta.
Spre deosebire de TB, curentul prin TEC se obţine numai prin deplasarea purtătorilor
majoritari (e- sau p), după cum canalul este de tip n, respectiv p. De aceea, TEC se mai numesc
şi tranzistoare unipolare. De notat că prin canal se deplasează şi purtătorii minoritari, dar
contribuţia lor la curentul total se neglijează, fiind foarte mică în comparaţie cu cea a
purtătorilor majoritari. Ca un prim avantaj al acestui fapt se poate menţiona dependenţa mult
mai redusă a curentului de temperatură.
În funcţie de modul de realizare a grilei, există două tipuri de TEC-uri:
TEC cu Joncţiune (sau cu grilă Joncţiune) – TECJ (JFET);
TEC cu grilă izolată, sau TEC Metal-Izolator-Semiconductor – TECMIS (MISFET)
 În funcţie de modul de realizare a grilei, există două tipuri de TEC-uri:
TEC cu Joncţiune (sau cu grilă Joncţiune) – TECJ (JFET);
TEC cu grilă izolată, sau TEC Metal-Izolator-Semiconductor – TECMIS (MISFET)
• La TEC-J câmpul electric transversal controlează în principal dimensiunile
geometrice ale canalului.
• La TEC-MOS câmpul electric transversal controlează în principal rezistivitatea
canalului.
 Categorii de tranzistoare
Tranzistoare
Tranzistoare cu bipolare cu
efect de câmp joncţiuni
Metal-Oxid-
Semiconductor

12 /
 Tranzistorul cu efect de câmp

Clasificare
-tranzistoare cu poartă joncţiune
-tranzistoare cu poartă izolată
-tranzistoare cu substraturi subţiri.
Studiul IGFET (insulated-gate field-effect transistor) (numit si MOSFET (metal-
oxide FET)) sau tranzistor cu poarta izolata
Grupate după tehnologia de realizare in:
Grouped by the manufacturing technology in:
- tranzistoare MOS cu canal indus (în regim de îmbogăţire )
- tranzistoare MOS cu canal iniţial (cu strat sărăcit)

Este prezentata structura fizica a unui tranzistor MOS

Sectiune transversala a unui tranzistor MOS cu canal
indus n, numit si NMOS

Componente:
-substrat
-sursa
-drena
-grila (poarta)
Elementele grafice ale simbolurilor au
următoarele semnificaţii:
săgeata este întotdeauna plasată pe
grilă;
săgeata este orientată întotdeauna de la
P spre N;
grila se plasează întotdeauna în dreptul
sursei;
TEC-J cu canal P sunt reprezentate
inversat (cu sursa în sus) pentru ca
sensul curentului de drenă ID să fie
reprezentat de sus în jos.
Avantaje ale folosirii tranzistoarelor MOS:
fabricate mai usor decat TB
densitate de intagrare mai
mareimpedanta de intrare mare (1014-
1016Ω),
curent de comanda mic
folosirea in structura MOS a unei
rezistente active
Prezinta unele dezavantaje datorita
precautiilor la depozitare si transport
 Principiul si regiuni de functionare
Tranzistorul – sursă de curent comandată
• Modelul in cc – sursa ideala de curent comandata in tensiune
Tip n Tip p
TECMOS TECMOS
cu canal n cu canal p
TB npn TB pnp

Surse comandate
neliniare:
exponentiala – TB

Tensiune patratica - TMOS

de prag

15
/9
 Principiu de funcţionarea TEC-MOS.

Funcţionarea tranzistorului se bazează pe controlul conductanţei electrice a canalului între

drenă şi sursă, control efectuat prin tensiunea poartă-sursă.

În afara terminalelor "active" (poarta, sursa şi drena), tranzistoarele TEC-MOS mai au un al

patrulea terminal, legat la substratul pe care a fost construit tranzistorul. Între canal şi
substrat există o joncţiune semiconductoare, reprezentată pe simboluri prin săgeata
desenată pe terminalul substratului.
Sensul săgeţii arată sensul în care această joncţiune conduce; joncţiunea trebuie însă
menţinută întotdeauna invers polarizată, altfel ar compromite funcţionarea tranzistorului.

Pentru ca această joncţiune să fie blocată în orice moment, pentru un tranzistor cu canal n
substratul trebuie să fie legat la cel mai coborât potenţial din circuit si se precizează cea
mai utilizată conexiune ca fiind acea „cu sursa comună” asemănătoare conexiunii „emitor
comun” specific tranzistoarelor bipolare.
 Tranzistoare
MOS -
structura

 proces de fabricație n-well cu substrat p¯ slab dopat

 tranzistoarele NMOS sunt realizate pe substrat, iar PMOS stau într-o “covată” n-well

 grila de polisiliciu e izolată de semiconductor de un strat subțire de izolator SiO2

 contactul de substrat (bulk) la dispoziție pentru polarizare (vezi latch-up)

 dispozitivele sunt izolate unele de altele (similar ca la TB)

 pași succesivi de mascare, formare,gravură, implantare de ioni și creștere epitaxială

1 2

3 4

5 6
tranzistor MOS nepolarizat → joncțiunile
substrat-sursă și substrat-drenă nepolarizate →
regiunile de golire din jurul S și D → nu avem
curent prin dispozitiv

 potențial de grilă pozitiv mai mic decât VTh

→ electronii minoritari din substrat sunt atrași de
G → regiunea de golire se extinde sub grilă
datoritaă recombinării electroni-goluri

 VGS crește peste VTh → strat de inversiune

(canal) sub grilă → curent de purtători majoritari
→ condiția fundamentală pentru conducție
 Funcționarea
structurii fizice
tensiune VDS mică → joncțiunea substrat drenă
polarizată invers → regiunea de golire este extinsă
în jurul drenei → canal asimetric

purtătorii sunt accelerați spre D prin contactul

ohmic S-D → regim liniar (triodă)→ rezistența
controlată în tensiune

VDS ≥ VDSat → regiunea de golire din jurul

drenei determină întreruperea canalului (pinch-
off) → saturația

Regimul de VGS VDS Canalul

operare
nu contează,
blocat < VTh înafara cazului nu
când se
străpunge
linear (triodă ) > VTh 0 < VDS < VDsat da, pinch-off
saturat > VTh VDS > VDsat da, pinch-off
 TEC-MOS cu canal inițial
În cazul acestui tip de tranzistor canalul
superficial între sursă şi drenă prin
care se realizează conducţia de curentnt
între cei doi electrozi, este realizat
tehnologic (şi nu indus).
Deoarece canalul este realizat din acelaşi tip de
SC ca şi sursa şi drena, rezultă că pentru o
tensiune uGS=0 tranzistorul este deschis. De
aici apare şi simbolizarea tranzistorului cu o
linie continuă între drenă şi sursă.
Pentru uGS=0 canalul împreună cu substratul reprezintă o joncţiune p-n polarizată invers. În
consecinţă, apare o regiune de trecere care pătrunde mai adânc în semiconductorul mai puţin
dopat (p) lipsită de purtători mobili de sarcină şi care izolează astfel canalul de substrat. Şi de
această dată, Tr. nu prezintă caracteristica de intrare. Pe măsură ce creşte (uDS) se extinde
regiunea de sarcină spaţială dar fără efect asupra conducţie canalului care, spre deosebire de
TEC-J este un canal superficial şi nu unul de volum. În schimb, apariţia câmpului electric E
sărăceşte canalul de purtători mobili de sarcină şi prin urmare scade conducţia în canal până
când aceasta se optimizează. Spre deosebire de TEC-J cu canal n, uGS poate avea orice
polaritatea. O tensiune de grilă pozitivă va conduce la îmbogăţirea cu e- a canalului şi deci la o
mai bună conductibilitate, în timp ce o tensiune negativă va sărăci canalul în purtători mobili de
sarcină.
 TEC MOS cu canal indus
La acest tip de tranzistor canalul este format prin apariţia
stratului de inversie la suprafaţa substratului.
La o tensiune uGS=0 Tr. este blocat, ceea ce înseamnă că
indiferent de valoarea tensiunii dintre drenă şi sursă
curentul prin Tr. va fi nul. Din acest motiv la simbolizarea
tranzistorului se utilizează linia întreruptă între drenă şi
sursă.
Canalul n se formează la suprafaţa substratului dacă alimentăm tranzistorul între grilă şi
sursă cu o tensiune uGS=UP, unde UP este tensiunea de prag a tranzistorului. Curentul
de drenă se modifică în funcţie de uDS similar cu situaţia de la MOS cu canal iniţial.
Canalul se strangulează pentru uGD=UP. De aici rezultă ca strangularea canalului apare
pentru uDS= uGS-UP.
 Caracteristicile de ieşire.

a) TEC-MOS cu canal iniţial b) TEC-MOS cu canal indus

Caracteristica de ieşire pentru TEC-MOS.
Caracteristicile de ieşire prezintă două zone de funcţionare:
-zonă liniară, în care pentru o tensiune UGS impusă, curentul de drenă ID creşte la
creşterea tensiunii aplicate canalului UDS;
-zonă de saturaţie, în care pentru o tensiune UGS impusă, curentul de drenă ID nu se
modifică la creşterea tensiunii aplicate canalului UDS.
În zona de saturaţie curentul de drenă nu se schimbă prin modificarea UDS ci numai prin
modificarea potenţialului grilei UGS. Această dependenţă este exprimată astfel
 IDSS = β (UGS – Up)m unde m ϵ (Unde:
IDSS – curentul de saturaţie,
Β – coeficient specific tranzistorului cu dimensiunea ,
VT – tensiunea de tăiere,
m=2 coeficient teoretic are valoarea specificată.
În zona liniară a caracteristicilor statice curentul de drenă ID , pentru o tensiune aplicată
grilei constantă (UGS = constant), se modifică liniar cu tensiunea UDS, ceea ce înseamnă că
dispozitivul între drenă şi sursă se comportă ca o rezistenţă. Curentul de drenă respectă
relaţia lege lui Ohm pentru rezistenţe.
ID = UDS/ Rcanal = G UDS
unde G este conductanţa canalului (drenei). Valoarea rezistenţei ohmice echivalente
depinde de tensiunea aplicată pe poartă; avem o regiune de rezistenţă controlată. Un
rezistor adevărat este însă un dispozitiv simetric: bornele sale pot fi inversate şi
comportarea sa rămâne aceeaşi. În consecinţă, pentru a putea înlocui un rezistor,
tranzistorul ar trebui să-şi extindă comportarea liniară a caracteristicii şi la tensiuni
negative. Pentru tensiuni drenă sursă mici în valoare absolută, aşa se şi întâmplă, după cum
se poate constata pe de mai sus.
În această regiune, tranzistorul este echivalent cu un rezistor de rezistenţă
RDS = 2 K(UGS-Up)-1
controlată de tensiunea aplicată pe poartă. Cum parametrul nu este dat explicit în foile de
catalog, este mult mai util să scriem relaţia precedentă în funcţie de rezistenţa RDS0 obţinută
la o valoare particulară UGS0 a tensiunii poartă-sursă RDS=RDSo(UGSo-Up)/(UGS-Up)
Într-a doua regiune, tranzistorul se comportă cu totul altfel: la valori UDS mari, curentul
încetează practic să mai depindă de tensiunea drenă-sursă, ieşirea comportându-se ca o
sursă de curent controlată de tensiunea de poartă. Se observă aici saturaţia curentului
de drenă în raport cu tensiunea drenă-sursă.

În regiunea de sursă de curent controlată, se poate ridica caracteristica de transfer şi se

poate defini transconductanţa. Cu tranzistorul în acest regim de funcţionare se pot
realiza amplificatoare (pentru că ID nu este saturat în raport cu mărimea de intrare UGS
ci, din contră, este controlat practic numai de aceasta).

Este foarte important să cunoaştem limita aproximativă între cele două regiuni de
funcţionare. Astfel, pentru o tensiune poartă-sursă fixată, frontiera între regiunea de
rezistor controlat şi aceea de sursă de curent controlată este la o valoare a tensiunii
drenă-sursă egală cu comanda porţii UDSlimită = UGS - Up.
 Efectul polarizării substratului.

Până în prezent s-a considerat că sursa şi substratul se află la acelaşi potenţial. Dacă
potenţialul substratului este diferit de 0, atunci acest potenţial trebuie să polarizeze
invers joncţiunea sursă-substrat. Rezultă că potenţialul substratului, în cazul nMOS,
trebuie să fie mai mic decât cel al sursei iar în cazul pMOS trebuie să fie mai mare decât
potenţialul sursei.

Dacă sursa nMOS este conectată la masă atunci substratul trebuie să fie legat la un
potenţial negativ sau tensiunea sursă-substrat să fie totdeauna pozitivă, USB>0. La
pMOS, asemănător, trebuie USB<0.

Efectul polarizării substratului cu USB>0 în cazul tranzistorului nMOS cu canal indus

constă în creşterea valorii tensiunii de prag (creştere spre valori pozitive). Efectul
polarizării substratului cu USB<0 în cazul tranzistorului pMOS cu canal indus constă în
creşterea, în modul, a valorii tensiunii de prag (creştere spre valori negative).
 Tranzistoare cu efect de câmp cu grilă joncţiune (TECJ)
TECJ au canalul conductor (cu o lungime de 10-100 ori mai mare decât grosimea sa)
delimitat în volumul SC cu ajutorul a două joncţiuni pn, polarizate invers (figura 5.1a).
Cele două capete ale sale sunt conectate la terminalele numite drenă (D) şi sursă
(S), iar zona centrală (puternic dopată) se numeşte grilă/poartă, delimitând împreună
cu substratul (de asemenea puternic dopat) canalul. În acest fel se creează două
joncţiuni pn (asimetrice), una între grilă şi canal, iar a doua între substrat şi canal. În
figura 5.1a s-a reprezentat un TECJ cu canal de tip n. Substratul poate fi folosit ca
grilă. Dacă se conectează galvanic cu grila propriu-zisă, cazul cel mai des întâlnit,
atunci se obţine un efect de câmp aproximativ simetric faţă de axa 5.2 longitudinală a
dispozitivului. Substratul poate fi folosit însă şi ca un al patrulea electrod de comandă,
caz în care se obţine tetroda cu efect de câmp.
Joncţiunea pn grilă-canal este polarizată invers, iar lungimea de difuzie asociată acesteia, face ca
secţiunea conductivă a canalului (regiunea n neutră) să fie mai mică decât distanţa dintre cele
două joncţiuni. Rezultă că această secţiune este controlabilă electric prin diferenţa de potenţial
care există între grilă şi canal. În procesul de conducţie purtătorii de sarcină sunt generaţi de
sursă şi colectaţi de drenă. Datorită asimetriei celor două joncţiuni pn, zona de difuzie se extinde
preponderent în zona mai slab dopată, adică în zona canalului. Deoarece purtătorii de sarcină
trebuie să se deplaseze de la sursă către drenă, câmpul electric din interiorul canalului trebuie să
fie orientat astfel încât forţele electrostatice să asigure această deplasare (electronii, având sarcină
negativă, se deplasează în sens invers liniilor de câmp, iar golurile, asimilate unor sarcini
pozitive, se deplasează în sensul liniilor de câmp). Această necesitate impune ca drena să fie
polarizată corespunzător faţă de sursă. În figura 5.1b se prezintă simbolurile celor două tipuri de
TECJ, precum şi polarităţile tensiunilor între terminale. Se poate observa că se respectă convenţia
folosită la simbolurile dispozitivelor bazate pe joncţiunea pn: săgeata reprezintă joncţiunea pn
grilă-canal (cu sensul: p - n ).
 Tranzistoare cu efect de câmp cu grilă izolată
Tranzistoarele TECMIS (Metal-Izolator-Semiconductor) au grila izolată faţă de canalul
conductor. Deoarece în cele mai multe cazuri izolatorul este SiO2 (dioxid de siliciu)
denumirea cea mai comună sub care se întâlnesc aceste tranzistoare este TECMOS
(Metal-Oxid-Semiconductor).
Structura prezintă două zone cu acelaşi tip de conductibilitate puternic dopate (n+ în figura
5.2a), una fiind alocată Sursei şi cealaltă Drenei, separate printr-o zonă cu conductibilitate
de tip opus (p în figura 5.2a) numită substrat şi care (de obicei) este conectat intern la sursă.
Între această zonă şi Grilă există un strat izolator din SiO2. Conducţia electrică va avea loc
într-un canal conductor dispus între sursă şi drenă. În funcţie de natura acestuia, există două
tipuri de TECMOS:
cu canal indus;
cu canal iniţial.
Rezultă că în esenţă un TECMOS este un condensator ale cărui armături sunt grila şi
substratul, dielectricul fiind format din startul izolator (capacitorul MOS). În figura 5.2a este
reprezentat un TECMOS cu canal indus. Dacă se aplică între drenă şi sursă o tensiune cu orice
polaritate, una din joncţiunile pn va fi blocată, astfel încât nu va circula curent în absenţa
comenzii pe grilă. În condiţiile aplicării unei tensiuni pe grilă pozitive în raport cu substratul,
VGS> 0, aceasta, prin intermediul câmpului electric EGS (orientat de la grilă către substrat) ce
va acţiona asupra purtătorilor de sarcină (golurile majoritare, respectiv electronii minoritari din
zona p) cu forţe electrostatice, va atrage electronii spre suprafaţa de separaţie între izolator şi
substrat şi va îndepărta golurile către interiorul substratului. În acest mod va apărea între cele
două zone n+ o acumulare de electroni minoritari care formează aşa numitul strat de
inversiune (a conducţiei).
Mărimea potenţialului grilei determină lăţimea stratului de inversiune, adică rezistivitatea
canalului conductor. Aplicând o diferenţă de potenţial între drenă şi sursă electronii din
stratul de inversiune se vor deplasa pe calea n+ S) – canal format din stratul de inversiune
– n+(D), determinând astfel curentul tranzistorului (curentul de drenă, iD).
Diferenţa între TECMOS cu canal indus şi cele cu canal iniţial constă în existenţa unui mic
canal conductiv între sursă şi drenă, format prin doparea corespunzătoare a suprafeţei
substratului din vecinătatea izolatorului. Din cele expuse rezultă că la TECMOS tensiunea
VGS va influenţa cu precădere concentraţia purtătorilor de sarcină electrică ce vor asigura
conducţia, altfel spus rezistivitatea (sau îmbogăţirea/sărăcirea) canalului şi mai puţin
dimensiunile sale.
TEC au avantaje importante faţă de TB:
dependenţa de temperatură a caracteristicilor este mai redusă, deoarece în conducţia
TEC nu mai intervin purtătorii minoritari;
rezistenţa de intrare (pe electrodul grilă) este foarte mare (102-103 MOhm), datorită
joncţiunii grilei polarizate invers în cazul TECJ, respectiv a prezenţei izolatorului în
cazul TECMOS, lucru care este util în anumite aplicaţii;
inexistenţa tensiunii de decalaj (tensiunea drenă–sursă nulă pentru curent de drenă zero);
zgomot redus.
 CARACTERISTICI STATICE
• Ca dezavantaj se poate menţiona că TEC nu amplifică în curent, iar amplificarea în
tensiune este mică în raport cu cea a tranzistorului bipolar. În circuitele electronice cu
componente discrete, dar şi în anumite circuite integrate se întâlneşte împreună cu tranzistorul
bipolar, exploatându-se astfel avantajele ambelor tipuri de tranzistoare.
TEC au următoarele (tipuri de) caracteristici statice:
caracteristicile de ieşire (de drenă): ID = ID (VDS) pentru VGS=const ;
caracteristicile de transfer: ID = ID (VGS) pentru VDS = const.
În continuare se vor prezenta aceste caracteristici pentru TECJ şi TECMOS. Se va considera
cazul tranzistoarelor TEC cu canal n, deoarece acestea sunt cel mai des întâlnite.
Din analiza schemelor structurale din figurile 5.1a şi 5.2a observăm, că tensiunea VDS se
aplică în lungul canalului, astfel că inevitabil va exista o distribuţie spaţială a acesteia. Altfel
spus, zona canalului mai apropiată de drenă va avea un potenţial diferit de cel al porţiunii
canalului mai apropiată de sursă. Acest fapt determină variaţia lăţimii canalului în cazul TECJ,
respectiv concentraţia de purtători de sarcină în cazul TECMOS, influenţând astfel conductanţa
acestuia.
În figura 5.3 este prezentat un model simetric
idealizat al TECJ cu canal n. Lungimea de
difuzie a joncţiunii p+ n grilă-canal este
proporţională cu tensiunea de polarizare
inversă, a cărei expresie: VGC(x)=VGS-VDS(x) (5.1)
Cum variaţia VDS(x) este descrescătoare, rezultă
că VGC(x) şi ca urmare lungimea de difuzie a – b(x) vor fi crescătoare, obţinându-se astfel
situaţia din figura 5.3. De asemenea, observam că la o polarizare inversă accentuată a joncţiunii
G-C, lungimea de difuziune creşte ce atrage după sine micşorarea lăţimii canalului, b(x) Rezultă
că există o valoare de prag, VP (sau VT) a tensiunii VGS care anulează canalul (b(L)=0).
Ținând cont de asimetria joncţiunii (NA>>ND), valoarea tensiunii de prag se poate determina :
 Caracteristici de ieşire ale TEC în regim de funcţionare quasiliniar
La valori mici ale tensiunii VDS, fenomenul îngustării canalului (respectiv micşorarea
concentraţiei de purtători de sarcină în cazul TECMOS) în vecinătatea drenei este neglijabil. În
această situaţie, rezistivitatea canalului rezultă constantă; de exemplu, în cazul TECJ)
particularizată la cazul SC de tip n (p=0) , se pot scrie următoarele:
ρ = (enμn)-1 sau R= (eND μn)-1 L ((2b(0)W))-1 (5.3)
unde L –lungimea iar W- adâncimea canalului
Rmin = (eND μn)-1 (2aW)-1 L, unde b(0)=a (5.4)
În aplicaţiile practice este însă mult mai utilă o dependenţă a conductanţei canalului de
tensiunea de comandă VGS. Expresiile aproximative ale acestor dependenţe sunt:
- Pentru TECJ: G=Go ((1- (VGS/VP)1/2)) (5.5) unde Go = Rmin -1 = G pentru VGS =0
- Pentru TECMOS G = (W μn Co/L) ǀVGS-Vp ǀ (5.6)
unde Co este capacitatea specifică (pe unitatea de arie) a stratului izolator (oxid). În concluzie,
pentru valori mici ale tensiunii VDS (de obicei pentru VDS< 0,1V), conductanţa canalului se
poate considera constantă, astfel că TEC se comportă quasiliniar:
Observăm, că pentru TECJ tensiunea vDS poate avea ambele sensuri
(aceasta datorită simetriei structurii sale), ce nu este posibil pentru
TECMOS. Într-adevăr, analizând structura din figura 5.2a, se poate observa
că orice valoare vDS<0 va polariza direct joncţiunea pn+ substrat-drenă,
ceea ce va avea ca efect scurtcircuitarea canalului, existând inclusiv
posibilitatea distrugerii structurii în ipoteza că tensiunea aplicată depăşeşte
valoarea pragului de conducţie (ǀVDSǀ >VD). De asemenea, se poate observa
că în cazul TECMOS cu canal iniţial există conducţie şi în absenţa
comenzii pe grilă.
TEC sunt folosite în regiunea liniară ca rezistenţă controlată în tensiune.
Conductanţa drenă-sursă gd=gd(VGS) este identică cu conductanţa G a
canalului în conformitate cu (5.5) şi (5.6), unde VGS este tensiunea continuă
(de polarizare) grilă-sursă. Pentru calcule practice conductanţa canalului gd
se poate aproxima cu expresia empirică:
gd = Go(1-k ǀVGSǀ) (5.9) unde Go este conductanţa pentru VGS =0, iar k o
constantă a tranzistorului.
Unele aplicaţii ale acestui mod de lucru sunt: controlul automat al
amplificării (cu ajutorul unui semnal redresat şi filtrat) şi atenuatorul
comandat în tensiune.
 Caracteristici de ieşire ale TEC în regim de funcţionare neliniar
Pentru tensiuni VDS mai mari, fenomenul îngustării canalului (respectiv micşorarea
concentraţiei de purtători de sarcină) în vecinătatea drenei nu mai poate fi neglijat, astfel că
rezistenţa (conductanţa) canalului nu mai este constantă. Acesta va avea profilul indicat în
figura 5.3, neuniformitatea lăţimii sale indicând creşterea rezistenţei (sau, echivalent,
micşorarea conductanţei) canalului în vecinătatea drenei. Ca urmare, caracteristicile statice
quasiliniare din figura 5.4 se vor “curba” în sensul micşorării ratei de creştere a curentului
ID odată cu creşterea tensiunii VDS.
 Caracteristici de ieşire ale TEC în regim de saturaţie
Creşterea tensiunii VDS are ca efect micşorarea din ce în ce mai pronunţată a dimensiunii
b(x) din figura 5.3, ajungându-se astfel în situaţia limită b(L)=0, ca în figura 5.6a. Această
situaţie trebuie înţeleasă în cazul TECMOS ca o egalizare a concentraţiei purtătorilor de
sarcină din stratul de inversiune cu cea a impurităţilor din substrat__-

Conform reprezentării din figura 5.6a, și de formula (5.1) saturaţia apare când VGC(L)=Vp
(canalul se ştrangulează la drenă). Observând că VDS(L)=VDS, rezultă relaţia: VDS=VGS-Vp
(5.10) Creşterea în continuare a tensiunii VDS conduce la situaţia reprezentată schematic
în figura 5.6b, conform căreia lungimea canalului este mai mică decât L. Considerând că
în lungul canalului căderea de tensiune este VDSsat , rezultă că pe porţiunea în care
canalul este ştrangulat apare diferenţa de potenţial ΔV=VDS-VDSsat, (5.11) ce va atrage
 după sine apariţia câmpului electric E (orientat ca în figura 5.6b în cazul TEC canal n),
care transportă purtătorii de sarcină spre drenă, menţinând astfel curentul prin structură
 Caracteristica de intrare Caracteristica de iesire

Din caracteristica de iesire, pot fi deduse si analizate trei regiuni:

Regiunea de blocare: curentul de iesire, curentul drena-sursa IDS este
aproximativ nul si tensiunea de intrare, VGS, este mai mica decat tensiunea de
prag: VGS < VT
Regiunea liniara (de trioda): regiunea situata la stanga caracteristicii de
curent, cand VDS = VGS - VT; curentul de drena IDS creste 2
V DS
rapid ca o functie de potential drena-sursa VDS I DS = K (( V GS - | V T |)V DS - )
Deasemenea: 0 <= VDS <= VGS - VT 2
Regiunea de saturare: regiunea situata la dreapta caracteristicii de curent,
cand VGS-VT=VDS
Urmatoarele relatii definesc aceasta stare:
0 <= VGS - VT <= VDS
K
I DS = ( V GS - V T )2
2
K, factorul de conducţie ≈ß·(W/L), unde:
- ß este factorul de conducţie intrinsec; are valoarea aproximativă de 10μA/V2
- W este lăţimea canalului; poate fi în gama 10-200μm
- L este lungimea canalului, are valori în gama 1-10μm
Dacă tensiunea VDS creşte în continuare, atunci la capătul de lângă drenă se
vor crea condiţii pentru amorsarea fenomenului de multiplicare în avalanşă în
joncţiunea pn grilăcanal. Acest fenomen apare atunci când diferenţa de
potenţial între drenă şi grilă atinge valoarea va a tensiunii de multiplicare în
avalanşă: va=VDG=VDSBR-VGS ↔ VDSBR=VGS+vA (5.12)
 Caracteristici statice de transfer
• TEC este folosit ca amplificator în zona de saturaţie VDS> VDSsat . În această situaţie, după
cum s-a menţionat anterior şi se poate urmări în figura 5.7, iD=iDsat , independent de vDS.
Ca urmare, tranzistorul, lucrând în zona de saturaţie a curentului, are o caracteristică de
transfer unică, iD=iD(vGS) , independentă de vDS. Pentru calcule de circuit:
 Probleme cu TEC
• Se dă circuitul din figura 5.14, în care parametrii TECJ sunt:
IDSS=9 mA, Vp -= 3V. În regiunea de saturaţie a curentului se poate
folosi aproximaţia parabolică: iD = IDSS (1- VGS/VT)2
• Între ce limite poate varia RD astfel încât TECJ să funcţioneze
în regiunea de saturaţie a curentului?
Aplicaţie: VDD=-16V, Rs= 250 Ohmi, RG = 1MOhm.
Rezolvare Schema din figura 5.14 este construită în jurul unui TECJ canal p, deci
circuitul va fi descris de un sistem de ecuaţii
 Capacitățile parazite

COLS  COLD  WLOLCox

CBD0 CBS0
C jBD  C jBS 
VBD VBS
1 1
BD0 BS0

COLS, COLD – capacități de suprapunere ale S și D

CjBS,CjBD, CjBch – capacități de joncțiune sursă-substrat, drenă-substrat și canal-

substrat

Cch – capacitate grilă-canal (sau simplu capacitate de canal) → depinde de

regimul de funcționare

Fiecare capacitate contribuie la capacitatea parazită totală dintre terminale,

depinzând de regimul de funcționare. 4
6
Deoarece TECJ este blocat dacă ǀVGSǀ > ǀVpǀ, rezultă că soluţia acceptabilă este: ID = 4 mA,
VGS = 1 V .
Se observă că ID ≠ID(RD), de unde se deduce că modificarea lui RD nu are efect asupra lui ID,
dacă TECJ-ul rămâne în zona de saturaţie, când este adevărată aproximarea parabolică (adică
se confirmă ipoteza care s-a folosit).
VDS = VDD + ID(RD+RS) = VDD + VGS +IDRD
Se impune ǀVDSǀ > ǀVDSsatǀ , unde VDSsat = VGS- Vp = 1V – 3 V = -2V
De unde
RD < Rdmax = (VDSsat – VDD – VGS)/ID – (VDD+ Vp)/ID= 2,25 kOhm
 Modelul de semnal mic și înaltă frecvență

4
8

Circuite integrate analogice – Celule fundamentale – Tranzistoare bipolare și MOS

• Să se proiecteze un circuit de polarizare a TECJ din figura 5.16 cu Vp ϵ {-4; -3} V;
IDSS ϵ {9; 12} mA care să asigure ID ϵ{4; 4,5} mA, în regiunea de saturație a
curentului.
 Tranzistorul cu efect de câmp cu joncţiune (TECJ)

TECJ cu canal n (TECJ-n)

G
D
poarta
(grila)

S G
D
sursa drena
S
+
n p
EG

regiune saracita G ID G ID
D
S D S
regiune saracita

ED RS ED RS
a b
 Tranzistorul cu efect de câmp cu joncţiune (TECJ)

TECJ-n: caracteristici statice

liniar saturaţie străpungere
ID U D S sa t=-U T
U GS 3 = 0
ID S S
UD S = const. U GS 2

UDS ID
U GS 1

ID
UT U GS 3 U GS 2 U GS 1
tensiuni U D S sa t
UGS
U GS
0 0 UDS
U D SS = -U T

 ΔU DS 
2
 U   ΔI D 
I D  I DSS 1  GS  g m    rd   
 UT   ΔU GS U DS const.  ΔI D U GS const.
U DSsat  U GS  UT
rgs  1011  1015 
 Tranzistorul cu efect de câmp cu joncţiune (TECJ)

D D

TECJ-p
TECJ-n G G
S S

ID ID
ID S S ID S S
UD S = const. UD S = const.

UT UT

U GS U GS
0 0
caracteristica de transfer caracteristica de transfer
pentru un TECJ-n pentru un TECJ-p
 Polarizarea în curent continuu

+ED
cu divizor de tensiune
R1 Rd
IR2  U GS  I S Rs ID
I
ED  I R1  R2  IG = 0 U DS
E D  I D Rd  U DS  I S Rs I
U GS IS

ID  IS R2 Rs
 Polarizarea în curent continuu

cu poarta conectată la masă

+ED ID

Rd
solutia falsa
ID
d re
a pt solutia cu
ad
IG = 0, VG = 0 e sa sens fizic
UDS rc in
a
UGS IS

Rg Rs U GS
PUNCT STATIC
0
DE FUNCTIONARE

2
 U GS 
U GS   I D Rs I D  I DSS 1  
 UT 
 TECMOS cu canal iniţial

EG
G - grila (poarta) canal ingustat
S - sursa METAL OXID (SiO 2 ) D - drena G
S D
+ + + +
n n n n
p p
substrat

canal initial n B
B - baza
a b

D D

B B
G G

S S
TECMOS TECMOS
cu canal inital n cu canal inital p
 TECMOS cu canal indus
TECMOS
cu canal indus de tip n

G - grila (poarta)
S - sursa METAL OXID (SiO 2 ) D - drena

n+ n+ ID
p
substrat
UGS
B - baza
EG
canal n indus
G
S D 0 UDS
+ +
n n
p

B
 TECMOS cu canal indus

TECMOS cu canal indus de tip n TECMOS cu canal indus de tip p

D D

B
B
G G
S S
ID ID

UD S = const. UD S = const.

UT UT

UGS UGS
0 0
 Regimul dinamic

rd id
IDo id
IGo= 0 rgs 10 
11

ig= 0 UDS o ud s ud s

ug s u gs
UGSo ug s rgs


id  id u gs , u ds  id  g m u gs 
1
u ds
rd
id
gm  id
u gs panta de semnal mic
uds 0
10 
11
rgs

1 id g m ug s rd
ud s
 conductanţa canalului ug s rgs
rd u ds u gs 0

uds
  g m rd  factorul
u gs de amplificare
u gs  rd id  u ds
id const. în tensiune