2.

TRANZISTOARE CU EFECT DE CÂMP

Cuprins Cap.2:

2.1. Tranzistorul cu efect de câmp cu joncţiune

2.1.1.Clasificare şi simbol
2.1.2.Structura TEC-J cu canal n
2.1.3.Tensiunea de prag
2.1.4. Caracteristicile statice ale TEC-J cu canal n
2.1.5. Polarizarea TEC-J
2.2. Tranzistoare cu efect de câmp cu grilă izolată
2.2.1. Clasificare şi simbol
2.2.2. Structura TEC-MOS
2.2.3. Caracteristicile TEC-MOS
2.3. Expresiile analitice generale ale caracteristicilor TEC
2.4. Polarizarea TEC-MOS
2.5. Circuite cu TEC
2.5.1. Conexiuni fundamentale
2.5.2.TEC-rezistenta variabila controlata in tensiune
2.5.3. Stabilizator de curent
2.5.4. Inversorul MOS
2.5.5. Porti logice bazate pe inversorul MOS
2.5.6. Inversorul CMOS
2.5.7. Porti logice CMOS
2.6. Etaje de amplificare cu TEC
2.6.1.Circuitul echivalent la semnal mic
2.6.2 Etaje de amplificare SC cu TEC

1
 2. TRANZISTOARE CU EFECT DE CÂMP

Tranzistoarele cu efect de câmp (TEC) sunt în principal de două feluri:

TEC cu joncţiune (TEC-J) şi TEC cu grilă izolată (TEC-MOS). În literatura
engleză de specialitate denumirile acestora sunt: Field-effect transistor (FET),
Junction gate field-effect transistor (JFET) și metal–oxide–semiconductor field-
effect transistor (MOSFET).
Ele mai sunt numite și tranzistoare unipolare, deoarece funcționează cu
purtători de sarcină de o singură polaritate. Toate tranzistoarele TEC au o
impedanță de intrare mare, asigurând astfel un grad mare de izolare al
terminalului de comandă. Conductivitatea tranzistorului e controlată de o
tensiune. TEC produc un zgomot redus față de TBJ și de aceea se folosesc în
echipamente sensibile la zgomot, cum ar fi tunere sau amplificatoare de satelit
cu zgomot redus. De asemenea au o mai bună stabilitate termică decât TBJ.
Terminalul de comandă nu consumă putere sulimentară pentru menținerea stării
tranzistorului, ceea ce permite comutarea la puteri foarte joase, deci și
miniaturizarea comutatoarelor de putere.
Dintre dezavantajele TEC menționăm o lățime redusă de bandă, disipare
mare de putere pe durata comutării.

2.1. Tranzistorul cu efect de câmp cu joncţiune

Tranzistorul cu efect de câmp cu joncţiune (TEC-J) este un dispozitiv
semiconductor comandat, la care curentul circulă printr-un canal conductor.
Modificarea valorii curentului în canalul conductor se realizează prin
intermediul unui câmp electric, care variază grosimea regiunii de sarcină
spaţială a unei joncţiuni pn. De aceea, acest tranzistor se numeşte tranzistor cu
efect de câmp cu joncţiune.
Tranzistorul cu efect de câmp cu joncţiune a fost propus de Shockley în 1952.

2.1.1. Clasificare şi simbol

Tranzistoarele cu efect de câmp cu joncţiune pot fi clasificate după tipul
canalului în TEC-J cu canal n şi TEC-J cu canal p. Simbolurile acestor
tranzistoare sunt prezentate în fig.2.1.1.
Terminalele (electrozii) TEC-J au următoarele denumiri: D – drenă, S –
sursă şi G – grilă (poartă). Sensul săgeţii este acelaşi ca la diodă, anume de la p
la n. Cele două tipuri de TEC-J sunt echivalente dacă se schimbă semnele
tensiunilor aplicate între terminale.

2
 a) b)

Fig. 2.1.1. Simbolul TEC-J; a) TEC-J cu canal n; b) TEC-J cu canal p

2.1.2. Structura TEC-J cu canal n

Structura TEC-J cu canal n este prezentată în fig. 2.1.2. Într-un substrat
semiconductor de tip p slab dopat cu impurităţi se practică un canal n între
electrozii sursă S care emite electroni şi respectiv drenă D care îi colectează. La
un tranzistor TEC-J terminalele S si D îşi pot şi schimba rolul (drena emite
electroni şi sursa îi colectează). Pentru a se obţine un contact ohmic bun între
electrozii sursă şi drenă şi canalul n de rezistivitate relativ mare, se practică
difuzia celor două zone n  indicate în fig.2.1.2.

a)
b)
Fig.2.1.2. TEC-J cu canal n
a) structură; b) dimensiunile canalului

3
Electrodul grilă G este conectat la zona p  , care împreună cu substratul p
delimitează canalul n. Electrodul G asociat substratului p este de obicei conectat
cu grila, dar substratul p poate fi folosit şi ca electrod independent, în acest caz
obţinându-se tetroda cu efect de câmp.
Joncţiunea pn poartă-canal este polarizată invers, iar grosimea regiunii de
sarcină spaţială asociată acestei joncţiuni face ca secţiunea conductivă a
canalului (regiunea neutră n) să fie mai mică decât distanţa dintre cele două
joncţiuni. Dimensiunea canalului este controlabilă electric prin diferenţa de
potenţial aplicată joncţiunii pn poartă-canal.
Zona p  fiind mai puternic dopată decât zona n, regiunea de sarcină spaţială va
pătrunde mai adânc în regiunea n decât în zona p  . La cealaltă joncţiune pn
(substrat-canal), substratul p este slab dopat, deci regiunea de sarcină spaţială va
pătrunde puternic în regiunea p (substrat), dar acest lucru nu contează pentru
funcţionarea dispozitivului, pentru că secţiunea care trebuie controlată este cea a
canalului n. Controlul canalului se face practic prin joncţiunea grilă p  şi
canalul n.
Curentul care apare în circuitul drenă-sursă în prezenţa unei tensiuni v DS se
datorează practic numai deplasării purtătorilor majoritari (electroni) prin canal,
ceea ce justifică denumirea TEC-J de tranzistor unipolar.

2.1.3. Tensiunea de prag

Curentul de drenă depinde în general atât de tensiunea vDS cât şi de tensiunea
vGS . Prin intermediul tensiunii vGS se realizează un control al conductanţei
canalului (dimensiunii canalului).
Tensiunea vGS negativă polarizează invers joncţiunea p  n , regiunea de sarcină
spaţială se extinde şi valoarea tensiunii pentru care ocupă complet canalul se
numeşte tensiune de prag şi se notează V P . Ţinând cont că VP  0 , când
vGS  VP şi vGD  VP , canalul este închis pe toată lungimea lui şi curentul de
drenă este nul ( i D  0 ).

2.1.4. Caracteristicile statice ale TEC-J cu canal n

Se analizează două tipuri de caracteristici statice, anume caracteristicile statice
de ieşire i D  i D ( v DS ) cu tensiunea vGS  VGS  ct. ca parametru şi
caracteristicile statice de transfer i D  i D ( vGS ) cu tensiunea v DS  VDS  ct. ca
parametru.
Caracteristicile statice de ieşire i D  i D ( v DS ) , cu vGS  VGS  ct. ca
parametru se pot împărţi în patru zone, anume zona liniară, zona neliniară, zona
de saturaţie şi zona de străpungere.
4
  Zona liniară: În această zonă, TEC-J funcţionează la tensiuni v DS mici
( v DS  0,1V ) . Se consideră vDS aproximativ 0V, astfel că potenţialul
canalului n este uniform pe toată lungimea sa şi practic egal cu potenţialul
de referinţă al sursei. Ca urmare, variaţia grosimii regiunii de sarcină
spaţială de-a lungul canalului va fi neglijabilă, aşa cum se poate vedea în
fig.2.1.3.

Fig.2.1.3. Secţiune geometrică idealizată pentru TEC-J cu canal n

Fig.2.1.4. Caracteristicile statice de ieşire i D  i D ( v DS ) pentru v DS mici

Expresiile analitice ale caracteristicilor TEC pentru zona liniară şi

neliniară ( regim nesaturat):
 
i D  k n 2vGS  VP v DS  v DS 2 , pentru v DS  vGS  VP , (2.1.1)

5
 In zona liniară v DS are valori foarte mici de aproximativ 0,1V şi termenul
2
v DS ,din relaţia (2.1.1) se poate neglija, rămânând ecuaţia unei drepte.

Notă: Curbele au fost trasate şi în cadranul III pentru a arăta că TEC-J se

comportă ca o conductanţă liniară şi pentru tensiuni mici v DS negative (drena
emite electroni şi sursa îi colectează).
 Zona neliniară: În această zonă TEC-J funcţionează la tensiuni v DS mai
mari decât cele ale zonei liniare şi mai mici decât ( vGS  VP ).
Potenţialul canalului creşte treptat de la sursă la drenă, polarizând invers din ce
în ce mai puternic porţiunea corespunzătoare joncţiunii pn poartă-canal. Ca
urmare, canalul se îngustează treptat pe măsură ce ne apropiem de drenă, ca în
fig.2.1.5.

Fig.2.1.5. Modificarea dimensiunii canalului în zona neliniară

Pentru a justifica acest lucru, se consideră următorul exemplu numeric:

v DS  VDS  2V şi VGS  1V . Din teorema lui Kirchhoff pentru tensiuni
aplicată circuitului din fig.2.1.5, rezultă VGD  VGS  VDS  3V . Deci, cea
mai puternică polarizare inversă a joncţiunii pn este lângă drenă. Rezultă că aici
grosimea regiunii de sarcină spaţială este cea mai mare şi lărgimea canalului cea
mai îngustă. O expresie matematică ce aproximează această zonă este relaţia
(2.4.1).
Funcţionarea tranzistorului în zona liniară şi neliniară se numeşte funcţionare în
regim nesaturat.

6
  Zona de saturaţie: În această zonă TEC-J funcţionează la tensiuni mai
mari decât pragul de saturaţie v DS sat  vGS  VP şi mai mici decât
tensiunea de străpungere. Curentul de drenă i D rămâne practic constant la
creşterea tensiunii v DS peste pragul de saturaţie v DS sat .
Saturaţia corespunde momentului în care canalul este strangulat lângă drenă
(fig.2.1.6). Această strangulare apare atunci când tensiunea între grilă şi
extremitatea de lângă drenă atinge tensiunea de prag V P .

Fig.2.1.6. Modificarea dimensiunii canalului în zona de saturaţie

Teorema Kirchhoff pentru tensiuni aplicată în fig.2.1.6 este:

vGS  v DS  vGD  0
Pentru v DS  v DS sat , rezultă:
vGD  vGS  v DS sat . (2.1.2)
Canalul se strangulează (blochează) lângă drenă dacă vGD  VP , iar din relaţia
(2.1.2) rezultă:
v DS sat  vGS  VP (2.1.3)
Tranzistorul rămâne saturat pentru v DS  v DS sat . Atunci când v DS depăşeşte
v DS sat cu o mică cantitate ∆V, regiunea de sarcină spaţială traversată de
curentul de drenă are grosimea  (fig.2.1.6). Căderea de tensiune pe canalul
conductiv este v DS sat şi căderea de tensiune pe regiunea de sarcină spaţială 
este ∆V. De aici, existenţa unui câmp electric longitudinal intens care antrenează

7
electronii spre drenă. Intuitiv, în acest moment canalul conductiv este separat de
drenă prin regiunea de sarcină spaţială  şi variaţia potenţialului drenei nu mai
influenţează curentul de drenă. Trecerea fluxului de electroni peste regiunea de
sarcină spaţială  se datorează faptului că lungimea de difuzie a electronilor
este mult mai mare decât  .
Dacă v DS creşte şi mai mult, regiunea de trecere de lângă drenă se mai îngroaşă
puţin, dar curentul de drenă rămâne practic acelaşi. În zona de saturaţie
v DS  vGS  VP .
Caracteristicile i D  i D v DS  pentru diferite valori ale lui VGS sunt prezentate
în fig.2.1.7.

Fig. 2.1.7. Caracteristicile i D  i D v DS  pentru diferite valori ale lui VGS

Funcţionarea tranzistorului în zona de saturaţie se numeşte funcţionare în regim

saturat. O expresie matematică ce descrie această zonă se obtine din relaţia
(2.1.1) , in care se inlocuieste VDS, din relatia (2.1.3), obtinandu-se:
i D  k n vGS  VP 2 pentru v DS  vGS  VP . (2.1.4)

În cazul tranzistoarelor TEC-J în locul constantei k n se utilizează curentul de

drenă la saturaţie I DSS . Pentru cele cu canal n, curentul I DSS se obţine pentru
vGS  0 , din relaţia (2.1.4) ; rezultă k n  I DSS / VP2 .
Expresia (2.1.4) devine:
2
 v 
iD  I DSS 1  GS  pentru v DS  vGS  VP . (2.1.5)
 VP 

8
  Zona de străpungere: La tensiuni v DS mari apare o creştere abruptă a lui
i D datorită străpungerii prin multiplicare în avalanşă care apare la capătul
de lângă drenă al joncţiunii poartă–canal. Străpungerea este similară cu
cea de la joncţiunea pn polarizată invers.
Străpungerea se face lângă drenă pentru că valoarea maximă a tensiunii v DG
este lângă aceasta. Utilizând notaţiile din fig. 2.1.6, din teorema Kirchhoff
pentru tensiuni, se obţine:
v DG  v DS  vGS , unde vGS  0 (2.1.6)
În catalog se dă tensiunea drenă-grilă cu sursa în gol maximă VDG0 . La
străpungere vDG  VGD0 şi din relaţia (2.1.6) se obţine tensiunea drenă-sursă la
străpungere:
VDS  VDG  vGS . (2.1.7)
str 0
Relaţia (2.1.7) explică de ce scade VDSstr pe măsură ce i D scade, anume pentru
că din V DG0  0 se scade vGS negativ, cu atât mai mare în valoare absolută cu
cât curentul de drenă este mai mic.

Caracteristica statică de transfer reprezintă dependenţa i D  i D ( vGS ) în zona

de saturaţie, adică pentru tensiuni v DS  v DS sat unde curentul i D este
independent de tensiunea vDS .
Caracteristica statică de transfer se trasează pentru TEC-J funcţionând numai în
zona de saturaţie pentru că numai aici tranzistorul amplifică.

Fig. 2.1.8. Graficul caracteristicii de transfer a TEC-J

9
 Expresia matematică a caracteristicii de transfer este dată de relaţia
(2.1.5), aceeaşi cu cea de la zona de saturaţie, iar reprezentarea grafică a acesteia
este dată în fig.2.1.8.

2.1.5. Polarizarea TEC-J

Pentru utilizarea în circuite de amplificare, TEC-J trebuie să funcţioneze în
regiunea de saturaţie. Folosirea TEC-J în circuite de amplificare necesită
polarizarea în curent continuu sau stabilirea unui punct static de funcţionare
(PSF), care cuprinde componentele de curent continuu ale curentului de drenă
I D , tensiunii drenă-sursă V DS şi tensiunii grilă-sursă VGS .
Un exemplu de circuit de polarizare pentru TEC-J cu canal n este arătat în
fig. 2.1.10.a).

b)
a)

c)

Fig. 2.1.10. Circuit de polarizare a TEC-J cu canal n

a) schema circuitului; b) intersecţia caracteristicii de transfer cu linia de
polarizare; c) intersecţia caracteristcii de ieşire cu dreapta de sarcină
10
În acest circuit, rezistenţa RG este necesară chiar dacă este străbătută de un
curent neglijabil ( I G  0 ) pentru a nu scurtcircuita generatorul de semnal ce se
conectează la intrare şi care poate fi ieşirea etajului precedent.
Sunt prezentate două căi pentru determinarea PSF, una grafică şi alta analitică.

 Determinarea grafică a PSF

Pentru determinarea grafică a PSF, se intersectează caracteristica de transfer a
dispozitivului cu linia de polarizare (fig. 2.1.10b). Linia de polarizare se obţine
aplicând teorema lui Kirchhoff pentru tensiuni circuitului de intrare, ţinând cont
că rezistenţa RG este parcursă de un curent nul:
VGS  RS I D  0 . (2.1.8)
Din intersecţia liniei de polarizare cu caracteristica de transfer se determină
tensiunea grilă-sursă VGS  VGS A şi curentul de drenă I D  I D A . Pentru
determinarea tensiunii drenă-sursă VDS  VDS A se intersectează caractersticile
de ieşire ale dispozitivului cu dreapta de sarcină (fig. 2.1.10.c). Dreapta de
sarcină se obţine scriind teorema lui Kirchhoff pe circuitul de ieşire:
E D  RD  RS   I D  VDS (2.1.9)
Când s-a scris ecuaţia dreptei de sarcină (2.1.9), s-a considerat I D  I S . Din
intersecţia dreptei de sarcină cu caracteristicile de ieşire pentru VGS A şi I D A
determinate anterior, se găseşte VDS A .

 Determinarea analitică a PSF

PSF este soluţia analitică a sistemului format din ecuaţia dispozitivului în zona
de saturaţie (2.1.5), linia de polarizare (2.1.8) şi dreapta se sarcină (2.1.9).
Sistemul se poate rezolva în două variante:
Varianta 1: Introducând VGS din relaţia (2.1.8) în relaţia (2.1.5), rezultă
valoarea curentului I D A din PSF în urma rezolvării ecuaţiei de gradul doi:
2
 R I 
I D  I DSS  1  S D  (2.1.10)
 VP 
Din relaţia (2.1.8) se determină VGS A şi din relaţia (2.1.9) se determină V DS A .
Varianta 2: Introducând I D din relaţia (2.1.8) în relaţia (2.1.5), rezultă valoarea
tensiunii VGS A din PSF în urma rezolvării ecuaţiei de gradul doi:
2
V  V 
 GS  I DSS 1  GS  (2.1.11)
RS  VP 

11
Din relaţia (2.1.5) se determină I D A şi din relaţia (2.1.9) se determină VDS A .
Exemplu: Pentru schema din fig. 2.1.10.a), se consideră RD  1K ,
RS  0 ,5 K , E D = 15V, I DSS  16 mA şi VP  4V . Să se determine VGS A ,
I D A şi V DS A din PSF.

Rezolvare: Înlocuind datele numerice în relaţia (2.1.11), avem ecuaţia:

VGS V
  16  10 3 ( 1  GS ) 2 ,
0 ,5  10 3 4
cu soluţiile VGS A  2V şi VGS A  8V .
Cum VP  4V şi  8V   4V , TEC-J este blocat, deci soluţia VGS A  8V
nu convine. Soluţia VGS A  2V convine deoarece  2V   4V şi TEC-J
conduce. Se înlocuieşte soluţia VGS A  2V în relaţia (2.1.5), obţinându-se
I D A  4 mA . Valoarea lui I D A se înlocuieşte în relaţia (2.1.9) şi se obţine
VDS  9V .
A
Se verifică dacă TEC-J funcţionează în zona de saturaţie folosind relaţia
VDS  VGS  VP . Se obţine 9V>2V, deci TEC-J funcţionează într-adevăr în
regiunea de saturaţie.

Un alt circuit de polarizare este arătat în fig. 2.1.11.a), unde tensiunea pe

rezistenţa R2 ( V R 2 ) nu mai este zero (ca în circuitul din fig. 2.1.10.a), ci este
dată de divizorul rezistiv ( R1 , R2 ) şi are expresia R2 E D R1  R2 .

 Determinarea grafică a PSF este similară cu cea de la circuitul de polarizare

anterior, ceea ce diferă fiind expresia liniei de polarizare dată de relaţia:
R2
VGS  RS I D  ED  0 (2.1.12)
R1  R2
Ca şi în cazul anterior, se face intersecţia liniei de polarizare cu caracteristica de
transfer I D ( VGS ) şi se obţin VGS A şi I D A (fig. 2.1.11b). Pentru determinarea
lui V DS A se intersectează dreapta de sarcină cu caracteristica de ieşire
I D ( VDS ) . Dreapta de sarcină are aceeaşi expresie (2.1.9), ca în cazul anterior.
Pentru VGS A găsit anterior, se determină V DS A .

12
a)
b)

Fig. 2.1.11. Circuit de polarizare a TEC-J cu canal n, cu divizor de tensiune

a) schema circuitului; b) intersecţia caracteristicii de transfer cu linia de
polarizare

Determinarea analitică a PSF este similară cu cea de la circuitul anterior,

pentru ca difera numai expresia liniei de polarizare..
Exemplu: Fie circuitul cu TEC-J cu canal n din fig. 2.1.11.a). Se
dau: I DSS  20mA ; VP  4V ; VDGO  40V ; ED =15V; R1=80 k ; R2=20 k ;
RD=RS=1 k ;
Se cer:
 
a) P.S.F. VGS A ,V DS A , I D A . Să se verifice că tranzistorul
funcţionează în saturaţie.
b) valoarea tensiunii drenă-sursă de străpungere şi domeniul maxim
al tensiunilor V DS pentru care tranzistorul este saturat.

Rezolvare:
a) Ţinând cont că: I G  0 ; I S  I D  I G rezultă I S  I D .
VGS A şi I D A sunt soluţia sistemului format din linia de polarizare
(ecuaţia lui Kirkhoff pe circuitul de intrare) şi ecuaţia TEC-J în zona de
saturaţie:
VGS  RS I D  V R 2  0
 2
  VGS  (2.1.13)
I D  I DSS  1  
  V P 

13
 R2 20
unde: V R 2  ED  15  3V .
R1  R2 100

Soluţia analitică a sistemului (2.1.13):

2
 V 
VGS  RS I DSS  1  GS   V R 2  0
 VP 
2
3 3 
V 
VGS  10  20  10  1  GS   3  0 .
 4 
După rezolvarea ecuaţiei, se obţin soluţiile: VGS A  2V şi
VGS A  6 ,8V . A doua soluţie nu convine pentru că este mai mare în valoare
absolută decât tensiunea de prag.
2
 VGS A   2 
2
I D A  I DSS  1    20 1    5 mA .
 V   4
 p 
Pentru calculul lui VDS A utilizăm ecuaţia dreptei de sarcină :
E D  RD  RS   I D  VDS
Din ecuaţia dreptei de sarcină se obține:
VDS A  ED   RD  RS  I DA  15  2 103  5 103  5V
 
Deci, PSF este VGS A ,VDS A , I DA   2V ;5V ;5mA.
Verificăm că tranzistorul lucrează în saturaţie şi pentru aceasta este
necesar ca VDSsat  VGS  VP , adică VDSsat  2  4  2V . S-a obţinut
VDS A  5V  2V , deci tranzistorul lucrează în saturaţie.

b) Pentru tranzistor se scrie ecuaţia tensiunilor:

VDS  VDG  VGS
La străpungere VDG  VDG0 şi VDS  VDSstr .
VDSstr  VDG0  VGS A
VDSstr  40  2  38V .
Domeniul maxim al tensiunilor VDS pentru care tranzistorul este
saturat este VDSsat  VDS  VDSstr , deci 2V  VDS  38V .

14
2.2. Tranzistoare cu efect de câmp cu grilă izolată

Funcţionarea tranzistoarelor cu efect de câmp cu grilă izolată se bazează

pe posibilitatea controlului curentului printr-un strat superficial de material
semiconductor ce se formează între doi electrozi, folosind în acest scop un câmp
electric perpendicular pe acest strat semiconductor.
Câmpul electric de comandă se crează într-un strat izolator, dispus între
semiconductor şi electrodul metalic de comandă. Dacă izolatorul este bioxidul
de siliciu, atunci structura este metal-oxid-semiconductor (MOS) şi tranzistorul
se numeşte TEC-MOS.

2.2.1. Clasificare şi simbol

Tranzistoarele cu efect de câmp cu grilă izolată pot fi clasificate după tipul
canalului în TEC-MOS cu canal n şi TEC-MOS cu canal p. Fiecare dintre aceste
tipuri pot fi cu canal indus sau cu canal iniţial. Simbolurile corespunzătoare
acestor tranzistoare sunt prezentate în fig. 2.2.1.

TEC-MOS cu canal n
cu canal indus cu canal iniţial

a)

TEC-MOS cu canal p
cu canal indus cu canal iniţial

b)
Fig. 2.2.1. Simbolurile TEC-MOS
a) cu canal n; b) cu canal p
15
 Ca şi la TEC-J, terminalele (electrozii) au următoarele denumiri: D -
drenă, S - sursă şi G-grilă (poartă). Sensul săgeţii este întotdeauna de la p la n
(ca la diodă). Canalul cu linie întreruptă este de tip indus, iar cel cu linie
continuă este de tip iniţial.
Cele două tipuri de TEC-MOS cu canal n şi cu canal p sunt echivalente
dacă se schimbă semnele tensiunilor aplicate între terminale. Tehnologic, TEC-
MOS cu canal indus de tip n este mai dificil de realizat decât cel cu canal p, dar
TEC-MOS cu canal indus de tip n amplifică mult mai bine la frecvenţe înalte
faţă de cel cu canal p.

ATENŢIE! O piesă MOS se manipulează şi depozitează cu pinii scurtcircuitaţi

deoarece din cauza impedanţelor mari de intrare se încarcă electrostatic şi se
poate distruge!

2.2.2. Structura TEC-MOS

Structura simplificată a tranzistorului TEC-MOS cu canal n indus este
arătată în fig.2.2.2.

Fig.2.2.2. Structura TEC-MOS cu canal n indus

Într-un substrat de semiconductor slab impurificat de tip p se crează

prin difuzie două regiuni puternic dopate de tip n  care constituie sursa S şi
respectiv drena D. Pe semiconductor se formează un strat de bioxid de siliciu
( SiO2 ) obţinut prin oxidare termică, iar peste acesta se depune un strat metalic
de aluminiu care constituie grila G (poarta). Substratul constituie al patrulea
electrod (baza), care se conectează de obicei la sursă. Grila, stratul izolator de

16
bioxid de siliciu şi stratul de semiconductor dintre drenă şi sursă formează o
structură de condensator.
Prin aplicarea unei tensiuni pozitive pe grilă în raport cu substratul p, câmpul
electric din stratul de bioxid de siliciu orientat către semiconductor va atrage în
apropierea suprafeţei de separaţie electronii de conducţie şi va îndepărta
golurile. Astfel, între sursă şi drenă se acumulează un strat superficial de
electroni de conducţie numit strat de inversiune de tip n, care reprezintă canalul
conductor ce poate conduce un curent electric. Tensiunea la care începe să
circule curent între drenă şi sursă se numeşte tensiune de prag şi se notează V P .
Pentru TEC-MOS cu canal n indus, tensiunea de prag V P este pozitivă şi are o
valoare tipică în jur de 2V.
Structura TEC-MOS cu canal n iniţial este asemănătoare cu cea a TEC-
MOS cu canal n indus, cu deosebirea că între drenă şi sursă există canal chiar şi
la vGS  VGS =0. Canalul conductor iniţial se obţine prin implantarea de ioni
pozitivi imobili în stratul de bioxid de siliciu de sub grilă. Aceşti ioni pozitivi
atrag spre suprafaţa semiconductorului electroni de conducţie şi formează un
canal conductor iniţial între sursă şi drenă.
Pentru vGS >0 curentul de drenă i D creşte peste curentul I DSS
corespunzător lui vGS  VGS  0 şi se spune că tranzistorul funcţionează cu
îmbogăţire. Pentru vGS <0 curentul de drenă i D scade sub curentul I DSS şi se
spune că tranzistorul funcţionează cu sărăcire.
Crescând valoarea absolută a tensiunii vGS <0, canalul se îngustează până
dispare. Tensiunea la care canalul conductor dispare se numeşte tensiune de
prag, se notează V P şi este negativă.
Obs: TEC-MOS cu canal n indus prezentat anterior funcţionează numai
cu îmbogăţire.
Structura TEC-MOS cu canal p
La tranzistorul TEC-MOS cu canal p structura este similară cu cea de la
TEC-MOS cu canal n cu deosebirea că substratul este un semiconductor slab
impurificat de tip n, iar sursa şi drena sunt de tip p  , adică dopate puternic cu
impurităţi acceptoare.

2.2.3. Caracteristicile TEC-MOS

Ca şi la TEC-J, se analizează două tipuri de caracteristici statice, anume
caracteristicile statice de ieşire i D  i D ( v DS ) cu tensiunea vGS  VGS  ct . ca
parametru şi caracteristicile statice de transfer i D  i D ( vGS ) cu tensiunea
v DS  VDS  ct . ca parametru, acestea din urmă numai în zona de saturaţie,
pentru că tranzistorul numai aici amplifică.

17
Caracteristicile statice de ieşire i D  i D ( v DS ) , cu vGS  VGS  ct . ca
parametru se pot împărţi în trei zone, anume zona liniară, zona neliniară şi zona
de saturaţie.

Caracteristicile statice de ieşire ale TEC-MOS cu canal n indus:

 Zona liniară: În această zonă, TEC-MOS funcţionează la tensiuni v DS mici
( v DS  0 ,1V ) . Pentru vGS >0, vGS >V P şi v DS << vGS  VP , câmpul electric
este uniform distribuit între drenă şi sursă, aşa cum se vede în fig.2.2.3.

Fig.2.2.3. Distribuţia câmpului electric în zona liniară

Prin canal circulă un curent i D direct proporţional cu conductanţa G (similar ca

la TEC-J):
i D  G  v DS , (2.2.1)
În zona liniară v DS are valori foarte mici de aproximativ
2
0,1V şi termenul v DS ,din relaţia (2.2.2) se poate neglija, rămânând ecuaţia unei
drepte.
Grafic, curentul de drenă i D dat de relaţia (2.2.1) reprezintă
un fascicul de drepte având vGS  VGS  ct . ca parametru (fig.2.2.4), pentru
VGS3  VGS 2  VGS1  VP .

18
 Fig.2.2.4. Caracteristicile i D  i D ( v DS ) pentru tensiuni v DS mici

 Zona neliniară: În această zonă, TEC-MOS cu canal n indus

funcţionează la tensiuni v DS mai mari decât cele ale zonei liniare şi până
la tensiuni comparabile cu ( vGS  VP ).
Distribuţia câmpului electric pentru acest caz, adică pentru vGS >0,
vGS > V P şi v DS < vGS - V P , este arătată în fig. 2.2.5.

Fig.2.2.5. Distribuţia câmpului electric în zona neliniară

Pentru vGS  VGS  3,5V , VP  2V , se obţine v DS  VDS <3,5-

2=1,5V. Se alege, de exemplu, V DS =1V pentru care
VGD  VGS  VDS  3,5  1  2,5V , deci VGD  VGS . De aici, rezultă că la
tensiuni v DS comparabile cu ( vGS  VP ), câmpul electric scade la extremitatea
dinspre drenă, determinând reducerea numărului de electroni atraşi spre

19
suprafaţa semiconductorului şi astfel îngustând canalul spre drenă. Această
îngustare a canalului limitează creşterea curentului i D , rezultând o caracteristică
puternic neliniară.
Funcţionarea tranzistorului în zona liniară şi neliniară se numeşte funcţionare în
regim nesaturat. O expresie analitică ce aproximează zona neliniară este dată de
relaţia :

 
i D  k n 2vGS  VP v DS  v DS 2 , pentru v DS  vGS  VP ,
(2.2.2)
În zona liniară v DS are valori foarte mici de aproximativ 0,1V şi
2
termenul v DS se poate neglija, rămânând ecuaţia unei drepte.

Zona de saturaţie: În această zonă TEC-MOS funcţionează la tensiuni

mai mari decât pragul de saturaţie v DS sat  vGS  VP şi mai mici decât
tensiunea maximă de funcţionare. Curentul de drenă i D rămâne aproape
constant la creşterea tensiunii v DS peste pragul de saturaţie v DS sat .
Distribuţia câmpului electric în acest caz, anume pentru vGS >0,
vGS > VP şi v DS  vGS - V P , este arătată în fig. 2.2.6. Pentru valorile numerice
vGS  VGS  3,5V şi VP  2V , avem v DS  VDS ≥3,5-2=1,5V. Se alege, de
exemplu, V DS =5V şi se obţine VGD  VGS  VDS  3,5  5  1,5V . Se
constată că tensiunea VGD îşi schimbă
semnul, ceea ce conduce la schimbarea sensului câmpului electric. Deci la
tensiuni v DS ce depăşesc ( vGS  V P ), sensul câmpului electric de lângă drenă
se schimbă, se formează o regiune de sarcină spaţială cu grosimea , lipsită de
purtători mobili. La creşterea tensiunii v DS , profilul canalului rămâne aproape
neschimbat, ceea ce face ca i D să devină aproape independent de v DS .
Electronii trec peste regiunea golită pentru că grosimea  a acesteia este mult
mai mică decât lungimea de difuzie a electronilor.

20
 Fig.2.2.6. Distribuţia câmpului electric pentru zona de saturaţie

Funcţionarea tranzistorului în zona de saturaţie o denumim

funcţionare în regim saturat. Expresia analitică pentru zona de saturaţie este
pătratică, similară cu cea de la TEC-J şi este dată de relaţia (2.2.3). Aceasta
relatie se obtine inlocuind vDS cu (vGS-vP) în relația (2.2.2).

i D  k n vGS  VP 2 pentru v DS  vGS  VP . (2.2.3)

Reprezentarea grafică a caracteristicii de ieşire i D  i D ( v DS ) , cu

vGS  VGS  ct . ca parametru este prezentată în fig.2.2.7 pentru
VGS  VGS  VGS  VGS  V P .
4 3 2 1

Fig. 2.2.7. Caracteristica de ieşire i D  i D ( v DS ) , cu VGS ca parametru

21
Obs: Tranzistoarele TEC-MOS funcţionează şi cu tensiune v DS negativă, adică
în cadranul III.
Caracteristicile statice de ieşire ale TEC-MOS cu canal n iniţial:
Se determină cu relaţiile :
- pentru zona liniară şi neliniară (în regim nesaturat):
I
 
i D  DSS 2vGS  V P v DS  v DS 2 pentru v DS  vGS  VP , (2.2.4)
V p2
- pentru zona de saturaţie (în regim saturat):
2
 v 
iD  I DSS 1  GS
 Vp  pentru v DS  vGS  VP . (2.2.5)
 
Aceasta relatie se obtine inlocuind vDS cu (vGS-vP) in relatia (2.2.4).
Reprezentarea grafică a caracteristicii de ieşire i D  i D ( v DS ) , având
vGS  VGS  ct . ca parametru este arătată în fig.2.2.8.

Fig.2.2.8. Caracteristica de ieşire pentru TEC-MOS cu canal n iniţial

Pentru VGS>0, TEC-MOS cu canal n iniţial functioneaza cu îmbogatire, iar

pentru VGS<0 TEC-MOS cu canal n iniţial functioneaza cu sărăcire.
Caracteristica statică de transfer a tranzistorului cu canal n indus reprezintă
dependenţa i D  i D ( vGS ) în zona de saturaţie, unde curentul i D este practic
independent de tensiunea VDS . Expresia matematică a caracteristicii de transfer
este dată de relaţia (2.2.3) aceeaşi ca şi la zona de saturaţie, iar reprezentarea
grafică a acesteia este arătată în fig.2.2.9.

22
Fig. 2.2.9. Caracteristica de transfer i D  i D ( vGS ) , având ca parametru v DS

Caracteristica de transfer se trasează pentru TEC-MOS funcţionând

în zona de saturaţie, pentru că numai aici tranzistorul amplifică.
Variaţia cu temperatura a parametrilor TEC-MOS este practic
neglijabilă.

Caracteristica de transfer a TEC-MOS cu canal n iniţial reprezintă dependenţa

i D  i D ( vGS ) în zona de saturaţie, dată de relaţia pătratică (2.2.5), iar
reprezentarea grafică a acesteia este arătată în fig. 2.2.10. Caracteristica de
transfer a TEC-MOS cu canal n iniţial este similară cu cea a TEC-J cu canal n,
cu observaţia că aceasta continuă şi pentru vGS  0 .

Fig. 2.2.10. Caracteristica de transfer i D  i D ( vGS ) în zona de saturaţie

23
2.3. Expresiile analitice generale ale caracteristicilor TEC

Pentru toate tipurile de TEC, caracteristicile statice de ieşire ale curentului de

drenă funcţie de tensiunea drenă-sursă, având ca parametru tensiunea grilă-sursă
pot fi descrise de aceleaşi expresii analitice.
Atât pentru TEC-J cu canal n cât şi pentru TEC-MOS cu canal n, expresiile
analitice generale ale caracteristicilor sunt:
- pentru zona liniară şi neliniară (în regim nesaturat):
 
i D  k n 2vGS  VP v DS  v DS 2 , pentru v DS  vGS  VP ,
(2.3.1)
Obs: În zona liniară v DS are valori foarte mici de aproximativ 0,1V şi termenul
2
v DS se poate neglija, rămânând ecuaţia unei drepte.
- pentru zona de saturaţie (în regim saturat):
i D  k n vGS  VP 2 pentru v DS  vGS  VP . (2.3.2)
Pentru TEC-J şi TEC-MOS cu canal p, expresiile analitice
generale ale caracteristicilor sunt:
- pentru zona liniară şi neliniară (în regim nesaturat):
 
i D  k p 2v SG  VP v SD  vSD 2 , pentru v SD  v SG  VP , (2.3.3)
Se menţionează că observaţia de la TEC-J şi TEC-MOS cu canal n
se menţine.
- pentru zona de saturaţie:
i D  k p vSG  VP 2 pentru vSD  vSG  VP . (2.3.4)
În cazul tranzistoarelor TEC-J şi TEC-MOS cu canal iniţial, în locul
constantei k n sau k p se utilizează şi curentul de drenă la saturaţie I DSS .
Pentru cele cu canal n, curentul I DSS care se obţine pentru vGS  0 , din relaţia
(2.3.2) rezultă k n  I DSS / VP2 . Expresiile (2.2.1) şi (2.2.2) devin:
- pentru zona liniară şi neliniară (în regim nesaturat):
I
 
i D  DSS 2vGS  V P v DS  v DS 2 pentru v DS  vGS  VP , (2.3.5)
V p2
- pentru zona de saturaţie (în regim saturat):
2
 v 
i D  I DSS 1  GS  pentru v DS  vGS  VP . (2.3.6)
 VP 
Pentru TEC-J şi TEC-MOS cu canal p se obţin expresii similare.

24
2.4. Polarizarea TEC-MOS

În fig. 2.4.1.a) este prezentat un circuit de polarizare pentru TEC-MOS cu canal

n indus, iar în fig. 2.4.1.b) un circuit de polarizare pentru TEC-MOS cu canal n
iniţial.

a) b)
Fig.2.4.1. Polarizarea TEC-MOS
a) cu canal n indus; b) cu canal n iniţial

Pentru tranzistorul cu canal n indus, tensiunea de grilă VGS şi

tensiunea de drenă VDS au aceeaşi polaritate. Ca urmare, se poate folosi o
singură sursă de alimentare într-o schemă ca în fig. 2.4.1a). Neglijând curentul
de grilă, tensiunea VGS este dată de divizorul rezistiv R1 , R2  şi are expresia
R2 E D / R1  R2  . Pentru ca TEC-MOS să fie în conducţie în zona de saturaţie,
trebuie ca VGS  VP şi VDS  VGS  VP . Determinarea PSF, atât grafic cât şi
analitic, este similară cu cea prezentată la TEC-J.
Pentru TEC-MOS cu canal n iniţial, tensiunea VGS are atât polaritate pozitivă
cât şi negativă. Aceasta se poate realiza cu schema din fig. 2.4.1.b), obţinută prin
adăugarea rezistenţei RS în schema din fig. 2.4.1 a).
Ţinând cont că I G  0 şi I S  I D , expresia tensiunii VGS este:
R2
VGS  E D  RS I D (2.4.1)
R1  R2
Alegând valori numerice potrivite pentru mărimile din relaţia (2.4.1), se obţine
polaritatea dorită (pozitivă sau negativă) a tensiunii VGS .

25
  Aplicatii:
Aplicatia 1. Să se găsească PSF pentru circuitul de polarizare a TEC-
MOS cu canal n indus, din fig. 2.4.1a) şi să se verifice că tranzistorul
funcţionează în regim saturat.
Se dau: E D  15 V ; RD  3 k ; R1  150 k ; R2  50 k ;
kn  1,5 mA / V 2 şi VP  2 ,25 V .
Rezolvare:
Determinarea PSF se face rezolvând sistemul de ecuaţii format din ecuaţia
dreptei de sarcină, ecuaţia dispozitivului în regim saturat şi ecuaţia liniei de
polarizare:

I D  kn VGS  VP 2 (2.4.2)
R2
VGS  ED (2.4.3)
R1  R2
ED  RD I D  VDS (2.4.4)
Din relaţia (2.4.3) se obţine VGS :
50
VGS   15  3,75 V
150  50
Curentul de drenă se obţine din relaţia (2.4.2):
I D  1,5  10 3 3,75  2,252  3,375 mA
Din relaţia (2.4.4) se obţine tensiunea VDS :
VDS  ED  RD I D  15  3 103  3,375 103  4,875V
Pentru: VDS  4 ,875V ; VGS  3 ,75 V şi VP  2 ,25 V condiţia de
funcţionare în regim saturat: VDS  VGS  VP este satisfacută.

Aplicatia 2. În circuitul din fig. 2.4.1b) este utilizat un tranzistor MOS cu canal n
2
iniţial, care are kn  1 mA / V şi VP  4 V . Pentru E D  15 V ;
RD  1,5 k ; RS  1 k ; R1  130 k şi R2  20 k , să se determine
PSF şi să se verifice că tranzistorul funcţionează în regim saturat.

Rezolvare:
Determinarea PSF se face rezolvând sistemul de ecuaţii:
ED  RD  RS I D  VDS (2.4.5)

26
I D  k n VGS  VP 2 (2.4.6)
R2
VGS  RS I D  ED  0 (2.4.7)
R1  R2

Notă: Pentru tranzistorul MOS cu canal n iniţial se poate utiliza şi relaţia:

2
 VGS 
I D  I DSS  1  
 V P 
2
ştiind că: I DSS  knVP .
În relaţia (2.4.7) se înlocuieşte I D cu relaţia (2.4.6) şi se obţine:
R2
VGS  RS k n VGS  VP 2  ED  0
R1  R2
Înlocuind valorile numerice rezultă:

VGS  10 3  10  3 VGS  4 2 
20
 15  0
130  20
După calcule rezultă ecuaţia:
2
VGS  9VGS  14  0
cu soluţiile: VGS  2V şi VGS  7 V
Soluţia VGS  7 V nu convine pentru că este mai mică decât tensiunea de
prag VP .
I D şi V DS se calculează din relaţiile (2.4.6) şi respectiv (2.4.5), astfel:
I D  10 3  2  4 2  4 mA
VDS  E D  RD  RS I D  15  1,5  1  10 3  4  10  3  5V
Pentru: V DS  5 V ; VGS  2V şi VP  4 V condiţia de funcţionare în
regim saturat: VDS  VGS  VP este satisfăcută.

27
Aplicatia 3. Să se determine PSF pentru un TEC–MOS cu canal n indus,
polarizat cu două surse de alimentare, ca în fig.2.4.2 şi să se verifice că acesta
funcţionează în zona de saturaţie.

Fig. 2.4.2.

Se dau:
ED  ES  15V ; RD  RS  1 k ; kn  1mA / V 2 ; VP  3V .

Rezolvare:
Pentru circuitul din fig. 2.4.2 aproximând I D  I S , se poate scrie:
I D  kn VGS  VP 2 (2.4.8)
ED  ES  ( RD  RS )I D  VDS (2.4.9)
ES  RS I D  VGS (2.4.10)
Se înlocuieşte I D din relaţia (2.4.8) în relaţia (2.4.10) şi se obţine:
E S  VGS
 k n VGS  VP 2 (2.4.11)
RS
Pentru: ES  15V ; RS  1 k ; k n  1mA / V ; VP  3V , se
2
obţine:

28
 15  VGS
 10  3 VGS  32
10 3
După calcule rezultă ecuaţia:
2
VGS  5VGS  6  0
cu soluţiile: VGS  6V şi VGS  1V
Ţinând cont că VGS  0 şi VGS  VP , avem: VGS  6V .
Din ecuaţia (2.4.11) avem:
E  VGS 15  6
ID  S   9 mA
RS 3
10
Din relaţia (2.4.9) rezultă:
VDS  ED  ES  ( RD  RS )I D
VDS  15  15  ( 1  1 )10 3  9  10  3  12V
S-a obţinut următorul PSF: VGS  6V ; VDS  12V ; I D  9mA.
Se verifică condiţia ca tranzistorul să funcţioneze în zona de saturaţie:
VDS  VGS  VP
Pentru VDS  12V , VGS  6V şi V P  3V , condiţia este satisfăcută.

29
Aplicatia 4. Fie circuitele din fig. 2.4.3 a) şi b), unde tranzistoarele MOS cu
canal n indus funcţionează în zona de saturaţie. Se consideră tranzistoarele
2
identice şi au VP  2V şi k n  1,5mA / V .

a) b)

Fig. 2.4.3

Să se determine VDS şi rezistenţele necunoscute din aceste circuite,

ştiind că I D  6 mA .

Rezolvare:
Pentru ambele circuite curentul de drenă în zona de saturaţie este dat de
relaţia (2.3.2), scrisă pentru valorile continue ale mărimilor în PSF.
I D  k n VGS  VP 2 pentru VDS  VGS  VP (2.4.12)
Dar: VGS  0; VGS  VP ; deci, VGS  VP  0
Din relaţia (2.4.12) se obţine succesiv:
ID
VGS  VP
kn

ID
VGS  VP  (2.4.13)
kn

Înlocuind datele numerice se obţine pentru ambele circuite:

30
 6
VGS  2   4V
1,5
Pentru circuitul din fig. 2.4.3 a):
Ţinând cont că prin rezistenţa RG curentul este practic nul, rezultă pe de
o parte că: VDS  VGS  4V şi pe de altă parte că rezistenţa RG poate avea
orice valoare, inclusiv zero (scurt–circuit). Se poate alege RG  1M .
Pentru calculul lui RD se scrie teorema lui Kirchhoff pentru tensini:
ED  RD I D  VDS
De unde:
E  VDS 15  4
RD  D   1,83 k
3
ID 6  10
Se verifică că tranzistorul funcţionează în saturaţie, adică
VDS  VGS  VP .
Pentru VDS  VGS  4V şi V P  2V , relaţia este verificată.
Obs.: Atunci când VDS  VGS , TEC–MOS cu canal n funcţionează în
zona de saturaţie.
Pentru circuitul din fig. 2.4.3 b):
Ţinând cont că RG1  100 k şi RD  1,5 k , curentul prin RG 1 se
neglijează faţă de curentul de drenă. Din teorema lui Kirchhoff pentru tensiuni
avem
ED  RD I D  VDS
VDS  ED  RD I D  15  1,5  10 3  6  10  3  6V
Pe circuitul de intrare, ţinând cont că în grilă curentul I G  0 putem
scrie:
RG 2
VDS  VGS (2.4.14)
RG1  RG 2
Pentru VGS  4V şi V DS  6V , se obţine RG2  2RG1
Pentru RG1  100 k , rezultă RG2  200 k .
Se verifica presupunerea ca I curentul prin RG 1 se neglijează faţă de curentul
de drenă: I=VDS/(RG1+RG2) =0,02mA<<6 mA
Se verifică că tranzistorul funcţionează în zona de saturaţie; pentru
VDS  6V ; VGS  4V şi VP  2V relaţia VDS  VGS  VP este
adevărată.
31
2.5. Circuite cu TEC
In general, insotim circuitele fundamentale ale TEC de cate un exemplu
numeric.

2.5.1. Conexiuni fundamentale

Se consideră circuitele cu TEC din fig. 2.5.1. Tensiunile de prag V P ( Ti ) cu
i  1 ...6 sunt:VP ( T1 ) VP ( T2 ) VP ( T5 ) VP ( T6 )  4V
VP ( T3 )  VP ( T4 )  2V . Se consideră kn  k p  1mA / V 2 pentru toate
tipurile de tranzistoare TEC.

Fig. 2.5.1. Conexiuni fundamentale

Se cere să se stabilească tipul fiecărui tranzistor şi regimul de funcţionare.

De asemenea, să se determine curentul de drenă ( I D ) şi tensiunile grilă–sursă (
VGS ), drenă–sursă (VDS ), pentru TEC cu canal n, respectiv V SG şi V SD
pentru cele cu canal p.

Rezolvare:

32
 Pentru ca relaţiile de calcul atât pentru TEC cu canal n cât şi pentru TEC
cu canal p să aibă aceeaşi formă, la cele cu canal p se înlocuieşte VGS cu
V SG şi VDS cu V SD . În aceste condiţii, pentru TEC cu canal p, tensiunea de
prag V P are aceeaşi polaritate cu cea de la TEC cu canal n .
Rezultatele sunt prezentate în tabelul care urmează:

Fig. Tip VGS VDS Regim Curent drenă

P 3.1 tranzistor (VSG) (VSD) funcţionare ID  IS
[V] [V]
TEC–J VGS = 0 VDS = 5 VDS VGS –VP ID = kn (VGS – VP)2
a) canal n regim ID = 16 mA
saturat
TEC–J VSG = 0 VSD = 5 VSD VSG –VP ID = kp (VSG – VP)2
b) canal p regim ID = 16 mA
saturat
TEC–MOS VGS = 5 VDS = 5 VDS VGS –VP ID = kn (VGS – VP)2
c) canal n regim ID = 9 mA
indus saturat
TEC– VSG = 5 VSD =5 VSD VSG –VP ID = kp (VSG – VP)2
d) MOS regim ID = 9 mA
canal p saturat
indus
TEC–MOS VGS = 0 VDS = 5 VDS VGS –VP ID = kn (VGS – VP)2
e) canal n regim ID = 16 mA
iniţial saturat
TEC– VSG = 0 VSD = 5 VSD VSG –VP ID = kp (VSG – VP)2
f) MOS regim ID = 16 mA
canal p saturat
iniţial

33
2.5.2. TEC-rezistenta variabila controlata in tensiune
Pentru ca tranzistorul în conducţie să funcţioneze ca rezistenţă variabilă
controlată în tensiune, trebuie să funcţioneze în zona liniară şi neliniară, cu
condiţia ca aceasta din urmă să poată fi liniarizată, adică să se poată neglija
2
termenul v DS din expresia analitică pentru regim nesaturat.
Pentru zona liniară şi neliniară (în regim nesaturat),pentru toate tipurile de TEC
avem:
 
i D  k n 2vGS  VP v DS  v DS 2 , pentru v DS  vGS  VP
,(2.5.1)
2
În zona liniară v DS are valori foarte mici de aproximativ 0,1V şi termenul v DS
se poate neglija, rămânând ecuaţia unei drepte.

i D  2k n vGS  VP   v DS (2.5.2)
Sau expresia rezistentei controlata in tensiune:
v DS 1
 (2.5.3)
iD 2k n vGS  V P 
Se pot realiza circuite care să funcţioneze ca o rezistenţă variabilă
comandată în tensiune atât în zona liniară cât şi în întreaga zonă neliniară a
caracteristicilor statice de ieşire. Un astfel de circuit este cel din fig. 2.5.2
Să se arate că acest circuit din fig. se comportă ca o rezistenţă comandată în
tensiune de vG . Să se afle valoarea acestei rezistenţe şi să se determine
domeniul de variaţie al lui v DS , pentru vG având următoarele valori: 4,1; 4,5;
2
6; 8; 12 şi 14V. Se dă: k n  1 mA / V şi VP  2V .

34
Fig. 2.5.2.

Rezolvare:
Aplicând principiul superpoziţiei, se poate scrie expresia tensiunii vGS :
v  v DS
vGS  G (2.5.4)
2
Introducând relaţia (2.5.4) în relaţia (2.5.1) avem:
  v  v DS  2 
i D  k n 2 G  VP   v DS  v DS  (2.5.5)
  2  
După efectuarea calculelor, expresia (2.5.5) devine:
i D  k n vG  2VP   v DS ,
din care rezultă expresia rezistenţei comandate în tensiune de vG :
v 1
R  DS  (2.5.6)
iD k n ( vG  2VP )
În continuare se determină domeniul de variaţie pentru tensiunea v DS , punând
condiţiile ca tranzistorul să conducă şi să nu intre în zona de saturaţie:
vGS  VP şi v DS  vGS  VP (2.5.7)
Înlocuind vGS dată de relaţia (2.5.4) în relaţiile (2.5.7), se obţine:
2VP  vG  vDS  vG  2VP (2.5.8)
relaţie care stabileşte limitele domeniului de variaţie pentru tensiunea v DS .
Pentru datele numerice din enunţ, utilizând relaţiile (2.5.6) şi (2.5.8) şi
notând vDS min  2VP  vG şi v DS max  vG  2VP , se obţin rezultatele
din tabelul care urmează:

VG [V] 4,1 4,5 6 8 12 14

R [] 10 000 2 000 500 250 125 100
vDS min [V] – 0,1 – 0,5 – 2 – 4 –8 – 10
vDS max [V] 0,1 0,5 2 4 8 10

35
2.5.3. Stabilizator de curent
Acesta se bazeaza pe faptul ca in regim saturat curentul de drena este
aproximativ constant la variatia tensiunii drena-sursa.
Pentru stabilizatorul de curent din fig. 2.5.3 să se găsească valoarea rezistenţei
R funcţie de curentul de drenă I D şi parametrii tranzistorului VP şi I DSS .
Caz particular: I D  I DSS / 2

Fig. 2.5.3. Stabillizator de curent

Rezolvare:
Circuitul din fig. 2.5.3 este un stabilizator de curent, adică curentul de drenă
rămâne constant la variaţia tensiunii drenă–sursă când TEC–J funcţionează în
regiunea de saturaţie.
În regiunea de saturaţie:
2
 VGS 
I D  I DSS  1   (2.5.9)
 V P 
Ţinând cont că, I S  I D , pe circuitul de intrare se poate scrie:
VGS   RI D (2.5.10)
Înlocuind VGS dat de relaţia (2.5.10) în relaţia lui I D (2.5.9) se obţine
succesiv:

36
 2
 RI 
I D  I DSS  1  D 
 VP 
(2.5.11)
Pentru calculul lui I D se porneşte de la relaţia (2.5.11), care devine succesiv:
ID RI D
  1
I DSS VP
Dar, RI D  VP ; ţinând cont că V P  0 , rezultă RI D  VP ; sau
RI
RI D  VP  0 ; adică: 1  D  0
VP
Deci:
ID RI D
1 
I DSS VP
Sau:
 ID 
RI D  VP  1  

 I DSS 
Adică:
 VP  ID 
R 1  
ID  I DSS 
I
Pentru I D  DSS se obţine:
2
 2V P  1 
R 1  
I DSS  2

37
2.5.4. Inversorul MOS

 Simboluri simplificate pentru TEC-MOS

Fig. 2.5.4. Simboluri simplificate pentru TEC-MOS

Inversorul MOS se poate realiza cu TEC-MOS cu canal n sau cu canal p.

În fig.2.5.5a) este arătat inversorul MOS realizat cu tranzistoare cu canal n
indus. Acest circuit se utilizează mai ales în circuite integrate.
Semnalul din drena unui TEC are semn inversat faţă de semnalul din
grilă. Un inversor se realizează de obicei cu un tranzistor având in drenă o
rezistenţă. La inversorul utilizat în circuite integrate, în locul rezistenţei din
drenă se utilizează tot un TEC-MOS cu canal n indus.

a)
b)
Fig. 2.5.5. Circuitul inversor MOS
a) schema electrică; b) caracteristica de transfer
38
Se consideră circuitul realizat cu tranzistoare TEC–MOS cu canal n indus din
fig. 2.5.5a).
Se dau: ED  15V ; VP1  VP2  2V ; k n1 / k n2  100.
Să se determine tensiunea de ieşire v0 pentru următoarele valori ale
tensiunii de intrare: a) Vi  1V ; b) Vi  2 ,5 V ; c) Vi  5 V .

Rezolvare
a) Cu notaţiile din fig.2.5.5.a), pentru tranzistorul T2 se poate scrie:
vGS2  v DS2 , adică v DS 2  vGS 2  VP2 ; VP2  0 unde VP2 este tensiunea de
prag pentru T2 . Din această relaţie rezultă că T2 funcţionează în saturaţie,
oricare ar fi starea în care se află T1 .
Pentru vi  Vi  1V şi V P1  2 V , rezultă: vi  VP1 , tranzistorul T1
este blocat. Curentul prin T1 şi T2 este nul şi tensiunea v0 este v0  ED  VP2
( v0  ED  vGS 2 , iar vGS 2  VP2 pentru că prin T2 curentul este zero). Deci,
v0  V0  13V .
b) Pentru vi  Vi  2,5V şi V P1  2 V , rezultă: vi  VP şi dacă
1
v0  vi  VP1  2 ,5  2  0 ,5V , tranzistorul T1 lucrează în zona de saturaţie
şi ţinând cont că prin T1 şi T2 circulă acelaşi curent, se poate scrie:
   
k n1 vi  VP1 2  k n2 vGS 2  VP2 2 .
Dar: vGS 2  v DS 2  E D  v0 şi notând   k n1 k n2 , se obţine:
v0    vi   VP1  E D  VP2 (2.5.12)
Pentru   100; vi  Vi  2,5V ; ED  15V ; VP1  VP2  2V se
obţine v0  V0  8 V . Pentru această valoare, condiţia ca tranzistorul T1 să
funcţioneze în regim saturat este satisfăcută.

c) Pentru vi  Vi  5V şi V P1  2 V , rezultă: vi  V P1 şi dacă

v0  vi  VP1  5  2  3V , tranzistorul T1 este în regim nesaturat.
Ţinând cont că prin cele două tranzistoare circulă acelaşi curent, se poate
scrie:
    
k n1 2 vi  VP1 v0  v02  k n2 vGS 2  VP2 2 .
Dar vGS 2  v DS 2  E D  v0 , deci:

39
 k n1
k n2
   
2 vi  VP1 v0  v02  E D  v0  VP2 2  (2.5.13)

Pentru calculul lui v0 se înlocuiesc valorile numerice în relaţia (2.5.13) şi

se obţine succesiv:
 
100 2  3v0  v02  13  v0 2
101v02  626 v0  169  0
Se obţine v0  0,28V . si v0=5,91V
Ţinând cont că tranzistorul trebuie sa fie in regim nesaturat, adica v0 <3V, deci
v0  0,28V .

Tranzistorul T2 poate fi făcut să funcţioneze şi nesaturat dacă în grilă se aplică o

tensiune EG  E D  VP2 . În acest mod se asigură v DS 2  vGS 2  VP2 , ca în
fig. 2.5.6. În acest caz, pe porţiunea AB tranzistorul T2 este nesaturat şi T1 este
saturat, caracteristica devine neliniară dar mai puţin abruptă decât în cazul
anterior. De asemenea, în acest caz avem nevoie de două surse de alimentare,
E D şi EG .

Fig. 2.5.6. Utilizarea TEC-MOS în Fig. 2.5.7. Utilizarea TEC-MOS cu

regim nesaturat canal iniţial
Pentru a obţine o caracteristică mult mai abruptă pe porţiunea AB decât
atunci când T2 funcţionează în saturaţie, în locul acestuia se poate utiliza un
TEC-MOS cu canal iniţial, în care grila este scurtcircuitată la sursă (fig.2.5.7).
Acest montaj are dezavantajul că în circuitele integrate nu se
realizează TEC-MOS cu canal iniţial. Acesta se realizează (fabrică) numai sub
formă discretă.

40
2.5.5. Porti logice bazate pe inversorul MOS
Pornind de la inversorul MOS se poate genera o intreaga familie de
circuite logice. In figura 2.5.8 este aratat modul de realizare pentru poarta SI-NU
(NAND), respectiv poarta SAU-NU (NOR).

Fig. 2.5.8. Porti logice bazate pe inversorul MOS

In ambele cazuri sarcina a fost reprezentata numai principial, aceasta

putand fi realizata in oricare din modurile prezentate anterior, adica asa cum este
realizata la inversorul MOS sau asa cum este prezentat in figurile 2.5.6 sau
2.5.7. Poarta SI-NU are tranzistoarele inversoare legate in serie, cate unul
pentru fiecare intrare a portii. Poarta SAU-NU are tranzistoarele inversoare
legate in paralel, fiind folosit cate unul pentru fiecare intrare a portii.
Modul de functionare:
Poarta SI-NU: Daca toate tranzistoarele inversoare au semnal logic
1(unu), atunci toate conduc si la iesire se obtine semnal logic 0(zero). Este
suficient ca cel putin una dintre intrari sa aiba semnal logic 0(zero), tranzistorul
respectiv se blocheaza si la iesire se obtine semnal logic 1(unu).
Poarta SAU-NU: Daca cel putin unul dintre tranzistoarele inversoare au
aplicat semnal logic 1(unu), atunci acel tranzistor conduce si la iesire se obtine
semnal logic 0(zero). Daca la toate intrarile se aplica semnal logic 0(zero),
atunci toate tranzistoarele inversoare se blocheaza si la iesire se obtine semnal
logic 1(unu).
In general aceste porti nu sunt folosite ca simple porti logice, ci sunt
utilizate in realizarea circuitelor larg integrate.

41
2.5.6. Inversorul CMOS
Inversorul CMOS conţine două tranzistoare MOS, unul cu canal n şi
celălalt cu canal p, realizate pe acelaşi suport semiconductor, aşa cum se vede în
fig. 2.5.9a). Această construcţie se numeşte simetrie complementară MOS şi este
denumită prescurtat CMOS.

a)

b)
Fig. 2.5.9. Inversorul CMOS
a) structură; b) schema electrică
Cele două tranzistoare sunt conectate ca inversor, adică cele două drene şi
cele două grile sunt conectate între ele, aşa cum se vede în fig.2.5.9.b). În
42
tehnica CMOS se utilizează şi alte conexiuni, în funcţie de aplicaţie. Ambele
tranzistoare sunt cu canal indus şi sunt proiectate astfel încât constanta k să fie
aceeaşi pentru amândouă ( k n  k p ).
Exemplu: Fie circuitul din fig. 2.5.9b) realizat cu două tranzistoare MOS cu
canal indus complementare ( T1 cu canal n şi T2 cu canal p ), care au
V P1  V P 2 şi k n  k p .
Pentru ES  10 V , să se găsească valoarea tensiunii de intrare, care trebuie
aplicată circuitului pentru ca ambele tranzistoare să fie în regim saturat.
Rezolvare:
Având în vedere că tranzistoarele T1 şi T2 sunt în regim saturat şi sunt
parcurse de acelaşi curent de drenă, se poate scrie:
k n vGS1  VP1 2  k p vSG2  VP2 2 (2.5.14)
Ţinând cont că k n  k p şi că tensiunile vGS 1 , respectiv vSG2 sunt
mai mari decât tensiunile de prag V P1 , respectiv VP 2 (tranzistoarele
funcţionează în regim saturat), relaţia (2.5.14) devine:
vGS1  VP1  vSG2  VP2
Cum: V P1  V P 2 rezultă vGS 1  v SG 2
Deci vi  ES / 2  10 / 2  5V
Caracteristica intrare-ieşire a inversorului CMOS este arătată în fig.2.5.10, unde
V P1 VP
şi 2 sunt tensiunile de prag ale tranzistoarelor T1 respectiv T2 , iar E S
k  k p VP  VP
este tensiunea de alimentare. Se consideră n şi 1 2.

Fig. 2.5.10. Caracteristica intrare-ieşire a inversorului CMOS

43
În concluzie, ambele tranzistoare sunt în regim saturat, când tensiunea aplicată
la intrare este jumătate din tensiunea de alimentare.

2.5.7. Porti logice CMOS

Pornind de la inversorul CMOS se poate genera o intreaga familie de
circuite logice. In figura 2.5.11 este aratat modul de realizare pentru poarta
SAU-NU (NOR), iar in figura 2.5.12 pentru poarta SI-NU (NAND)

Fig. 2.5.11. Poarta SAU-NU

Fig. 2.5.12. Poarta SI-NU

44
 Poarta SAU-NU are tranzistoarele nMOS legate in paralel, fiind folosit
cate unul pentru fiecare intrare a portii, iar tranzistoarele pMOS legate in serie.
La poarta SI-NU conexiunile sunt inversate, tranzistoarele nMOS sunt
legate in serie, cate unul pentru fiecare intrare a portii, iar cele pMOS sunt
conectate in paralel.
Modul de functionare:
Poarta SAU-NU: Daca cel putin unul dintre tranzistoarele nMOS au
aplicat semnal logic 1(unu), atunci acel tranzistor conduce si la iesire se obtine
semnal logic 0(zero). Daca la toate intrarile se aplica semnal logic 0(zero),
atunci toate tranzistoarele nMOS se blocheaza si la iesire se obtine semnal logic
1(unu).
Poarta SI-NU: Daca la toate tranzistoarele nMOS li se aplica semnal
logic 1(unu), atunci toate conduc si la iesire se obtine semnal logic 0(zero). Este
suficient ca cel putin unuia sa i se aplice semnal logic 0(zero), tranzistorul
respectiv se blocheaza si la iesire se obtine semnal logic 1(unu).
In general aceste porti sunt folosite ca porti logice, fiind baza seriilor de
circuite logice larg utilizate in prezent.

2.5.8. Comutator bidirectional (Poarta de transmisie)

Comutatorul bidirectional CMOS sau poarta de transmisie CMOS conţine
două tranzistoare MOS cu canal indus, unul cu canal n şi celălalt cu canal p,
conectate in paralel, aşa cum se vede în fig. 2.5.13. Cele doua tranzistoare sunt
comandate de semnalele complementare CL.

Fig.2.5.13 Comutator bidirectional

45
 Substratul TEC-MOS canal n se conecteaza la cel mai negativ potential
(in figura masa), iar cel al tranzistorului cu canal p la cel mai pozitiv
potential(+VDD).
Daca se aplica CL=0, ambele tranzistoare sunt blocate si se realizeaza o
rezistenta ROFF foarte mare (109ohmi).
Daca se aplica CL=1, ambele tranzistoare conduc si se realizeaza o
rezistenta RON foarte mica (102ohmi).
Folosind doua tranzistoare complementare poarta de transmisie CMOS
este bidirectionala, putand conduce current in ambele sensuri, adica intrarea si
iesirea sunt interschimbabile, functionand ca un contact comutator.
Poarta de transmisie CMOS poate transmite atat semnale logice cat si
analogice pozitive. Pentru semnale analogice bipolare, exista porti de transmisie
care au substratul p conectat la potential mai negativ decat amplitudinea
alternantei negative a semnalului bipolar.

PROBLEMĂ OPȚIONALĂ:
Comutatorului bidirecţional CMOS din fig. P 3.13, realizat cu două TEC-
MOS cu canal indus, unul de tip n şi celălalt de tip p, conectate în paralel, i se
aplică la intrare semnal sinusoidal cu amplitudinea maximă de 5V (
vi max  5 V vi min  5 V
; ).

Fig. P 3.13

46
Să se traseze graficul semnalului de comandă ştiind că pe sarcina R  1 k se
 5 
 3 , 3 
obţine semnalul sinusoidal din intervalul din fiecare perioadă, iar
rezistenţa dispozitivului este RTEC  100  .
k n  k p  k  1 mA / V 2 VP1  VP 2  2 V
Se dau: şi .

Rezolvare
k  k p  k VP1  VP 2  VP
Pentru n şi rezistenţa comutatorului CMOS este
dată de relaţia:
1
RTEC 
4 k VN  VP  (3.13.1)
Din relaţia (3.13.1) se obţine:
1 1
VN  VP  2  4 ,5 V
4 k  RTEC  3
4  10  100 (3.13.2)
Din condiţia ca fiecare dintre tranzistoare să funcţioneze în regim nesaturat se
obţine pentru semnalul de comandă N :
V
— pentru tranzistorul cu canal n:
VN  vi max  VP  5  2  7 V
(3.13.3)
— pentru tranzistorul cu canal p:
VN  vi min  VP  5  2  7 V
(3.13.4)
Din condiţia ca fiecare tranzistor să fie blocat, se obţine pentru ( - VF ):
— pentru tranzistorul cu canal n:
 VF  vi min  VP  5  2  3V
(3.13.5)
— pentru tranzistorul cu canal p:
 VF  vi max  VP  5  2  3V
(3.13.6)
V
Pentru N se alege valoarea maximă obţinută din relaţiile (3.13.2); (3.13.3);
(3.13.4), iar pentru ( - VF ) valoarea minimă obţinută din relaţiile (3.13.5) şi
(3.13.6).
Înlocuind TEC în conducţie cu RTEC avem:
47
 R 1000
v0  vi   0 ,9 vi
RTEC  R 100  1000
v0 max  0 ,9  5  4 ,5 V
v0 min  0 ,9  5  4 ,5 V
Graficul semnalului de comandă, împreună cu semnalele de intrare şi de ieşire
v
sunt prezentate în fig. P 3.13 a). Semnalul de comandă com a fost desenat
v
pentru TEC cu canal n, pentru TEC cu canal p aceasta este (– com ).

Fig. P.3.13 a)

48
2.6. Etaje de amplificare cu TEC

2.6.1. Circuitul echivalent la semnal mic

Utilizarea TEC în circuite de amplificare necesită stabilirea unei scheme
echivalente pentru regimul variabil de semnal mic. În etaje de amplificare, TEC
funcţionează în zona de saturaţie.
 Circuitul echivalent la frecvenţe joase şi medii
Tensiunile vGS ( t ), v DS ( t ) şi curentul i D ( t ) se descompun astfel:
vGS ( t )  VGS  v gs ( t ) ; v DS ( t )  VDS  vds ( t ) ; i D ( t )  I D  id ( t )
unde VGS , V DS şi I D sunt componentele continue ale tensiunii grilă-sursă,
drenă-sursă şi curentului de drenă din PSF, iar v gs ( t ) , vds ( t ) şi id ( t ) sunt
componentele variabile ale mărimilor respective de amplitudine şi frecvenţă
mică astfel încât să se poată considera regimul de funcţionare al TEC
cvasistaţionar şi de semnal mic.
Curentul de drenă i D ( t ) este funcţie de vGS ( t ) şi de v DS ( t ) , adică
i D ( t )  i D ( vGS , v DS ) . Diferenţiind această relaţie, se obţine:
i i
di D  D dvGS  D dv DS (2.6.1)
vGS v DS
Dar di D  id ( t ) , dvGS  v gs ( t ) , dv DS  vds ( t ) .
De asemenea, notăm:
i D i D 1
 gm ; v GS  ct  g d  ,
vGS DS ct
v
v DS rd

id  g mv gs  g d vds , (2.6.2)
unde: g m este panta tranzistorului la frecvenţe joase şi medii, g d este
transconductanţa, iar rd  1 / g d este rezistenţa diferenţială a canalului.
Relaţia (2.6.2) conduce la circuitul echivalent la frecvenţe joase şi medii
din fig.2.6.1, unde notaţiile au fost făcute atât în timp cât şi în frecvenţă.
Notaţiile în frecvenţă sunt cele cu litere mari şi subliniate.

49
 Fig. 2.6.1.Circuitul echivalent de semnal mic

Curentul de grilă este curentul de saturaţie al unei joncţiuni pn cu siliciu

pentru TEC-J şi are valori în gama ( 10 9  10 10 A ), iar pentru TEC-MOS are
valori în gama ( 10  13  10  14 A ) din cauza izolatorului ( SiO2 ). De aceea, între
grilă şi sursă circuitul este deschis.
Panta tranzistorului la frecvenţe joase şi medii g m se calculează din
ecuaţia TEC în zona de saturaţie astfel:
-pentru TEC-J cu canal n şi TEC-MOS cu canal n iniţial, panta g m se
2
 v 
calculează derivând relaţia (2.2.5) iD  I DSS 1  GS  :
 VP 
i 2I V
g m  D v DSct   DSS (1  GS ) (2.6.3)
v GS VP VP
In relatia (2.6.3) s-a aproximat vGS  VGS (tensiunea în PSF).
– pentru TEC-MOS cu canal n indus, panta g m se calculează derivând
relaţia (2.3.2) i D  k n vGS  VP 2 :
i D
gm  v DSct  2k n (VGS  VP ) , (2.6.5)
v GS
în care s-a aproximat vGS  VGS şi i D  I D .
Panta TEC se poate calcula şi din caracteristica de transfer cu relaţia:
i D
gm  v DS  ct
vGS
Pentru toate tipurile de TEC, domeniul tipic de valori ale pantei g m este
1÷10mA/V.
2
 v 
Conform relaţiei iD  I DSS 1  GS  , rezistenţa drenă-sursă rd este
 VP 
teoretic infinită datorită faptului că în regiunea de saturaţie, pentru o valoare
dată a lui vGS , curentul de drenă nu depinde de tensiunea drenă-sursă v DS . La
50
 dispozitivele practice însă, în regiunea de saturaţie creşterea tensiunii drenă-
sursă conduce la creşterea uşoară a curentului de drenă, ceea ce face ca
rezistenţa drenă-sursă să aibă valori în gama 20÷500kΏ. Rezistenţa drenă-
sursă rd se calculează din caracteristicile de ieşire i D  i D ( v DS ) având ca
parametru vGS utilizând relaţia rd  v DS / i D pentru vGS =ct.

 Circuitul echivalent la frecvenţe înalte

La frecvenţe înalte circuitul echivalent de la frecvenţe joase şi medii se
completează cu capacităţile structurii C gs , C gd şi C ds aşa cum este arătat în
fig. 2.6.2.
Pentru TEC-J, C gs este capacitatea de barieră dintre grilă şi sursă, iar
C gd este capacitatea de barieră dintre grilă şi drenă. Capacitatea de barieră este
capacitatea unei joncţiuni pn polarizată invers. Valorile obişnuite pentru aceste
capacităţi sunt 1÷10pF, iar pentru capacitatea C ds dintre drenă şi sursă valorile
sunt de zece ori mai mici.

Fig. 2.6.2. Circuitul echivalent la frecvente inalte

Pentru TEC-MOS, capacităţile structurii sunt de acelaşi ordin de mărime
ca şi la TEC-J, sau chiar mai mici. TEC-MOS cu canal n indus are capacităţile
C gs , C gd şi Cds mai mici decât TEC-MOS cu canal p, deci TEC-MOS cu
canal n funcţionează la frecvenţe mai înalte decât cel cu canal p.

Aplicatia 1: Să se determine parametrii de semnal mic g m şi rd , la frecvenţe

joase şi medii, ai unui TEC funcţionând în zona de saturaţie, ştiind că din
caracteristica de transfer se obţine la o variaţie a curentului de drenă de 0,1mA
în jurul valorii de curent continuu din PSF o variaţie a tensiunii  vGS de
20mV şi din caracteristica de ieşire, corespunzătoare tensiunii VGS din PSF la o

51
variaţie a curentului de drenă de 10 A corespunde o variaţie a tensiunii  v DS
de 1V.
Rezolvare:
Pentru oricare dintre tranzistoarele cu efect de câmp, caracteristica de
transfer în zona de saturaţie nu depinde practic de tensiunea drenă–sursă. De
aceea, în enunţ nu se specifică VDS  cons tan t . De fapt, tensiunea VDS are
valoarea din PSF.
Panta g m se calculează cu relaţia:
iD
gm 
vGS V  ct .
DS

Pentru i D  0 ,1mA şi vGS  20mV , rezultă:

0 ,1 mA
gm  5
20  10  3 V
Rezistenţa drenă–sursă la semnal mic (rezistenţa diferenţială a canalului)
rd se calculează cu relaţia:
v DS
rd 
iD V  ct .
GS
Pentru: i D  10 A şi vDS  1V rezultă:
1
rd   100 k
6
10  10

Aplicatia 2. Să se calculeze panta g m pentru tranzistoarele cu efect de câmp cu

2
canal n , atât MOS, cât şi cu joncţiune, ştiind că au k n  1,5 mA / V . De
asemenea, TEC–MOS cu canal indus are V P  2V şi tensiunea VGS în PSF de
4V, iar TEC–J şi TEC–MOS cu canal iniţial au VP  4V şi VGS  2V în
PSF.

Rezolvare:
Pentru TEC–MOS cu canal n indus
iD  kn vGS  VP 2

52
 iD
gm  v DS  ct  2k n ( vGS  VP )
vGS
Aproximând vGS  VGS , valoarea tensiunii continue din PSF, avem:
g m  2kn ( VGS  VP ) (2.6.6)
2
Pentru k n  1,5 mA / V , VGS  4V şi V P  2V , rezultă:

g m  2  1,5  10  3 ( 4  2 )  6
mA
V
Pentru TEC–J şi TEC–MOS cu canal n iniţial calculul se poate face în
două moduri:
— primul utilizând relaţia (2.6.6):

g m  2  1,5  10  3 ( 2  4 )  6
mA
V
— al doilea, pornind de la ecuaţia dispozitivului în regiunea de saturaţie dată de
relaţia :
2
 vGS 
i D  I DSS  1   , unde I DSS  k nVP2
 VP 
i D 2I V
gm  v DSct   DSS (1  GS )
v GS VP VP
unde s-a aproximat vGS  VGS (tensiunea în PSF).

Pentru
k n  1,5 mA / V 2 şi VP  4 V ; I DSS  k nVP2  1,5  10  3  16  24 mA
3
rezultă g m0  2 I DSS / VP  2  24  10 /  4  12 mA / V
Înlocuind în relaţia (2.6.7), ţinând cont că VGS  2V în PSF, se obţine:
2 mA
g m  12( 1  )  6
4 V

 Caracteristici de frecvenţă
Pentru o funcţie de transfer caracteristicile de frecvenţă sunt: modulul
A  dB şi faza    funcţie de frecvenţă la scară logaritmică. Un zerou al
funcţiei de transfer creşte panta caracteristicii de frecvenţă cu 20dB / dec (
6dB/oct), iar un pol scade panta cu  20dB / dec (-6dB/oct).
La  egal cu valoarea zeroului caracteristica asimptotică porneşte din
zero, iar în caracteristica reală valoarea este (  3dB ). La  egal cu valoarea
53
polului caracteristica asimptotică porneşte din zero, iar în caracteristica reală
valoarea este (  3dB ).
Pentru un zerou dublu panta este de (  40dB / dec ), iar pentru un pol
dublu panta este (  40dB / dec ). Deci, pentru un zero/pol multiplu panta
zeroului/polului simplu se îmulţeşte cu ordinul de multiplicitate.
Obs: Pe axa frecvenţelor, pulsaţia (frecvenţa) se ia în modul.

2.6.2. Etaje de amplificare SC cu TEC

Etajele de amplificare cu TEC se pot realiza cu orice tip de tranzistor cu
efect de câmp cu canal n sau p, utilizând schemele de polarizare în curent
continuu corespunzătoare.
Amplificarea de tensiune este raportul dintre tensiunea de ieşire V0 şi
tensiunea de intrare V g scrise în complex, când amplificatorul funcţionează în
regim liniar, adică Av  V0 / V g .
Amplificarea de tensiune este o mărime complexă care depinde de
frecvenţă şi care are un modul şi o fază.
Caracteristica de frecvenţă tipică pentru modulul amplificării are graficul
din fig. 2.6.3, unde:
– 0  f 1  - domeniul frecvenţelor joase
–  f 1  f 2 - domeniul frecvenţelor medii
–  f 2  f 3 - domeniul frecvenţelor înalte.
La frecvenţe joase caracteristica de frecvenţă este determinată de
constantele de timp introduse de condensatoarele externe tranzistorului
împreună cu rezistenţele echivalente corespunzătoare şi anume:
– condensatoarele prin care se cuplează generatorul de semnal şi sarcina;
– condensatoarele de decuplare, de obicei a rezistenţei din sursă.
La frecvenţe medii amplificarea de tensiune este constantă, impedanţele
condensatoarelor externe dispozitivului sunt foarte mici (condensatoarele sunt
scurtcircuit), iar condensatoarele echivalente interne tranzistorului se neglijează.
La frecvenţe înalte caracteristica de frecvenţă este determinată de
constantele de timp datorate condensatoarelor interne tranzistorului.
Pentru cele trei domenii de frecvenţă amplificarea de tensiune are expresii
diferite.

54
 Fig. 2.6.3. Caracteristica de frecventa tipica

Banda de frecvenţă sau banda de trecere este domeniul de frecvenţă pentru

care modulul amplificării scade cu 3dB, sau la 0,707 faţă de amplificarea la
frecvenţe medii (fig.2.6.3).

 Etapele de calcul ale amplificării

Pentru calculul amplificării la frecvenţe joase, medii sau înalte a unui
amplificator (etaj de amplificare) se parcurg următoarele etape:
1. Schema electrică de curent alternativ pentru domeniul de frecvenţă
dorit.
2. Circuitul echivalent de semnal mic corespunzător.
3. Calculul efectiv al amplificării.
Impedanţa de intrare Z i  V i / I i , unde V i , I i reprezintă tensiunea,
respectiv curentul absorbit la intrare.
Impedanţa de ieşire Z 0  V 0 / I 0 , pentru tensiunea generatorului
V g  0 (rămâne în circuit impedanţa internă a acestuia) şi impedanţa de
sarcină   (impedanţa de sarcină deconectată), unde V 0 , I 0 reprezintă
tensiunea, respectiv curentul de ieşire.

55
Aplicatia 3: Se consideră etajul de amplificare sursă comună cu TEC-J cu canal
n din fig.2.6.4. Tranzistorul are tensiunea de prag VP  3V , curentul
I DSS  9 mA şi rezistenţa rd  200 k .

Fig. 2.6.4. Etaj de amplificare SC cu TEC-J

Să se calculeze amplificarea în tensiune la frecvenţe medii,

impedanţa de intrare şi de ieşire, ştiind că: E D  15 V ; rg  RS  1 k ;
RD  RL  1,5 k ; R1  240 k ; R2  60 k .

Rezolvare:
 Calculul amplificarii de tensiune
Pentru frecvenţe medii schema electrică echivalentă de curent alternativ
este arătată în fig. 2.6.5, iar circuitul electric echivalent de semnal mic în fig.
2.6.6.

56
 Fig. 2.6.5. Circuitul echivalent de c.a.

Condensatoarele CG , C S şi C D sunt scurtcircuit în domeniul frecvenţelor

medii. În curent alternativ sursa de alimentare E D fiind scurtcircuit, rezistenţele
R1 şi R2 sunt în paralel şi rezistenţa lor echivalentă se notează cu R . Deci
R  R1 // R2 .

Fig. 2.6.6. Circuitul echivalent de semnal mic

Amplificarea în tensiune este:

V0 V0 Vi
Av   
Vg Vi V g
(2.6.8)
Pe circuitul din fig. 2.6.6 se poate scrie:
V0 V0
gmVi   0
rd R0 (2.6.9)
unde R0  RD // RL .
57
Din relaţia (2.6.9) se obţine:
V0 g R r
 m 0 d
Vi R0  rd
(2.6.10)
Pe circuitul de intrare avem:
Vi R
 (2.6.11)
Vg R  rg
Înlocuind relaţiile (2.6.10) şi (2.6.11) în (2.6.8), se obţine expresia amplificării
în tensiune:
g m R0 rd R
Av    (2.6.12)
R0  rd R  rg

 Calculul pantei g m :
Circuitul echivalent de c.c. este prezentat in figura 2.6.7.

Fig. 2.6.7. Circuitul echivalent de c.c.

Tensiunea VGS este soluţia sistemului :

2
 VGS 
I D  I DSS  1  
 V P  (2.6.13)
R2
VGS  RS I D  ED  0 (2.6.14)
R1  R2
Înlocuind relaţia (2.6.13) în (2.6.1) rezultă:
58
 2
 V  R2
VGS  RS I DSS  1  GS   ED  0
 VP  R1  R2
Introducând datele numerice se obţine:
2
3 3  VGS  60
VGS  10  9  10  1     15  0
 3  240  60
După calcule rezultă ecuaţia:
2
VGS  7 VGS  6  0
cu soluţiile: VGS  1V şi VGS  6 V .
Soluţia VGS  6 V nu convine, pentru că este mai mică decât tensiunea de
prag VP  3V .
Panta g m este dată de relaţia:
2 I DSS  vGS 
gm   1  
VP  VP 
Aproximând vGS  VGS din PSF se obţine:
3
2 I DSS  VGS  2  9  10  1
gm    1      1    4 mA / V
VP  VP  3  3
În continuare se calculează:
R1R2 240  60
R   48 k
R1  R2 240  60
Se constată că pentru rg  1 k , avem R  rg
RD RL 1,5  1,5
R0    0 ,75 k
RD  RL 1,5  1,5
Pentru rd  200 k ; R0  rd .
Deci, expresia amplificării (2.6.12) devine:
Av   g m R0  4  10  3  0 ,75  10 3  3
Rezistenţa (impedanţa) de intrare este R  R1 // R2  48 k .
Rezistenţa (impedanţa) de ieşire este RD // rd  1,5 k .

59
Aplicatia 4: Fie etajul de amplificare SC cu TEC-MOS din fig. 2.6.8.

Fig. 2.6.8. Etaj de amplificare SC cu TEC-MOS

2
Se dau: VP  2V ; k n  1mA / V ; v g  Vg sint ; V g  0 ,1V ; CG =
scurtcircuit la frecvenţa de lucru şi curentul de drenă în zona de saturaţie rămâne
practic constant.
Se cere să se determine:
a) P.S.F. ( VGS A ,VDS A , I DA );
b) amplificarea la frecvenţe medii şi valorile instantanee ale mărimilor v DS , i D
şi vGS .

Rezolvare:
a) Circuitul echivalent de curent continuu este cel din fig. 2.6.8, din care
lipseşte generatorul de semnal V g şi rezistenţa sa internă rg pentru că sunt
separate în curent continuu de condensatorul CG .
Cu notaţiile din fig. 2.6.8, unde în PSF se adaugă mărimilor indicele A, se
poate scrie:
R2 50
VGS A  ED   12  4V
R1  R2 150
 
I DA  k n VGS A  VP 2  1  4  22  4mA
Dreapta de sarcină:
RL I D  VDS  E D
VDS A  E D  RL I DA  12  2  10 3  4  10 3  4V .

60
  
P.S.F.  VDS A ; I DA ;VGS A  4V ;4mA;4V  .
Se verifică dacă tranzistorul funcţionează în saturaţie:
VDS  VGS A  VP  4  2  2V  VDS A  4V .
b) Circuitul echivalent de curent alternativ este cel din fig.2.6.8, în care
condensatorul CG şi sursa E D sunt scurtciruite. Pe acest circuit, rezistenţele R1
şi R2 sunt în paralel şi au rezistenţa echivalentă :
R R 50  100
R  R1 || R2  1 2   33k .
R1  R2 150
Pe circuitul echivalent de semnal mic prezentat în fig.2.6.9 , se poate
scrie:
R
Vi  V g . Cum R  rg , rezultă Vi  V g .
R  rg
Panta tranzistorului este dată de relaţia:
 
g m  2k n VGS A  V P  2  1  4  2 
mA
V
4
mA
V
Ţinând cont că în saturaţie curentul de drenă este aproximativ constant:
rd  RL şi rd se negjijează. În aceste condiţii, amplificarea în tensiune este:
Av   g m RL  4  10 3  2  10 3  8 .

Fig. 2.6.9. Circuitul echivalent de semnal mic.

Valorile instantanee se calculează aplicând principiul superpoziţiei:

vGS ( t )  VGS A  v gs ( t )
Ţinând cont că amplificarea este constantă, avem:
v gs  Vi  V g  0 ,1 sint V 
vGS ( t )  4  0 ,1 sint V 
v DS ( t )  VDS A  vds ( t )
vds  v 0  v DS  VDS A  V 0  VDS A  Av V g  4  0,8 sint V 

61
 i D ( t )  I DA  id ( t )
id  g m V g
i D  I DA  g m V g  4  0 ,4 sint mA
Se constată că amplitudinea semnalelor alternative sunt mici faţă de
componentele continue din P.S.F.

62