2.

JONCIUNEA pn
2.1. Introducere
Jonciunea pn este regiunea din vecintatea suprafeei de contact dintre dou
semiconductoare cu tip de conducie diferit, una de tip p i alta de tip n. Linia de
demarcaie dintre cele dou regiuni se numete jonciune metalurgic. n figura 2.1 este
reprezentat, schematic, un model unidimensional al jonciunii pn. De asemenea este
reprezentat profilul concentraiei nete de impuriti N A N D .
Zona p (x < 0 ) corespunde concentraiei de impuriti pentru care N A > N D ;
Zona n (x < 0 ) corespunde concentraiei de impuriti pentru care N A < N D ;
Jonciunea metalurgic ( x = 0 ) va corespunde unei concentraii nete nul de impuriti.

Fig. 2.1 Jonciunea pn

2.2. Jonciunea pn la echilibru termic

Pentru a uura nelegerea fenomenelor fizice i descrierea lor matematic, studiul
jonciunii pn se va realiza n urmtoarele cazuri particulare de impurificare a
monocristalului semiconductor:
a) Se consider profilul abrupt al concentraiei de impuriti, vezi figura 2.2.a.
Conform acestui profil:
1) n zona p se gsesc numai impuriti acceptoare, n concentraie constant NA;
2) n zona n se gsesc numai impuriti donoare, n concentraie constant ND;
Fenomenele fizice ce au loc intr-o jonciune sunt urmtoarele:
Dac cele dou regiuni, p i n ar fi independente, concentraiile de goluri, respectiv
electroni ar fi date de (1.14) i (1.15). Se identific:
1) purttori majoritari: electronii n zona n, respectiv golurile n zona p;
2) purttori minoritari: golurile n zona n, respectiv electronii n zona p;
Difuzia puttorilor majoritari de sarcin.
Fenomenul de difuzie are loc datorit diferenei de concentraie n care se gsesc
purttorii de sarcin ntr-o regiune, fa de concentraia n care se gsesc (aceeai
purttori de sarcin) n regiunea nvecinat. Astfel:
1) Golurile din regiunea p (purttori majoritari aflai n concentraii mari),
difuzeaz n regiunea n (unde concentraia lor este mic). Ca urmare a acestui
fenomen de difuzie rezult dou consecine:
golurile ajunse n zona n se recombin (datorit tendinei
semiconductorului de tip n de a restabili echilibrul);

 n zona p adiacent jonciunii metalurgice, prin plecarea golurilor apare

un exces de sarcin negativ datorat ionilor acceptori;
2) Electronii din regiunea n (purttori majoritari aflate n concentraii mari),
difuzeaz n regiunea p (unde concentraia lor este mic). Ca urmare a acestui
fenomen de difuzie rezult dou consecine:
electronii ajuni n zona p se recombin (datorit tendinei
semiconductorului de tip p de a restabili echilibrul);
n zona n adiacent jonciunii metalurgice, prin plecarea electronilor
apare un exces de sarcin pozitiv datorat ionilor donori;
n consecin, ca urmare a apariiei sarcinilor electrice de o parte i alta a jonciunii
metalurgice apare un cmp electric intern orientat de la regiunea n spre regiunea p.
Aciunea cmpului electric intern asupra purttorilor minoritari de sarcin.
1) Golurile din regiunea n sunt transportate (de cmpul electric intern) spre
regiunea p;
2) Electronii din regiunea p sunt transportai (de cmpul electric intern) spre
regiunea n;
n concluzie, procesul de scdere a concentraiilor de purttori majoritari nu se desfoar
pn la uniformizarea concentraiilor (conform tendinei de difuzie), ci se autolimiteaz
(prin generarea cmpului electric intern, sau cmp de barier denumit astfel tocmai
datorit celor descrise mai sus) la valori care asigur echilibrul curenilor de difuziune i de
cmp. Aceast situaie corespunde unui curent electric nul prin structur, rezultat
compatibil cu condiia de echilibru termic.
b) A doua aproximare conform creia se studiaz fenomenele fizice n jonciune este
urmtoarea:
Jonciunea este reprezentat aproximativ ca n figura 2.2.b. Aceast reprezentare
aproximativ poart numele de aproximare de golire.
Conform acestei aproximri, jonciunea se mparte n trei regiuni:
regiunea de trecere concentrat n jurul jonciunii metalurgice ( l p0 < x < + l n 0 );
dou regiuni neutre;
Toate fenomenele specifice jonciunii la echilibru termic se petrec n regiunea de trecere.
n acest caz concentraiile de electroni, respectiv goluri sunt diferite fa de cazul zonelor p
i n considerate independente vezi figura 2.2.c.
Conform aproximaiei de golire, n regiunea de trecere se neglijeaz concentraiile de
electroni i goluri fa de concentraiile de impuriti.
n concluzie, densitatea de sarcin de volum, v , din regiunea de trecere - vezi figura 2.2.d
are expresia:
e N A ; l p0 < x < 0
V =
(2.1)
0 < x < l n0
+ e N D ;
Conform (2.1) se poate afirma c:
regiunile p i n au o comportare identic cu aceea a dou semiconductoare separate,
fiind neutre din punct de vedere electric;
regiunea de trecere poart numele de regiune golit sau regiune de sarcin spaial.

a)

b)

c)

d)

Fig. 2.2 Modelarea jonciunii pn

Din (2.1), innd cont de neutralitatea global a semiconductorului, rezult c:
N A l p0 = N D l n 0

(2.2)

Relaia (2.2) exprim faptul c regiunea de sarcin spaial are o ntindere mai mare n
zona mai slab dopat a jonciunii (lungimea de difuziune ntr-o regiune este invers
proporional cu gradul ei de dopare).
Observnd c lungimea de difuziune este l 0 = l n 0 + l p0 i innd cont de (2.2), se obine:
NA

l =
l
N A l p0 = N D l n 0 n 0 N A + N D 0

ND
l 0 = l n 0 + l p0
l p0 =
l0

NA + ND
Se demonstreaz c:
l 0 = l n 0 + l p0 =

2 1
1
B0 ,

+
e N A N D

(2.3)

(2.4)

unde B0 este valoarea potenialului electric ce apare n regiunea de difuziune ca o

consecin a existenei cmpului electric de barier:
N N
e
k T
B0 =
N A l 2p0 + N D l 2n 0 =
ln A 2 D
(2.5)
2
e
ni
iar k este constanta lui Boltzmann.
Considernd c aria seciunii transversale a jonciunii este AJ, se poate calcula sarcina
electric stocat:
NA
Q B0 = V V = e N D l n 0 A J = e N D
l0 A J =
NA + ND
(2.6)
NA ND
= AJ 2 e
B 0 := K a B 0
NA + ND
Observaie:

n cazul particular al jonciunii cu un profil abrupt i asimetric de dopare, n conformitate

cu (2.3) i (2.4), regiunea de trecere se extinde, practic, doar n regiunea mai slab dopat.
Astfel de jonciuni se noteaz:
p+n dac N A >> N D ; lungimea regiunii de sarcin spaial devine:
l 0 l n0

2
B0
e ND

(2.7)

pn+ dac N D >> N A ; lungimea regiunii de sarcin spaial devine:

l 0 l p0

2
B0
e NA

(2.8)

2.3. Polarizarea jonciunii pn

Dispozitivele semiconductoare care conin jonciuni pn sunt utilizate ca element de circuit,
atunci cnd la bornele jonciunii se aplic o diferen de potenial VA, prin intermediul unor
contacte metalice. Convenia de notaii este prezentat n figura 2.3.
Polarizarea electric a jonciunii pn se face n dou situaii:
Polarizare direct: VA > 0 , de unde rezult I A > 0 ; n acest caz se vor utiliza
urmtoarele notaii: VA = VF i I A = I F ; (indicele Forward = nainte)
Polarizare invers: VA < 0 , de unde rezult I A < 0 ; n acest caz se vor utiliza
urmtoarele notaii: VA = VR i I A = I R ; (indicele Reverse = invers)

Fig. 2.3 Jonciunea pn polarizat

2.3.1. Polarizarea direct a jonciunii pn

n cazul jonciunii pn polarizat direct cmpul electric n regiunea de trecere scade la

valoarea E B E F , bariera de potenial reducndu-se la valoarea B0 VF . n consecin
regiunea de trecere va fi mai ngust vezi figura 2.4.
innd cont de (2.4), expresia lungimii regiunii de trecere devine:
V
l = l0 1 F
B0

(2.9)

Scderea cmpului electric intern la valoarea E E F , duce la creterea concentraiei

purttorilor mobili de sarcin fa de situaia de echilibru termic. Acest proces poart
numele de injecie de purttori minoritari.
golurile din regiunea p difuzeaz ntr-un numr mai mare n regiunea n (din punctul
de vedere al regiunii n golurile sunt purttori minoritari);
electronii din regiunea n difuzeaz ntr-un numr mai mare n regiunea p (din
punctul de vedere al regiunii p electronii sunt purttori minoritari);
n consecin, prin jonciune apare un curent IF nenul; se mai spune c jonciunea pn
polarizat direct permite conducia electric. Din acest motiv, regimul de polarizare direct
a jonciunii pn se mai numete i regim de conducie.

Fig. 2.4 Jonciunea pn polarizat direct

2.3.2. Polarizarea invers a jonciunii pn

n cazul jonciunii pn polarizat invers cmpul electric n regiunea de trecere crete la

valoarea E B + E R , bariera de potenial mrindu-se la valoarea B0 + VR . n consecin
regiunea de trecere va fi mai lat vezi figura 2.5.

Fig. 2.5 Jonciunea pn polarizat invers

innd cont de (2.4), expresia lungimii regiunii de trecere devine:

V
l = l0 1 + R
B0

(2.10)

Mrirea cmpului electric intern are ca efecte directe:

mrirea curenilor de cmp;
micorarea curenilor de difuzie.
Ca urmare, curentul IR ce apare prin jonciune va fi mult mai mic fa de situaia polarizrii
directe, i cvasiindependent de tensiunea invers aplicat, VR.

2.4. Diode semiconductoare

Diodele semiconductoare sunt dispozitive electronice formate dintr-o jonciune pn i dou
contacte ohmice (metal-semiconductor).
2.4.1. Caracteristica static a diodei

Caracteristica static a diodei prezint dependena curentului prin jonciune iA, funcie de
tensiunea de polarizare aplicat acesteia vA.
Pentru calculele referitoare la scheme electrice, caracteristica static a diodei are expresia:
e vA
1
i A = I 0 exp
(2.11)
mkT
unde:
I0 este curentul de saturaie;
k este constanta universal a lui Boltzman;
T este temperatura absolut [K];
m [1; 2] ; pentru cazul ideal, coeficientul m = 1 .
Caracteristica static a diodei este prezentat n figura 2.6.

Fig. 2.6 Caracteristica static a diodei

Funcie de valorile tensiunii de polarizare a diodei se identific cele dou regimuri de lucru
ale diodei:
Conducie:
kT
Pentru tensiuni de polarizare direct VA 4
, la temperaturi n jur de
e
T = 300 K (270C), n relaia (2.11) predomin termenul exponenial, curentul direct
prin diod (jonciunea pn) se poate determina cu relaia:

 e VA
I A I 0 exp
k T
Blocare:

(2.18)

kT
, la temperaturi n jur de
e
T = 300 K (27C0), n relaia (2.11) termenul exponenial poate fi ignorat, curentul
invers prin diod (jonciunea pn) se poate determina cu relaia:
IA I0
(2.19)
Pentru tensiuni de polarizare

VA < 4

Valoarea mic a curentului de saturaie n comparaie cu curenii direci tipici mpreun cu

dependena puternic de tensiune dat de ecuaia exponenial (2.11) a diodei conduc la o
aparent tensiune de prag - V - sub care exist un curent direct foarte mic (zona de blocare
direct-vezi figura 2.6) i peste care curentul direct crete rapid cu tensiunea.
Valorile caracteristice ale tensiunilor de prag sunt:
V 0.2V pentru diodele de germaniu;
V 0.7V pentru diodele de siliciu;

Valorile curentului de saturaie pentru diodele de germaniu sunt mai mari dect cele
corespunztoare diodelor de siliciu.
I 0 A pentru diodele de germaniu;
I 0 nA pentru diodele de siliciu;
2.4.2. Regimuri limit de funcionare

Fenomenul electric de strpungere a diodei (a jonciunii pn) const n creterea puternic a

curentului n polarizare invers. Se definete tensiunea de strpungere VBR , ca valoare a
tensiunii inverse de la valoarea care curentul (invers) prin diod crete foarte puternic
(tinde spre infinit). Strpungerea jonciunii poate fi explicat prin apariia multiplicrii n
avalan a purttorilor de sarcin (efect tunel).
La valori mari ale tensiunii inverse, cmpul electric din regiunea de trecere (de sarcin
spaial) atinge valori mari, imprimnd o energie crescut purttorilor de sarcin care l
strbat. n urma ciocnirii unui astfel de purttor de sarcin cu atomii reelei cristaline, se
poate produce ruperea unei legturi covalente, crend astfel o pereche electron-gol. Aceti
noi purttori de sarcin sunt i ei antrenai de cmpul electric, putnd crea la rndul lor o
nou pereche electron-gol. Acest fenomen poart numele de multiplicare n avalan.
ncepnd de la o anumit valoare a tensiunii inverse (VBR, BReakdown), multiplicarea n
avalan devine infinit, ceea ce duce la creterea nelimitat a curentului.

Fig. 2.7 Strpungerea diodei (jonciunii pn)

Din punct de vedere cantitativ, creterea curentului este luat n consideraie prin
nmulirea valorii curentului invers I0 cu un coeficient M de multiplicare n avalan:

IR = M I0

(2.20)

Coeficientul M poate fi calculat cu o relaie empiric:

1
, unde coeficientul n [3 ; 7] .
(2.21)
M=
n
vR

1
VBR
Fenomenul de multiplicare n avalan a purttorilor de sarcin se poate produce i n
regimul de conducie, cauza fiind cldura degajat prin efect Joule-Lenz n situaia creterii
accentuate a curentului direct. Din acest motiv, valoarea acestuia trebuie s fie inferioar
(2.22)
curentului maxim admisibil: I F < I Fmax .
2.4.3. Dependena caracteristicii statice de variaiile temperaturii

Caracteristica diodei (jonciunii pn) depinde puternic de variaiile temperaturaturii.

Curentul direct crete o dat cu creterea temperaturii.
n practic intereseaz scderea tensiunii directe la un curent constant odat cu creterea
temperaturii (nu creterea curentului pentru o tensiune precizat). O valoare medie a
coeficientului de scdere a valorii tensiunii poate fi considerat: v = 2mV / C 0
Curentul invers (n modul) crete o dat cu creterea temperaturii.
n intervalul 25 0 C 175 0 C , valoarea curentului se dubleaz la creterea temperaturii cu
10 0 C .
Tensiunea de strpungere crete o dat cu creterea temperaturii.
Valoarea tensiunii de strpungere are o cretere de 1mV la fiecare cretere a temperaturii
cu 10 C .
Dependena caracteristicii statice de variaiile temperaturii este prezentat n figura 2.8.

Fig. 2.8 Dependena caracteristicii statice a diodei la variaiile temperaturii

2.4.4. Modelarea diodei

La analiza comportrii unei diode ntr-un circuit de c.c., se utilizeaz ecuaia (2.11) sau se
utilizeaz caracteristica static prezentat n figura 2.6.
Simbolul electric al diodei este prezentat n figura 2.9.

Fig. 2.9 Simbolul electric al diodei

Comportarea diodei poate fi descris (simplificat) n dou moduri complementare. Se pun
n eviden valoarea curentului i a tensiunii ce caracterizeaz dioda.
Curenii ce strbat dioda:
O diod permite ca ntr-un sens (polarizare direct sau conducie) s treac un curent mare
i un curent mic n sensul contrar (polarizare invers sau blocare). Dac valoarea curentului
de conducie direct este situat n domeniul zecilor sau sutelor de miliamperi, curentul
invers are o valoare situat n domeniul micro (nano) amperilor. Curentul invers (de
saturaie) este uzual cu ase ordine de mrime mai mic dect curentul direct. Datorit
acestei proprieti a diodei acesta poart i numele de ventil (electric).
Tensiunea la bornele diodei:
O diod permite o cdere mare de tensiune la borne n cazul polarizrii inverse i una
foarte mic n cazul polarizrii directe. Tensiunea invers poate atinge valori de ordinul
sutelor de voli, tensiunea direct are uzual valori de ordinul zecimilor de volt.
Avnd n vedere aceste diferene foarte mari ntre comportarea n polarizarea direct i
invers, o caracterizare aproximativ a acesteia este suficient n multe aplicaii.
Pentru a realiza aceast caracterizare a comportrii diodei se propun mai multe modele
liniarizate a caracteristicii statice a acesteia.
Pentru toate modelele propuse se consider c valoarea curentului invers (de saturaie) este
nul, deci n acest caz dioda poate fi echivalat printr-o rezisten cu valoare infinit.
Ri
(2.23)
n realitate valoarea rezistenei inverse a diodei este de ordinul megaohmilor.
(2.24)
R i M
Se vor prezenta patru modele simplificate ale diodei. Criteriile dup care vor fi prezentate
sunt urmtoarele:
Tensiunea de prag V . Tensiunea de prag este o valoare a tensiunii de polarizare
direct a diodei de la care curentul prin dispozitiv are o valoare semnificativ.
Rezistena intern direct Rd a diodei. Aceast rezisten ofer informaii asupra
modului de variaie (n condiii de polarizare direct) a curentului IA, funcie de
tensiunea aplicat la bornele dispozitivului VA.
1) V = 0 . Dioda este blocat dac VA < 0
1a) Dioda este echivalat printr-un comutator ideal, fiind descris prin ecuaiile:
VA = 0 , pentru I A > 0
(2.25)

I A = 0 , pentru VA < 0
Modelul definit prin ecuaiile (2.25) neglijeaz att cderea de tensiune direct, ct i
curentul invers al diodei. Caracteristica static i simbolul diodei ideale, DI, sunt
prezentate n figura 2.10 a. Dioda astfel modelat nu permite cdere de tensiune cnd
curentul este pozitiv i nici scurgere de curent cnd tensiunea este negativ. n acest caz
dioda se reduce la un scurtcircuit cnd curentul este pozitiv i la un circuit deschis cnd
tensiunea este negativ.

a)

b)

c)

d)

Fig. 2.10 Modele liniarizate pentru caracteristica static a diodei

1b) n conducie, dioda este echivalat cu o rezisten echivalent, de valoare constant.
Dioda este descris prin ecuaiile:
VA

, pentru VA > 0
I A =
Rd
(2.26)

I = 0
, pentru VA < 0
A

Caracteristica static i circuitul echivalent sunt prezentate n figura 2.10 b.

2) V > 0 . Dioda este blocat dac VA < V
2a) Dioda este echivalat pe durata de conducie printr-o surs ideal de tensiune.
Dioda este descris prin ecuaiile:
VA = V , pentru I A > 0
(2.27)

I A = 0 , pentru VA < V
Caracteristica static i circuitul echivalent sunt prezentate n figura 2.10 c. Dioda astfel
modelat nu permite cdere de tensiune cnd curentul este pozitiv i nici scurgere de curent
cnd tensiunea este mai mic dect valoarea tensiunii de prag VA < V .
2b) n conducie, dioda este echivalat printr-o surs ideal de tensiune, V , n serie cu
o rezisten echivalent, de valoare constant, fiind descris de ecuaiile:
VA V

, pentru VA > V
I A =
Rd

I = 0
, pentru VA > V
A
Caracteristica static i circuitul echivalent sunt prezentate n figura 2.10 d.

(2.28)

2.4.5. Comportarea diodei n regim dinamic, la semnal mic

n cazul n care la bornele diodei se aplic att o tensiune continu (numit i tensiune de
polarizare) ct i una alternativ (numit i semnal), se spune c jonciunea lucreaz n
regim dinamic (sau variabil, sau de c.a.). n acest caz, n afar de componenta continu,
apare i o component alternativ a curentului. n acontinuare se va prezenta regimul
dinamic de joas frecven (JF) sau quasistaionar
Dac n regim staionar (de c.c) dioda era caracterizat de un punct static de funcionare
PSF- vezi figura 2.11a P(U A , I A ) , n cazul regimului dinamic quasistaionar
funcionarea diodei este caracterizat printr-o zon de lucru ce este situat pe caracteristica
static. Cu alte cuvinte, PSF-ul se mic permanent pe caracteristica static (regimul
dinamic este o succesiune de regimuri statice). Acest lucru poate fi observat n figura
2.11a, n care PSF-ul, pentru cazul analizat, ocup succesiv o zon de pe caracteristica
static situat ntre punctele P1, respectiv P2. Datorit faptului c forma caracteristicii este
neliniar, conform (2.11), studiul de fa se refer doar la un cazul particular al tensiunii
variabile aplicat la bornele diodei, adic ndeplinind condiia de semnal mic.
Tensiunea ce se aplic la bornele diodei are expresia:
u A (t ) = VA + u a (t )
(2.29)
Componenta variabil are expresia: u a (t ) = U a sin (t ) .
Funcionarea diodei n regim dinamic este quasistaionar dac semnalul alternativ este de
joas frecven (JF).
n prezena componentei variabile ua(t), jonciunea i modific starea staionar prin
modificarea dimensiunilor regiunii de trecere, a barierei de potenial i a distribuiei
purttorilor minoritari n regiunile neutre. Aceste procese sunt legate de variaia unor
sarcini electrice i necesit un anumit interval de timp, care n cazul de fa se neglijeaz.
Condiia de semnal mic impune ca amplitudinea componentei variabile s aib o valoare
mic, pentru a nu introduce neliniariti asupra rspunsului diodei (n acest caz curentul
prin diod). Conform figurii 2.11.a se observ c forma componentei variabile a curentului
ia(t) este sinusoidal. Acest lucru este posibil pentru c regiunea de pe caracteristica static
parcurs de PSF se poate considera ca fiind aproximativ liniar (arcul de curb P1PP2 poate
fi aproximat cu segmentul de dreapt P1P2). Condiia de semnal mic este ndeplinit, dac
restricia asupra amplitudinii este de forma:

U a << VT
kT
unde VT =
este tensiunea termic.
e
n practic, la valoarea T = 300 K este necesar ca U a < 26 mV .

(2.30)

Fig. 2.11 Comportarea diodei (jonciunea pn) n regim cvasistaionar, la semnal mic
n regim variabil cvasistaionar de semnal mic, dioda (jonciunea pn) poate fi modelat
printr-o rezisten intern.
n cazul polarizrii directe rezistena intern rd are semnificaia grafic a pantei tangentei n
P.S.F. vezi figura 2.11.b fiind denumit rezisten intern sau dinamic sau diferenial.
Matematic aceasta se definete astfel:
d uA
VT
uA
ri = rd =
=

(2.31)
d iA
IA + I0
iA

n cazul polarizrii inverse (I A I 0 ), valoarea rezistenei interne are teoretic o valoare

infinit. Practic, valoarea acesteia este de ordinul megaohmilor.

2.4.6. Disiparea cldurii

Jonciunile pn sunt montate n interiorul unui dispozitiv numit capsul. Rolul acesteia
este att cel de protecie mecanic ct i de evacuare a cldurii acumulate de jonciune n
timpul procesului de conducie. Astfel, capsula este caracterizat de un parametru numit
rezisten termic ce caracterizeaz evacuarea cldurii dinspre jonciune spre mediul
o
C
exterior, a crui valoare tipic este R th ja = 350
. Calculul termic se face pe un circuit
W
analog cu circuitele electrice, numit circuit termic, prezentat n figura 2.12.
Se poate observa relaia (asemntoare cu teorema a doua a lui Kirchoff):
T j Ta = Pd R th ja
(2.32)
Tj Ta

Pd

Rth j-a

Fig. 2.12
Circuitul termic al jonciunii pn

unde Ta este temperatura ambiant, iar Pd puterea

disipat:
Pd = U A I A
(2.33)