CAP.

2
DIODE SEMICONDUCTOARE
Conţinutul prezentei lucrări acoperă cu material documentar cunoştiinţele
predate în cadrul disciplinelor de ”Dispozitive şi circuite electronice”, ”Electronică”
şi ”Electronică Analogică”. Sunt tratate dispozitivele şi circuitele electronice de bază
din ”hard”-ul echipamentelor complexe utilizate în conducerea şi supravegherea
proceselor tehnologice, în comanda acţionărilor electrice şi electromecanice, în
structura aparatelor electrice, etc.
Circuitele electronice sunt realizate folosind componente electronice active,
pasive şi componente de conectică şi legături. Componentele electronice se grupează
în trei mari categorii : diode semiconductoare, tranzistoare şi circuite integrate.

2.1 STRUCTURA DIODEI SEMICONDUCTOARE

2.1.1. Noţiuni de fizica semiconductorului.

Componentele active semiconductoare au la bază 3 materiale semiconduc-

-toare: germaniu (Ge), siliciu (Si) şi arseniura de galiu (GaAs). Toate sunt elemente
tetravalente cu 4 electroni de valenţă pe orbita finală. În tendinţa atomului de a fi
stabil în timp şi deci, neutru din punct de vedere electric, semiconductorul se structu-
-rează într-o reţea cristalină cubică cu feţe centrate. Astfel, fiecare atom are în jurul
său 4 atomi cu care conlucrează în aşa mod încât să realizeze câte 8 electroni pe
ultimul nivel energetic ( ultima orbită).
Această legătură dintre doi atomi, prin care fiecare atom pune în comun câte
un electron poartă numele de legătură covalentă. La 00 Kelvin semiconductorul este
neutru din punct de vedere electric şi nu prezintă purtători de sarcină electrică mobili
în masa cristalului semiconductor.
La temperatura mediului ambiant, ≈20 0C, unii electroni din masa cristalului,
primind energie termică din exterior, pot depăşi nivelul limită de legătură şi electronul
se rupe din legătura covalentă. Apare electronul ca purtător de sarcină electrică
negativă şi golul , legătură covalentă nesatisfăcută, ca purtător de sarcină electrică
pozitivă. Perechea de purtători de sarcină , ce apar în condiţiile de mai sus, poartă
numele de purtători minoritari de sarcină; cu cît formarea acestora este mai
greoaie cu atât mai bun este dispozitivul electronic.
Prin introducerea unui atom de impuritate pentavalentă în structura cristalină
pură a semiconductorului, acesta va folosi 4 electroni de valenţă pentru formarea a 4
legături covalente cu 4 atomi tetravalenţi învecinaţi iar un electron de valenţă, al
cincelea, devine liber. El poartă numele de purtător majoritar de sarcină negativă,
n. Atomul pentavalent introdus poartă numele de impuritate donoare iar
semiconductorul obţinut este semiconductor n.
Similar, prin introducerea în masa cristalului a unui atom trivalent, acesta
realizează trei legături covalente cu 3 atomi învecinaţi. Al patrulea atom învecinat
rămâne cu o legătură covalentă nesatisfăcută, pozitiv electric. Se realizează un
purtător majoritar de sarcină denumită gol – gol de electron. Atomul trivalent
introdus este denumit impuritate acceptoare iar semiconductorul obţinut este de
tipul p. Numărul de purtători majoritari de sarcină este egal cu numărul de atomi
impuritate , tri- sau pentavalenţi, injectaţi în masa cristalului semiconductor.
Sunt dispozitive electronice care folosesc în funcţionare ambele tipuri de
purtători majoritari de sarcină; ele se numesc dispozitive electronice bipolare. Alte
dispozitive electronice folosesc în funcţionare un singur tip de purtător majoritar de
sarcină şi se numesc dispozitive electronice unipolare. Primele dispozitive
electronice apărute sunt bipolare şi au la bază principiul joncţiunii între două regiuni
semiconductoare adiacente alternate – joncţiunea pn.

2.1.2. Joncţiunea pn

Prin joncţiune se înţelege zona de trecere a purtătorilor de sarcină prin

suprafaţa de contact dintre două regiuni semiconductoare alternate create în aceeaşi
reţea cristalină semiconductoare. Se consideră un semiconductor pur ( numit şi
semiconductor intrinsec) în care s-au creat două regiuni semiconductoare alternate
învecinate, fig.2.1., cu Na=Nd, adică, numărul impurităţilor acceptoare şi donoare este
egal.
Se notează cu lp şi ln parcursul liber mijlociu al purtătorilor majoritari p în
regiunea semiconductoare n, respectiv, parcursul liber mijlociu al purtătorilor
majoritari n în regiunea semiconductoare p ( prin parcurs liber mijlociu se înţelege
drumul mediu parcurs de un gol, de exemplu, în regiunea semiconductoare n până la
neutralizarea lui). VB=tensiune de bariera
+ VAC -

n
p
A C A C
ln lp (Anod) (Catod)

+ (b)

-
EB
(a) 
E
e
 Er
Ee Fig. 2.1. Dioda semiconductoare: a) referitor la formarea
 joncţiunii pn; b) simbolul de reprezentare grafică
Er
 Prin suprafaţa de contact dintre cele două regiuni semiconductoare alternate,
la temperatura mediului ambiant, trec sarcini electrice dintr-o parte în alta până la
neutralizare. Migrarea electronilor în regiunea p şi a golurilor în regiunea n are ca
efect rămânerea unei sarcini electrice spaţiale negative în proximitatea suprafeţei de
contact din regiunea p şi similar, o sarcină spaţială pozitivă în regiunea n (fig.2.1.a).
Aceste sarcini electrice spaţiale devin fixe la echilibru termic şi creează o

barieră de potenţial, respectiv un câmp electric barieră E B , care se opune migrării în
continuare a sarcinilor electrice prin suprafaţa de contact dintre regiunile semiconduc-
--toare. S-a creat joncţiunea pn. Zona de trecere Z t  l n  l p .
Bariera de potenţial, şi prin aceasta joncţiunea pn, poate fi controlată prin
tensiunea VAC aplicată din exterior. Astfel, dacă VAC are plusulla semiconductorul p şi
minusul la semiconductorul n , câmpul electric exterior E e va fi de sens opus
   
câmpului de barieră E B . Dacă E e > E B câmpul rezultant E r este sinfazic cu

E e şi apare un curent de conducţie IA de la p la n care creşte odată cu creşterea
tensiunii aplicate din exterior.

Se 
spune că joncţiunea pn este polarizată direct.
În cazul în care e şi E B sunt sinfazice adică, tensiunea exterioară este cu
E
minus la p şi plus la n, are loc o creştere a barierei de potenţial şi se blochează mai
puternic trecerea purtătorilor de sarcină majoritari dintr-o parte în alta a suprafeţei de
contact dintre regiunile semiconductoare alternate. Se spune că joncţiunea pn este
polarizată invers.
Dacă cristalul de semiconductor cu joncţiune şi contactele mecano-electrice
ale terminalelor anod (la semiconductorul p) şi catod (la semiconductorul n) sunt
protejate într-o capsulă de sticlă sau din răşini epoxidice speciale cu acces extern la
cele două terminale se obţine dioda semiconductoare cu simbolul grafic indicat în
fig.1.1.b.

2.1 DIODA SEMICONDUCTOARE ÎN REGIM STAŢIONAR

Regimul staţionar al diodei este caracterizat printr-o tensiune exterioară VAC şi

un curent de conducţie IA constante în timp (staţionare). Regimul staţionar al diodei
semiconductoare este descris analitic de ecuaţia joncţiunii pn ideale, relaţia (2-1).

 V  
I A  I r exp AC   1 (2-1)
  VT  
unde: Ir = curentul rezidual – curentul datorat purtătorilor minoritari de sarcină;
VT = KT/q = 26.10-3 V; K = constanta lui Boltzman; q = sarcina electronului;
T = temperatura joncţiunii în grade Kelvin.
O analiză a relaţiei (2-1) arată că, pe porţiuni, poate fi aproximată prin
expresii mai simple. La polarizare directă
  V AC  V 
VAC>0, VAC>>VT , exp  >>1 ,  I A  I r exp AC  (2-2)
 VT   VT 
Iar la polarizare inversă

 V AC  V 
VAC<0 , V AC >>VT , exp    1 / exp AC  <<1 ,  IA=-Ir (2-3)
 V 
 VT   T 
Ţinând cont de relaţiile de mai sus, regimul staţionar al diodei semiconduc-
toare este evidenţiat în fig.2.2.

IA
T2 T1
Fig. 2.2. Dioda semiconductoare în
regim staţionar:
IAP P -cu linie plină, caracteristica volt-
Vstr amperică la temperatura T1;
-cu linie întreruptă, caracteristica
T1 T2 Ir VD VACP VAC volt- amperică la temperatura
T2>T1;
-Vstr=tensiunea inversă de străpun-
-gere;
-VD=tensiunea de deschidere.

Pentru un anumit punct P pe caracteristica la temperatura T1 corespunde o

anumită rezistenţă a joncţiunii RP determinată cu relaţia
V ACP
RP= (2-4)
I AP
Regimul termic este important în funcţionarea diodei semiconductoare şi
intervine în ecuaţia joncţiunii pn ideale prin curentul rezidual Ir şi prin tensiunea de
difuziune termică VT.
Regimul termic este defavorabil funcţionării diodei semiconductoare şi este
evidenţiat prin două efecte:
─ efectul temperaturilor înalte caracterizat prin dublarea curentului rezidual
la fiecare creştere a temperaturii joncţiunii cu 10 0C, relaţia (2-5)
T Tr
I rT  I r 2 10 (2-5)

unde Ir este curentul rezidual la temperatura Tr = temperatura de referinţă;

 ─efectul temperaturilor joase este caracterizat prin translatarea caracteristicii
volt-amperice directe cu -21mV la germaniu şi -18mV la siliciu la fiecare creştere a
temperaturii joncţiunii cu 10 0C ( fig.2.2 curbele cu linie întreruptă).
Efectul temperaturilor înalte conduce la micşorarea tensiunii inverse de
străpungere (la o putere disipată pe diodă dată), iar efectul temperaturilor joase
conduce la creşterea substanţială a curentului direct la menţinerea constantă a tensi-
-unii directe VAC. Acest ultim efect este cel mai periculos, deoarece, prin creşterea
curentului direct creşte puterea disipată pe diodă şi încălzirea acesteia se accentuează.
Pentru montajul din fig.2.3.a comportarea diodei este descrisă de
caracteristica statică din fig.2.3.b

R IAP IA
Caracteristica VA
P2(E/R,0)
A
+ ∆VACP
- E PSF DSS
C IAP
P1(0,E)

VACP
(a) (b)

Fig.2.3 Dreapta de sarcinăstatică şi punctul static de funcţionare:

a) circuitul de alimentare al diodei;
b) caracteristica staticăşi punctul static de funcţionare.

Circuitul de alimentare impune relaţia (1-6) între IA şi VAC

E = IAR + VAC (2-6)
relaţie ce reprezintă ce reprezintă ecuaţia dreptei de sarcină statică (DSS). Ea poate fi
trasată prin tăieturi calculând punctele limită ale DSS. Astfel:
pentru IA = 0  VAC = E punctul P1(E, 0) şi
pentru VAC = 0  IA = E/R punctul P2(E/R, 0)
Punctele P1, P2 şi P sunt colineare şi unindu-le se obţine dreapta de sarcină
statică.

1.3. DIODA SEMICONDUCTOARE ÎN REGIM DINAMIC

Dacă peste polarizarea directă a unei diode, caracterizată prin P(VACP, IAP), se
suprapune o tensiune variabilă în timp şi de amplitudine mică se realizează regimul
dinamic al diodei semiconductoare, fig.1.4.. Tensiunea variabilă poate fi considerată
de forma generală sinusoidală, relaţia (2-7); dacă circuitul de alimentare este rezistiv,
 v 2V sin  t   0  (2-7)
Tensiunea vac şi curentul ia vor avea aceeaşi formă de variaţie în timp, relaţia
(2-8) şi fig. 2.4.c.
v ac  2Vac sin  t   0  ia  2 I a sin  t   0  (2-8)
cu V, Vac , Ia – valorile efective ale tensiunii variabile de alimentare, respectiv,
tensiunii variabile la bornele diodei şi curentului prin diodă.
V
IA ia T
~
A
+ E ∆IAP
- IAP P
R C
∆VACP
t
(a)
VACP (c)
R vac Notatie:
T ia –marime
~ V Cj rd variabila
iA=IA+ ia- suma
regim
t
(b) static+dinamic
Fig.2.4 Dioda semiconductoare în regim dinamic de joasă frecvenţă:
a) circuitul de alimentare; b) schema echivalentă dinamică la joasă frecvenţă; c)
referitor la regimul dinamic în planul diagramei iA=f(vAC).

În schema echivalentă la joasă frecvenţă, fig.2.4.b, dioda semiconductoare

este echivalată cu circuitul paralel dintre condensatorul Cj = capacitatea joncţiunii şi
rezistenţa rd = rezistenţa dinamică la semnal mic a joncţiunii pn.
Cj = Cb + Cd (2-9)
 V AC 
C b  C b 0   = capacitatea barierei (2-10)
 V B  V AC 
V 
C d  C d 0 exp AC  = capacitatea de difuziune (2-11)
 VT 
Cb0 şi Cd0 reprezintă valorile capacităţii barierei şi respectiv, de difuziune la
VAC=0; VB este tensiunea de barieră.
Rezistenţa dinamică la semnal mic se determină cu relaţia:
 V AC 1 VT
rd    (2-12)
I A I A / V Ac I r expV AC / VT 

Schema echivalentă dinamică la înaltă frecvenţă ţine cont şi de capacitatea

capsulei Cc , inductanţa terminalelor Lt , şi de rezistenţa serie a celor două regiuni
neutre p şi n .Schema dinamică echivalentă la înaltă frecvenţă este indicată în fig.2.5.

ωLt
A

Cj rd
Cc Fig.2.5 Schema dinamică echivalentă
la înaltă frecvenţă.
Rs
C

2.4 TIPURI DE DIODE SEMICONDUCTOARE

Diodele semiconductoare pot fi grupate în două mari grupe: diode

semiconductoare de curenţi slabi şi diode semiconductoare de curenţi tari. Grupa
diodelor de curenţi slabi cuprinde o mare varietate de tipuri din care se indică diodele
punctiforme, diodele varicap şi diodele stabilizatoare. Din grupa diodelor de curenţi
tari tratează diodele redresoare.

Diodele punctiforme sunt diode semiconductoare cu capacitatea joncţiunii

foarte mică bazate pe secţiuni reduse ale joncţiunii – practic punctiforme.
Concomitent, inductivitatea terminalelor este foarte mică, de unde şi forma
constructivă cu terminale axiale.
Diodele punctiforme sunt utilizate în circuitele de înaltă frecvenţă şi în
circuitele de comutaţie; frecvenţa lor de lucru poate atinge frecvenţe de ordinul a
câteva sute de MHz. Ele se folosesc pe scară largă în circuitele de decizie logică
discrete, în circuitele de detecţie, în circuitele de multiplicare a frecvenţei şi de
schimbare a frecvenţei.
Diodele punctiforme sunt fabricate şi în România într-o gamă largă, din care
amintim: a) din siliciu 1N4148 ÷ 1N4151 , 1N4446 ÷ 1N4449, BA243, Ba244; b) din
germaniu EFD103 ÷ EFD115, 1N541, AA114, etc.
 Diodele varicap sunt diode speciale ce lucrează în regim de polarizare
inversă; în aceste condiţii, capacitatea joncţiunii este dată, practic, numai de
capacitatea barierei.

Cb
C1 >> CV
-E CV = Cb
CV L

Vi
C1
-20 V
Cbmax =n
(a) (b) (c)
Fig. 2.6 Dioda varicap: a) simbolurile de reprezentare grafică,
b) dependenţa capacităţii barierei de tensiunea de polarizare inversă; c) circuit
oscilant LC cu diodă varicap şi frecvenţa fixată prin VAC inversă.

Capacitatea barierei variază cu tensiunea de polarizare inversă VAC după legea


Cb  cu VAC < 0 , (2-13)
n V B  V AC

cu   ct şi n = 2 pentru joncţiunea abruptă sau n=3 pentru joncţiunea gradată.

Dioda varicap este utilizată pe scară largă în realizarea de circuite oscilante la
frecvenţe înalte şi foarte înalte; frecvenţa este variată modificând tensiunea de
negativare a diodei.

Dioda stabilizatoare este o diodă semiconductoare specială care lucrează,

pentru funcţia de stabilizare, în regim de polarizare inversă.
Caracteristica volt-amperică reală diferă de cea prezentată ideal în fig.2.2 în
domeniul tensiunilor inverse mari. Aici, curentul invers creşte brusc cu tensiunea
inversă şi apare aşa numita străpungere inversă reversibilă a joncţiunii pn. Aceasta
înseamnă că, la dispariţia tensiunii inverse mari joncţiunea revine la funcţionarea
ideală şi curentul invers redevine egal cu curentul rezidual.
Creşterea curentului invers la tensiuni inverse mari se produce datorită a două
efecte: efectul Zener şi efectul de multiplicare în avalanşă a purtătorilor minoritari de
sarcină.
Efectul Zener apare la diodele cu dotare puternică a regiunilor
semiconductoare cu purtători majoritari de sarcină. Din această cauză zona de trecere
Zt este foarte îngustă şi la tensiuni inverse mici, de câţiva volt, apar intensităţi de câmp
de ordinul a 108 volt pe metru în această zonă. Datorită câmpului electric foarte
puternic o parte din electronii de valenţă sunt smulşi din legăturile covalente şi iau
naştere perechi de purtători minoritari electron - gol. Efectul Zener este numit şi ”efect
de emisie internă prin câmp” şi este specific diodelor stabilizatoare de până la 6 volt.
Efectul de multiplicare în avalanşă, denumit şi ”efect de ionizare prin şoc”
apare la diode cu o dotare de purtători de sarcină mai slabă. Regiunea de trecere este
mai lată iar intensitatea câmpului electric atinge valori de 10 7 V/m. cu rol de
accelerare a mişcării purtătorilor minoritari din regiunea de trecere. Aceştia câştigă
energie cinetică mare pe care o consumă formând, fiecare, o pereche de purtători de
sarcină minoritari prin ciocnire. Fiecare dintre aceştia este, la rândul lui, accelerat de
câmpul electric şi creează câte o pereche de purtători minoritari. Are loc, deci, o
multiplicare în avalanşă a purtătorilor minoritari ceea ce conduce la o creştere
însemnată a curentului invers prin joncţiune.
Multiplicarea în avalanşă a purtătorilor minoritari este evidenţiată cantitativ
prin ”factorul de multiplicare” M , care, intervine în evaluarea curentului invers prin
relaţia
Ii = M•Ir (2-14)
Efectul de multiplicare în avalanşă este caracteristic diodelor stabilizatoare de
peste 6 V. La diodele stabilizatoare de 6V cele două efecte sunt prezente cu aceeaşi
pondere.
Caracteristica volt-amperică a diodei stabilizatoare şi mărimile de definire
calitativă sunt evidenţiate în fig. 2.7. Se observă clar că, polarizată direct, dioda
stabilizatoare se comportă ca o diodă semiconductoare obişnuită. Polarizată invers , în
limitele de curent IzK – curentul minim pentru care se realizează funcţia de stabilizare,
şi IzM – curentul maxim admis pentru asigurarea funcţiei de stabilizare, tensiunea la
bornele diodei rămâne, practic, constantă la valoarea VzT .
Valorile mărimilor IzK , IzM , IzT , VzT şi Pdmax sunt date de producător în foile de
catalog.
IA

Vi
VZT VA
IZR
IzK
Iz1
P IzT
∆IZ Fig. 2.7 Limitele funcţionale
ale diodei stabilizatoare uzuale
Iz2
∆VZ
IzM
Pd max
Ii
 Dioda stabilizatoare este caracterizată, de asemenea, prin rezistenţa dinamică
rz şi prin coeficientul termic αvz .
V z
rz  (2-15)
I z
Din caracteristica volt-amperică se observă că rz are valori mari pentru Iz
puţin mai mare decât IzK şi valoare mai mică la curenţi în apropiere de IzM .Se lucrează,
de regulă, cu ovaloare medie dată în catalog.
Coeficientul termic αvz se determină cu relaţia
1 V zT
 vz  100 [%/0C]. (2-16)
V zT 
La diodele stabilizatoare cu efect Zener predominant, VzT < 6V, odată cu
creşterea temperaturii apare şi posibilitatea de smulgere mai uşoară a electronului din
legătura covalentă şi străpungerea inversă a joncţiunii se produce la o tensiune mai
mică. Se spune că, diodele de acest tip au coeficient termic negativ (αvz < 0).
Diodele stabilizatoare cu VzT ≈ 6V şi Pd = 400mW, αvz este, practic, nul.
Pentru diodele stabilizatoare cu coeficient termic pozitiv există posibilitatea
de micşorare (compensare) a variaţiei cu temperatura prin înserierea acesteia cu o
diodă semiconductoare polarizată direct sau chiar cu o diodă stabilizatoare polarizată
direct; acestea au o variaţie negativă de tensiune, conform cu efectul temperaturilor
joase.
- Ce
IZ
rz
∆VZ rze
VzTe
αvze Fig. 2.8 Referitor la compensarea termică
rd a diodei stabilizatoare.
∆VAC

+ Ae
 I  Ir 
VzTe = Vz + VAC ; V AC  VT ln z  (2-17)
 Ir 
V ze 1
 vze  100 ; V ze  V z  V AC ; (2-18)
V zTe 
 1
V z   vzV z  ; (2-19)
100
V AC  - 1,8mV/0C

VT
rd 
rze  rz  rd ; V  (2-20)
I r exp AC 
 VT 
Datorită faptului că V z > 0 şi V AC < 0 rezultă un V ze < V z şi deci
o micşorare a factorului termic αvze; în anumite combinaţii factorul termic poate tinde
către zero. ”Preţul ” plătit pentru această compensare termică este creşterea rezistenţei
dinamice a diodei stabilizatoare echivalente.
Dioda stabilizatoare simplă sau compensată termic este utilizată pentru
decalări de nivele de tensiune continuă, pentru blocurile de tensiune de referinţă, în
stabilizatoare electronice de tensiune şi curent continue,şi în alte aplicaţii speciale. Un
exemplu de utilizare este stabilizatorul parametric simplu din fig.2.9.
R I
IL
IZ

VL RL Fig.2.9 Stabilizatorul
Vi VzT Dz parametric de tensiune continuă
DZ – dioda stabilizatoare (Zener)

Se stabileşte menţinerea funcţiei de stabilizare VL = Vz la variaţia tensiunii de

intrare Vi şi a curentului de sarcină IL . Se notează cu Izi curentul iniţial prin DZ la
valorile nominale Vin şi ILn .
VL = Vz ; Vin = (Izi + ILn)R +Vz cu ILn = Vz / r (2-21)
a) Tensiunea de intrare variază Vi  Vin  Vi ; la RL = ct. şi menţinerea
funcţiei de stabilizare, VL = Vz= ct., curentul I = Iz+ ILn creşte. Înseamnă că are loc o
variaţie a curentului prin dioda stabilizatoare faţă de valoarea iniţială din regimul
nominal.
Vi  Vin  Vi =  I zi  I z  I Ln  R + Vz

Ţinând cont de relaţia (1-20), se deduce:

 Vi   i z R , + Vi  + I z R   I zM  I zi  R (2-22)
 I z R   I zK  I zi  - Vi  -R (2-23)

b) Tensiunea de intrare rămâne constantă Vi = Vin ; la variaţia curentului de

sarcină şi menţinerea funcţiei de stabilizare, curentul prin rezistorul rămâne constant.
Aceasta înseamnă că, în relaţia (2-24),
Vin   I zi  I Ln  I L  R  V z (2-24)

trebuie să aibă loc o variaţie a curentului prin dioda stabilizatoare astfel încât curentul
I prin R să rămână constant.
Deci, relaţia (2-23) devine
Vin   I zi I z  I Ln  I L  R  V z cu I z  I L (2-25)

de unde  I L   I zK  I zi  şi  I L   I zM  I zi  (2-26)

2.5 DIODE REDRESOARE

Diodele redresoare folosesc proprietatea esenţială a joncţiunii pn de a conduce

un curent electric relativ mare când este polarizată direct şi un curent foarte mic,
practic neglijabil, atunci când este polarizată invers. Proprietatea este denumită
conducţia unidirecţională a joncţiunii pn.
La realizarea diodelor redresoare s-a urmărit obţinerea unor curenţi direcţi şi a
unor tensiuni inverse cât mai mari. Timpul de trecere din starea de conducţie în starea
blocată şi invers este o mărime importantă mai ales atunci când diodele sunt folosite
în aplicaţii de frecvenţe mai mari decât cele industriale, 50 Hz. Din acest punct de
vedere se execută diodele redresoare în două variante: varianta normală şi varianta
rapidă.

2.5.1 Proprietăţile diodei redresoare

Forma constructivă a unei diode redresoare de curenţi IA > 6A este indicată în

figura 2.10.a; pentru curenţi mai mici, nu se mai pune problema delicată a disipării
căldurii dezvoltate în joncţiune şi forma constructivă diferă.
Structura semiconductoare este sudată de baza capsulei pentru a facilita
evacuarea căldurii produse în joncţiune. Din acelaşi motiv , capsula este umplută cu
vaselină siliconică ( material vâscos, izolant electric dar foarte bun transmiţător de
căldură), iar terminalul catod ( uneori, anod) este prevăzut cu şurub cu ajutorul căruia
se poate strânge o suprafaţă suplimentară ( radiator) pentru mărirea suprafeţei de
radiere a căldurii în mediul înconjurător.
Structura semiconductoare este sudată de baza capsulei pentru a facilita
evacuarea căldurii produse în joncţiune. Din acelaşi motiv , capsula este umplută cu
 vaselină siliconică ( material vâscos, izolant electric dar foarte bun transmiţător de
căldură), iar terminalul catod ( uneori, anod) este prevăzut cu şurub cu ajutorul căruia
se poate strânge o suprafaţă suplimentară ( radiator) pentru mărirea suprafeţei de

IA[A]
0,7A
(a) (b)
IAP P’ P(IAP,VAP)
∆IA

∆VDG ∆VDS
700V 100V VD[V]
0,3 0,6
IrSi VDGe VDSi
IrGe
strapungere

Ii
Fig. 2.10 Dioda redresoare: a) forma constructivă a diodei redresoare
de curenţi IA > 6A; b) caracteristicile volt-amperice la dioda redresoare din germaniu – linia continuă, şi din siliciu- linia întreruptă.

radiere a căldurii în mediul înconjurător.

Din studiul comparativ al caracteristicilor din fig. 2.10.b rezultă următoarele.

1) Tensiunea de deschidere VD la dioda din germaniu este mai mică decât cea
la dioda din siliciu – VDge = 0.14 ÷ 0.18 V, VDSi = 0.4 ÷ 0.6 V.
2) La acelaşi curent continuu prin diode, căderea de tensiune pe dioda din ger-
-maniu este mai mică decât cea pe dioda din siliciu, VACGe < VACSi şi deci, PdGe < PdSi .
3) Curentul invers la dioda din germaniu este mult mai mare decât la dioda
din siliciu, IrGe ≈ 10-6A << IrSi ≈ 10-9A.
4) Rezistenţa dinamică la semnal mic la dioda din germaniu are o valoare
finită pe când cea de la dioda din siliciu este, practic, nulă, rdSi ≈ 0.
5) Tensiunea inversă de străpungere la dioda din germaniu este mult mai mică
decât cea la dioda din siliciu, VistrGe ≈ 400V << VistrSi ≈ 2500V.
6) Temperatura maximă de lucru a diodei din germaniu este mult mai mică
decât cea diodei din siliciu, θjmaxGe ≈ 800C << θjmaxSi ≈ 2500C.
În funcţie de cerinţele sarcinii se alege, pe baza celor de mai sus, dioda care
corespunde cel mai bine aplicaţiei.

2.5.2 Regimul termic al diodei redresoare

În regimul de conducţie directă al diodei redresoare apare un consum de

putere în joncţiune ce determină o încălzire a acesteia. Pentru exploatarea diodei la
parametrii maximi este necesar ca această căldură trebuie evacuată în mediul
înconjurător astfel ca, temperatura joncţiunii să nu atingă limita de funcţionare
normală sigură a diodei redresoare.
Regimul termic al diodei redresoare este caracterizat şi el prin cele două
efecte termice deja tratate (subcapitolul 2.2) – fectul temperaturilor joase şi efectul
temperaturilor înalte.
Puterea consumată pe dioda redresoare la tensiunea de polarizare directă VAC
de4pinde de curentul de conducţie IA , Pd = IAVAC. Ţinând cont de efectul termic al
temperaturilor joase, dacă căldura dezvoltată în joncţiune nu este bine evacuată în
mediul înconjurător, temperatura joncţiunii creşte, dioda intră în ambalare termică şi
se poate distruge termic.
Uşurinţa disipării căldurii din joncţiune în mediul ambiant este denumită
”rezistenţă termică”, este notată cu RT şi este definită prin relaţia (2-27).
T j  Ta
RT  [0C/W] (2-27)
Pd
Tj = temperatura joncţiunii; Ta = temperatura mediului ambiant.
Din fig.2.10.a se observă ca are loc o disipare a căldurii joncţiunii de la
structura joncţiunii la capsulă, RTjc , şi apoi de la capsulă în mediul ambiant – RTca cu
RTca >> RTjc . Rezultă
RT  RTjc  RTca (2-28)
Realizând un contact termic bun între capsulă diodei redresoare şi un corp
metalic bun radiator de căldură – radiator, se măreşte suprafaţa de cedare a căldurii
capsulei către mediul ambiant, micşorând RTcae definită prin relaţiile:
RTcae  RTcae RTr' ; RTr'  RTcr  RTra (2-29)
RTcr = rezistenţa termică capsulă → radiator = uşurinţa de a transmite căldura de la
capsulă la radiator; RTra = rezistenţa termică radiator → mediul ambiant = uşurinţa de
transmitere a căldurii de la radiator la mediul ambiant.
Cu definirile de mai sus se poate trasa schema termică echivalentă a diodei
redresoare, fig. 2.11.
θj θc

RTjc
RTCr
Fig. 2.11 Schema termică
Pd echivalentă a diodei redresoare: θj,
RTCa θc, θa sunt temperaturile joncţiunii,
RTra respectiv, capsulei şi mediului
ambiant.

θa θa
 Pentru micşorarea valorii mărimii RTcr se iau măsuri de prelucrare fină a
suprafeţei de contact a radiatorului cu capsula diodei şi chiar ungerea acesteia cu
vaselină siliconică; în aceste condiţii se obţine RTcr = (0,3 – 0,5) 0C/W.
Rezistenţa termică radiator → mediul ambiant depinde de calitatea suprafeţei
radiatorului, de culoarea suprafeţei , de mărimea suprafeţei şi de conductibilitatea
termică metalului din care este confecţionat radiatorul. La un caz concret se cunoaşte
Pdmax ,Tj, Ta , RTjc şi RTca; se determină cu relaţiile (2-27), (2-28) şi (2-29) valoarea RTra.
Se poate determina suprafaţa radiatorului cu formula empirică (2-30).
650 Re
S
4 Re [cm2] (2-30)
RTra  33

Re = rezistenţa termică echivalentă a radiatorului; ea ţine cont de calitatea
suprafeţei, de poziţia radiatorului şi de culoarea suprafeţei. Astfel, pentru poziţia
verticală a striaţiilor radiatorului la o suprafaţă metalică lustruită, Re = 0,85 iar lao
suprafaţă eloxată în negru – Re =0,45.
 = conductibilitatea termică a metalului din care este confecţionat
radiatorul; astfel, la un radiator din aluminiu λAl = 210 şi la un radiator din cupru λCu =
280.
 = grosimea plăcii radiatorului în [mm].
Dacă suprafaţa radiatorului, calculată cu formula empirică (2-30) rezultă prea
mare, atunci răcirea se face forţat, prin ventilaţia radiatorului şi suprafaţa acestuia se
calculează după alte considerente.

2.5.3 Parametrii de catalog ai diodei redresoare

Pentru diodele redresoare de diferite tipuri, fabricantul dă parametrii

caracteristici:
● I0 = curentul mediu redresat pentru diverse procedee de răcire;
● IF = curentul de conducţie directă de utilizare curentă;
● IFM = curentul de conducţie maxim;
● IFRM = curentul direct de şoc repetitiv;
● IFSM = curentul direct de vârf de suprasarcină accidentală cu durata de 10
milisecunde;
● IR = curentul invers (curentul rezidual) pentru tensiune VR<VRM;
● VF = căderea de tensiune directă la un anumit curent direct IF;
● VR = tensiunea inversă de lucru;
● VRWM = tensiunea inversă maxime de lucru în siguranţă;
● VRSM = tensiunea inversă de vârf accidentală cu durata de 10 milisecunde;
● VRR = tensiunea de străpungere ( BreakDown).
 Valorile parametrilor indicaţi mai sus pot fi valori limită ce nu trebuie
depăşite, valori recomandate de producător pentru lucru de lungă durată şi valori
minime şi maxime pentru anumite condiţii .

2.5.4 Alegerea diodelor redresoare

Alegerea diodelor redresoare se face prin raportarea corectă între mărimile

limită ale diodei redresoare şi mărimile de lucru nominale şi maximale impuse de
aplicaţia concretă. Fie ILn şi ILmax curenţii nominal şi maxim de sarcină, Vin şi Vimax
tensiunile inversă nominală şi inversă maximă care pot apare la bornele diodei.
Condiţiile de alegere a diodelor redresoare vor fi:
─ ILn ≤ I0;
─ ILn ≤ IFRM ;
─ Vimax ≤ VRWM .
Dacă nu sunt satisfăcute condiţiile de mai sus pot fi folosite conexiuni serie de
diode (dacă nu este îndeplinită condiţia de tensiune) sau paralel ( dacă nu sunt
îndeplinite condiţiile de curent), luând măsurile cuvenite pentru egalizarea diodelor.
2.6 EXPERIMENTE

2.6.1 Măsurarea diodelor

Scopul experimentului: ridicarea experimentală a caracteristicii diodelor

redresoare. Pentru măsurarea diodelor redresoare obişnuite vom folosi următorul
circuit de test: circuit de test:

A
Sursă de + IA
alimentare -
D V V
AC

Fig. 2.12 Schema circuitului de test

pentru dioda redresoare

Se creşte tensiunea de la sursa de alimentare progresiv, astfel ca multimetrul

digital pus pe domeniul curent continuu corespunzător şi înseriat cu dioda D, să
indice pe rând valorile IA din Tabelul 1.
 Se va completa tabelul de mai jos cu tensiunea V AC care se citeşte cu un alt
multimetru digital pus în paralel cu dioda, setat pe domeniul tensiune continuă
corespunzător.
Tabelul 1

Se va trasa pe hârtie milimetrică caracteristica volt-amperică a diodei

redresoare utilizate.

2.6.2 Măsurarea şi utilizarea diodelor stabilizatoare.

Scopul experimentului: ridicarea caracteristicii diodelor stabilizatoare.

Pentru măsurarea caracteristicii volt-amperice a diodelor stabilizatoare
(Zenner) se va folosi schema unui stabilizator parametric simplu:
R

Sursă de + V Vi Dz V VZ
alimentare -

Fig. 2.13 Schema stabilizatorului parametric simplu

Înainte de a conecta sursa de alimentare, se măsoară cu ohmmetrul valoarea

rezistenţei R şi se trece în tabelul 2.
Se reglează tensiunea de intrare Vi de la sursa de alimentare cu ajutorul
voltmetrului (se poate folosi un multimetrul digital setat pe un domeniu de tensiune
continuă), pe rând la valorile indicate în tabel. Tensiunea de pe dioda Zenner se
măsoară, în fiecare caz, cu cel de-al doilea voltmetru şi se înscrie în tabel. Curentul
prin diodă se calculează cu relaţia:
Iz = (Vi – Vz)/R
Tabelul 2
Vi [V] 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
Vz [V]
R [Ώ]
Iz [mA]
 După completarea tabelului se va întocmi un singur grafic pe care se va
prezenta dependenţa VZ = f (IZ) la o scară convenabilă.
Observaţie: Pentru acest caz se reprezintă doar porţiunea de polarizare
inversă a diodei.
Pentru stabilizatorul cu dioda Zenner se va calcula factorul de stabilizare cu
variaţia tensiunii de intrare folosind relaţia:
S0 = ΔVi / ΔVz

2.7 PROBLEME

PD-1 Se dă o joncţiune pn din germaniu cu curentul rezidual Ir = 10•10-6A

şi tensiune de difuziune termică VT = 0,026 V. Să se determine :
a) tensiunea inversă VAci aplicată joncţiunii pn pentru care curentul invers
prin diodă IAi ajunge la 80% din valoarea curentului rezidual;
b) raportul dintre curentul direct IAd la polarizarea directă cu Vacd = +0,1 V şi
curentul invers IAi la polarizarea inversă cu VAci = -0,1 V;
c) valoarea rezistenţei dinamice a joncţiunii pentru VACd= +0,2 V.

REZOLVARE
a) Se foloseşte legea joncţiunii pn ideale, relaţia (2-1), pentru IAi = -0,8Ir
Se deduce
 I  0,8 I r 
VACi  VT ln  r   0,026 ln  0,2  = -0,042 V
 Ir 
b) Folosind, de asemenea, relaţia (2-1) rezultă:
I Ad expVACd / VT   1 exp  0,1 / 0,026  1
  
I Ai expVACi / VT   1 exp  0,1 / 0,026  1
exp  0,1 / 0,026  1
 exp  0,1 / 0,026  46,8
1  exp  0,1 / 0,026

c) Pentru determinarea rezistenţei dinamice la semnal mic se foloseşte relaţia

(2-12)
0,026
rd   1,181
10  10 6
exp 0,2 / 0,026 

PD-2 O diodă din germaniu cu curentul rezidual Ir = 10•10-6A la temperatura

mediului ambiant de θa = 20 0C este astfel montat încât, pentru fiecare grad centesimal
al diodei peste temperatura mediului ambiant se transferă mediului 0,1mW. Dacă
temperatura diodei nu poate cu mai mult de 10 0C temperatura mediului ambiant să se
determine care este tensiunea inversă maximă admisă pe diodă.

REZOLVARE
La temperatura mediului ambiant θj = θa =20 0C puterea disipată pe diodă se
exprimă prin produsul dintre tensiunea VAci de polarizare inversă şi curentul invers I Ai
prin diodă
Pd = VACi•IAi

La temperatura maximă a joncţiunii θjmax=θa+100C puterea disipată este maximă

Pdmax = VACimax•IAimax

Folosind relaţia (1-27) se defineşte rezistenţa termică a diodei

 j a 10 C
RT   3
 10 4 0C/W
Pd 0,1  10
Revenind la relaţia (1-27) se obţine
 a  10   a
Pd max 4
 10 3 W
10
La polarizare inversă, cu VACimax < 0, V ACi max << VT şi V ACi max < VRR din
legea joncţiunii pn ideale rezultă că IAimax = Ir . Conform efectului temperaturilor înalte
se aplică relaţia (2-5).
  0
I r  I r 0  2 10
 20  10 6 A IAimax
Pd max 1  10 3
V ACi max    50 V
I Ai max  20  10 6

PD-3 Două diode din germaniu, cu curent rezidual I r  10  10 6 A la 200C şi

tensiune difuziune termică de VT = 0,026V se conectează în serie şi în opoziţie la o
sursă de tensiune E = 7V cu rezistenţa internă neglijabilă, fig. 2.12. Se cere: a) să se
determine tensiunea pe fiecare diodă la temperatura de 20 0C ştiind că tensiunea de
străpungere inversă este mai mare de 7V; b) dacă tensiunea de străpungere inversă
este 6,8V, care va fi tensiunea pe fiecare diodă şi curentul prin ele.
 D1 D2

VAC1 VAC2 Fig.2.14 Alimentarea a două

diode înseriate în opoziţie
E
+ -

REZOLVARE
a) Prin conectarea în serie şi în opoziţie a celor două diode semiconductoare
identice, D1 şi D2 , tensiunea de alimentare, cu polaritatea din figură, se distribuie pe
cele două diode
E  V AC1  V AC 2
unde VAC1 este tensiune de polarizare directă iar VAC2 este tensiune de polarizare
inversă. De oarece V RR > VT rezultă că prin dioda D 2 circulă numai curentul
rezidual. Deci, prin cele două diode circulă curentul rezidual Ir.
Aplicând legea joncţiunii pn ideale

 V  
I A1  I r  I r exp AC1   1
  VT  
 I  Ir 
V AC1  VT ln r   0,026  ln 2 =0,018V; VAC2 = 6,92V
 Ir 
b) Dacă tensiunea de străpungere inversă VRR = 6,8V, înseamnă că VAC2 =
=6,8V ( vezi caracteristica staţionară a diodei semiconductoare din fig.2.2). Rezultă
VAC1 = E – VAC2 = 7 – 6,8 = 0,2V

În acest caz, curentul prin cele două diode este impus de dioda polarizată
direct

 V     o, 2  
I A  I A1  I r exp AC1   1  10  10 6 exp   1
  VT     0,026  
IA = 0,022A
 PD-4 Se dau două diode stabilizatoare PL6V2 cu următoarele caracteristici:
VzT = 6,2V, IzT = 30mA, IzK =2,2mA, IzM = 60mA, rz = 2Ω, αvz = +3,2∙10-4/0C pentru
polarizarea inversă iar pentru polarizarea directă Ir = 26∙10-9A la 200C, VT = 0,026V şi
∆VAC = -1,8∙10-3V/0C. Se cere:
a) montarea celor două diode stabilizatoare astfel ca dioda stabilizatoare
echivalentă rezultată să posede variaţie termică micşorată;
b) tensiunea VzTe a diodei stabilizatoare echivalentă;
c) coeficientul termic αvze al diodei stabilizatoare echivalente;
d) valoare rze a diodei stabilizatoare echivalente.

REZOLVARE
a) Pentru a compensa o parte a variaţiei ∆VyT>0 dioda stabilizatoare se
înseriază cu o diodă stabilizatoare polarizată direct care are o variaţie cu temperatura
negativă, -1,8mV/0C. Montajul arată astfel:
rz rd
VzT ∆VzT VAC ∆VAC
Fig.2.15 Referitor la compensarea
termică a diodei stabilizatoare
Ac DZ1 DZ2 Ce
V zTe  V zT  V AC , V zTe  V zT  V AC , rze  rz  rd
pentru I A  I zT . Aplicând
VzTe legea joncţiunii pn ideale pentru dioda stabilizatoare pola-
rizată direct pentru determinarea VAC la curentul IA = IzT = 30∙10-3A.
 I  Ir 
V AC  VT ln zT  = 0,36V
 Ir 
V zTe  6,2  0,36  6,56 V

V zTe 1
b)  vze  
V zTe 
V zT   vz  V zT = 3,2∙10-4∙6,2 =1,984∙10-3V/0C
V zTe = (1,984 – 1,8)∙10-3 = o,184∙10-3V
o,184  10 3 1
 vze   = 2,8∙10-5 /0C
6,56 1

c) Se calculează rd pentru dioda stabilizatoare polarizată direct şi la

VAC = 0,36V
 VT 0,026
rd  
V   0,36 
I r exp AC  26  10 9 exp 
 VT   0,026 

rd = 0,97Ω
rze = 2 + 0,97 = 2,97Ω

PD-5 Cu dioda stabilizatoare PL7V5, având parametrii VzT =7,5V, rz = 2Ω,

IzK = 2,2mA, IzM = 130mA, IzT = 50mA şi αvz = 4,5∙10-4 /0C este utilizată în montajul de
stabilizator parametric din fig.1.14. În condiţiile menţinerii funcţiei de stabilizare să se
determine:
a) valoarea rezistorului R şi puterea sa dacă se alege I zi = IzT , Vin = 15V şi
rezistenţa de sarcină RL = 150Ω;
b) care sunt limitele de variaţie ale tensiunii V in admise pentru menţinerea
funcţiei de stabilizare şi menţinerea constantă a rezistenţei de sarcină;
c) la menţinerea Vi = Vin = 15V, care sunt limitele de variaţie ale curentului de
sarcină admise pentru menţinerea funcţiei de stabilizare.

REZOLVARE
R IL
I Izi

Vi VzT V0 RL Fig.2.16 Stabilizatorul parametric simplu

VzT

a) Se foloseşte relaţia (2-21).

 
  V
Vin  RI n  V zT  R I zi  I Ln  V zT  R I zT  zT
RL
  V zT
 
Vin  V zT
R 15  7,5
V zT =  75 Ω
I zT  o, o5  7,5 / 150
RL
 PdR  R I zT  I Ln   75 0,05  0,05  0,75 W
2 2

Se alege R = 75Ω/1W

b) Pentru determinarea variaţiilor admise pentru tensiunea de intrare se

folosesc relaţiile (2-22) şi respectiv (2-23).
 Vi   I zM  I zi  R   I zM  I zT  R  130  50  10 3  75
 Vi  6 V

 Vi   I zK  I zi  R   0,0022  0,05 75

 Vi  3,6 V

c) Pentru determinarea variaţiilor admise ale curentului de sarcină la

tensiune de intrare constantă se folosesc relaţiile (2-26).
 I L   I zK  I zi    I zK  I zT    0,0022  0,05
 I L  0,0478 A
 I L   I zi  I zM    I zT  I zM    0,05  0,130
 I L  0,08 A