Regimul de comutaie al

elementelor semiconductoare

Dioda
Tranzistorul Bipolar
Tranzistorul MOS Unipolar
 Materiale semiconductoare
Semiconductoare: materiale solide sau lichide cu o conductivitate
electric intermediar ntre materialele conductoare i cele izolatoare
conductoare (metale): rezistivitatea variaz ntre 10-6 si 10-4 ohmcm
rezistivitatea izolatorilor (diamant, cuar) este intre 10 10 si 1020 ohmcm
Materialele semiconductoare (siliciul i germaniul): rezistiviti
intermediare (sute sau mii ohmcm); se gsesc pe coloana a IV-a a tabelei
Mendeleev, avnd patru electroni de valen.
Modificarea comportrii materialelor semiconductoare se face prin
adugare de impuriti, prin procesul de dopare
Tipuri de materialele semiconductoare:
tip n, unde electronii sunt in exces; obinute prin adugarea de impuriti
precum fosforul, arseniul, elemente care se gsesc pe coloana a V-a
tip p, unde purttorii de sarcin n exces sunt cei pozitivi (goluri);
obinute prin adugarea de impuriti precum borul sau aluminiul, aflate
pe coloana a III-a i avnd trei electroni de valen
Dioda semiconductoare n regim de comutaie
Jonciunea pn la echilibru termic

Echilibru termic: nu se va produce nici un curent electric

prin semiconductor
Deplasare ordonata a purttorilor de sarcin: aplicarea
unui cmp electric exterior, neuniformizarea distribuiei
de purttori de sarcin (proces de difuzie)
In regiunea de tip p concentraia de goluri depete
concentraia de electroni, n regiunea de tip n concentraia
de electroni depete concentraia de goluri; n
apropierea planului jonciunii golurile tind s difuzeze
din regiunea de tip p n regiunea de tip n, n timp ce
electronii tind s difuzeze n sens invers; n imediata
vecintate a jonciunii din regiunea de tip p are loc o
ncrcare cu sarcin negativ, iar n imediata vecintate a
jonciunii din regiunea de tip n se acumuleaz sarcin
pozitiv; existena acestor sarcini determin un cmp
electric de difuzie (Ed) asociat unei diferene de potenial,
numit potenial de difuzie sau barier de potenial lng
planul jonciunii care se opune tendinei de difuzie
Difuzia de purttori este un proces cu autolimitare
O tensiune ce mrete nlimea barierei de potenial este numit
tensiune de polaritate invers
O tensiune extern de polaritate opus numete tensiune direct
 Consideram o tensiune U aplicata la
Simbolul diodei
bornele A (anod) i C (catod) ale
diodei semiconductoare:
U = Vp - Vn

Vp > Vn curent electric este mare

i este datorat purttorilor majoritari;
jonciunea este polarizat direct

Vp < Vn curent electric este

neglijabil i este datorat purttorilor
minoritari; jonciunea este polarizat
invers

Caracteristica curent-tensiune
 Parametrii statici de comutare ai diodei semiconductoare
Pentru o jonciune pn ideal, relaia curent-tensiune este:

I = I 0( eU / c rU T - 1)
I0 este curentul de saturaie invers al diodei c dg - p m 0
I 0 = eS
w
unde:
e: sarcina electric a electronilor (e=1,610-19C)
S: seciunea transversal prin jonciune
cdg: coeficientul de difuzie pentru goluri
pm0: concentraia purttorilor minoritari
w: grosimea zonei de recombinri
cr - coeficientul de recombinare a golurilor (are valarea 1 pentru Ge, valoarea 2
pentru Si)
UT este tensiunea termica:
KT T
UT = =
e 11800
Where:
K este constanta lui Boltzmann (K= 1,3810-23J/K)
T este temperatura absoluta
Rezisten n curent continuu a diodei, valoare care depinde de punctul
de funcionare
U
R cc =
I

Rezisten n curent alternativ, numit rezisten dinamic sau diferenial

U
Rd =
I

Capacitatea barierei Cb, depinde n mod neliniar de tensiunea de

polarizare

Capacitatea de difuzie Cd, se datoreaz sarcinilor stocate prin difuzia

purttorilor minoritari. Ea depinde de tensiunea de polarizare direct
doua drepte
i=0, u<UT
i=u/Rd, u>UT

UT tensiunea de prag,
Rd rezistena difereniala,
ID0 curentul rezidual
dau aproximarea liniara a
caracteristicii volt-amper a
diodei

Valori tipice:
I0 = 0,05A
UT = 0,5V
Rd = 15ohm
Parametrii dinamici de comutare ai diodelor semiconductoare

Timpul de comutare direct

Timpul necesar pentru ca dioda sa treac
din starea blocat la starea conductoare
la diodele de comutare acest timp este n
general Mai mic decat timpul de comutare
invers

Doua cazuri:
-impulsul de curent are o amplitudine mare
i frontul anterior scurt; supracresterea
tensiunii diodei (b)

-dac impulsul de curent are o amplitudine

mic i front anterior mai puin abrupt; dioda
poate fi reprezentat sub forma unui circuit
RC trece-jos (d)
Timpul de comutaie invers
Durata de trecere a unei diode din starea
conductoare n starea blocat
Analiza comutarii se face folosind
circuitul de mai jos
Doua componente de timp:
ID
Timp de stocare : t s = ln(1+ )
II

Timp de cdere: tc = 2,3RCb

Cb este capacitatea de barier a diodei
Timpul de comutare invers: tci = tc + ts
Diode cu barier Schottky (diode cu purttori 'fierbini)
Bazate pe un contact metal-semiconductor
Curentul electric se realizeaz prin micarea purttorilor majoritari

Realizate dintr-un material semiconductor (siliciu) de tip

n, n contact cu un metal, aur sau aluminiu

Polarizarea direct (pozitiv) a metalului: ia natere un curent prin jonciune,

deplasarea prin jonciune a electronilor din semiconductor
Curentul este realizat prin deplasarea electronilor, purttori majoritari
Au o energie mai mare dect electronii liberi, numiti 'purttori fierbini'

Polarizarea invers: electronii care au ptruns n metal nu se disting de

electronii liberi ai metalului; nu exista curent rezidual
Timpul de comutaie invers al diodei Schottky este foarte mic ( 10ps )

Diodele Schottky sunt folosite pentru realizarea circuitelor de comutaie de

mare vitez

Cderea de tensiune direct pe o diod Schottky este de 0,4V, spre deosebire

de 0,75V pentru diodele cu siliciu i de 0,3V pentru cele cu germaniu.
Diode Zener
La aplicarea unei polarizri inverse pe o jonciune
pn: dac cmpul electric posed energia
necesar extragerii electronilor de pe orbitele de
rotaie, rezult o cretere brusc a curentului
Perechile electron-gol nou create contribuie la
generarea unui curent important, i se spune c
dioda lucreaz n regiunea Zener
Valoarea tensiunii de prag Zener depinde de
gradul de dopare i poate avea valori de la 2V la
sute de voli
 Diode luminiscente
LED Light Emitting Diode
La polarizarea direct electronii din regiunea n se
recombin cu golurile din regiunea p elibernd energie
sub forma cldurii i a luminii
Prin adugarea de impuriti in procesul de dopare se
poate determina lungimea de und a luminii emise
determinand in acest fel culoarea LED-ului
fosfo-arseniur de galiu (GaAsP) - lumin roie sau galben
fosfur de galiu (GaP) - lumin roie sau verde
Tensiunea directa este mai mare dect cea
corespunztoare diodelor cu siliciu (1,2V - 3,2V)
Curentul direct trebuie s aib o valoare relativ mare
(10mA)
 Display cu LED-uri 7-
segmente: 7 LED-uri
aranjate astfel nct s
poat fi afiate numerele
zecimale
dou tipuri:
catod comun - comanda se
face n anodul LED-urilor
folosindu-se un semnal
activ 1
anod comun - comanda se
face n catodul LED-urilor
folosindu-se un semnal
activ 0
 Probleme
Pentru schemele din figura sa se calculeze
valoarea curentului prin dioda.
 Pentru schema din figura sa se calculeze
valoarea rezistentei astfel incat prin fiecare LED
intensitatea curentului sa fie 10 mA
 Tranzistorul bipolar n regim de comutaie
Regimurile de funcionare ale tranzistorului bipolar

Jonciunea Jonciunea
emitor-baz, emitor-baz,
polarizat polarizat
direct invers
Jonciunea Regiunea de Regiunea
colector-baz, saturaie activ invers
polarizat direct

Jonciunea Regiunea Regiunea de

colector-baz, activ normal blocare
polarizat
invers

Structura unui tranzistor bipolar

Relaiile de calcul cele mai importante pentru regiunea activ normal sunt:

IC = IE.

este ctigul n curent al tranzistorului cu baza comun

Aplicnd un curent IB n baz, va rezulta un curent de colector:

IC = IB (/(1-)) = IB.

este ctigul n curent pentru configuratia cu emitor comun, sau

amplificarea n curent (valori de la 10 la 1000)

Caracteristica de iesire Caracteristica de intrare

invers;
Starea este definita de relatiile:

VBE 0
Regiunea de saturaie implic ca ambele jonciuni s fie direct
polarizate Relaiile pentru regimul de saturaie sunt:
VCE - VBE > 0
VBE > VCE

IC < IB

VCEs 0,2Vactiv invers se echivaleaz cu o funcionare in

Regiunea
regiunea activa normala, n care rolurile emitorului i colectorului
se inverseaz
Utilizare mai rara deoarece amplificarea n curent are valori foarte
mici (i 0,1)
Punctele de funcionare ale
tranzistorului n regim de comutare
Punctul S marcheaz saturarea i
punctul B blocarea

Parametri dinamici ai
comutarii directe si inverse
 Parametri dinamici de comutaie ai tranzistorului bipolar

Timpul de comutare direct

tcd este definit ca timpul necesar comutrii unui tranzistor din starea
blocat n starea de conducie (incluzand starea de saturaie)
Doua componente:
ti, - timpul de ntrziere
Timpul detrntrziere
, - timpul de ridicare
ti este format deci din trei componente:

- timpul necesar pentru ncrcarea capacitii jonciunii baz-emitor de la

valoarea iniial (U2), la valoarea corespunztoare nceperii polarizrii directe

- timpul necesar ca purttorii minoritari s traverseze baza

- timpul necesar ca valoarea curentului de colector s creasc de la I C0 (sau de

la 0), la 0,1ICs

Valorile acestor timpi, componente ale timpului de ntrziere, sunt mici,

neglijabile, important fiind timpul de ridicare
Timpul de ridicare, notat tr se definete prin intervalul de timp pentru care
curentul din colector crete de la valoarea 0,1ICs la valoarea 0,9ICs

Timpului este determinat de valoarea curentului direct prin jonciunea bazei I Bd,
si de obicei acesta este curentul de baza direct pentru atingerea punctului S
(inceputul saturatiei)

I Cs
I Bds =
N0

N0 I Bd
Pentru deblocarea mai rapida: factor de supra-actionare Nd =
I Cs
Timpul de comutare invers
Comutarea tranzistorului din starea de conducie (regiunea activ
normal/saturaie), n starea de blocare
Timp numit tci are dou componente:
timpul de stocare ts
timpul de cdere tc
Timpul de stocare ts are dou componente:
ts1 reprezinta timpul necesar eliminrii excesului de sarcini din baz,
fa de situaia funcionrii tranzistorului n regiunea activ
ts2 reprezinta timpul n care curentul de colector scade de la valoarea
ICs la valoarea 0,9ICs

tc, timpul de cdere (necesar scderii valorii curentului de colector de la

valoarea 0,9ICs la valoarea 0,1ICs)

N0 I Bi
Nb reprezint coeficientul de supra-acionare la blocare Nb =
I C0
IBi estecurentul invers de baz
 Metode de accelerare

Se specific urmtoarele metode

de micorare a timpilor de
comutare pentru un tranzistor:
- supra-acionarea la deblocare,
pentru micorarea timpului de
comutare direct
- supra-acionarea la blocare,
pentru reducerea timpului de
comutare invers
- evitarea intrrii n saturaie
pentru anularea timpului de
stocare
 Condensatoare de accelerare

Aplicarea unui impuls de tensiune la intrarea

circuitului
U1 nivel ridicat, U2 nivel coborat
Pentru o comutare tensiune pozitiva:
Constanta de timp pentru incarcarea condensatorului este:

inc = C (Rg + Rin)

curentul de baz scade exponenial,
cu aceeai constant de timp ctre o valoare constant
care nu permite intrarea n saturaie

IBd=U1/(Rg+RB+Rin)
Pentru o comutare tensiune negativa:
Curentul de baz scade la IBi a carui valoare este determinat de U2 i Rin -
rezistena de intrare mare a tranzistorului blocat. Apoi, odat cu blocarea
tranzistorului i prin descrcarea condensatorului, curentul invers scade
exponenial ctre o valoare constant: IBi = IC0
Constanta de timp de descrcare a condensatorului are acum valoarea: disc
CR
Folosirea reaciei negative neliniare de tensiune pentru evitarea saturaiei

Evitarea saturarii tranzistorului T prin

folosirea diodelor D1 si D2
Diodele au cderi de tensiune diferite
Folosirea unui circuit Darlington
T2 tranzistor de comand i T1 tranzistor
de ieire
T1 nu intr n saturare deoarece potenialul din
colectorul su este ntotdeauna mai mare dect
potenialul din baza sa:

UC1=UCE2+UB1
Deci VC1>VB1, i jonciunea baz-colector
devine polarizat invers
 Tranzistorul cu efect de cmp

Clasificare
-tranzistoare cu poart jonciune
-tranzistoare cu poart izolat
-tranzistoare cu substraturi subiri.
Studiul IGFET (insulated-gate field-effect transistor) (numit si MOSFET (metal-
oxide FET)) sau tranzistor cu poarta izolata
Grupate dup tehnologia de realizare in:
Grouped by the manufacturing technology in:
- tranzistoare MOS cu canal indus (n regim de mbogire )
- tranzistoare MOS cu canal iniial (cu strat srcit)

Este prezentata structura fizica a unui tranzistor MOS

Sectiune transversala a unui tranzistor MOS cu canal
indus n, numit si NMOS

Componente:
-substrat
-sursa
-drena
-grila (poarta)
 Simbolurile tranzistoarelor MOS

NMOS PMOS CMOS

 Funcionarea tranzistorului MOS
ntre surs i dren, prin intermediul substratului de baz,
se pot pune n eviden dou jonciuni pn
Dac ntre dren i surs se aplic o tensiune pozitiv, una
din jonciuni este polarizat invers; nu exista curent ntre
dren i surs; tranzistorul este blocat
Dac la poarta (gril) se aplic un potenial pozitiv fa de
regiunile sursei i drenei, sarcinile electrice de tip p din
substratul de baz vor fi respinse, iar electronii din
regiunile drenei i sursei vor fi atrai ctre suprafaa
substratului de siliciu aflat sub poart
Intre dren i surs se formeaz un canal, a crui
adncime crete odat cu tensiunea aplicat n poart
Pentru o valoare a tensiunii gril-surs, numit tensiune
de prag i notat VT, concentraia de electroni din zona
canalului va depi concentraia de goluri i atunci aceast
regiune i va inversa tipul, devenind regiune de tip n
Astfel s-a format un canal de tip n care unete regiunile de
tip n ale drenei i sursei
Conductibilitatea ntre dren i surs crete, crescnd
curentul de dren IDS
fabricate mai usor decat tranzistoarele bipolare

densitate de intagrare mai mare

impedanta de intrare mare (1014-1016), curent de comanda mic

folosirea in structura MOS a unei rezistente active

Prezinta unele dezavantaje datorita precautiilor la depozitare si transport

Metode de implementare a rezistentei active

 Caracteristica de intrare Caracteristica de iesire
Din caracteristica de iesire, pot fi deduse si analizate trei regiuni:
Regiunea de blocare: curentul de iesire, curentul drena-sursa IDS este
aproximativ nul si tensiunea de intrare, VGS, este mai mica decat tensiunea de
prag: VGS < VT
Regiunea liniara (de trioda): regiunea situata la stanga caracteristicii de
curent, cand VDS = VGS - VT; curentul de drena IDS creste 2
V DS
rapid ca o functie de potential drena-sursa VDS I DS = K (( V GS - | V T |)V DS - )
2
Deasemenea: 0 <= V <= V - V
Regiunea de saturare: regiunea situata la dreapta caracteristicii de curent,
cand VGS-VT=VDS
Urmatoarele relatii definesc aceasta stare:

0 <= VGS - VT <= VDS

K
I DS = ( V GS - V T )2
2
K, factorul de conducie (W/L), unde:
- este factorul de conducie intrinsec; are valoarea aproximativ de 10A/V2
- W este limea canalului; poate fi n gama 10-200m
- L este lungimea canalului, are valori n gama 1-10m
Parametrii dinamici pentru tranzistorul MOS

Schema unui inversor MOS Timpii de comutare

Se presupune c un tranzistor MOS trebuie s comande n gril unul sau mai
multe tranzistoare MOS. El trebuie s asigure ncrcarea, respectiv
descrcarea capacitilor de intrare ale tranzistoarelor comandate. Se noteaza
cu Cp suma capacitilor de intrare ale tranzistoarelor comandate. Se pot
asocia timpii de comutare ai tranzistorului MOS timpilor de
ncrcare/descrcare ale capacitii Cp. Relaiile pentru constantele de timp ale
circuitelor
inc = RsCpRC sunt:

desc = RTCp
unde, RT este rezistena de trecere a tranzistorului conductor, iar R s rezistena
de sarcin.
Se alege, pentru ca tensiunea de ieire pentru nivelul cobort s fie ct mai
aproape de potenialul de mas, Rs >> RT.
n aceste condiii timpii de ridicare i coborre ai tranzistorului MOS se dau
dup formula:

tr = 2,2RsCp

tc = 2,2RTCp
 Probleme
1. Sa se proiecteze un circuit inversor realizat cu
tranzistor bipolar i componente pasive
Etape:
proiectarea n regim static, studiind realizarea funciilor
propuse
proiectarea n regim static, cu analiza cazului cel mai
defavorabil de funcionare
analiza funcionrii circuitului n regim dinamic, cu estimarea
parametrilor dinamici
 Proiectarea n regim static
Dac Ui=0V=0, la ieire
trebuie s se obin UeEC=1,
sau tranzistorul T s fie blocat
Dac UiEC=1, la ieire
trebuie s se obin
Ue0V=0, fapt care impune
ca tranzistorul T s fie saturat
Starea de blocare:
UBEb0V i IB=IC0
IR+IC0=IRB

U BEb U +
- + I C 0 = BEb E B
R RB
EB
deoarece UBEb0V RB
I C0
 Starea de blocare:
IR-IRB=IB
IBIBs=IC/N0
E C - U BEs
R
E C +U BEs + E B
N0 RC RB
Relaiile obinute pentru R i
RB trebuiesc ndeplinite i
pentru IC0=IC0max i N0=N0min
Rezistena RC se calculeaza
cu formula:

E C - U CEs
RC =
I Cso
ICso - curentul de colector de
saturaie 'optim', pentru care
are valoarea maxim
 Studierea cazului cel mai defavorabil
Se impune datorit multiplelor posibiliti de modificare a
valorilor ce caracterizeaz elementele unui circuit
Elementele circuitului nu au valorile calculate, ideale, iar o
nsumare nefericit a anumitor abateri poate duce la
schimbarea regimului de funcionare a circuitului
Obiective:
analiza influenei pe care o are modificarea valorilor elementelor din
schem asupra condiiilor de funcionare
determinarea combinaiei cele mai defavorabile pentru un anumit caz
Pentru RB, n cazul blocrii tranzistorului:
tranzistorul funcioneaz la temperatura maxim admis, ceea ce face ca
valoarea ICB la blocare s fie maxim, ICBmax
EB este la valoarea minim (90% din normal)
tolerana RB este la limita superioar din cmpul de tolerane
 Pentru R in cazul saturarii tranzistorului:
IC are valoare maxim, dat de o valoare
maxim admis pentru EC i o valoare minim
pentru RC (n cmpul de tolerane admis)
factorii iau valori extreme N0min
alimentarea bazei se face de la EBmin
Studiul influenei sarcinii asupra
comportrii circuitului
Portile comandate de catre inversor
sunt echivalate prin Rs conectat la Es
Cnd T este blocat, UCEb depinde de Rs
UCEb intervine n calculul rezistenei R
Influena sarcinii trebuie s fie
estompat
Conectarea unei diode D, avnd catodul
conectat la o tensiune de limitare E L
VCb EL+VD
 Comportarea n regim dinamic
Trebuiesc avui n vedere parametri
dinamici de funcionare ai
tranzistorului, respectiv timpii de
comutare reprezentai funcie de
curenii de baz:
pentru deblocare tr=f(IBd)
pentru blocare: tc=f(IBi) i ts=f(IBi)

EB = EB
RB
I C0 I Bi

E C - U BEs
R EC
E C +U BEs + E B I Bd + I Bi
RC RB
 Tensiunea la intrarea inversorului variaz de la 0V la E C
Deblocarea tranzistorului se face n t egal cu tr
Blocarea tranzistorului se face n t egal cu tc+ts
Cazul deblocarii:
du c E C

dt t
du c EC
I c = C1 = C 1
dt t db
I C
I Bd 0 I Bd
IBd0 curentul de baz direct de supra-acionare la deblocare
N d I Cs
I Bd0 =
N0
Nd factorul de supra-acionare la deblocare
IBd curentul de baz direct la frontiera dintre regimul activ normal i
cel de saturaie
( I Bd0 - I Bd ) t r
C1 =
EC
 Cazul blocarii:

( I Bi0 - I Bi )(t f t s )
C2 =
EC
C max(C1 , C2 )
2. Pentru schema din figura sa se determine IC si VCE, stiind ca
=200, V1=+12V si V2=5V.
Ce se intampla daca V2=0V?
Ce se intampla daca V2=12V?
V I R V ( 1) R I
2 B B BE E B

I 0,02mA
B

I I 4mA
C B
V1

V I R 4V
E E E RC
1k
V V R I 8V
C 1 C C
V2 RB
VC
V V V 4V
CE C E
Q1

5k VE
Daca V2=0V tranzistorul este blocat
RE
1k
I I 0V
C E

V 0V ,V 12V ,V
E C CE
12V 0
 Daca V2=12V trebuie sa determinam daca tranzistorul se afla in
regiunea activa normala sau in saturatie
Presupunem ca tranzistorul se afla in regiunea activa normala
V 2 I B R B V BE ( 1) I B RE
I B
0.05mA

I C
I 10mA
B
V1

V C
V 1 I R 2V C RC
C
1k
V E
I R 10V
E E
V2 RB
VC
Prin urmare tranzistorul este saturat Q1

V 1 RC I Csat V CEsat R E ( I Csat I Bsat ) 5k VE

RE
V 2 R B I Bsat V BEsat R E ( I Csat I Bsat ) 1k

I Csat 5,3mA 0

I Bsat
1mA

V CEsat
0,2V
3. Pentru schema din figura sa se determine I D si VDS, stiind ca VT=4V si
K=400A/V2.

V R G2
V 10V
G
R G1
RG 2 DD

K
V S RS I D RS 2 (V GS V T )
2
VDD=15V
K
V GS V G V S V G RS 2 (V GS V T )
2 RG1 RD
1M 1k
VD
(V GS 4) (V 4) 6 0
2
GS VG M1

V 1,V 6
GS GS
VS
RG2 RS
V VGS T 2M 5k

V 6GS
0
K
I 2 (V GS V T ) 0,8mA
2
D

V DS
V DD ( R D R S ) I D 10,2V