STUDIUL TRANZISTOARELOR Argument Tranzistorul a fost inventat la Bell Telephone Laboratories din New Jersey n decembrie 1947 de John

Bardeen, Walter Houser Brattain, i William Bradford Shockley. Descoperirea tranzistorului a determinat dezvoltarea electronicii fiind considerat una din cele mai mari descoperiri ale erei moderne. Tranzistoarele pot fi folosite n echipamentele electronice cu componente discrete n amplificatoare de semnal (n domeniul audio, video, radio), amplificatoare de instrumentatie, oscilatoare, modulatoare si demodulatoare, filtre, surse de alimentare liniare sau n comutaie sau n circuite integrate, tehnologia de astzi permind integrarea ntr-o singur capsul a milioane de tranzistori. Tranzistorii se realizeaz pe un substrat semiconductor (n general siliciu, mai rar germaniu, dar nu numai). Tehnologia de realizare difer n funcie de tipul tranzistorului dorit. De exemplu, un tranzistor de tip PNP se realizeaz pe un substrat de tip P, n care se creeaz prin diferite metode (difuzie, de exemplu) o zona de tip N, care va constitui baza tranzistorului. Valoarea temperaturii maxime a jonciunilor pn la care tranzistorul funcioneaz normal depinde de natura semiconductorului folosit. Astfel, tranzistoarele realizate din siliciu funcioneaz corect pn spre 200 grade C, n timp ce cele realizate din germaniu sunt limitate n funcionare n jurul valorii de 100 grade C. Observaie: La temperaturi mai mari dect cele menionate, are loc creterea extraordinar de rapid a concentraiei purttorilor minoritari i semiconductorul se apropie de unul intrinsec, dispozitivul pierzndu-si proprietile iniiale. Puterea disipat de tranzistor apare datorit trecerii curentului prin dispozitiv. O parte din aceast putere este radiat n mediul ambiant i o parte produce nclzirea tranzistorului. n funcionare normal jonciunea emitor- baz este polarizat direct, iar jonciunea colector- baz este polarizat invers. Jonciunea emitor- baz, fiind polarizat direct, este parcurs de un curent direct(curent de difuzie) IE, mare n raport cu curentul invers (rezidual) i, ntr-o plaj larg de cureni, UEB = const, cu valori tipice de 0,6 - 0,7 V (Si) sau 0,2 -0,3V (Ge). Jonciunea colector- baz, fiind polarizat invers, este caracterizat de un curent propriu, invers, foarte mic, de ordinul nanoamperilor pentru tranzistoarele de siliciu i de ordinul microamperilor pentru tranzistoarele de germaniu. Caracteristic tranzistorului este cuplarea electric a celor dou jonciuni. Pentru aceasta trebuie satisfcute dou condiii: jonciunea emitorului s fie puternic asimetric, adic impurificareaemitorului s fie mult mai puternic dect cea a bazei.
1

baza s fie foarte subire, astfel nct fluxul de purttori majoritari din emitor s ajung practic n totalitate n regiunea de trecere a colectorului.
1. INTRODUCERE

Tranzistorul este un dispozitiv electronic din categoria semiconductoarelor care are trei borne (terminale sau electrozi), care fac legtura la cele trei regiuni ale cristalului semiconductor. Aspectul tranzistoarelor depinde de natura aplicaiei pentru care sunt destinate. Clasificare:

2. TRANZISTORUL BIPOLAR 2.1. Noiunea de tranzistor bipolar. Structura i jonciunile tranzistorului bipolar Tranzistor bipolar este numit dispozitivul electronic cu trei pini i dou sau mai multe jonciuni p-n ce interacioneaz ntre ele. n tranzistor se rnduiesc trei regiuni semiconductoare, pentru care pe placheta de izolator din Si-i, prin metoda epitaxial planar se formeaz regiunile colectorului (C), bazei (B) i emitorului (E) (fig. 1.). Pentru aceasta, n regiunea Si-n, ce servete ca colector, prin metoda difuziei este format regiunea bazei Si-p. n aceast regiune, prin metoda difuziei locale, este format emitorul Sin cu concentraie major a impuritilor donoare.

Fig.1. Structura tranzistorului bipolar tip n-p-n

La frontiera regiunii emitorului cu cea a bazei i de asemenea la frontiera regiunii bazei cu cea a colectorului se formeaz dou jonciuni p-n emitor i colector (dup denumirea regiunilor laterale ale structurii). Jonciunile interacioneaz dac distana ntre
2

ele WB , numit limea bazei, este cu mult mai mic ca lungimea de difuzie a purttorilor de sarcin mobili ( WB < < L p ,n ). Lungimea de difuzie L p ,n este distana pe care o parcurge electronul sau golul din momentul apariiei n semiconductor pn la recombinare. De regul, suprafaa jonciunii colectorului este mai mare ca suprafaa jonciunii emitorului. Regiunea emitorului trebuie s posede o electroconductibilitate mai nalt ca cea a bazei i a colectorului. Concentraia impurtilor n regiunile tranzistorului bipolar trebuie s respecte inegalitatea N E > 100N B N C . (1) 2.2. Tranzistorul bipolar ca element al circuitului n dependen de alternarea regiunilor, dup tipul de electroconductibilitate, se deosebesc structuri tip p-n-p i n-p-n. n fig. 2. sunt prezentate structurile p-n-p i n-p-n ale tranzistorului bipolar i reprezentarea lor n circuitele electrice.

Fig. 2. Reprezentarea tranzistoarelor bipolare

Ca element al circuitului electric, tranzistorul bipolar este utilizat n aa mod, ca unul din pini s fie conectat la intrare, iar altul la ieire. Al treilea pin este comun. n dependen care din pini este comun, se deosebesc trei circuite de conectare ale tranzistoarelor bipolare: - baz comun (BC); - emitor comun (EC); - colector comun (CC). n fig. 3. sunt prezentate aceste trei modificri de cuplare a tranzistorului bipolar n circuitul electric.

Fig. 3. Schemele de conectare ale tranzistoarelor bipolare

2.3. Regimul de lucru i procesele fizice n tranzistorul bipolar

2.3.1. Regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare n timpul funcionrii tranzistorului, la bornele sale este aplicat o tensiune de la sursa de alimentare n curent contionuu. n dependen de polaritatea tensiunii aplicate,
3

fiecare din jonciunile p-n ale tranzistorului bipolar poate fi polarizat direct sau indirect, adic sunt posibile patru modaliti de funcionare a tranzistorului (tab.1). Tabelul 1. Modalitile de funcionare a tranzistorului bipolar Conectarea Denumirea regimului de Denumirea jonciunii jonciunii funcionare a tranzistorului Jonciunea emitorului Invers Regim de blocaj Jonciunea colectorului Invers Jonciunea emitorului Idirect Regim de saturaie Jonciunea colectorului Idirect Jonciunea emitorului Jonciunea colectorului Jonciunea emitorului Jonciunea colectorului Direct Dnvers Invers Direct Regim activ Regim de inversie

2.3.2. Regim de blocaj n regim de blocaj ambele jonciuni p-n sunt polarizate indirect. Prin bornele tranzistorului circul curenii de scurgere a jonciunilor polarizate indirect, care reprezint parametrii statici ai regimului dat. n fiecare din cele trei scheme de conectare a tranzistorului aceti parametri posed valori determinate. Ele sunt prezentate sub forma urmtoare: pentru circuitul cu BC - I EB 0 , I CB 0 , I EBS , I CBS ; pentru circuitul cu EC - I BE0 , I CE 0 , I BES , I CES ; pentru circuitul cu CC - I BC0 , I EC0 , I BCS , I ECS . Primul indice n reprezentare determin pinul prin care circul curentul, al doilea schema de conectare, al treilea, condiiile n regiunea rmas a schemei (0 lipsa curentului, adic mers n gol; S scurtcircuit). 2.3.3. Regim de saturaie n regimul de saturaie ambele jonciuni p-n sunt polarizate direct, jonciunile sunt saturate cu purttori de sarcin mobili, rezistenele lor sunt reduse. Regiunea E-C posed o conductibilitate nalt i poate fi considerat ca scurtcircuitat. Parametrii statici reprezint curenii de saturaie I E sat , I C sat , I B sat i tensiunile de rest ( U BE sat , U CE sat ). Raportnd mrimile tensiunilor i curenilor, obinem rezistena de saturaie:
R C sat = U CE sat I C sat

R B sat =

U BE sat I B sat

2.3.4. Regimul activ n fig. 4. este reprezentat modelul plan unidimensional al tranzistorului bipolar, jonciunea emitor a creia este polarizat direct, iar cea a colectorului indirect. Aceast conectare corespunde regimului activ.
4

Fig. 4. Micarea purttorilor de sarcin i curenii n tranzistorul bipolar (regim activ)

Principiul de funcionare a tranzistorului bipolar n regim activ se bazeaz pe utilizarea urmtoarelor fenomene: - injecia purttorilor de sarcin prin jonciunea emitorului; - purttorii injectai prin baz care circul drept rezultat al fenomenelor de difuzie i drift; - recombinarea purttorilor de sarcin n regiunea bazei; - extragerea purttorilor minoritari din baz n regiunea colectorului prin intermediul cmpului electric, format de jonciunea colectorului. Injecia purttorilor de sarcin duce la trecerea prin jonciunea emitorului a curenilor de difuzie (a golurilor I E p i electronilor I E n ). n circuitul extern al emitorului circul curentul de injecie: U q . (2) kT
I E = I E p + I E n = I EB 0 (e
EB

1)

Pentru structura tranzistorului tip p-n-p relaia ntre concentraiile impuritilor din regiunile emitorului ( N acc ) E i bazei ( N don ) B se determin ca: ( Nacc ) E 100 ( N don ) B . Din aceste considerente se obine I E p > > I E n . Relaia ntre componentele curentului emitorului pot fi apreciate cu ajutorul coeficientului de injecie
= IE p IE = IE p IE p + IE n 1

(3)

Injecia purttorilor de sarcin din emitor n baz mrete concentraia purttorilor minoritari n regiunea bazei. Concentraia lor la frontiera jonciunii emitorului pentru structura tip p-n-p se determin din relaia:
p n = pn0 e
qU E kT

(4)

Sarcina golurilor, aprute momentan n apropierea jonciunii emitorului (~ 10-17 s), se compenseaz cu sarcina electronilor, ce ptrund n baz de la sursa de alimentare UEB. Circuitul emitor baz devine blocat i asigur circulaia curentului emitorului. Majorarea concentraiei electronilor i a golurilor n apropierea jonciunii emitorului formeaz gradientul concentraiei purttorilor de sarcin n baz ( p i p ). Sub aciunea gradientului concentraiei purttorilor de sarcin se produce micarea de difuzie a golurilor i electronilor prin regiunea bazei de la emitor spre colector.

Concomitent cu difuzia golurilor n baz, are loc i recombi-narea lor cu electronii. n locul electronilor care se recombin n regiunea bazei din circuitul extern al sursei de alimentare UEB sunt injectai ali electroni, formnd curentul de recombinare al bazei I B rec , alturi de curentul electronilor injectai I En . Deoarece limea bazei este considerabil mai mic ca lungimea de difuzie a purttorilor de sarcin ( WB < < L p ,n ) , micorarea concentraiei purttorilor de sarcin n regiunea bazei din cauza recombinrii este nesemnificativ, iar curentul de recombinare I B rec este mai mic dect curentul emitorului I E cu un ordin-dou. Golurile injectate de emitor n regiunea bazei se apropie de jonciunea colectorului polarizat indirect, nimerind n cmpul de accelerare a acestei jonciuni i sunt transferate n colector. n aa mod se formeaz componenta dirijat a curentului colectorului: I C p = I E I B rec I E n = I E p I B rec . Procesul de tranziie a purttorilor de sarcin minoritari prin baz este caracterizat de coeficientul de transfer .Coeficientul de transfer depinde de lrgimea bazei WB i lungimea de difuzie a golurilor L p
= I Cp I Ep 1
2 WB . ( 2L p ) 2

(5)

Cu ct mai multe goluri sunt injectate din emitor n baz, cu att mai major este curentul colectorului. Din aceste considerente curentul I C este proporional cu curentul emitorului i se numete curentul dirijat al colectorului. Utiliznd relaiile (3) i (5), se obine I C p = I E = EI E . (6) Coeficientul E este numit coeficient integral de transfer al curentului emitorului n circuitul colectorului. Dac apelm la relaiile (3), (5), primim:
p

E =

IC p IE

IC p I E p = . IE p IE

(7)

Posibilitatea de dirijare cu curentul de ieire al tranzistorului, modificnd valoarea curentul de intrare, este o proprietate important a tranzistorului bipolar, ceea ce ofer posibilitatea de a-l utiliza n calitate de element activ n circuitele electronice. n afar de componenta dirijat a curentului colectorului I C prin electrodul colectorului circul i componenta nedirijat a curentului, numit curentul de scurgere a jonciunii p-n polarizate indirect. El este analogic curentului diodei semiconductoare cuplate indirect i de aceea a primit denumirea de curentul de scurgere al colectorului I CB 0 . Aici indicii C indic curentul jonciunii colectorului cuplate indirect; B msurrile au loc n schema de cuplare BC; 0 msurrile au loc pentru I E = 0 , adic pentru regim mers n gol la intrare. Direcia curentului de scurgere a colectorului I CB 0 corespunde cu componenta dirijat a curentului colectorului i de aceea I C = I E + I CB 0 . (8) Curentul I CB 0 n circuitul bazei este orientat invers curentului de recombinare n baz I B rec i curentului de injecie I n inj I B = I B rec I CB 0 + I n inj . (9) n circuitul emitorului curentul de injecie se determin ca suma curentului colectorului I C i curentul bazei I B :
p

(10) Relaiile (8) i (10) determin legtura dintre curenii tranzistorului i sunt adecvate pentru oricare din circuitele de conectare. Procese analogice au loc i n tranzistorul tip n-p-n, cu unic deosebire c n loc de goluri trebuie s vorbim despre electroni i invers. Direciile curenilor continui i polarizarea tensiunilor de alimentare ce corespund regimului activ sunt prezentate n fig. 3. n circuitele EC i CC (fig.1.3) curentul de dirijare este curentul bazei, iar relaia pentru curentul colectorului (1.8) poate fi scris n felul urmtor:
I C = I E + I CB0 = ( I C + I B ) + I CB 0 ; I C I C = I B + I CB 0 ; 1 IC = IB + I CB 0 = I B + I CE 0 , 1 1

IE = IC + IB .

(11)

unde:

= este coeficientul de amplificare dup curent n schema de cuplare EC; 1 1 I CB 0 = ( 1 + ) I CB 0 = I CE 0 - componenta nedirijat a curentului colectorului n schema 1

EC, sau curentul de scurgere a tranzistorului bipolar. Pentru schema CC curentul de ieire este curentul emitorului. Din aceste considerente I E I B = I C = I E + I CB 0 ;
IE = 1 I I B CB 0 , 1 1

sau unde

I E = K I I B + I CE0 ,
KI = 1 =+1. 1

(12)

2.3.5. Regim de inversie n regim de inversie jonciunea emitorului este cuplat invers, iar jonciunea colectorului direct. De aceea, n comparaie cu regimul activ, n regim de inversie injecia purttorilor de sarcin este nfptuit de jonciunea colectorului, iar extracia purttorilor de jonciunea emitorului. Practic, emitorul i colectorul i schimb funcia i poziia n circuit. Pentru schema de cuplare BC: I E = i I C + I EB 0 , (13) unde i este coeficientul de transfer invers. Deoarece suprafaa jonciunii emitorului este cu mult mai mic dect cea a jonciunii colectorului i N C < N B , atunci i < . Pentru schema CC
I E = i I B + ( 1 + i ) I EB 0 .

(14)

Pentru schema EC
7

I C = ( 1 + i ) I B + ( 1 + i ) I EB 0 .

(15)

3. Tranzistoare unipolare 3.1. Generalitai Tranzistoarele n care conducia electric este asigurat de un singur tip de purtatori de sarcin, se ntalnesc n literatur sub denumirea de unipolare sau efect de cmp. Pentru aceste tranzistoare se foloeste prescurtarea de tranzistoare TEC sau FET (Field Effect Trasistor). Funcionarea lor se bazeaz pe variaia conductibilitaii unui ,,canal realizat dintr-un material semiconductor, ale crui dimensiuni tranversale sau concentraii de purttori de sarcina mobili pot fi controlate cu ajutorul campului electric tranzversal, creat ntre un electrod de comand numit gril sau poart, situat n vecintatea canalului i masa semiconductorului unde este format sau indus acest canal. n funcie de modul de realizare a grilei, distingem tranzistoarele cu gril jonciune TEC-J i cu gril izolat TEC-MOS. Tranzistoarele TEC prezint avantajul, n raport cu cele bipolare, c au o rezistena de intrare mare, au o tehnologie de fabricaie mai simpl i ocup o arie de siliciu mai mica n sructurile integrate. Pe de alt parte tranzistorul cu efect de cmp nu amplific n curent. n circuitele electronice cu componente discrete se ntalnete i n combinaie cu tranzistorul bipolar. Pn n 1970 tranzistoarele cu efect de cmp realizate abia puteau comanda cureni de cteva zeci de mA la tensiuni de zeci de voli. Apoi, o nou tehnologie a permis realizarea tranzistoarelor MOS de putere (cu nume depinznd de companie, VMOS, TMOS, HEXFET, etc.). Aceste noi tranzistoare sunt capabile s opereze la tensiuni de ordinul a 1000 V i s vehiculeze cureni medii de pn la 70 A; pentru durate scurte, ele pot conduce cureni de pn la 280 A (cureni de vrf). n plus, tranzistoarele MOS de putere sunt mult mai stabile termic dect corespondentele lor bipolare, la acelai tip de capsul putnd opera la puteri disipate mai mari. ntr-un tranzistor bipolar prin emitor sunt injectai purttori majoritari care ajung apoi n regiunea bazei, fiind aici minoritari datorit tipului diferit de dopare a bazei. Majoritatea lor traverseaz aceast regiune ajungnd la colector i formnd curentul de colector, aproximativ egal cu cel de emitor. O foarte mic parte din ei se combin n regiunea bazei cu purttorii majoritari de acolo. Acest fapt determin apariia unui curent slab prin terminalul bazei. Astfel, tranzistorul bipolar poate fi privit fie ca un amplificator de curent (cu factorul aproximativ constant, de ordinul sutelor) fie ca un dispozitiv transconductan n care curentul de colector este controlat de tensiunea baz emitor. Dar, indiferent cum privim noi lucrurile, sursa de semnal care comand tranzistorul bipolar trebuie s debiteze sau s absoarb un curent care este de ordinul a 1 % din curentul comandat. i aceasta, dac nu am ales cumva conexiunea cu baz comun, n care sursa de semnal trebuie s debiteze ntregul curent comandat... Spre deosebire de tranzistoarele bipolare, tranzistoarele cu efect de cmp controleaz curentul ntre canalul dintre terminalul de dren i cel de surs prin cmpul electric determinat de tensiunea aplicat pe poart. Ori, cel puin n principiu, pentru a menine un cmp electric nu avem nevoie de un curent care s circule. Astfel, avantajul esenial al tranzistoarelor cu efect de cmp este acela c intensitatea curentului n terminalul porii este practic nul. Din acest motiv, la tranzistoarele cu efect de
8

cmp, curentul ntre terminalul de dren i cel de surs este controlat de tensiunea dintre poart i surs. Conducia ntre dren i surs are loc printr-o regiune limitat a semiconductorului, numit canal. n cazul tranzistoarelor JFET, ntre poart i canalul conductor exist o jonciune semiconductoare invers polarizat; astfel, curentul de poart are valori de ordinul zecilor de nanoamperi. Curenii de poart, de o mie de ori mai mici, se obin n cazul celuilalt tip de tranzistoare cu efect de cmp. La tranzistoarele MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) poarta este izolat prin intermediul unui strat de oxid de siliciu i curentul de poart este de ordinul zecilor de picoamperi. 3.2. Clasificare Clasificarea tranzistoarelor cu efect de cmp este complicat suplimentar de un alt aspect constructiv. Un tip de tranzistoare conduc pn cnd se face ceva care s le micoreze curentul: sunt tranzistoarele care au canal iniial (depletion mode n englez). Toate tranzistoarele JFET i anumite tranzistoare MOSFET funcioneaz dup acest principiu. Tranzistoarele de cellalt tip sunt proiectate astfel nct s nu conduc dect dac se aplic un cmp care s "sape" un canal conductor. Sunt tranzistoarele care au canal indus (enhancement mode n englez). Marea majoritate a tranzistoarelor MOSFET au canal indus.
FET

JFET

MOSFET canal initial canal indus canal p canal n canal n canal p

canal n

Fig. 5. Clasificarea tranzistoarelor cu efect de cmp.

Dac mai inem seama de felul de dopare al canalului, care poate fi n sau p, am avea n total 8 tipuri de tranzistoare cu efect de cmp. Dintre acestea, ase ar putea fi realizate, cinci sunt chiar produse i numai patru sunt importante. Arborele familiei de tranzistoare cu efect de cmp poate fi vazut n fig. 5. Din cauza jonciunii porii care trebuie s fie ntodeauna invers polarizat, tranzistoarele JFET (cu poart jonciune) nu pot fi realizate dect cu canal iniial. Tranzistoarele cu poart izolat pot avea oricare dintre aceste tipuri de canale, dar cele cu canal iniial nu au dect cteva aplicaii particulare. Ambele categorii pot avea fie canal n, fie canal p. Cum funcionarea celor cu canal n este similar cu a tranzistoarelor bipolare NPN, voi focaliza atenia numai asupra acestora.

3.3. Tranzistoare TEC-MOS

D G substrat

NEMOS

S MOSFET cu canal n D G substrat PEMOS

E bipolar NPN C

) )

S MOSFET cu canal p a)

(cu canal indus) b)

E bipolar PNP c)

Fig. 6. Tranzistoare MOSFET i tipurile bipolare similare acestora

Tranzistoarele MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) sunt dipozitive electronice cu trei terminale active: poarta G (de la gate - n lb. englez), drena D i sursa S (Fig. 6 a). n plus, ele mai au un terminal, legat la substratul pe care a fost realizat tranzistorul, care trebuie meninut la cel mai cobort (sau ridicat, dup tipul tranzistorului) potenial din circuit. Poarta este izolat cu un strat de oxid de siliciu, astfel nct curentul de poart este practic nul (putnd ajunge chiar la 1 pA) iar curenii de dren i surs sunt practic egali. Funcionarea tranzistorului se bazeaz pe controlul conductanei electrice a canalului ntre dren i surs, control efectuat prin tensiunea poart-surs. Curentul de poart este att de mic nct condensatoarele realizate pe chip-ul de siliciu n cazul memoriilor ROM (read-only memory), i care nu au alt cale de descrcare dect poarta tranzistoarelor MOSFET cu care sunt "citite", i pstreaz sarcina electric un timp care ajunge spre zece ani de zile. Exist dou tipuri de tranzistoare MOS: cu canal n (NMOS) sau canal p (PMOS), iar dup principiul de funcionare avem tranzistoare cu canal indus (nu exist canal nainte de aplicarea unei anumite tensiuni pe poart) sau cu canal iniial (tensiunea aplicat pe poart micoreaz conductana canalului existent). Ar rezulta astfel patru tipuri de tranzistoare MOS. Cu o singur excepie (utilizat la foarte nalt frecven), tranzistoarele MOS sunt realizate cu canal indus. Dintre acestea, ca tranzistoare discrete sunt preferate cele NMOS, avnd performane mai bune. Modul lor de comand (Fig. 6. a) este similar cu acela al tranzistoarelor bipolar NPN. Pentru tranzistoarele NMOS cu canal indus se utilizeaz i simbolurile speciale (Fig. 6. b).

10

+ on
G D substrat

+ on
B C

ID I G =0
D G

+ VDS

off

off
S

+ VGS

MOSFET cu canal n

bipolar NPN

_ b)

a)

Fig. 7.

Modul de comand al tranzistoarelor NMOS i al tranzistoarelor NPN (a) i conexiunea cu surs comun (b). n afara terminalelor "active" (poarta, sursa i drena), tranzistoarele MOSFET mai au un al patrulea terminal, legat la substratul pe care a fost construit tranzistorul. ntre canal i substrat exist o jonciune semiconductoare, reprezentat pe simboluri prin sgeata desenat pe terminalul substratului. Sensul sgeii arat sensul n care aceast jonciune conduce; jonciunea trebuie ns meninut ntodeauna invers polarizat, altfel ar compromite funcionarea tranzistorului. Pentru ca aceast jonciune s fie blocat n orice moment, pentru un tranzistor cu canal n substratul trebuie s fie legat la cel mai cobort potenial din circuit. Cea mai utilizat conexiune este aceea cu sursa comun porturilor de intrare i ieire, echivalent cu conexiunea emitor comun de la tranzistoarele bipolare (Fig. 7. b). Cum sursa este legat la potenialul cel mai cobort, substratul a fost legat la surs. n aceast conexiune, portul de intrare este ntre poart i surs iar portul de ieire este ntre dren i surs. Exist dou carateristici: de transfer de ieire
I D = f (VGS ) VDS = const . I D = f (VDS ) VGS = const .

3.3.1. Caracteristica de transfer Pentru tensiuni VDS suficient de mari, caracteristica de transfer arat ca n (Fig. 8. a). Cu tensiune nul ntre poart si surs, nu exist curent de dren; la aplicarea unei tensiuni pozitive care depete o anumit valoare VT , numit tensiune de prag (threshold n englez), apare un canal indus, valoarea curentului fiind controlat de tensiunea pe poart. Dac tensiunea poart-surs VGS depete tensinea de prag VT , curentul depinde parabolic de VGS .
I D = 0pentru VGS <VT I D = K (VGS VT ) 2 pentru VGS VT

(16)

11

ID I D(on) la VGS (on)

16 14 12 10 8 6 4 2

I D (mA)

gm

g m (on) la VGS (on)

0 blocat

VT

10

deschis

VGS (V) g m (on) =

VT 2 I D(on)

VGS

VGS (on) - VT c)

a)

b)

Fig. 8. Caracteristica de transfer a unui tranzistor NMOS (a), limitele mprstierii sale tehnologice pentru tranzistorul 2N4351 (b) i dependena transconductanei de tensiunea VGS (c).

Parabola are minimul chiar pe axa orizontal, la VGS = VT i I D = 0 ; a doua ramur a parabolei (pentru VGS < VT ) nu face parte din caracteristica de transfer i a fost desenat punctat n figur. Diferena VGS VT joac un rol important n relaiile ce descriu funcionarea tranzistorului MOSFET. Peste tensiunea de prag, curentul are o dependen ptratic de comanda porii. Tranzistorul este considerat "complet" deschis (n starea ON) la o anumit valoare a tensiunii VGS , uzual de 10 V, unde se definete curentul
I D( on )
I D ( on )

Valoarea a curentului este dat n foile de catalog; de aici s-ar putea estima valoarea K al tranzistorului: parametrul
K=

(V

I D( on )

GS ( on )

VT )

(17)

Din pcate, att VT ct i D( on ) sunt puternic mprtiate tehnologic n cadrul exemplarelor pe care productorii le vnd ca fiind de acelai tip. De exemplu, pentru 2N4351 produs de Motorola, tensiunea de prag este n domeniul 1,5 - 5 V, iar D( on ) ntre 3 i 15 mA. Caracteristica de transfer are, astfel, o mprtiere tehnologic incomparabil mai mare dect la tranzistoarele bipolare; limitele acestei mprtieri, pentru tranzistorul specificat, au fost desenate n Fig. 8. b. La variaii mici n jurul unui punct de funcionare, aciunea tranzistorului poate fi descris prin transconductana proporional cu comanda porii
gm = dI D dVGS . Din relaia (1) rezult c transconductana este
T V

(18) aa cum se vede n graficul din Fig. 8. c. n funcie de curentul de dren, transconductana este proporional cu radical din curentul de dren. Valoarea sa cu tranzistorul complet deschis este
g m ( on ) = 2 I D ( on ) VGS ( on ) VT 12

gm = K ( G 2 VS

)= 2

ID

(4)

Pentru tranzistorul 2N4351, n cel mai favorabil caz ( D ( on ) i VT = 5 V ), obinem g m = 6 mA V . Un tranzistor bipolar, operat tot la 15 mA, are transconductana g m = 15 mA 25 mV = 600 mA V . n concluzie tranzistoarele cu efect de cmp au transconductana cu 1-2 ordine de mrime mai mic dect cele bipolare. Altfel spus, sensibilitatea controlului curentului este mult mai mic la tranzistoarele FET. 3.3.2. Caracteristica de ieire Dac aplicm pe poart o tensiune mai mare dect tensiunea de prag (altfel tranzistorul ar fi blocat) familia de caracteristici de ieire are forma din Fig.9. Fiecare din caracteristici prezint dou regiuni distincte. La valori VDS mici, curentul de dren este aproximativ proporional cu tensiunea dren-surs: tranzistorul se comport ca un rezistor.
ID 14 (mA) 12 panta proportionala cu V GS -V T 10 8 6 4 2 0 -2 -4 0 5 10 VDS (V) regiune de rezistor regiune de sursa de curent (saturatie) V GS -V T = 4 V V GS -V T = 3 V V GS -V T = 2 V V GS -V T = 1 V 15 20 curentul de saturatie proportional cu ( V GS -V T ) 2

= 15 mA

Fig. 9. Caracteristici de ieire pentru tranzistorul MOSFET 2N3797.

Valoarea rezistenei ohmice echivalente depinde de tensiunea aplicat pe poart; avem o regiune de rezisten controlat. Un rezistor adevrat este ns un dispozitiv simetric: bornele sale pot fi inversate i comportarea sa rmne aceeai. n consecin, pentru a putea nlocui un rezistor, tranzisorul ar trebui s-i extind comportarea liniar a caracteristicii i la tensiuni negative. Pentru tensiuni dren surs mici n valoare absolut, aa se i ntmpl, dup cum se poate constata pe fig. 9. n aceast regiune, curentul de dren are expresia aproximativ
I D 2 K (VGS VT )VDS

(19)

tranzistorul fiind echivalent cu un rezistor de rezisten

RDS =

, (20) controlat de tensiunea aplicat pe poart. Cum parametrul K nu este dat explicit n foile de catalog, este mult mai util s scriem relaia precedent n funcie de rezistena RDS 0 obinut la o valoare particular VGS 0 a tensiunii poart-surs
RDS = RDS 0

1 2 K (VGS VT )

. (21) Cea mai mic valoare a rezistenei se obine cnd tranzistorul este complet deschis; ea poate fi exprimat prin parametrul
I D ( on )

VGS 0 VT VGS VT

ca
13

RDS (on ) =

VGS ( on ) VT 2 I D( on )

n foile de catalog este dat valoarea sub care se gsete garantat aceast rezisten (cel mai defavorabil caz). ntr-a doua regiune, tranzistorul se comport cu totul altfel: la valori VDS mari, curentul nceteaz practic s mai depind de tensiunea dren-surs, ieirea comportndu-se ca o surs de curent controlat de tensiunea de poart. Se observ aici saturaia curentului de dren n raport cu tensiunea dren-surs. n regiunea de surs de curent controlat, este valabil relaia (16) i aici am ridicat caracteristica de transfer i am definit transconductana. Cu tranzistoruln acest regim de funcionare se pot realiza amplificatoare (pentru c I D nu este saturat n raport cu mrimea de intrare VGS ci, din contr, este controlat practic numai de aceasta). Este foarte important s cunoatem limita aproximativ ntre cele dou regiuni de funcionare. Astfel, pentru o tensiune poart-surs fixat, frontiera ntre regiunea de rezistor controlat i aceea de surs de curent controlat este la o valoare a tensinii dren-surs egal cu comanda porii
VDS limita = VGS VT .

3.4.Tranzistoare TEC-J La tranzistoarele cu efect de cmp cu poart jonciune (JFET), ntre poart i canalul conductor exist o jonciune invers polarizat. Tensiunea aplicat ntre poart i surs controleaz conducia n canalul dintre dren i surs. Deoarece jonciunea este invers polarizat, curentul de poart este mult mai mic dect curentul de baz de la tranzistoarele bipolare, avnd valori de ordinul zecilor de nanoamperi. Dac la tranzistoarele de tip metal oxid semiconductor (MOSFET) putem avea fie canal iniial, fie canal indus, datorit principiului de funcionare, tranzistoarele JFET nu pot fi realizate dect avnd canal iniial. Aceasta nseamn c la tensiune nul ntre poart i surs VGS = 0 , tranzistorul conduce ntre dre i surs, urmnd ca acest curent I D s fie micorat prin aplicarea unei tensiuni VGS care polarizeaz invers jonciunea porii.
D G S JFET cu canal n D G S JFET cu canal p

B E

) )

B E

Fig. 10. Tranzistoare JFET i coreespondentele lor bipolare.

14

Dup tipul de dopare, exist dou tipuri de tranzistoare JFET: cu canal de tip n (similare tranzistoarelor bipolare NPN) i cu canal p (similare tranzistoarelor bipolare PNP). Simbolurile lor sunt prezentate n Fig. 10, alturi de corespondentele lor bipolare. Sgeata arat sensul direct al jonciunii; n aplicaii, jonciunea porii trebuie ntodeauna polarizat invers. Tranzistoarele JFET cu canal n sunt mai frecvent utilizate. Modul de comand al acestora este reprezentat n Fig.11.
+ on
tensiune negativa !

+ on
B C E

D G S

off

off

VGS < 0 I G =0 + VGS _

ID
D G

+ V DS

JFET cu canal n

bipolar NPN

a)

b)

Fig. 11. Cea mai utilizat conexiune este accea cu sursa comun porturilor de intrare i ieire, echivalent cu conexiunea emitor comun de la tranzistoarele bipolare (Fig.13. b). n acest caz, portul de intrare este ntre poart i surs iar portul de ieire este ntre dren i surs. Deoarece nu exist curent de poart se vor studia caracteristica de transfer
I D = f (VGS ) VDS = const .
I D (A) 25.0m 20.0m 15.0m 10.0m 5.0m 0.0 0 -3 -2 VP -1 0 1 VT VGS (V) VP g m max = b) 0 2 I DSS VP VGS n JFET canal initial IDSS NMOS canal indus

i cea de ieire

I D = f (VDS ) VGS = const .

gm g m max

a)

Fig. 12. Caracteristica de transfer pentru tranzistoare JFET i MOSFET cu canal indus (a) i dependena transconductanei de tensiunea VGS pentru JFET (b).

n Fig.12.a) este reprezentat caracteristica de transfer a unui tranzistor JFET (care are obligatoriu canal iniial) mpreun cu aceea a unui tranzistor MOSFET cu canal indus. Se observ faptul c ele sunt asemntoare, aceea a tranzistorului JFET fiind deplasat pe axa tensiunilor spre valori negative.
15

La tranzistorul JFET, cu tensiune nul ntre poart si surs curentul de dren nu este nul i valoarea sa este un parametru important al tranzistorului, fiind notat cu I DSS. Canalul iniial poate fi nchis progresiv prin aplicarea unei tensiuni poart-surs negative. Cnd valoarea ei ajunge la VP , numit tensiune de blocare sau tiere (cutoff voltage sau pinch-off voltage n englez), curentul de dren devine nul. Pentru tensiuni VDS suficient de mari curentul depinde parabolic de tensiunea poart-surs VGS .
I D = 0pentruVGS < VP
2

I D = K (VGS VT )2 i facem nlocuirile VP VT

(22) Dac comparm relaia anterioar cu aceea de la tranzistorul MOSFET

V I D = I DSS GS 1 pentruVGS VP V P

(23) se obsev c avem, de fapt, exact aceeai dependen. Formele sub care se utilizeaz sunt diferite pentru c la JFET este comod s folosim ca parametru curentul de dren I DSS (definit la VGS = 0 ). Din acest motiv, toate relaiile de la seciunea precedent, unde am abordat tranzistoarele MOSFET, rmn valabile i pentru tranzistoarele JFET. Vor aprea puin diferite ca form dar cu nlocuirile (11) ele devin identice. Ca i la tranzistoarele MOSFET, parametrii tranzistoarelor sunt puternic mprtiai tehnologic: tensiunea de tiere poate avea o dispersie de 5V iar DSS o variaie n raportul 5 la 1. Aa cum am vzut, aceasta produce o slab predictibilitate a punctului de funcionare. La variaii mici n jurul unui punct de funcionare, aciunea tranzistorului poate fi descris prin transconductana proporional cu radicalul din curentul de dren
gm = 2 I I DSS (VGS VP ) = 2 DSS 2 VP VP
gm = dI D dVGS . Din relaia (23) rezult c aceasta este

2 I DSS VP K

ID

Dependena transconductanei de tensiunea VGS a fost reprezentat n Fig.12.b); valoarea maxim a trasconductanei se obine cu poarta legat la surs, cnd VGS = 0 : I g m max = 2 DSS VP . (25)

(24)

16

ID (mA) regiune de 10.0 rezistor panta proportionala cu V GS -V P 8.0 6.0 4.0 2.0 0.0 -2.0 -4.0 0 5

regiune de sursa de curent (saturatie) V GS = 0 V V GS = -0.5 V V GS = -1.0 V V GS = -1.5 V 10 V DS (V) V GS -VP = 3 V V GS -VP = 2.5 V V GS -VP = 2 V V GS -VP = 1.5 V 15 20 curentul de saturatie proportional cu ( V GS -V P ) 2

Fig. 13. Caracteristici de ieire pentru tranzistorul JFET.

Dac aplicm pe poart o tensiune mai mare dect tensiunea de prag, familia de caracteristici de ieire are forma din Fig.13. Fiecare din caracteristici prezint dou regiuni distincte. La valori VDS mici, curentul de dren este aproximativ proporional cu tensiunea dren-surs, tranzistorul comportnd-se ca un rezistor. Valoarea rezistenei ohmice echivalente depinde de tensiunea aplicat pe poart; avem o regiune de rezisten controlat. Pentru tensiuni dren surs mici n valoare absolut, aceast regiune se continu i la tensiuni dren-surs negativ. n aceast regiune, dependena curentului de surs poate fi aproximat prin
ID 2 I DSS (VGS VP )VDS VP2

(26)

tranzistorul are o comportare de rezistor, cu rezistena (27) controlat de tensiunea aplicat pe poart. Valoarea minim a acestei rezistene se obine cnd poarta este legat la surs i VGS = 0 . n aceste condiii,
RDS min = VP 2 I DSS RDS = VP2 2 I DSS (VGS VP )

(28)

ntr-a doua regiune, tranzistorul are o comportare complet diferit: la valori VDS mari, curentul nceteaz practic s mai depind de tensiunea dren-surs, ieirea comportndu-se ca o surs de curent controlat de tensiunea de poart. n regiunea de surs de curent controlat, este valabil relaia (22) i aici s-a ridicat caracteristica de transfer i s-a definit transconductana. Cu tranzistorul n acest regim de funcionare se pot realiza amplificatoare (pentru c I D nu este saturat n raport cu mrimea de intrare VGS ci, din contr, este controlat practic numai de aceasta). Comparaia relaiei (18) cu (14) arat un lucru extrem de interesant: alegnd o tensiune de poart, rezistena din regiunea de rezisten controlat este inversul transconductanei din regiunea de saturaie.
17

VDS limita = VGS VP .

Este util s cunoatem o limit aproximativ ntre aceste dou regiuni. Astfel, pentru o tensiune poart-surs fixat, frontiera ntre regiunea de rezistor controlat i aceea de surs de curent controlat este la o valoare a tensinii dren-surs egal cu comanda porii n Fig.13. aceast frontier a fost desenat cu linie ntrerupt.

4. MSURI DE PROTECIA MUNCII LA UTILIZAREA INSTALAIILOR I ECHIPAMENTELOR ELECTRONICE Pentru evitarea accidentelor prin electrocutare, este necesar eliminarea posibilitii de trecere a unui curent periculos prin corpul omului. Msurile, amenajrile i mijloacele de protecie trebuie s fie cunoscute de ctre tot personalul muncitor din toate domeniile de activitate. Principalele msuri de prevenire a electrocutrii la locurile de munc sunt: Asigurarea inaccesibilitii elementelor care fac parte din circuitele electrice i care se realizeaz prin: amplasarea conductelor electrice, chiar izolate, precum i a unor echipamente electrice, la o nlime inaccesibil pentru om. Astfel, normele prevd c nlimea minim la care se pozeaz orice fel de conductor electric s fie de 4M, la traversarea prilor carosabile de 6M, iar acolo unde se manipuleaz materiale sau piese cu un gabarit mai mare, aceast nlime se depeasc cu 2,25m gabaritele respective. izolarea electric a conductoarelor; Folosirea carcaselor de protecie legate la pmnt; ngrdirea cu plase metalice sau cu tblii perforate, respectndu-se distanta impus pn la elementele sub tensiune. Folosirea tensiunilor reduse (de 12, 24, 36V) pentru lmpile i sculele electrice portative. Sculele i lmpile portative care funcioneaz la tensiune redus se alimenteaz la un transformator cobortor. Deoarece exista pericolul inversrii bornelor este bine c att distanta picioruelor fiselor de 12, 24 i 36V, ct i grosimea acestor piciorue, s fie mai mari dect cele ale fiselor obinuite de 120, 220 i 380 V, pentru a evita posibilitatea inversrii lor. La utilizarea uneltelor i lmpilor portative alimentate electric, sunt obligatorii: verificarea atent a uneltei, a izolaii ai a fixrii sculei nainte de nceperea lucrului; evitarea rsucirii sau a ncolcirii cablului de alimentare n timpul lucrului i a deplasrii muncitorului, pentru meninerea bunei stri a izolaiei; menajarea cablului de legtur n timpul mutrii uneltei dintr-un loc de munc n altul, pentru a fi solicitat prin ntindere sau rsucire; unealta nu va fi purtat inndu-se de acest cablu; evitarea trecerii cablului de alimentare peste drumurile de acces i n locurile de depozitare a materialelor; dac acest lucru nu poate fi evitat, cablul va fi protejat prin ngropare, acoperire, cu scnduri sau suspendate; interzicerea reparrii sau remedierii defectelor n timpul funcionarii motorului sau lsarea fr supraveghere a uneltei conectate la reeaua electric.
18

Folosirea mijloacelor individuale de protecie i mijloacelor de avertizare. Mijloacele de protecie individual se ntrebuineaz de ctre electricieni pentru prevenirea electrocutrii prin atingere direct i pot fi mprite n dou categorii: principale i auxiliare. Mijloacele principale de protecie constau din: tije electroizolante, cleti izolani i scule cu mnere izolante. Izolaia acestor mijloace suporta tensiunea de regim a instalaiei n condiii sigure; cu ajutorul lor este permis atingerea prilor conductoare de curent aflate sub tensiune. Mijloacele auxiliare de protecie constau din: echipament de protecie (mnui, cizme, galoi electroizolani), covorae de cauciuc, platforme i grtare cu piciorue electroizolante din porelan etc. Aceste mijloace nu pot realiza ns singure securitatea mpotriva electrocutrilor. ntotdeauna este necesar folosirea simultan cel puin a unui mijloc principal i a unuia auxiliar. Mijloacele de avertizare constau din plci avertizoare, indicatoare de securitate (stabilit prin standarde i care conin indicaii de atenionare), ngrdiri provizorii prevzute i cu plcute etc. Acestea nu izoleaz, ci folosesc numai pentru avertizarea muncitorilor sau a persoanelor care se apropie de punctele de lucru periculoase. Deconectarea automat n cazul apariiei unei tensiuni de atingere periculoase sau a unor scurgeri de curent periculoase. Se aplica mai ales la instalaiile electrice care funcioneaz cu punctul neutru al sursei de alimentare izolat fa de pmnt. Menionnd faptul c un curent de defect 300-500A poate deveni n anumite condiii, un factor provocator de incendii, aparatul prezentat asigura protecia i mpotriva acestui pericol. ntreruptorul este prevzut cu carcase izolante, i este echipat cu declanatoare termice, electromagnetice i releu de protecie la cureni de defect. Separarea de protecie se realizeaz cu ajutorul unui transformator de separaie. Prin acesta, se urmrete crearea unui circuit izolat fa de pmnt, pentru alimentarea echipamentelor electrice, la care trebuie nlturat pericolul de electrocutare. n cazul uni defect, intensitatea curentului care se nchide prin om este foarte mic, deoarece trebuie s treac prin izolaia care are o rezisten foarte mare. Condiiile principale care trebuie ndeplinite de o protecie prin separare sunt: la un transformator de separaie s nu se poat conecta dect un singur utilaj; izolaia conductorului de alimentare s fie ntotdeauna n stare bun, pentru a fi exclus posibilitatea apariii unui curent de punere la pmnt de valoare mare. Izolarea suplimentar de protecie consta n executarea unei izolri suplimentare fa de izolarea obinut de lucru, dar care nu trebuie s reduc calitile mecanice i electrice impuse izolrii de lucru. Izolarea suplimentar de protecie se poate realiza prin: aplicarea unei izolri suplimentare intre izolaia obinuit de lucru i elementele bune conductoare de electricitate ale utilajului; aplicarea unei izolaii exterioare pe carcasa utilajului electric; izolarea amplasamentului muncitorului fa de pmnt. Protecia prin legarea la pmnt este folosit pentru asigurarea personalului contra electrocutrii prin atingerea echipamentelor i instalaiilor care nu fac parte din circuitele de lucru, dar care pot intra accidental sub tensiune, din cauza unui defect de izolaie. Elementele care se leag la pmnt ut urmtoarele: carcasele i postamentele utilajelor, mainilor i ale aparatelor electrice, scheletele metalice care susin instalaiile electrice de distribuie, carcasele
19

tablourilor de distribuie i ale tablourilor de comand, corpurile manoanelor de calibru i mantalele electrice ale cablurilor, conductoarele de protecie ale liniilor electrice de transport etc. Instalaia de legare la pmnt consta din conductoarele de legare la pmnt i priza de pmnt, format din electrozi. Prizele de pmnt verticale sau orizontale se realizeaz astfel nct diferena de potenial la care ar putea fi expus muncitorul prin atingere direct s nu fie mai mare de 40V. n general, pentru a se realiza o priz bun, cu rezistena mic, elementele ei metalice se vor ngropa la o adncime de peste 1M, n pmntul bun conductor de electricitate, bine umezit i btut. Sistemul de priza (legare la pmnt) separat pentru fiecare utilaj prezint urmtoarele dezavantaje: este costisitor (cantiti mari de materiale i manopera); unele utilaje (transformatoare de sudur, benzi transportoare etc.) se mut frecvent dintr-un loc n altul; legtura este de multe ori incorect executat datorit caracterului de provizorat al instalaiei. Protecia prin legare la nul se realizeaz prin construirea unei reele generale de protecie care nsoesc n permanen reeaua de alimentare cu energie electric a utilajelor. Reeaua de protecie are rolul unui conductor principal de legare la pmnt, legat la prize de pmnt cu rezistena suficient de mic. Sistemul prezint o serie de avantaje: - utilajele electrice pot fi legate la o instalaie de legare la pmnt cu o rezisten suficient de mic; - este economic, deoarece la instalaiile provizorii pentru antiere, materialele folosite pot fi recuperate n cea mai mare parte; - este uor de realizat, putnd fi folosite prizele de pmnt naturale, constituite chiar din construciile de beton armat; - permite s se execute legturi sigure de exploatare, deoarece are prize stabile cu durat mare de funcionare; - toate utilajele electrice pot fi racordate cu uurin la reeaua de protecie; - se poate executa n mod facil un control al instalaiei de legare la pmnt, deoarece legturile sunt simple i vizibile, iar prizele de pmnt pot fi separate pe rnd pentru msurare, utilajele rmnnd protejate sigur de celelalte prize. Pentru cazul unei ntreruperi accidentale a legturii la nul se prevede, ca o msur suplimentar, un numr de prize de pmnt. n aceeai instalaie nu este permis protejarea unor utilaje electrice prin legare la pmnt, iar a altora prin legare la nul. Instalaia de protecie nu poate fi modificat n timpul exploatrii, fr un proiect i fr dispoziia efului unitii respective. Conductoarele de legare la pmnt i la nul nu se vor folosi pentru alte scopuri (alimentarea corpurilor de iluminat, a prizelor monofazate etc.). Conductoarele circuitelor electrice prin care circul curentul de lucru (conductoarele de nul, de lucru) nu pot fi folosite drept conductoare de protecie. Pentru a nu se crea confuzii, conductoarele de nul de protecie se vopsesc n culoarea roie (sau se folosesc conductoare cu izolaie roie), iar cele de lucru n culoare alb-cenuiu. Protecia prin egalizarea potenialelor este un mijloc secundar de protecie i const n efectuarea unor legturi, prin conductoare, n toate prile metalice ale diverselor instalaii i ale construciilor, care n mod accidental ar putea intra sub tensiune i ar fi atinse de ctre un muncitor ce lucreaz sau de ctre o persoan care trece prin acel loc. Prin intermediul legturilor se realizeaz o reducere diferenelor de potenial dintre diferite obiecte metalice sau chiar o anulare a acestor diferene, obinndu-se astfel egalizarea
20

potenialelor i deci eliminarea pericolului de electrocutare. De precizat ns c reeaua de egalizare trebuie conectat la instalaia de legare la pmnt sau la nul.

BIBLIOGRAFIE

1. Alex. I . Stan, Traian Cnescu, Mihai Huhulescu, C-tin Popescu,

21

D. Simulescu, Aparate echipamente i instalaii de electronic industrial, Ed. Didactic i pedagogic, R.A. Bucureti, 1998. 2. Mares F., Cociuba P., Macadon D.C., Electrotehnic i msurri electrice Editura DIDAKTICOS, TIMIOARA, 2005 3. Cosma D. , Mares F., Chivu A., Componente i circuite electronice. Lucrri practice, Editura Arves, Craiova 2008 4. Antoniu M., Msurri electronice. Metrologie, aparate de msur analogice, Ed. SATYA, Iai, 1999. 5. Brbulescu D., Marcua C., Msurri electrice i electronice. ndrumar de laborator, Institutul Politehnic Iai, 1986. 6. Bogoevici N., Electrotehnic i msurri electrice, Ed. Didactica i pedagogica, Bucureti, 1979. 7. Ignea A., Msurarea electrica a mrimilor neelectrice, Ed. de Vest, Timioara, 1996. 8. Iliescu C., Ionescu - Golovanov C., .a., Msurri electrice i electronice, Ed. Didactic i pedagogic, Bucureti, 1983.

CUPRINS

22

ARGUMENT 1. INTRODUCERE 2. TRANZISTORUL BIPOLAR

2.1. Noiunea de tranzistor bipolar. Structura i jonciunile tranzistorului bipolar 2.2. Tranzistorul bipolar ca element al circuitului 2.3. Regimul de lucru i procesele fizice n tranzistorul bipolar

2.3.1. Regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare 2.3.2. Regim de blocaj 2.3.3. Regim de saturaie 2.3.4. Regimul activ 2.3.5. Regim de inversie 3. TRANZISTOARE UNIPOLARE 3.1. Generalitai 3.2. Clasificare 3.3. Tranzistoare TEC-MOS 3.3.1. Caracteristica de transfer 3.3.2. Caracteristica de ieire 3.4.Tranzistoare TEC-J 4. MSURI DE PROTECIA MUNCII LA UTILIZAREA INSTALAIILOR I ECHIPAMENTELOR ELECTRONICE BIBLIOGRAFIE

23