Universitatea din Oradea

Specializarea –

Tranzistor

Coordonator: Neamtu Marius-Ovidiu Student: Sim Paul-Dragos

Grupa: 1611C

2022
Cuprins
Tranzistorul..........................................................................................................................3
Istoric................................................................................................................................3
Metode de obţinere...............................................................................................................3
Tranzistorul bipolar..............................................................................................................4
Structura şi caracteristicile tranzistorului.........................................................................4
Polarizarea tranzistorului bipolar..........................................................................................7
Polarizarea cu divizor de tensiune în bază........................................................................7
Bibliografie.........................................................................................................................10
 Tranzistorul

Istoric
Tranzistorul a fost inventat în laboratoarele Bell Telephone din New Jersey la data de
16 decembrie 1947 de către John Bardeen, Walter Houser Brattain, şi William Bradford
Shockley de la Bell telephone Laboratories care au încercat să creeze un dizpozitiv
electronic capabil să inlocuiască tuburile electronice cu catod încălzit.
Acesta urma să fie utilizat în amplificatoarele folosite în telefonia la mare distanţă ,
încercările au durat aproape 8 ani, iar noul dispozitiv era format dintr-o plăcuţă de
germaniu de tip n şi două firişoare metalice care făceau câte un contact punctiform cu
plăcuţa. Acest dispozitiv a căpătat numele de trazistor prin unirea a două cuvinte
transfer şi resistor . Primul tranzistor avea o amplificare egală cu 40 la o frecvenţă de
1000 hz. Astfel de tranzistoare nu se mai fabrică astăzi , în timpul care s-a scurs de la
inventarea tranzistorului au fost elaborate o serie de tehnologii de fabricaţie şi deci şi de
tipuri de tranzistoare . metodele cunoscute sunt :tehnica alierii , tehnica difuziei ,
metoda planară , epitaxial-planară şi mesa-planară

Metode de obţinere
În tehnologia de aliere , punctul de plecare îl constituie o plăcuţă dintr-un
monocristal de germaniu dotat cu impurităţi de tip n. De o parte şi de alta a plăcuţei se
fixează câte o bilă de indiu , care pentru germaniu este o impuritate de tip p .
Ansamblu se încălzeşte la temperatura de topire a indiului . Indiul pătrunde în reţeaua
cristalină a semiconductorului astfel încât după racire sub bilele de indiu apar zone de tip
p.Perla care formează colectorul este mai mare decât cea a emitorului şi mai slab dotată .
Grosimea bazei depinde şi de durata procesului de aliere . Pe cele trei regiuni ale
tranzistorului se sudează firele de conexiuni sistemul este fixat pe o plăcuţă suport şi
apoi încapsulat . Tot astfel se pot fabrica tranzistoare de tip npn prin alierea a două perle
de antimoniu pe o placuţă de germaniu de tip p . Principalul dezavantaj al trazistoarelor
aliate este frecvenţa şi temperatură de lucru relativ mică
Spre deosebire de procedeul de aliere care implică o stare lichidă , procedeul de
difuzie , presupune o fază gazoasă . Cristalul semiconductor este încălzit la o temperatură
apropiată de cea de topire într-o atmosferă gazoasă ce conţine vapori de impurităţi care
pătrund , în cristal . Pentru fabricarea unei joncţiuni pn , se încălzeşte o plăcuţă
semiconductoare de tp nîntr-o atmosferă de atomi de tip p. Aceştia pătrund în
interiorul plăcuţei formând o regiune de tip p . Cel mai important tip de trazistor care se
fabrică prin tehnica difuziei este tranzistorul planar. - Principala calitate a acestor
tanzistoare este frecvenţa de lucru ridicată care ajunge şi la câteva mii de Mhz. asta
pentru ca prin difuzie stratul bazei poate fii făcut extreme de subţire , mai sunt si alte
metode ca : metoda planară , epitaxial-planară şi mesa-planară
Tranzistoarele sunt dispozitive semiconductoare care îndeplinesc condiţiile necesare
amplificarii unor semnale .
După tipul de purtători ce contribuie la funcţionarea lor ele sunt:
Bipolare – purtători de ambele polarităţi – majoritari (electroni)
- minoritari (goluri)
 Unipolare – Purtători de o singură polaritate – electroni sau goluri.

Tranzistorul bipolar
Simbolul tranzistorului bipolar îşi are originea în forma constructivă a primului
tranzistor cu contacte punctiforme. Emitorul este reprezentat printr-o săgeată. La un
tranzistor pnp , săgeata este îndreptată spre bază şi la npn dinspre bază ,de fapt săgeata
indică sensul curentului prin tranzistor

Structura şi caracteristicile tranzistorului

Tranzistorul bipolar este o structură de trei zone semiconductoare extrinseci (pnp sau
npn) realizată într-un cristal semiconductor. Ea este prezentată schematic în figura de
mai jos .Fiecare zonă are un contact ohmic cu câte un terminal exterior. Cele trei
terminale se numesc emitor– E, bază – B şi colector – C. Denumirile sugerează
funcţia pe care o îndeplineşte fiecare dintre cele trei zone: emitorul este furnizorul
principal de sarcini electrice, colectorul colectează sarcinile electrice iar baza poate
controla cantitatea de sarcină care ajunge la colector. După acelaşi criteriu, cele
două joncţiuni se numesc emitoare, respectiv colectoare.
B
baza

p p
E p n p C
emitor colector
n
(n) (p) (n)
jonctiune jonctiune
emitoare colectoare
a b

O astfel de structură se numeşte bipolară deoarece la conducţia electrică participă

sarcini electrice de ambele polarităţi, goluri şi electroni, cu contribuţii diferite la curent în
funcţie de tipul de tranzistor. În funcţie de ordinea zonelor, tranzistorii bipolari pot fi de
tip pnp sau npn. Simbolurile lor sunt prezentate mai jos

E C

B B
 C E
Pnp Npn

Din punct de vedere tehnologic structura de tranzistor are două

particularităţi:
emitorul este mult mai puternic dopat decât baza
lărgimea fizică a bazei este mult mai mică decât lungimea de difuzie
a purtătorilor majoritari din emitor (aprox. 10m)
Pentru a exista conducţie electrică între emitor şi colector, joncţiunea
emitoare trebuie polarizată în sens direct iar joncţiunea colectoare în sens invers. Un
circuit de polarizare a joncţiunilor unui tranzistor de tip pnp este prezentat în figura de
mai jos. În practică polarizarea joncţiunilor se face cu o singură sursă de
alimentare.
C
IC

RC p
ICBo IE
IC
EC p B
IB n n
IB
p
EE
RE IE
p
 IE
E
a b
Se poate observa modul în care purtătorii de sarcină din semiconductor
contribuie la formarea curenţilor exteriori măsurabili: curentul de emitor - IE, curentul de
colector – IC şi curentul de bază – IB. Trebuie să subliniem încă odată faptul că la
curentul prin tranzistor participă purtători de ambele polarităţi, în timp ce la curenţii
exteriori participă exclusiv electronii de conducţie din metal.
Golurile, care sunt purtătorii majoritari în emitor, sunt acceleraţi în câmpul de
polarizare directă a joncţiunii emitoare şi, în marea lor majoritate, vor traversa baza şi
vor fi preluate de câmpul electric de polarizare inversă a joncţiunii colectoare.
Fracţiunea din curentul de emitor care contribuie la
formarea curentului de colector este notată cu . şi se numeşte factor de curent
şi valorile lui sunt foarte apropiate de 1:   0,97  0,99. Datorită slabei dopări a
bazei şi a lărgimii ei foarte mici, doar o mică parte din golurile care pleacă din emitor se
vor recombina cu electronii din bază. Curentul IE împreună cu
curentul de purtători minoritari, ICBo, care traversează joncţiunea colectoare
polarizată invers, vor forma curentul de colector, IC. Astfel, pot fi scrise
următoarele relaţii între curenţii măsurabili:
IE IC IB

I C  I E  I CBo

Înlocuind expresia curentului de emitor în relaţie şi exprimând curentul de colector, se

obţine:
  I
IC I  CBo
1B   1
 
Coeficientul de multiplicare a curentului de bază se notează cu  şi se
numeşte factor de amplificare statică (sau factor de amplificare a curentului
continuu) şi este supraunitar:

 
1

Astfel, dependenţa curentului de colector de curentul de bază poate fi
exprimată sub forma:
I C  I B  1   I CBo
Relaţia indică dependenţa intensităţii curentului de colector de
intensitatea curentului de bază. De aici se poate vedea că tranzistorul bipolar
este un element activ comandat în curent. Deoarece curentul de purtători
minoritari ICBo este foarte mic (sub 1A), în practică se poate folosi cu
bună aproximaţi
 Ecuaţiile descriu funcţionarea tranzistorului în curent continuu (regimul static) şi,
împreună cu legile lui Kirchhoff, permit calcularea valorilor rezistenţelor din circuitul
exterior de polarizare, precum şi a punctului static de funcţionare caracterizat de patru
parametrii: UBEo, IBo, UCEo şi ICo Tranzistorul bipolar poate fi privit ca un
cuadrupol dacă unul dintre terminalele sale va face parte atât din circuitul de intrare
cât şi din cel de ieşire. De regulă, terminalul respectiv este conectat la borna de
potenţial nul (masa circuitului).
Astfel, există trei conexiuni posibile ale tranzistorului într-un circuit ,baza comună
BC , cu emitor comun EC şi cu colector comun CC
Conexiunea EC se folseşte atât în joasă frecvenţă cât şi radiofrecvenţă ,mai ales
dacă se doreşte obţinerea unei amplificări în putere foarte mari de la câteva mii la 50
000 . Dezavantajul acestei conexiuno este impedanţa de intrare destul de mică, iar
frecvenţa limită maximă destul de scăzută

b
a c
Conexiunea BC reprezintă avantajul că lucrează la frecvenţe foarte înalte ,iar
reacţia inversă foarte slabă (în amplificatoarele de radiofrecvenţa, amplificarea
pentru fiecare etaj este egală cu 10), de aceea se foloseşte mai ales la etajele
amplificatoare de RF din receptoarele UUS , totuşi rezistenţa de intrare a acestor
montaje este mică
Conexiunea CC este folosită când este dorită o rezistenţă de intrare foarte mare şi
o rezistenţă de iesire mică. Este un amplificator de curent , amplificarea în tensiune
fiind aproximativ 1, se foloseste ca transformator de impedanţă

UCE
IB

Pentru explicarea funcţiei de amplificare a tranzistorului vom alege conexiunea cu

emitor comun .Deci între emitor şi bază vom conecta o tensiune care să polarizeze
joncţiunea PN în sensul de conducţie . Electronii purtători de sarcină negativă sunt
emişi de emitor spre zona bazei . Din cauza slabei dotări a acestei zone aici nu au loc
prea multe recombinări , dacă pe colector se aplică o tensiune pozitivă , electronii
traversează zona foarte subţire şi prin difuzie ajung la colector , în felul acesta cea
mai mare parte a electronilor emişi de emitor ajung la colector , şi numai o mică parte
vor circula prin circuitul de bază , rezultă că vom avea un curent de colector mult mai
mare decât cel din bază , Dacă tensiunea dintre bază şi emitor UBE creşte , mai mulţi
electroni produşi de emitor vor ajunge la colector .Deci o creştere a tensiunii dintre
bază şi emitor duce la o creştere a curentului din colector , se poate spune că putem
comanda cu un curent mic de bază , un curent mare în colector . Fenomenul se
numeşte amplificare în curent al tranzistorului
Pentru un tranzistor pnp principiul este acelaşi , numai că polarizarea este
inversă ,iar purtătorii de sarcină sunt golurile. Prin aceasta nu trebuie să se inteleagă
că putem conecta , invers un tranzistor npn si că vom obţine acelaşi rezultat ,
dimpotrivă amplificarea este nulă si o tensiune intre colector şi emitor mai mare de
1,5 volţi ar putea distruge tranzistorul

Polarizarea tranzistorului bipolar

Polarizarea cu divizor de tensiune în bază

Pentru a funcţiona în zona activă şi a fi folosit într-o schemă de amplificare de

exemplu, joncţiunile tranzistorului bipolar trebuie polarizate în curent continuu
astfel încât joncţiunea emitoare să fie polarizată direct iar joncţiunea colectoare să
fie polarizată invers. Polarizarea se face de la o singură sursă de
alimentare, existând mai multe scheme folosite în acest scop. Una dintre
cele mai utilizate scheme de polarizare în curent continuu este cea cu divizor
de tensiune în baza tranzistorului

RB1 Rc

1 I IC
IB
UCE
I I
UBE
2
E

RE

RB2

Practic, problema se pune în felul următor: cunoaştem tipul de tranzistor folosit şi

dorim polarizarea joncţiunilor sale astfel încât el să lucreze într-un anumit
punct static de funcţionare. Evident, se cunoaşte şi tensiunea de alimentare
folosită. Pentru calcularea valorilor rezistenţelor din circuitul de polarizare se
folosesc pe de o parte ecuaţiile de legătură dintre curenţii care intră
şi ies din tranzistor, în care se poate neglija influenţa curentului ICBo mult mai
mic decât ceilalţi curenţi:

I C  I B , , IE IC IB , IC IE

 În circuitul din figura se utilizează un divizor de tensiune format din RB1 şi RB2
Tensiunea UBE se obţine din căderea de tensiune pe rezistenţa RB2 , un astfel de
montaj are o funcţionare foarte stabilă .
Valorile rezistenţelor R1 şi R2 sunt mai mari decât ale celorlalte pentru a consuma
cât mai puţin curent de la sursa de alimentare, dar totodată ele trebuie să asigure
polarizarea bazei astfel încât joncţiunea emitor să fie în stare de conducţie (uzual
0,65V pentru Si).
Valoarea rezistenţei RE trebuie să fie cât mai mică posibil pentru a
consuma cât mai puţin. Teoretic ea poate să lipsească şi emitorul să fie conectat direct
la masă. Practic însă ea este necesară pentru stabilizarea termică a punctului
static de funcţionare. Valoarea rezistenţei din colectorul tranzistorului, Rc, reprezintă
şi sarcina tranzistorului atunci când acesta lucrează ca element activ în
circuitele de amplificare sau prelucrare de semnale. Valoarea ei maximă este
limitată de condiţia de conducţie a tranzistorului. Pentru o valoare prea mare,
căderea de tensiune pe ea poate fi atât de mare la un curent de colector mic
încât să nu permită trecerea tranzistorului în stare de conducţie.
De cele mai m ori, pentru a putea rezolva sistemul de ecuaţii a
circuitului de polarizare vom fi nevoiţi ca valoarea uneia dintre rezistenţe să o
alegem pe baza observaţiilor de mai sus.
Să aplicăm aceste reguli de calcul a valorilor rezistenţelor dintr-un circuit
de polarizare în curent continuu a tranzistorului bipolar pe un exemplu concret.
Presupunem că avem un tranzistor cu  = 100, pe care dorim să-l polarizăm în
curent continuu astfel încât el să lucreze în zona activă având IC = 2mA, UCE =
5V şi UEB = 0,65V. Tensiunea de alimentare este EC = 10V.

Cunoscând curentul de bază, din ecuaţia (3.7) calculăm curentul de emitor:

3 3
I E  I C  I B  (2  10  0,02  10 )A  2,02mA

Rezistenţa de emitor o putem calcula din relaţia recomandată anterior:

1 Ec 1 10
RE    495
10 I C 10 2,02  10 3

Din ecuaţia (3.9) calculăm valoarea rezistenţei din colectorul tranzistorului:

EC  U CE  I E R E 10  5  2,02 103495
RC   
IC 2 10  3
Potenţialul bazei faţă de masă, VB = I2R2, putem să-l calculăm din ecuaţia (3.12):

V B  U BE  I E R E 0,65  2,02 10 3  495  1,65V

Alegând pentru rezistenţa R2 valoarea: R2 = 10k

se poate calcula valoarea curentului I2:

V B 1,65 A  0,165ma
I   3
2 R2 10 10
În sfârşit, din ecuaţiile (3.10) şi (3.11) poate fi calculată valoarea rezistenţei R1:
EC  I 2 EC  V B 10  1,65 6
R    
 0,0457  10   45,7k
R2 I2 I (165  20)  10
1 6
I1 B

Având în vedere valorile standardizate ale rezistenţelor de uz general, vom alege

următoarele valori pentru cele patru rezistenţe de polarizare ale tranzistorului: RC
= 2k, RE = 500, R1 = 47k şi R2 = 10k.

Ecuaţia poate fi rescrisă în modul următor:

IC   U CE Ec
 (3.13)
Rc  RE Rc  RE
 în care mărimile variabile sunt IC şi UCE, celelalte fiind constante. Ea reprezintă
ecuaţia dreptei de sarcină în curent continuu şi va determina poziţia punctului
static de funcţionare al tranzistorului şi se mai poate defini ca fiind intersecţia
dintre dreapta de sarcină în curent continuu şi caracteristica de ieşire corespunzătoare
unui curent de bază prestabilit.

Bibliografie
https://ro.wikipedia.org/wiki/Tranzistor

https://hobbytronica.ro/despre-tranzistor-principii-fizice-de-functionare/

https://nistescule.ro/tipuri-de-tranzistori-si-utilitatea-lor/

https://ro.jf-parede.pt/what-is-power-transistor

https://sites.google.com/site/bazeleelectronicii/home/tranzistoare-bipolare-si-
fet/2-tranzistor-npn