MINISTERUL NVMNTULUI AL

REPUBLICII MOLDOVA

UTM
Catedra Telecomunicaii

la disciplina: Radioelectronica

TEMA: Tranzistorul bipolar KT301

A elaborat: st. gr. TLC-002 Drahnea Oleg

A verificat: conf. Bejan N.

Oformarea lucrrii:
Rezolvarea tehnic:
Susinerea lucrrii:
Nota general:

Chiinu 2001
 CUPRINS

1. Tehnologia de fabricare a tranzistorului bipolar KT301............................3

2. Procedee fizice n tranzistorul bipolar cu structura n-p-n..........................5
3. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar.........................................8
3.1 Cuplaj n schema emitor comun................................................................8
3.2 Cuplaj n schema baz comun................................................................11
3.3 Cuplaj n schema colector comun............................................................13
4. Schema echivalent a tranzistorului bipolar la diferite frecvene de
funcionare.........................................................................................................15
4.1 Frecvena joas..........................................................................................15
4.2 Frecvena medie........................................................................................16
4.3 Frecvena nalt.........................................................................................16
5. Parametrii hibruzi (H) ai tranzistorului bipolar........................................18
5.1 Legtura dintre parametrii h i parametrii fizici ai tranzistoarelor bi-
polare..........................................................................................................18
6. Funcionarea tranzistoarelor bipolare n regim de cheie electronic.......21
7. Funcionarea tranzistoarelor bipolare la frecvene nalte.........................24
8. Utilizarea tranzistorului bipolar KT301 n sisteme electronice................27
9. Parametrii de baz a tranzistorului bipolar KT301..................................29
10. Anex. Rezolvarea problemelor.................................................................29
11. Bibliografie...................................................................................................37

DOP 0 9 9. 0 0 1. 002.
Mod Coala N document Semnat Data
A elaborat Drahnea O. Litera Coala Coli

A verificat Bejan N. Tranzistorul KT301 2 37

U.T.M. Facultatea de
radioelectronic, gr.TLC-002

2
1.Tehnologia de fabricare a tranzistorului KT301.
Tranzistorul este un dispozitiv avnd o structur de tip n-p-n sau p-n-p, la care
regiunea din mijloc, adic baza trebuie s fie foarte subire i puin dotat cu
impuriti. Se consider a nota cu E-emitorul, cu B-baza i C-colectorul.
Pentru faricarea tranzistorului KT301, care este de tip n-p-n, se folosete metoda
planar. Din punct de vedere constructiv dispozitivele planare sunt caracterizate cu
aceea c toate straturile sunt realizate pe una i aceeai parte a plachetei, deaceea i
electrozii sunt plasai pe aceeai parte.
Masca n form de oxid de siliciu SiO 2 , o primim prin metoda oxidrii termice a
suprafeelor de siliciu, care posed urmtoarele proprieti:
1. Masca de oxid este legat organic cu suprafaa plachetei, avnd un contact
trainic cu ea, ceea ce exclude ptrunderea difuzorului n locul dintre masc i
suprafa.
2. Grosimea mtii de oxid (aproximativ un micron) este destul pentru aprarea
prilor respective a plachetei mpotriva atomilor ce difuzeaz.
3. Stratul d oxid n acelai timp cu funcia de mascare ndeplinete i funcia de
aprare (nseamn i a p-n jonciunii, care iese la suprafa) de la influiena
diferitor factori externi. n cazul, tehnologiilor de aliere i mesa pentru asta este
nevoie de a folosi metode speciale de protecie.
Ciclul de fabricare planar a tranzistorului n-p-n este ilustrat n figura 1. Se ea o
plachet din Si tip-n, care n structura rezultant joac rolul de colector. Pe aceast
plachet peste prima masc de oxid se efectuiaz difuzia acceptorului (de obicei
bor) i se primete stratul p al bazei. Apoi peste a doua masc se face difuzia
donorilor (de obicei fosfor) astfel primim stratul emitorului. n sfrit cu ajutorul
celei de-a treia mti de oxid se conecteaz contactele omice din aluminiu la toate
cele trei straturi i n continuar esunt lipite la aceste contacte srmulie subiri care
joac rolul de piciorue ale tranzistorului.
n varianta considerat placheta este aleas cu o rezisten destul de mare, pentru
a asigura o tensiune de strpungerea a jonciunii colectorului necesar.

SiO2

a)

b)

3
 )

E B C

d)

Figura 1. Etapele de fabricare a tranzistorului planar de tip n-p-n.

a) placheta naintea difuziei bazei.
b) placheta naintea difuziei emitorului.
c) placheta naintea alierii contactelor omice.
d) Structura rezultant a tranzistorului de tip n-p-n.

4
2. Procedee fizice n tranzistorul bipolar cu structura
n-p-n.

Figura 2.

Figura 3. Schema energetic i distribuia

curenilor n tranzistorul bipolar n-p-n.

5
 Prin procedeele fizice ce au loc n tranzistor se nelege prezentarea tuturor
fenomenelor, explicarea lor cu ajutorul prezentrii grafice a curenilor ce curg n
tranzistor.
n regim normal de funcionare tranzistorul trebuie s fi conectat n felul
urmtor: jonciunea emitorului este polarizat direct, iar cea a colectorului este
polarizat indirect.
Pentru ca tranzistorul s fie mai efectiv atunci prin metode tehnologice trebuie
ca dimensiunile bazei s fie ct mai reduse astfel nct lungimea de difuzie s fie
ct mai mare, pentru ca purttorii injectai de emitor s nu recombine n regiunea
bazei ci cea mai mare parte a lor s ajung la colector.
Tranzistorul prezint un sistem din dou jonciuni p-n ce se comport ca dou
diode cuplate n serie. Caracteristicile volt-amper (C.V.A.) a jonciunii emitorului
prezint ramura direct a caracteristicii diodei, iar a jonciunii colectorului cea
invers. Astfel proprietatea unic a tranzistorului const n interaciunea acestor
diode.
Datorit polarizrii menionate ceva mai sus, adic jonciunea emitor-baz este
polarizat direct astfel nct emitorul va injecta componenta I nE de electroni n
baz, iar baza la rndul su va injecta n emitor componenta I pE de goluri. Dar
deoarece baza este mai slab dopat cu purttori majoritari dect emitorul adic cele
dou componente snt diferite i anume componenta electronilor este mai mare
dect componeta golurilor: InE >> IpE . Dup cum am menionat baza trebuie de
realizat foarte subire atunci majoritatea electronilor vor traversa regiunea bazei
fr s recombine datorit procesului de difuzie astfel ajungnd n colector. Odat
ajuni la jonciunea colectorului i ptrunznd n colector ei snt accelerai de ctre
cmpul electric existent aici i sunt captai n circuitul exterior InC.
Dar totui ct de subire nu am realiza baza oricum o parte de electroni vor
recombina n ea i numrul electronilor ce ajung la colector va fi mai mic.
Mai exist o component care este curentul de scurgere a jonciunii colector-
baz ce este polarizat indirect.
Deci am observat c curentul emitorului este format din componenta
electronilor i componenta golurilor, adic:
IE=InE + IpE;
trebuie s menionm c se nsumeaz dei au sensuri opuse, datorit naturii diferite
a purttorilor.
Similar avem i pentru curentul colectorului:
IC=IB+I0;
Trebuie s menionm c cu ridicarea tensiunii de polarizare a jonciunii
emitor-baz, adic UBE atunci va crete i curentul emitorului.
Deoarece cea mai mare parte a componentei I nE se gsete n componenta InC
atunci observm c curentul colectorului este aproximativ egal cu curentul
emitorului, dar evident mai mic, datorit recombinrii din baz.
Deci din punct de vedere al circuitului emitor-colector, tranzistorul polarizat
normal se comport ca un generator de curent constant, a crui intensitate nu
depinde de rezistenele exterioare din circuit, ci doar de mrimea tensiunii UBE.

6
 Curentul colectorului se poate exprima n cazul unui tranzistor polarizat normal
cu ajutorul relaiei:
I C I E I CB 0 ; (1).
Unde prin ICB0 am notat curentul de scurgere al junciunii colector-baz,
emitorul fiind n gol. Cu se noteaz factorul de curent, care conform relaiei
anterioare se mai poate exprima prin relaia :
I C I CB
0
; (2).
IE
Neglijnd ICB0 n expresia 1. se obine forma echivalent:
IC I Cn
n p ; (3).
IE IE IE
De asemenea, se definete factorul de transport ca fiind raportul dintre numrul
de electroni care ies n unitatea de timp din colector n circuitul exterior i numrul
electronilor injectai de emitor n baz, adic:
I Cn
k n; (4).
IE
Evident k<1, dar cu att mai apropiat de unitate va fi cu ct baza este mai mic
subire.
n fine se mai definete eficiena emitorului astfel:
I En
; (5).
I En I Ep
ceea ce arat c emitorul este cu att mai eficace cu ct componenta golurilor este
mai mic n raport cu componenta electronilor, care constituie curentul de intrare.
Acest lucru se realizeaz dopnd ct mai puternic cu impuriti emitorul fa de
baz, dar oricum <1.
Pentru a stabili relaia care exist ntre mrimile definite, se pornete de la
relaia:
I En I En I En
k 1 ; (6).
I En I Ep I EP I En I Ep
Relaia (6) arat c factorul de curent este produsul dintre factorul de transport
i eficiena emitorului, fiind ntodeauna subunitar, atunci n mod similar factorul de
curent invers va fi:
IE
i 1 ; (7).
IC
i datorit nesimetriei structurii i<

7
3. Caracteristici statice ale tranzistorului bipolar.

Tranzistorul este un dispozitiv cu trei terminale (borne) i poate fi conectat n

circuit dup unul din montajele fundamentale, prezentate n fig.1; montajele
fundamentale sunt denumite i conexiuni fundamentale.

Figura 4. Montajele sau conexiunile fundamentale pentru tranzistorul

pnp.
aconexiunea emitor comun(EC); bconexiunea baz comun(BC);
cconexiunea colector comun(CC).
n oricare dintre conexiunile fundamentale se disting dou circuite: un circuit
de intrare, n care se aplic semnalul pentru prelucrare i un circuit de de ieire, n
care se obine semnalul prelucrat. Una din bornele tranzistorului face parte din
ambele circuite i se ia ca electrod de referin; acest electrod (terminal) este
denumit i electrod comun. Lund n consideraie care dintre cele trei borne ale
tranzistorului este considerat electrod comun se disting trei conexiuni
fundamentale i anume: conexiunea baz comun (BC); conexiunea emitor comun
(EC); conexiunea colector comun (CC).Cele mai folosite snt primele dou
caracteristici statice.
Caracteristicile statice da relaia dintre dou mrimi de la bornele tranzistorului
cnd a treia este meninut constant.

8
3.1 Caracteristicile statice n conexiune BC.

Cuplarea tranzistorului n schem baz comun, adic electrodul comun este

baza. n aceast conexiune caracteristicile statice de intrare prezint dependena
dintre curentul la intrare care prezint curentul emitorului I E, cnd tensiunea
aplicat la jonciunea emitorului este meninut constant, iar tensiunea la colector
se schimb.
Dup formele sale, caracteristicile statice snt apropiate de caracteristicile volt-
amper ale diodei. Diferena dintre caracteristicile de intrare primite, pentru diferite
tensiuni la colector nu snt mari, mai ales n conexiunea baz comun fa de cele
ale diodei.
n caracteristicile volt-amper n conexiunea baz comun la intrare este
prezentat dependena IE=f(UBE), cnd UCB=const., iar la ieire avem dependena
IC=f(UCB), cnd IE=const..
Conform figurei 5, n care avem prezentate caracteristicile de intrare, observm
o zon n care ramurile cresc liniar, aceast liniaritate depinde de puterea
tranzistorului. n general ramurile au form exponenial i se descrie bine de
expresia:
IE=A(eU -1)A eU ; (1).
EB EB

n acest ecuaie =q/kt (la temperatura T=290K 40 v-1), iar semnul

tensiunilor de intrare UEB se i-a astfel nct la deplasarea direct a jonciunii
emitoruluimrimile s fie pozitive. Mrimea A se determin cu ajutorul formulei

Figura 5.Schema de cuplare a tranzistorului n baz comun

i caracteristica de intrare corespunztoare.

I ES
A ; (2).
(1 inv )

unde IES curentul de saturaie a jonciunii emitorului;

inv coeficientul de trnsfer dup curent al tranzistorului, n curent continuu
la conectarea indirect.

9
Trebuie de menionat c i inv depind de curentul continuu la emitor i de
tensiunea aplicat la jonciunea colectorului.
n regiunea curenilor mari la cuplarea direct caracteristicile de ieire se
ndreapt, astfel unghiul de nclinare depinde de rezistena de volum a materialului
semiconductor, conectai n serie cu jonciunea emitorului.
Pentru schema cu BC defazajul ntre tensiunile de intrare i ieire lipsete, adic
faza tensiunii la amplificare nu se inverseaz. Trebuie de spus c schema cu BC
are distorsiuni mai mici dect etajul pe schema cu EC.
Caracteristicile de ieire reprezint dependena dintre curentul colectorului I C i
tensiunea UBC aplicat la jonciunea baz-colector.
n caracteristici destingem trei zone:
- Zona (1) n care caracteristicile au o form liniar i snt nclinate sub un
unghi mic fa de axa absciselor se numete activ normal. Unghiul mic de
nclinare ne arat dependena mic ntre curentul colectorului i tensiunea la
colector. Aici jonciunea emitor-baz este polarizat direct, iar jonciunea colector-
baz este polarizat indirect.
-Zona (2) este regiunea de blocare (sau tiere), n care ambele jonciuni snt
polarizate indirect. n consecin curentul emitorului este negativ, iar curentul
colectorului poate fi mai mic dect ICB0, conform relaiei IC=IE+ICB0.
-Zona (3) este regiunea de saturaie, n care ambele jonciuni snt polarizate
direct. Se observ c rezistena dinamic de ieire UCB/IC cnd IE= const. are
valori mult mai mici dect n zona (1), nclinarea zonelor fiind mult diferit de
orizontal. Aceasta este explicabil, ntruct la ieire se simte rezistena dinamic a
jonciunii colector-baz, care acum este direct polarizat .
-Zona (4) este zona n care are loc strpungerea tranzistorului.
n fine, mai exist o zon activ invers, care nu este vizibil pe grafic.
n conexiunea baz comun, n regiunea activ normal zona de cretere a
curentului colectorului este aproximativ egal cu cea a emitorului i caracteristicile
snt practic identice pentru toate tipurile de tranzistoare.

Figura 6.Caracteristica de ieire

10
 pentru tranzistorul cuplat n baz comun.

Unul dintre coeficienii cei mai utilizai de electroniti este coeficientul de

transfer dup curent i prezint raportul dintre amplitudine sau mrimea tensiunii
variabile care acioneaz la intrare i la ieire unui amplificator. Intrarea
amplificatorului prezint circuitul emitor baz, iar ieirea o constituie urmtorul
circuit, adic baz colector.
Se observ un lucru destul de important n tranzistor , i anume rezistena la
intrare este foarte mic fa de cea la ieire, n curent alternativ. Deaceia n
tranzistor la conectarea n baz comun, curentul la ieire nu depinde de rezistena
sarcinii i este egal cu:
Iie=-h21BIint;
Unde parametrul h21B se numete coeficientul de tarnsfer dup curent la un semnal
mic n schema cu baz comun n regim de scurtcircuitare a circuitului colectorului
Coeficientul h21B este o caracteristica a trnsferului unui semnal slab.
Raportul dintre curentul colectorului i cel al emitorului este notat prin K I i se
numete coeficientul de transfer dup curent:
IC
KI <1.
IE

3.2 Caracteristicile statice n conexiune EC.

Circuitul care polarizeaz tranzistorul n regiunea activ normal a

caracteristicilor statice este prezentat n figura 6.
Considernd tranzistorul un nod, aplicnd teorema lui Khirchhoff vom avea:
IE=IC+IB;
iar relaia fundamental este dat de formula:
IC=IE+ICB0;
Eliminnd din relaiile (1) i (2) IEvom obine:
IC=( IC+IB)+ ICB0;
de unde:
1
IC IB I CB 0
1 1
Se observ c:

I C I CB 0 I I CB 0 I C
C
1 I E I C I CB 0 I B I CB 0 I B
Cu ajutorul relaiei (5) se definete factorul static de ampligicare n curent n
conexiunea emitor comun. Acest factor se noteaz prin sau cu h21E.
Rezult c:

;
1
IC=IB+(+1)ICB0;

11
Produsul (+1)ICB0 se noteaz cu ICE0 i este curentul rezidual dintre emitor i
colector, cn dbaza este conectat n gol.
Trebuie s observm c numeric factorul static de amplificare este de ordinul
sutelor, iar ICE0 este circa de dou ordine mai mare dect ICB0
n asemenea conectare a tranzistorului pentru caracteristica de intrare curentul
bazei este funcie de tensiunea aplicat la baz-emitor, adic I B=f(UBE) cnd UCE=
const., iar pentru caracteristica de ieire avem IC=f(UCE) cnd IB= const..
n figura 7 este prezentat caracteristica de intrare a tranzistorului bipolar n
conexiune emitor comun.

Figura 6.Circuitul de polarizare.

Figura 7.Caracteristica de intrare ale

tranzistorului bipolar n conexiunea EC.

Pe aceast caracteristic observm c caracteristica (I) se afl mai la stnga dect

cea de-a doua, deoarece ele snt caracteristicile unei diode, formate de dou
jonciuni. Caracteristica a II-a determin curentul de intrare, care este de baz, iar
caracteristica I-a arat curentul de intrare egal cu suma curenilor printre dou
jonciuni paralele deplasate n sens direct.

12
 Caracteristicile II i III trec mai la dreapta fa de prima, fiindc curentul bazei
este numai o parte din curentul emitorului. Diferena dintre caracteristica II i III
const n aceia c la o anumit tensiune i mai mare ca ea jonciunea colectorului
este deplasat n sens indirect, iar la o tensiune mai mic jonciunea este deplasat
direct.
n figura (8) este prezentat caracteristica de ieire pentru tranzistorul de tipul
n-p-n. Aici parametrul caracteristicilor este curentul bazei i nu dl emitorului.

Figura 8.Caracteristicile de ieire ale tranzistorului

bipolar n conexiunea EC.

Ele se deosebesc mult de cele n baz comun . n primul rnd prin aceia c
ICE0 este de 50-100 ori mai mare, dect curentul ICB0, iar n al doilea rnd nclinaia
caracteristicilor este mai mare fa de cea n baz comun. n al terilea rnd, la
aceiai cretere a curentului bazei este diferit de cea a colectorului. i n fine
caracteristicile nu ajung la axa ordonatelor.
La tensiuni mici la colector se urmrete o cdere brusc a curentului
colectorului cu micorarea tensiunii la emitor-colector i idnependena curentului
colectorului de cel al bazei. Se spune ca n acest moment tranzistorul intr n regim
de saturie, aceasta explic la tensiuni mici ale colector-emitor ambele jonciuni
p-n att a emitorului ct i a colectorului snt deplasate n sens direct.
Menionm c aceast tensiune UCE la care apare regimul de saturaie, este
destul de mic.

3.3 Cuplarea tranzistorului bipolar n-p-n n colector

comun.

n figura 1 este prezentat schema de cuplare a tranzistorului n colector

comun. Tensiunea pe emitor n aceast cuplare are aceiai polaritate ca i cea de la
intrare, avnd valori apropiate de ea.

13
 Coeficientul de transfer dup curent reprezint raportul dintre curentul
emitorului i curentul bazei:
IE
KI 1
IB
Proprietatea cea mai de pre a conexiunii n colector comun este rezistena de
intrare foarte joas. Datorit rezistenei de intrare reduse tranzistorul n
conexiunea colector comun este echivalent unui generator de tensiune care se
schimb neesenial la variarea rezistenei de sarcin (bineneles pn cnd
rezistena de sarcin nu depete cu mult rezistena de ieire a generatorului).

14
4.Scheme echivalente a tranzistorului bipolar la diferite
frecvene de funcionare.
4.1. Frecven joas.

Tranzistorul bipolar n funcie de parametrii circuitului n care este conectat are

diferite comportri. n acest compartiment vom cerceta tranzistorul la frecven
joas.
Jonciunea colectorului, ct i jonciunea emitorului snt caracterizate prin nite
capaciti datorate de existena straturilor cu sarcini spaiale n regiunea jonciunii.
Deoarece jonciunea emitorului este alimentat n sens direct n capacitatea total a
acestei jonciuni va predomina componenta de difuzie a capacitii; invers, pentru
jonciunea colectorului alimentat n sens invers, va predomina capacitatea de
barier Ccb. Dei la o jonciune p-n valoarea capacitii de difuzie, n curent
alternativ efectul capacitii de barier colectorului (i emitorului) se face simit
pentru frecvene care nu sunt suficient de joase, astfel nct schema echivalent a
tranzistorului lucrnd la frecvene joase mai mari de 1000 Hz de exemplu, trebuie
s fie completat prin luarea n consideraie a acestor capaciti i n special prin
considerarea capacitii colectorului.
Capacitatea de difuzie a emitorului C BE a fost reprezentat punctat, subliniindu-se
astfel ralul ei este secundar fa de cel al capacitii de barier a colectoruluiCBC.
Expresiile capacitilor jonciunilor colectorului i emitorului se pot afla prin
rezolvarea ecuaiei Poisson pentru sarcinile spaiale din jonciunea respectiv. La
rndul ei, sarcina spaial poate fi exprimat prin diferite relaii n funcie de modul
n care snt distribuite impuritile n regiunea p i n care formeaz jonciunea. n
toate cazurile ns, capacitatea jonciunii va depinde invers proporional de
tensiunea aplicat jonciunii. Se arat c pentru jonciuni(deci i tranzistoare)
1 1
obinute prin aliere 1 pe cnd la jonciunile obinute prin cretere 1 .
U 2
U3
Pentru tensiuni UC0=5 (V), capacitatea colectorului pentru tranzistori obinui prin
aliere, este aproximativ 20-30 pF. Pentru tranzistori obinui prin cretere, la o
tensiune UC0=5 (V) , capacitatea colectorului este aproximativ 10 pF.

Figura 9. Schema echivalent a tranzistorului

la frecven joas(la conectarea n emitor comun)

15
4.2 Frecvene medii.
O deosebire esenial ntre schemele echivalente ale tranzistorului la frecven
joas i medie nu este, numai c frecvene joase mai apare i capacitatea CBC.

Figura 5. . Schema echivalent a tranzistorului

la frecven medie(la conectarea n emitor comun)

4.3. Frecvene nalte. Circuitul echivalent Giacoletto.

Figura 10. Circuitul echivalent Giacoletto

(conexiune baz comun).

n figura 4. este schema circuitului echivalent Gicoletto, pentru un tranzistor

montat n conexiunea BC.
Dup cum se vede se pot distinge trei regiuni: regiunea 1 corespunde jonciunii
emitor-baz, care fiind direct polarizat poate fi echivelent cu o rezisten r BE, de
cteva sute de n paralel cu o capacitate CBE, de ordinul a sute de pF(capacitate
de difuzie).
Regiunea 2 modeleaz fenomenul de transport al purttorilor prin baz, cu
ajutorul generatorului de curent gmUEB i al rezistenei rCE (de ordinul a zeci de k),
ce corespunde difuziei purttorilor de la emitor spre colector. Totodat, rezistena
rBB este rezistena extrinsec a bazei (baza inactiv) i este n jur de 100 .

16
 Regiunea 3 reprezint jonciunea colector-baz (invers polarizat), care se
nlocuiete cu o rezisten rBC de valoare mare (de ordinul 1M) i cu capacitatea
CBC de ordinul a civa pF (capacitatea debarier).
Punctul B corespunde regiunii active a bazei i este logic ca generatorul de
curent s depind doar de cderea de tensiune dintre emitor i baza activ (UEB).
Coeficientul de proporionalitate g m se numete panta tranzistorului i se
definete ca raportul dintre creterea infinitezimal a curentului de colector i
creterea infinitezimal a tensiunii baz-emitor care o genereaz, celelalte mrimi
fiind constante.
Aadar:
I C e
gm IC
U BE kT
i se poate demonstra c:
g m rBE h21B
n fine, pentru ca circuitul s fie complet s-au mai figurat i capacitile parazite
dintre terminale (care sunt exerioare capsulei), i anume C EC, CBC i CEB. Acestea
sunt de ordinul a 1-4 pF, deci intervin n calcul doar la frecvene foarte nalte i din
acest motiv de cele mai multe ori se pot neglija. De menionat c exceptnd r CB i
rEB care o variaie mic, ceilali parametri ai circuitului Giacoletto propriu-zis
depind puternic de punctul de funcionare static(de exemplu r CB scade cu IC, iar CBE
crete cu IC).

17
5. Parametrii H ai tranzistoarelor bipolare.
n oricare circuit de utilizare tranzistorul poate fi prezentat ca un cuadripol activ
la intrarea cruia avem tensiunea U1 i curge curentul I1 , iar la ieire tensiunea U2
i curentul I2.

Figura 11. Reprezentarea tranzistorului ca un cuadripol.

Dup cum se tie din teoria circuitelor, legtura dintre tensiune i curent poate fin
prezentat cu o funcie ce depinde de dou necunoscute iar argumente pot fi oricare
dou din: U1, I1, U2, I2. Se utilizeaz doar cele patru de mai jos:
I1=f1(U1;U2)
I2=f2(U1;U2)
U1=1(I1;U2)
U2=2(I1;U2)

Aceste funcii pot fi scrise n form diferenial:

5.1. Legtura dintre parametrii h i parametrii fizici ai

tranzistorului.
Pentru tranzistoare cel mai des se folosesc parametrii h,deoarece ei sunt mai
comozi pentru msurri. Sistemul de ecuaii care arat legtura dentre tensiune i
curent cu parametrii h are forma:
dU1=h11dI1 h12dU2
dI2= h21dI1 h22dU2 (3)
Menionm c relaia (3) s-a obinut din relaia (2).
Sensul fizic al parametrilor h este urmtorul:

18
 dU 1
h11 (4)-rezistena de intrare cnd la ieire avem scurtcircuit.
dI 2 dU 2 0

dU 1
h12 (5)-coeficientul de transfer dup tensiune cnd la intrare avem
dU 2 dI1 0

mers n gol

dI 2
h21 (6)-coeficientul de transfer dup curent cnd la ieire asigurm
dI 1 dU 2 0

regim de scurtcircuit.
dI 2
h22 (7)-conductibilitatea de ieire cnd la intrare avem mers n gol.
dU 2 dI 2 0

La ridicarea parametrilor h asigurm regimul de funcionare dup curent

continuu, iar parametrii h se msoar dup curent alternativ la valori ale
semnalului reduse. Parametrii h pot fi determinai din caracteristicile statice.

Figura 12. Schema echivalent de conectare n baz comun.

Baz comun: Emitor comun:

h 11B rE rB (1 ) h11E rB rE ( 1)
h 21B h 21E 1 *
r r
h 12B B h 12E * E
rC rC
1 *

h 22B h 22E
rC rC
Din punct de vedere numeric, domeniile uzuale pentru parametrii hibrizi h ai
unui tranzistor bipolar aliat de frecven joas sunt urmtoare:
h11 sute .....k ;

19
 h12 10-4........10-3 ;
h21 zeci.........sute;
h22 zeci S ;
Avantajul principal al descrierii tranzistorului cu paremetrii h l constituie faptul
c acetea se msoar comod. Inconvenentul lor const n faptul c nu se pot
utiliza dect la frecven joas, din urmtorul motiv: doi din aceti parametri (h 12 i
h22) se msoar cu condiia de gol la intrare; acesta se realizeaz corect la frecvene
joase, lsnd bornele respective neconectate, dar la frecvene nalte intervine
reactana capacitii dintre borne, care altereaz condiia de gol.

20
6. Funcionarea tranzistorului bipolar n regim de cheie
electronic.
Regimul de impusuri este caracteristic tranzistorului folosit n cirucuite digitale
logice i de memorie, care larg se utilizeaz n mainile de calcul, n dipozitivele
automaticii digitale, n schemele generatoarelor i transformatoarelor de impulsuri.
Pentru aceste scheme sunt tipice comutarea tranzistorului ntr-un timp scurt din
starea cu tensiunea la colector nalt i curent mic, n starea cu tensiunea
colectorului mic i curent mar(conectare) i comutarea invers (deconectare). n
acest caz tensiunea i curentul n tranzistor se schimb ntr-un diapazon larg,
deaceea n cele mai multe cazuri apare nelinearitatea caracteriticilor lui. Deaceea
regimul de impulsuri se mai numete deasemenea i regim de semnal mare.
Vom vedea schema cea mai simpl a cheie electronice fcute pe baza
tranzistorului bipolar de tip n-p-n, care conine: un tranzistor, care este conectat n
schema emitor comun, rezistenele R, R C n circuitele baz i emitor respectiv. n
circuitul emitorului este conectat sursa de tensiune EC.

Figura 13. Figura 14.

21
Dac la intrare vom aplica tensiune continu negativ atunci tranzistorul se afl n
regim mers n gol, curentul colectorului ce curge prin rezistena R C practic este
egal cu zero, iar tensiunea de la ieire este egal cu tensiunea sursei de
alimentare EC, ceea ce corespunde strii nchise a cheii electronice. Dac la
intrare avem tensiune pozitiv EB1, atunci n circuitul bazeitranzistorului curge
curentul:
U B1 U BE
I B1 unde:UBE- tensiunea baz- emitor.
R
Cu toate acestea prin circuitul colectorului curge curentul I C, care aduce la
apariia unei cderi de tensiune pe rezistena R C, ceea ce corespunde regimului
deschis a cheiei electronice.
Tensiunea de ieire n regim deschis se poate de determinat din caracteristica de
ieire ICf(UCE) la IB=IB1, care este prezentat n figura 14 i este trasat dreapta
de sarcin. De obicei trebuie ca tensiunea Uieire ct se poate de mic i puin s
depind de tensiunea de intrare i de rezistena R C. Aceste cerine sunt
satisfcute n punctul de lucru B ce se afl pe partea abrupt a caracteristicii.
Atunci: Uieire=UCesat, unde UCesat - tensiunea de saturaie, trebuie s satiafac
condiia de existen a regimului de saturaie , adic:
I Csat
I B1 , unde ICsat curentul colectorului n regim de saturaie.

Voi descrie procesele care au loc n cheia electronic, ele sunt ilustrate pe figura 15

Figura 15.
n regiunea 0-t1 ambele jonciuni sunt nchise, i tranzistorul se afl n regim de
mers n gol. n circuitul bazei curge un curent de drift format din purttori
minoritari. Acestui regim i corespunde punctul A din figura 14. Tranzistorul se afl
n regim nchis. Curentul colectorului, dup cum se vede din figura 15 , este mic i

22
egal cu curentul de scurgere a colectorului IC0. Tensiunea la ieirea cheii electronice
este apropiat de tensiunea EC, iar rezistena tranzistorului este mare:
EC
RNCHIS ;
IC0
n regiunea t1-t2 la intrarea tranzistorului acioneaz impulsul de polaritate
pozitiv, care aduce la comutarea tranzistorului n regim deschis cum jonciunea
emitorului aa i cea a colectorului. n momentul de timp t 1 punctul de lucru se afl
n A, iar apoi se depleseaz pe dreapta de sarcin n direcia punctului B. La
jonciunea emitorului se aplic tensiunea de deschidere i dac rezistena bazei R B
este mic, el repede trece n regim deschis (dependea I E=f(t) este prezentat n
figura 3.b.). n jonciunea emitorului predomin difuzia electronilor n baz. Are
loc recombinarea parial a electronilor, ns majoritatea lor trec n jonciunea
colectorului i ajung la colector. Rezistena tranzistorului se micoreaz rapid, iar
curentul ICICsat.
Din cauza micorrii tensiunii pe R C se micoreaz tensiunea colectorului, prin
urmare se micoreaz grosimea jonciunii colectorului i a sarcini din el. Are loc
ncrcarea jonciunii colectorului.
n punctul B tranzistorul trece n starea de saturaie. n acest caz se observ
injectarea electronilor din colector n baz. Jonciunea colectorului trece n starea
deschis. n baz se observ recombinarea electronilor cu golurile. Concentraia
golurilor n baz este mic, n comparaie cu concentraia electronilor care vin n
baz. Deaceea n baz are loc acumularea purttorilor minoritari-electroni. Pe
poriunea t1-t2 curentul bazei este: IB=IE-IC. Jonciunea colectorului ncepe s
participe n procesul de conectare cu un anumit timp de reinere t r, care se definete
ca timpul de trecere a purttorilor prin baz.
Timpul de mrire a curentului I C definete durata frontului tf i depinde de viteza
de ncrcare a jonciunii colectorului.
Timpul de comutare din stare deschis n stare nchis este :
tC=tr+tf ;
cum se vede din figura 15.b. tranzistorul a trecut n starea de saturaie, cnd
curentul bazei are valoarea IB4 . Mrirea de mai departe a curentului bazei la
valoarea IB5 nu aduce la mrirea considerabil a curentului colectorului I C n acest
caz se mrete numai gradul de saturaie a tranzistorului i mririi sarcinii de
neechilibru n baz.
Starea de saturaie corespunde regimului deschis al tranzistorului. n acest caz
tranzistorul are o rezisten minim Rdeschis, care este egal cu rezistena a dou
jonciuni p-n, polarizate direct:
U Csat
R deschis ;
I Csat
UCsat- tensiunea de rest n tranzistor n stare nchis.
Pe poriunea t2-t3 se termin impulsului de intrare cu polaritate pozitiv, ns
tranzistorul nu de odat se ntoarce n starea iniial. Pe poriunea t p are loc
mprtierea sarcinii de neechilibru n baz. La prima etap de conectare
concentraia purttorilor de sarcin lng jonciunea colectorului rmne practic

23
neschimbat prin urmare, se pstreaz deplasarea pe linie dreapt. mprtierea se
produce pe contul cmpului accelerator a jonciunii colectorului i recombinarea
purttorilor n regiunile bazei i colectorului. Numai dup o micorare
considerabil a purttorilor minoritari din baz, tranzistorul trece n regimul activ,
i punctul de lucru din B trece pe dreapta de sarcin n punctul A.
La trecerea tranzistorului n regim activ are loc mprtierea definitiv a sarcinii
de neechilibru peste jonciunea colectorului. Capacitatea de ieire a tranzistorului
se ncarc , iar curentul colectorului se micoreaz dup legea exponenial i dup
un aumit timp, care se numete timp de scdere t s (figura 15.d.) primete valoarea
iniial IC0.

7. Funcionarea tranzistoarelor bipolare la frecvene

nalte.
Fie c la ieirea tranzistorului bipolar, care lucreaz n regim activ, avem un
semnal alternativ cu frecvena f. Dac timpul decurgerii a proceselor fizice n
tranzistor, stimulate de schimbarea semnalului de intrare, este de aceiai mrime
sau ntrece perioada lui, atunci frecvena semnalului se numete nalt. n aa fel,
sensul de frecvene nalte este ceva relativ, deoarece este legat cu proprietile
ineriale ale unui tip de tranzistoare concret.
La frecvene nalte rezistenele reactive ale condensatoarelor circuitelor la semnal
mic, pot fi mai mici ca rezistenele difereniale ale jonciunii colectorului i
emitorului. Deaceea parametrii h devin mrimi complexe, care depind de
frecven. Cu mrirea frecvenei din cauza micorrii rezistenelor reative a
condensatoarelor se micoreaz modulul rezistenei de intrare h11 i apare un
defazaj ntre tensiunea de intrare i curent. Micorarea rezistenei reactive a
condensatorului CCbar cu creterea frecvenei, aduce la mrirea modulului
conductibilitii de intrare h22 , coeficientului h12 .
De asemenea i coeficientul h21 depinde de frecven i este strns legat de
procesele fizice ce au loc n tranzistor. Putem s avem h 21E =, h21B= gsite din
schema emitor comun i respectiv baz comun. Dependena de frecven a
coeficientului de transfer dup curent n schenma emitor comun i baz comun
sunt prezentate n figura 16 (la scar logaritmic) un sunt prezentate frecvenele
caracteristice:

24
 Figura 16.
Din figur se vede, c la frecvene nalte valoarea h21 se micorez comparativ cu
valoarea ei la frecvene mici. Acest fapt limiteaz diapazonul de frecvene , n care
poate fi utilizat tranzistorul dat pentru amplificarea semnalului.
Cel mai important parametru al tranzistorului la frecvene nalte, care
caracterizeaz proprietile sale ineriale, este frecvena de tiere a coeficientului
de transfer dup curent fT. Ea se definete ca frecvena la care modulul de transfer
dup curent n circuitul emitor comun devine egal cu unitatea.
Se poate arta c pentru ridicarea frecvenei de tiere este nevoie de micorat
grosimea bazei i rezistena rc, adic grosimea regiunii colectorului care posed o
rezisten nalt, de mrit intensitatea cmpului electric n baz, mobilitatea
purttorilor din baz i densitatea curentului. ns la micorarea grosimii bazei se
micoreaz i tensiunea de strpungere. Din cauz c mobilitatea electronilor este
de cteva ori mai mare ca a golurilor rezult c i frecvena de tiere a
tranzistorului de tip n-p-n este mai mare dect ala tranzistoarele de tip p-n-p la
aceiai grosime a bazei.
Dependena de frecven a coeficientului de transfer dup curent n schema
emitor comun este aproximat cu o funcie de tipul:
h21 E
h 21E
f (1)
1 j
f h 21E

Parametrul tranzistorului f21E , care este folosit n relaia (1) se numete frecvena
maxim a coeficientului de transfer dup curent n circuitul emitor comun . La
frecven modulul coeficientului de transfer dup curent se micoreaz de 0,707 ori
(pe 3 dB) n comparaie cu mrimea lui la frecven mic.
n regiunea frecvenelor ffh21E modulul de transfer dup curent poate fi prezentat
n forma:
h21E f h 21E
h 21E h21E
f
2
f (2)
1
f h 21E

25
 n figur acestei regiuni i corespunde poriunea liniar (n scar logaritmic),
care la f=fT este extrapolat la unitate. Prin urmare:

fT=h21Efh21E (3)

Deoarece pe poriunea liniar produsul dintre coeficientului de transfer dup

curent i frecven este constant, frecvena de tiere poate fi determinat
determinat, msurnd h21E la orice frecven, care corespunde regiunii liniare.
Dependena de frecven a coeficientului de transfer dup n schema baz
comun deasemenea poate fi aproximat la o funcie de tipul (1):
h21 B
h 21 B
f (4)
1 j
f h 21B

unde: fh21B- frecvena maxim a coeficientului de transfer dup curent n schema

baz comun. La aceast frecven coeficientul de transfer dup curent se
micoreaz de 0,707 ori n comparaie cu mrimea lui la frecvene joase (figura
16). Frecvena maxim n schema baz comun fh21B este cu mult mai mare dect n
schema emitor comun:

fh21B= fh21E(1h21E)(1m) (5) unde: m0,20,6

Frecvena cea mai nalt la care tranzistorul mai poate s genereze oscilaii n
circuitul autogeneratorului, se numete frecvena maxim de generare f max.
Frecvena maxim de generare este legat cu frecvena de tiere cu relaia :

fT
f max (6)
8 rBCCbar
n concluzie, h21E are o variaie monoton descresctoare la frecvene nalte, ceea
ce limiteaz considerabil capacitatea tranzistorului de a amplifica n acest
domeniu. Mai mult dect att, de la frecvena de tiere n sus, el nu mai este
capabil nici mcar s repete semnalul de la intrare, ci l atenueaz.

26
8.Utilizarea tranzistorului bipolar KT301 n scheme
electronice.
Tranzistoarele bipolare utilizate pot fi ntlnite n schemele electronice n cele
trei modaliti de conexiune BC-baz comun, EC-emitor comun i CC-colector
comun. ns cele mai utilizate sunt EC i CC, datorit particularitilor pe care le
posed. Voi prezenta mai jos o parte din circuitul n care se utilizeaz tranzistorul
bipolar KT301:

27
 9. Parametrii de baz ai tranzistorului KT301.

Tranzistor bipolar, planar de tip n-p-n, de putere mic frecven nalt. Se

folosete n circuite de generare i amplificare din aparatajul radioelectronic.
Masa tranzistorului nu mai mult de 0,5 grame.
Parametrii electrici:

28
1.Coeficientul de transfer dup curent n schema emitor comun U CB=10V
IE=3mA: h21E =40120
2. Tensiunea colector-baz: UCB=10V
3. Intensitatea curentului colectorului: IE=3 mA
4. Curentul colectorului maxim: ICmax=10 mA
5. Tensiunea de saturare colector-emitor la IC=10 mA, IB=1 mA: UCEsat=3 V
6. Tensiunea de saturare baz-emitor la IC=10 mA, IB=1 mA: UBEsat=2,5 V
7. Capacitatea jonciunii colectorului la UCB=10 V, f=2 MHz: CC=10 pF
8. Capacitatea jonciunii emitorului la UBE=0,5 V, f=2 MHz: CE=80 pF
9. Curentul de scurgere a colectorului: la T=298o K, UCB=UCBmax .5A
la T=398o K, UCB=10 V .50A
10. Curentul de scurgere a emitorului la UBE=3 V......10A
11. Conductibilitatea de ieire la UCB=10 V, IE=3 A, f=1 kHz3S
12. Puterea maxim: Pmax=150 mW
13. Temperatura de funcionare: T=233....358oK

10.Anex. Rezolvarea problemelor.

Problema 1.
Se d:
EC=80 (V); RS=1,8k;

29
IB=0,075 mA; IBm=0,075 mA.
Rezolvare:
Pe caracteristica de ieire trasm dreapta de sarcin prin punctele:
EC
(EC,0) i) (0, R ) adic (80V,0) i (0,44.4mA)
S

I C max I C min 20 0
I Cm 10 mA
2 2
U U C min 80 45
U Cm C max 17,5V
2 2
0,08
U BEm 0,04 V
2
I Cm 10
KI 133,33
I Bm 0,075
U 17,5
K U CEm 463
U BEm 0,04
K P K I KU 133,33 463 61731,8
U 0,04 4 103
Rint EBm 530
I Bm 0,075 10 3 7,5
I Cm
2
RS 10 4 1,8 10 3
PR 0,09W
2 2
PC U CE I C 20 10 3 45 0,9W
Dup nominalele date etajul de amplificare posed distorsiuni nelimiare.
Problema 2.
Din cauz c dup nominalele date EC=30(V) i IC=10(mA) nu pot fi soluionate
atunci vom considera datele iniiale ca n problema 1, pentru care am ales deja
punctul de funcionare:
IB=150 A; UCE=39 V prin urmare:
IB=1500,2=30 (A)
UCE=390,2=7,8 (V)

30
 Figura 1. Caracteristicile de ieire i intrare pentru
tranzistorul KT601A.

Din grafic determinm IIC=2(mA);UBE=0,02 (V); IC=1(mA);

Determinm parametrii hibrizi h:
U BE 0,02
h21E 0,67 k ;
I B U CE const
30 10 6 U CE 39V

I C 10 3
h21E 33;
I B U CE const
30 10 6 U CE 39V

I CI 2 10 3
h21E 0,25 mS ;
U CE I B const
7,8 I B 150 A

Schema echivalent a tranzistorului la frecven joas este:

Trantistorul bipolar KT601A posed urmtorii parametri la frecven nalt:

2; f=20 MHz; CC=15 pF; CE=75 pF; C=600 ps; IC=6 mA; =3.
Determinm valorile elementelor fizice ale schemei echivalente a tranzistorului
la frecvene nalte:
rC 600 ps
rB 3 3 40 120 ;
CC 15 pF
CC 15 pF
CC1 5 pF ;
3
CC2 CC CC1 15 5 10 pF ;
I C 1
rB rB 120 49 ;
IC 6

31
 1
rCE 4 k ;
h22 E
S j 20 I C 20 6 10 3 120 mS ;
rBE1 670 49 621 ;
Sj 120 10 3
C BE C E 75 1,125 F ;
lim 6,3 20 10 6
Schema echivalent a tranzistorului bipolar la frecvene nalte:

Problema 3.

32
 aracteristicile de ieire i intrare pentru tranzistorul bipolar KT601.

Rezolvare:
Pe caracteristica de ieire trasm dreapta de sarcin i detetminm Urest=15 (V)
U rest 15
Rcupl 4 10 2 ;
I Ccupl 37 10 3
PCcupl U rest I Ccupl 15 37 10 3 0,555W ;
I Csat 37 10 3
I Bcupl k sat 4 1 mA ;
kI 133,33
UBEcupl=0,42(V)-din grafic.
Pint U BEcupl I Bcupl 10 3 0,42 0,42 mW
.

Problema 4.
Date iniiale:
ED=-15 (V); ID0=3,5 (V);

33
UDS0=-5 (V); UGsmax=0,2(V);
Ubloc=-1(V); IDmax =5 (mA);
UDsmax=-15 (V); Pimp=120 (mW);

Rezolvare:
Ecuaia caracteristicii cutate are forma:
2
U GS U bloc
I D I D max ;
U GS max U bloc

2
U GS 1
ID 5 3,47 U GS 1 mA ;
0,2 1
Folosind ecuaia primit completm tabelul:

-ID, mA 0 2,22 3,13 3,47 3,82 4,2 5

UGS, V -1 -0,2 -0,05 0 0,05 0,1 0,2

Dup datele din tabel trasm caracteristica de transfer:

Figura 1.Caracteristica de transfer i caracteristica de ieire.

Trasm dreapta de sarcin tiind c :
ED=-15 V i RS=3k primim punctele (-15,0) i (0, 510-3)

I Dm I Dm

I Dm 1,6 mA ;
2

I Dm 1,6 10 3
S med 8 10 3 mS ;
U GSm 0,2
Utiliznd datele obinute putem calcula urmtorii parametri ai tranzistorului:

34
kU S med RS 8 10 3 10 3 8
;
Rint RG 1 M
U 0,2
I Gm GSm 6 0,2 mA ;
RG 10
k I S med RG 8 10 3 10 6 8000 ;
k P k I kU 8000 24 192000 ;

Problema 5.
Date iniiale:
ID0=1,3 mA;UDS0=5 (V);
CGS=7 pF; CGD=1 pF;

35
RG=50 ;

Rezolvare:
ID0=0,21,310-3 (mA)=0,2610-3 (mA);
UDS0=0,25 (V)=1(V);
I D 0,26 10 3
S 0,26 mS ;
U DS 1
U DS 1
RI 3850 ;
I D 0,26 10 3
Prezentm schema echivalent la frecvene joase a tranzistorului cu efect de cmp:

Cu ajutorul parametrilor tranzistorului la frecvene nalte putem determina

elementele schemei echivalente la frecven nalt:

Calculm pentru frecvena de 100 MHz valoarea:

k RC C GS 6,3 10 8 50 7 10 12 0,22 ;
1 k2 1 0,22
2
1
Rint RC 2 50 1083 ;
g int k 0,22 2
S0
S 0,25 mS .
1 k2

Problema 6.
Conform caracteristicii statice construite a tranzistorului cu efect de cmp (dup
rezolvarea problemei 4.), vom calcula caracteristica R=f(UDS);
Aflm punctele de blocare a tranzistorului :
U D U GS U bloc ;
punctul 1 avem: U D 0,2 1 1,2V ; U G 0,2V ;

36
punctul 2 avem: U D 0,1 1 1,1V ; U G 0,1V
punctul 3 avem: U D 0,1 1 0,9V ; U G 0,1V
punctul 4 avem: U D 0,2 1 0,8V ; U G 0,2V .

Determinm patru valori ale rezistenei tranzistorului n regim ohmic:

1,2
R~ 1 240 ;
5 10 3
1,1
R~ 2 300 ;
3,7 10 3
0,9
R~ 3 360 ;
2,5 10 3
0,8
R~ 4 450 ;
1,8 10 3
Cu ajutorul punctelor obinute trasm caracteristica: R=f(UGS):

Figura 1. Caracteristica regulatorului.

RG 10 6
Amplificarea maxim a regulatorului : k P max 2 R 2 240 2085 .
~ min

11. Bibliografie.
1. Sandu D. Electronica fizic i aplicat Iai: Editura A.I. Cuza,1994.
2. .. .: , 1991.
3. .. .:, 1977.
4. C .. .:, 1977.
5. Vasilescu G. Electronica 1993.

37