COLEGIUL SPIRU HARET PLOIETI

PROIECT PENTRU CERTIFICAREA COMPETENELOR PROFESIONALE NIVEL 3

TEMA : TRANZISTORUL BIPOLAR CALIFICAREA : TEHNICIAN N AUTOMATIZRI

PROFESOR NDRUMTOR DU IRINEL

ELEV STOIAN MDLINA CRISTINA

2012

CUPRINS
Argument.................................................................................pag 3 1. -Noiunea de tranzistor bipolar. Structura si jonciunile tranzistorului bipolar..........................................pag 5 2. -Tranzistorul bipolar ca element al circuitului................pag 6 3. -Regimul de lucru i procesele fizice n tranzistorul bipolar.................................................................pag 7 3.1 -Regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare......................pag 7 3.2 -Regim de blocare................................................................pag 7 3.3 -Regim de saturaie..............................................................pag 8 3.4 -Regimul activ......................................................................pag 8 3.5 -Regim activ invers..............................................................pag 11 4. - Dependena parametrilor tranzistorului de temperatur.............................................................................pag 12 4.1 -Influena temperaturii asupra parametrilor semiconductorilor..............................................................pag 12 4.2 -Modificarea parametrilor tranzistoarelor bipolare la variaia temperaturii.........................................pag 13 4.3 -Dependena caracteristicilor tranzistorului bipolar de temperatur.......................................................pag 16 4.4 -Regimul limit de funcionare pentru tranzistoarele bipolare la variaia temperaturii.........................................pag 18 Bibliografie...............................................................................pag 21

ARGUMENT

tiina este un ansamblu de cunotine abstracte i generale fixate ntrun sistem coerent obinut cu ajutorul unor metode adecvate i avnd menirea de a explica, prevedea i controla un domeniu determinant al realitaii obiective. Descoperirea i studierea legilor i teoremelor electromagnetismului n urm cu un secol si jumtate au deschis o er nou a civilizaiei omeneti. Mecanizarea proceselor de producie a constituit o etapa esenial n dezvoltarea tehnic a proceselor respective i a condus la uriae creteri ale productivitii muncii. Tranzistorul a fost inventat la Bell Telephone Laboratories din New Jersey n decembrie 1947 de John Bardeen, Walter Houser Brattain, i William Bradford Shockley. Descoperirea tranzistorului a determinat dezvoltarea electronicii fiind considerat una din cele mai mari descoperiri ale erei moderne. n viaa de zi cu zi fiecare persoan utilizeaz aparatura audio-video, aparate electrocasnice i multe alte tipuri de aparate far de care viaa fiecruia dintre noi nu ar mai avea farmec. Fiecare dintre aceste produse prezint n componena lor elemente de circuit electronice cu un grad de dificultate mai mic sau mai mare. Dup etapa mecanizrii, omul ndeplineste n principal funcia de conducere a proceselor tehnologice de producie. Se constat astfel c la un anumit stadiu de dezvoltare a proceselor de producie devine necesar ca o parte din funciile de conducere s fie transferate unor echipamente i aparate destinate special acestui scop reprezentnd echipamente i aparate de automatizare. Prin automatizarea proceselor de producie se urmrete asigurarea tuturor condiiilor de desfurare a acestora far intervenia operatorului uman. Lucrarea de fa realizat la sfaritul perioadei de perfecionare profesional n cadrul liceului, consider c se ncadreaz n contextul celor exprimate mai sus. Doresc s fac dovada gradului de pregatire n meseria de Tehnician Electronist, cunotine dobndite n cadrul disciplinelor de
3

nvmnt Bazele Automatizrii, Electronic Analogic, i Electronic Digital. Tranzistorul nlocuieste cu succes clasica lamp electronica de radio, cu rol de amplificator de semnal, trioda. Iat de ce nu este de mirare c inventarea noului dispozitiv a speriat marile firme productoare de piese de radio, care au vazut n tranzistor mai curand o grav ameninare, dect un avantaj economic.De aceea, la nceput, doar firma Bell Telephone, n laboratoarele creia a fost realizat descoperirea, a dezvoltat i perfecionat tranzistorul, fcndu-l apt pentru aplicaii pe scar larg. Prima aplicaie a fost fabricarea de proteze acustice tranzistorizate i a fost realizat de ctre firma Raytheon, n 1953. n acest domeniu se simea nevoia unor aparate sensibile cu dimensiuni mici. n lucrarea prezentat ncerc a arata dependena de ceea ce noi numim tranzistor i de a explica rolul su funcional n zilele noastre. Consider c tema aleas n vederea obinerii diplomei de atestare n specialitate de Electronist dovedete capacitatea mea de a sistematiza si sintetiza cunotinele, de a rezolva problemele teoretice dar i practice, folosind procese tehnologice din specializarea n care lucrez.

TRANZISTORUL BIPOLAR
1. Noiunea de tranzistor bipolar. Structura i jonciunile tranzistorului bipolar
Tranzistor bipolar este numit dispozitivul electronic cu trei pini i dou sau mai multe jonciuni p-n ce interacioneaz ntre ele. n tranzistor se rnduiesc trei regiuni semiconductoare, pentru care pe placheta de izolator din Si-i, prin metoda epitaxial - planar se formeaz regiunile colectorului (C), bazei (B) i emitorului (E) (fig.1.1). Pentru aceasta, n regiunea Si-n, ce servete drept colector, prin metoda difuziei este format regiunea bazei Si-p. n aceast regiune, prin metoda difuziei locale, este format emitorul Si-n cu concentraie major a impuritilor donoare.
C B1 p n Si-i E1 n C Jonciunea emitorului Jonciunea colectorului Fig.1.1. Structura tranzistorului bipolar tip n-p-n

La frontiera regiunii emitorului cu cea a bazei i de asemenea la frontiera regiunii bazei cu cea a colectorului se formeaz dou jonciuni p-n emitor i colector (dup denumirea regiunilor laterale ale structurii). Jonciunile interacioneaz dac distana ntre ele WB , numit limea bazei, este cu mult mai mic dect lungimea de difuzie a purttorilor de sarcin mobili ( WB < < L p ,n ). Lungimea de difuzie L p ,n este distana pe care o parcurge electronul sau golul din momentul apariiei n semiconductor pn la recombinare. De regul, suprafaa jonciunii colectorului este mai mare ca suprafaa jonciunii emitorului. Regiunea emitorului trebuie s posede o electroconductibilitate mai nalt ca cea a bazei i a colectorului. Concentraia impurtilor n regiunile tranzistorului bipolar trebuie s respecte inegalitatea.
N E > 100 N B N C . (1.1)

2. Tranzistorul bipolar ca element al circuitului

n dependen de alternarea regiunilor, dup tipul de electroconductibilitate, se deosebesc structuri tip p-n-p i n-p-n. n fig.1.2 sunt prezentate structurile p-n-p i n-p-n ale tranzistorului bipolar i reprezentarea lor n circuitele electrice.
JE E p B E C p-n-p n p JC C E n B JE p E C n-p-n JC C n

Fig.1.2. Reprezentarea tranzistoarelor bipolare

Ca element al circuitului electric, tranzistorul bipolar este utilizat n aa mod, ca unul din pini s fie conectat la intrare, iar altul la ieire. Al treilea pin este comun. n dependen care din pini este comun, se deosebesc trei circuite de conectare ale tranzistoarelor bipolare: - baz comun (BC); - emitor comun (EC); - colector comun (CC). n fig.1.3. sunt prezentate aceste trei modificri de cuplare a tranzistorului bipolar n circuitul electric.
IE Iintr. BC IC IB Iie. IB Iintr. EC IC Iie. IE IB Iintr. CC IE Iie. IC

Fig.1.3. Schemele de conectare ale tranzistoarelor bipolare

3. Regimul de lucru i procesele fizice n tranzistorul bipolar 3.1. Regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare
n timpul funcionrii tranzistorului la bornele sale este aplicat tensiune de la sursa de alimentare n curent contionuu. n dependen de polaritatea tensiunii aplicate, fiecare din jonciunile p-n ale tranzistorului bipolar poate fi polarizat direct sau indirect, adic sunt posibile patru modaliti de funcionare a tranzistorului (tab.1.1). Tabelul 1.1 Modalitile de funcionare a tranzistorului bipolar
Denumirea jonciunii Jonciunea emitorului Jonciunea colectorului Jonciunea emitorului Jonciunea colectorului Jonciunea emitorului Jonciunea colectorului Jonciunea emitorului Jonciunea colectorului Conectarea jonciunii Invers Invers Idirect Idirect Direct Dnvers Invers Direct Denumirea regimului de funcionare a tranzistorului Regim de tiere (blocare) Regim de saturaie Regim activ normal Regim activ invers

3.2. Regim de blocare

n regim de blocaj ambele jonciuni p-n sunt polarizate indirect. Prin bornele tranzistorului circul curenii de scurgere a jonciunilor polarizate indirect, care reprezint parametrii statici ai regimului dat. n fiecare din cele trei scheme de conectare a tranzistorului aceti parametri posed valori determinate. Ele sunt prezentate sub forma urmtoare: pentru circuitul cu BC - I EB 0 , I CB 0 , I EBS , I CBS ; pentru circuitul cu EC - I BE 0 , I CE0 , I BES , I CES ; pentru circuitul cu CC - I BC0 , I EC 0 , I BCS , I ECS . Primul indice n reprezentare determin pinul prin care circul curentul, al doilea schema de conectare, al treilea, condiiile n regiunea rmas a schemei (0 lipsa curentului, adic mers n gol; S scurtcircuit).

3.3. Regim de saturaie

n regimul de saturaie ambele jonciuni p-n sunt polarizate direct, jonciunile sunt saturate cu purttori de sarcin mobili, rezistenele lor sunt reduse. Regiunea EC posed o conductibilitate nalt i poate fi considerat ca scurtcircuitat. Parametrii statici reprezint curenii de saturaie I E sat , I C sat , I B sat i tensiunile de rest ( U BE sat , U CE sat ).

Raportnd mrimile tensiunilor i curenilor, obinem rezistena de saturaie:

R C sat = U CE sat I C sat

R B sat =

U BE sat I B sat

3.4. Regimul activ normal

n fig.1.4 este reprezentat modelul plan unidimensional al tranzistorului bipolar, jonciunea emitor a creia este polarizat direct, iar cea a colectorului indirect. Aceast conectare corespunde regimului activ.
IEp= IE JE IE p JC IEp n p

IC

UEB

IEn I B rec

IB

ICB0 UCB

Fig.1.4. Micarea purttorilor de sarcin i curenii n tranzistorul bipolar (regim activ)

Principiul de funcionare a tranzistorului bipolar n regim activ se bazeaz pe utilizarea urmtoarelor fenomene: - injecia purttorilor de sarcin prin jonciunea emitorului; - purttorii injectai prin baz care circul drept rezultat al fenomenelor de difuzie i drift; - recombinarea purttorilor de sarcin n regiunea bazei;

extragerea purttorilor minoritari din baz n regiunea colectorului prin intermediul cmpului electric, format de jonciunea colectorului. Injecia purttorilor de sarcin duce la trecerea prin jonciunea emitorului a curenilor de difuzie (a golurilor I E p i electronilor I E n ). n circuitul extern al emitorului circul curentul de injecie: U q . (1.2) kT
I E = I E p + I E n = I EB 0 (e
EB

1)

Pentru structura tranzistorului tip p-n-p relaia ntre concentraiile impuritilor din regiunile emitorului ( N acc ) E i bazei ( N don ) B se determin ca: ( N acc ) E 100 ( Ndon ) B . Din aceste considerente se obine I E p > > I E n . Injecia purttorilor de sarcin din emitor n baz mrete concentraia purttorilor minoritari n regiunea bazei. Concentraia lor la frontiera jonciunii emitorului pentru structura tip p-n-p se determin din relaia:
pn = pn 0 e
qU E kT

(1.3)

Sarcina golurilor, aprute momentan n apropierea jonciunii emitorului (~ 10-17 s), se compenseaz cu sarcina electronilor, ce ptrund n baz de la sursa de alimentare UEB. Circuitul emitor baz devine blocat i asigur circulaia curentului emitorului.Sub aciunea gradientului concentraiei purttorilor de sarcin se produce micarea de difuzie a golurilor i electronilor prin regiunea bazei de la emitor spre colector. Concomitent cu difuzia golurilor n baz, are loc i recombinarea lor cu electronii. n locul electronilor care se recombin n regiunea bazei din circuitul extern al sursei de alimentare UEB sunt injectai ali electroni, formnd curentul de recombinare al bazei I B rec , alturi de curentul electronilor injectai I En . Deoarece limea bazei este considerabil mai mic ca lungimea de difuzie a purttorilor de sarcin ( WB < < L p ,n ) , micorarea concentraiei purttorilor de sarcin n regiunea bazei din cauza recombinrii este nesemnificativ, iar curentul de recombinare I B rec este mai mic dect curentul emitorului I E cu un ordin-dou. Golurile injectate de emitor n regiunea bazei se apropie de jonciunea colectorului polarizat indirect, nimerind n cmpul de accelerare a acestei jonciuni i sunt transferate n colector. n aa mod se formeaz componenta dirijat a curentului colectorului: I C p = I E I B rec I E n = I E p I B rec . Procesul de tranziie a purttorilor de sarcin minoritari prin baz este caracterizat de coeficientul de transfer .Coeficientul de transfer depinde de lrgimea bazei WB i lungimea de difuzie a golurilor L p
= I Cp I Ep 1
2 WB . ( 2L p )2

(1.4)

Cu ct mai multe goluri sunt injectate din emitor n baz, cu att mai major este curentul colectorului. Din aceste considerente curentul I C este proporional cu curentul emitorului i se numete curentul dirijat al colectorului. Utiliznd relaia (1.4), se obine I C p = I E = EI E (1.5) Coeficientul E este numit coeficient integral de transfer al curentului emitorului n circuitul colectorului. Dac apelm la relaia (1.4), primim:
p

E =

IC p IE

IC p IE p = . IE p IE

(1.6)

Posibilitatea de dirijare cu curentul de ieire al tranzistorului, modificnd valoarea curentul de intrare, este o proprietate important a tranzistorului bipolar, ceea ce ofer posibilitatea de a-l utiliza n calitate de element activ n circuitele electronice. n afar de componenta dirijat a curentului colectorului I C prin electrodul colectorului circul i componenta nedirijat a curentului, numit curentul de scurgere a jonciunii p-n polarizate indirect. El este analogic curentului diodei semiconductoare cuplate indirect i de aceea a primit denumirea de curentul de scurgere al colectorului I CB 0 . Aici indicii C indic curentul jonciunii colectorului cuplate indirect; B msurrile au loc n schema de cuplare BC; 0 msurrile au loc pentru I E = 0 , adic pentru regim mers n gol la intrare. Direcia curentului de scurgere a colectorului I CB 0 corespunde cu componenta dirijat a curentului colectorului i de aceea I C = I E + I CB 0 . (1.7) Curentul I CB 0 n circuitul bazei este orientat invers curentului de recombinare n baz I B rec i curentului de injecie I n inj I B = I B rec I CB 0 + I n inj . (1.8) n circuitul emitorului curentul de injecie se determin ca suma curentului colectorului I C i curentul bazei I B : IE = IC + IB . (1.9) Relaiile (1.8) i (1.10) determin legtura dintre curenii tranzistorului i sunt adecvate pentru oricare din circuitele de conectare. Procese analogice au loc i n tranzistorul tip n-p-n, cu unic deosebire c n loc de goluri trebuie s vorbim despre electroni i invers. Direciile curenilor continui i polarizarea tensiunilor de alimentare ce corespund regimului activ sunt prezentate n fig.1.3. n circuitele EC i CC (fig.1.3) curentul de dirijare este curentul bazei, iar relaia pentru curentul colectorului (1.8) poate fi scris n felul urmtor: I C = I E + I CB 0 = ( I C + I B ) + I CB 0 ; I C I C = I B + I CB 0 ;
p

10

IC =

1 IB + I CB 0 = I B + I CE 0 , 1 1

(1.10)

unde:

schema EC, sau curentul de scurgere a tranzistorului bipolar.

= este coeficientul de amplificare dup curent n schema de cuplare EC; 1 1 I CB 0 = ( 1 + ) I CB 0 = I CE0 - componenta nedirijat a curentului colectorului n 1

Pentru schema CC curentul de ieire este curentul emitorului. Din aceste considerente
I E I B = I C = I E + I CB 0 ; 1 I IE = I B CB 0 , 1 1 I E = K I I B + I CE 0 , KI = 1 =+1. 1

sau unde

(1.11)

3.5. Regim activ invers

n regim activ invers jonciunea emitorului este cuplat invers, iar jonciunea colectorului direct. De aceea, n comparaie cu regimul activ, n regim de inversie injecia purttorilor de sarcin este nfptuit de jonciunea colectorului, iar extracia purttorilor de jonciunea emitorului. Practic, emitorul i colectorul i schimb funcia i poziia n circuit. Pentru schema de cuplare BC: I E = i I C + I EB 0 , (1.12) unde i este coeficientul de transfer invers. Deoarece suprafaa jonciunii emitorului este cu mult mai mic dect cea a jonciunii colectorului i N C < N B , atunci i < . Pentru schema CC
I E = i I B + ( 1 + i ) I EB 0 .

(1.13)

Pentru schema EC

11

I C = ( 1 + i ) I B + ( 1 + i ) I EB 0 .

(1.14)

4. Dependena parametrilor tranzistorului de temperatur 4.1. Influena temperaturii asupra parametrilor semiconductorilor
Dependena parametrilor i caracteristicilor dispozitivelor semiconductoare de temperatur este condiionat de faptul c proprietile fizice ale materialului semiconductor ntr-o msur mare se modific sub influena temperaturii. De exemplu, conductibilitatea specific a semiconductorului este determinat de relaia = q ( n n + p p ) , (1.15) unde: n , p prezint mobilitatea purttorilor de sarcin ce sunt funcie de temperatur; n , p - concentraia purttorilor de sarcin. Dependena tipic a conductibilitii specifice a semiconduc-torului de temperatur este prezentat n fig.1.5.
, cm 1
103 102 10

N 3 > N 2 > N1 N3 N1 N2
40 50

1 0 10 20 30

1000 T, K

Fig.1.5. Dependena electroconductibilitii specifice a semiconductorului cu impuritii de temperatur

La temperatur foarte joas n semiconductor electronii ce se afl pe ultimul nivel energetic interacioneaz ntre ei foarte puternic. Cu majorarea temperaturii la are loc ionizarea atomilor de impuriti i majorarea concentraiei purttorilor de sarcin mobili. Majorarea valorii conductibilitii specifice are loc dup legea Tn , unde n este un numr ntreg sau fracionar. Cu mrirea de mai departe a temperaturii toi atomii de impuriti sunt ionizai, concentraia purttorilor de sarcin intrinseci rmne s fie nesemnificativ i, ca urmare, conductibilitatea specific scade din cauza micorrii mobilitii purttorilor de sarcin = f (T 3 2 ) . Majorarea de mai departe a conductibilitii specifice cu creterea temperaturii are loc din cauza apariiei perechilor electron gol n semiconductorul intrinsec.

12

4.2. Modificarea parametrilor tranzistoarelor bipolare la variaia temperaturii

Rezistena jonciunii emitorului depinde de temperatur n modul urmtor

rE = kT , qI E

(1.16)

unde: k este constanta lui Boltzman; T - temperatura; q - sarcina electronului; I E curentul emitorului. Se observ c odat cu majorarea temperaturii pentru curentul emitorului constant rezistena rE crete. Rezistena bazei este determinat de relaia
rB rE = kT , qI E

(1.17)

unde este coeficientul de transfer dup curent n cuplarea tranzistorului EC. Rezistena colectorului tranzistorului (fr drift) n cazul jonciunii abrupte
rC = U CE WB , I ELC

(1.18)

unde: U CE este tensiunea ntre baz i colector; WB - grosimea bazei; L C - grosimea jonciunii colectorului. Pentru tranzistorul cu drift
rC = 3U CE WB . I ELC

(1.19)

Pentru a determina influena temperaturii asupra rezistenei jonciunii colectorului este necesar de a analiza caracteristicile n funcie de temperatur a parametrilor ce intr n componena relaiei (1.19). Se cunoate c
=

Coeficientul de transfer al curentului n cuplaj BC este determinat de relaia = M , (1.21) este coeficientul de injecie; - coeficientul de transfer; M - eficacitatea unde: colectorului. Cu majorartea temperaturii crete puin i valoarea coeficientului de transfer 2 = 1 WB 2L2n ,p , deoarece se mrete neesenial i lungimea de difuzie a purttorilor de sarcin L n ,p . Aceasta provoac majorarea coeficientului de transfer

. 1

(1.20)

13

dup curent . Majorarea valorii lui provoac creterea lui . Modificarea valorii constituie 0,03...0,05% o C . Curentul emitorului depinde de temperatur
I E = I EB 0e
qU EB kT

(1.22)

unde I EB 0 este curentul termic al jonciunii emitorului. Cu majorarea temperaturii, curentul emitorului crete din cauza modificrii valorii I EB 0 , dup legea exponenial, i este mai evideniat la temperaturi nalte (se mrete de dou ori la fiecare 10 grade n variaia temperaturii). Jonciunea colectorului este asimetric i grosimea poate fi exprim prin relaia
LC = 2 0 C U CB , q N

(1.23)

unde: N este concentraia impuritilor n regiunea jonciunii colectorului; C bariera de potenial. Fiindc U CB > > C asupra grosimii jonciunii influeneaz nivelul concentraiei purttorilor de sarcin cu modificarea temperaturii. Deoarece concentraia purttorilor de sarcin se mrete odat cu creterea temperaturii, grosimea jonciunii scade. n aa mod, la o temperatur nu prea nalt cea mai mare influen o va avea majorarea coeficientului de transfer , ceea ce va provoca mrirea rezistenei jonciunii colectorului. La temperatur mai nalt va avea loc micorarea rC din cauza influenei tot mai mari a curentului emitorului I CT = I CT e T , (1.24) unde
0

T = T T0 ; =

E . kT02

La T = 300 (K ) , = 0,1 (K 1 ) pentru germaniu i = 0,16(K 1 ) pentru siliciu. Dac vom trece de la logaritmul natural la cel in baza 2, obinem
I CT = I CT0 2
T TY

(1.25)

unde TY =

ln 2 este temperatura de dublare a curentului termic. Pentru jonciunea fabricat din germaniu, TY = 7 K , din siliciu - TY = 4,5 K .

Dependena de temperatur a parametrilor din schema echivalent analiza este prezentat n fig.1.6.

14

un. rel .

(1 )

2,0 1,5 1,0 0,5

rC rE rB

( 1 )
40 0

I CB 0

rB

rE I CB 0 rC

80

40

T , oC

Fig.1.6. Dependena parametrilor fizici de temperatur pentru tranzistorul bipolar

Dup cum se cunoate, tranzistorul bipolar poate fi prezentat ca cuadripol liniar. Parametrii h ai tranzistorului sunt legai de parametrii schemei echivalente prin relaiile urmtoare
h11b = rE + rB (1 ) ; rB 1 ; h 22b = r ; rC C h11e = rB + rE (1 + ) ; h 21e = ; 1 r 1 1 h12e = E ; h 22e = = *. * rC rC (1 ) rC h11b = ; h12b =

(1.26)

n practic, de obicei, apare problema invers dup parametrii h cunoscui se determin parametrii fizici
rB = h11e h12e ( 1 + h 22e ) ; rE = h12e ; rC = 1 + h 21e . h 22e h 22e h 22e

(1.27)

Dependena de temperatur a parametrilor h pentru tranzistorul bipolar este prezentat n fig.1.7.

un. rel . h12 e h22 e h11e h21e

4,0 3,0 2,0 1,0

40 20

20

40

T , oC

Fig.1.7. Dependena parametrilor h de temperatur pentru tranzistorul bipolar

15

4.3. Dependena caracteristicilor tranzistorului bipolar de temperatur

Cu majorarea temperaturii, curentul emitorului se mrete esenial i caracteristica de intrare pentru schema de conectare BC are forma indicat n fig.1.8. Deplasarea caracteristicilor are loc aproximativ cu 1...2mV o C . Curentul de ieire (curentul colectorului) se determin conform relaiei I C = I E + I CB 0 . (1.28) Rezult c pentru curent constant al emitorului modificarea absolut a curentului colectorului va fi urmtoarea: dI C = I Ed + dI CB 0 . (1.29) Modificarea relativ pentru curentul colectorului este
dI C I E dI d I CB 0 dI CB 0 = d + CB 0 = + . IC IC IC I C I CB 0

(1.30)

Din cauza c modificarea coeficientului nu este major, iar I CB 0 I C este de ordinul 10 6...103 , atunci devierea caracteristicilor de ieire cu temperatura pentru schema BC este nesemnificativ (fig.1.8). Pentru schema de conectare EC curentul de intrare este curentul bazei care aproximativ este determinat din formulele Ebers Moll n modul urmtor:
UE UC e T 1 + ( 1 ) I e T 1 , I B = ( 1 ) I ECB i CBC

(1.31)

unde: prezint coeficientul de transfer n regim activ; i - coeficientul de transfer n regim de inversie; T = kT q - potenialul termic; I ECB , I CBC - curenii inveri ai jonciunii emitorului i colectorului. Caracteristicile de intrare, msurate pentru diferite temperaturi, se intersecteaz, deoarece unele componente din relaia (1.32) depind n mod diferit de temperatur (fig.1.9).

16

I C , mA I E , mA 50 oC

60 oC 50 oC 20 oC I E = 10 mA I E = 6 mA I E = 2 mA

4
3

80 oC

12
9
20 oC

2 1
0 100

6 3 0

200 U EB , mV

5 10 15 U CB , mV

Fig.1.8. Dependena de temperatur a parametrilor h

I B , A

45 oC

20 oC

100 80 60 40 20 0

100 U BE , mV

Fig. 1.9. Dependena de temperatur a caracteristicilor de intrare n schema de cuplare EC

Curentul colectorului pentru schema de conectare EC se scrie n forma urmtoare: I C = I B + ( + 1) I CB 0 . (1.32)

17

I C , mA I B = 40 A 30 A

12
10 8 6

4 2
0 5

10 A I B = 40 A 30 A 20 oC 20 A 10 A

2 0A

60 oC

10

U CE ,V

Fig.1.10. Dependena de temperatur a caracteristicilor de ieire n schema cu EC

Instabilitatea relativ a curentului colectorului pentru I B = 0

dI C d I CB 0 dI CB 0 dI ( + 1) + = ( + 1) C , (1.33) I C EC I C I CB 0 I C BC adic se mrete n comparaie cu conectarea BC de ( + 1) ori. Din relaia (1.33) se

observ c modificarea caracteristicilor de ieire a tranzistorului conectat n schema EC este semnificativ. De exemplu, dac n diapazonul dat de temperaturi n schema BC modificarea formei caracteristicilor de ieire va fi de cteva procente, atunci pentru conectarea EC ea va constitui sute de procente. n fig.1.10. sunt prezentate caracteristicile de ieire ale tranzistorului bipolar conectat n schema EC, obinute pentru cteva valori ale temperaturii.

4.4. Regimul limit de funcionare pentru tranzistoarele bipolare la variaia temperaturii

Se cunoate c odat cu majorarea temperaturii considerabil se mrete concentraia purttorilor de sarcin minoritari n funcie de lrgimea benzii interzise a semiconductorului. Cnd concentraia purttorilor de sarcin minoritari se apropie de concentraia purttorilor de sarcin majoritari, funcionarea dispozitivului semiconductor se deregleaz. Temperatura maxim de lucru este determinat de energia de ionizare a semiconductorului i concentraia impuritilor. Pentru tranzistoarele fabricate din germaniu temperatura maxim de funcionare variaz n limitele 70...100o C , iar pentru cele din siliciu n limitele 125...200 o C . Aceasta se datoreaz diferenei dintre lrgimea benzii interzise (pentru germaniu 0,72 eV , siliciu 1,1 eV ). Limita de jos a temperaturilor de lucru este determinat de energia de ionizare a impuritilor ( 0,05...0,01 eV ), i reprezint aproximativ 200 o C . Practic diapazonul minim al temperaturilor de lucru este limitat de diferii factori tehnologici i de particularitile constructive i se plaseaz n limitele 70... 60 o C .

18

Dintre toate regiunile din structura tranzistorului cea mai mare putere este disipat pe jonciunea colectorului, deoarece ea posed rezisten electric mai major. Pentru funcionarea normal tranzistoarele de putere sunt utilate cu radiatoare iar puterea disipat de jonciunea colectorului poate fi determinat conform relaiei
PC = Tn TC , R T R TC

(1.34)

unde: Tn este temperatura jonciunii colectorului; TC - temperatura mediului; R T rezistena termic a jonciunii colector - carcas ; R T C - rezistena termic radiator mediu. Rezistena termic este un parametru important al tranzistorului i este indicat n ndrumarele respective. De obicei ea se exprim n grade celsius pe miliwat sau grad celsius pe wat i pentru majoritatea tranzistoarelor se plaseaz n limitele 30...200 o C W . Temperatura maxim admisibil determin regimurile de limit dup curent, tensiune i putere. Cu creterea temperaturii, curba puterilor admisibile se deplaseaz n jos (fig.1.11). Suprafaa radiatorului este determinat de relaia S R = BPC , (1.35) 2 unde B este coeficientul termic cm W .
IC , A I C max PC max I B = 200 mA T1 150 mA T2 100 mA 50 mA 25 mA

4
3

2 1
0 5

10 U CE max U CE , V

Fig. 1.11. Dependena de temperatur a regimurilor de funcionare a tranzistorului

Dependena experimental care leag variaia de temperatur t p i coeficientul termic B este prezentat n fig.1.12. Curba 1 corespunde conveciei libere a aerului, iar curba 2 rcirii forate (viteza fluxului de aer aproximativ 300 m s ).
B, cm 2 W
80 60 40 20 0 2 20 40 1

19
60 80 t , oC p

Fig.1.12. Dependena de temperatur a coeficientului termic

n aa mod la proiectarea aparatajului radioelectronic cu tranzistoare ce lucreaz ntr-un diapazon larg de temperaturi i este important de a cunoate ce influen are temperatura asupra parametrilor i caracteristicilor elementului activ i care sunt limitele n funcionarea acestui dispozitiv electronic.

BIBLIOGRAFIE:
20

1. Valenoks, Dispozitive semiconductoare, Fundaia Design de Aparate Electronice - M. Dodeka 2001. 2. Sandu D. Electronic i Fizic Aplicat . V.1. Iai; Editura A.I.Cuza -1994. 3. D.Dasclu, A.Rusu, M.Profirescu, I.Costea Dispozitive i Circuite Electronice. Bucureti; Editura Didactic i Pedagogic - 1982. 4. Zamfir V. Bazele Radioelectronicii. Timioara; Facla - 1987.

21