PROIECT PENTRU CERTIFICAREA COMPETENŢELOR

PROFESIONALE

TEMA :
TRANZISTORUL BIPOLAR

CALIFICAREA :

PROFESOR ÎNDRUMĂTOR ELEV

 CUPRINS

Argument.................................................................................pag 3
1. -Noţiunea de tranzistor bipolar. Structura si
joncţiunile tranzistorului bipolar..........................................pag 5

2. -Tranzistorul bipolar ca element al circuitului................pag 6

3. -Regimul de lucru şi procesele fizice în

tranzistorul bipolar.................................................................pag 7
3.1 -Regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare......................pag 7
3.2 -Regim de blocare................................................................pag 7
3.3 -Regim de saturaţie..............................................................pag 8
3.4 -Regimul activ......................................................................pag 8
3.5 -Regim activ invers..............................................................pag 11

4. - Dependenţa parametrilor tranzistorului de

temperatură.............................................................................pag 12
4.1 -Influenţa temperaturii asupra parametrilor
semiconductorilor..............................................................pag 12
4.2 -Modificarea parametrilor tranzistoarelor
bipolare la variaţia temperaturii.........................................pag 13
4.3 -Dependenţa caracteristicilor tranzistorului
bipolar de temperatură.......................................................pag 16
4.4 -Regimul limită de funcţionare pentru tranzistoarele
bipolare la variaţia temperaturii.........................................pag 18
Bibliografie...............................................................................pag 21

2
 ARGUMENT

Ştiinţa este un ansamblu de cunoştinţe abstracte şi generale fixate într-

un sistem coerent obţinut cu ajutorul unor metode adecvate şi având menirea
de a explica, prevedea şi controla un domeniu determinant al realitaţii
obiective.
Descoperirea şi studierea legilor şi teoremelor electromagnetismului
în urmă cu un secol si jumătate au deschis o eră nouă a civilizaţiei omeneşti.
Mecanizarea proceselor de producţie a constituit o etapa esenţială în
dezvoltarea tehnică a proceselor respective şi a condus la uriaşe creşteri ale
productivităţii muncii.
Tranzistorul a fost inventat la Bell Telephone Laboratories din New
Jersey în decembrie 1947 de John Bardeen, Walter Houser Brattain, şi
William Bradford Shockley. Descoperirea tranzistorului a determinat
dezvoltarea electronicii fiind considerat una din cele mai mari descoperiri
ale erei moderne.
În viaţa de zi cu zi fiecare persoană utilizează aparatura audio-video,
aparate electrocasnice şi multe alte tipuri de aparate fară de care viaţa
fiecăruia dintre noi nu ar mai avea farmec. Fiecare dintre aceste produse
prezintă în componenţa lor elemente de circuit electronice cu un grad de
dificultate mai mic sau mai mare.
După etapa mecanizării, omul îndeplineste în principal funcţia de
conducere a proceselor tehnologice de producţie.
Se constată astfel că la un anumit stadiu de dezvoltare a proceselor de
producţie devine necesar ca o parte din funcţiile de conducere să fie
transferate unor echipamente şi aparate destinate special acestui scop
reprezentând echipamente şi aparate de automatizare.
Prin automatizarea proceselor de producţie se urmăreşte asigurarea
tuturor condiţiilor de desfăşurare a acestora fară intervenţia operatorului
uman.
Lucrarea de faţă realizată la sfarşitul perioadei de perfecţionare
profesională în cadrul liceului, consider că se încadrează în contextul celor
exprimate mai sus. Doresc să fac dovada gradului de pregatire în meseria de
“Tehnician Electronist”, cunoştinţe dobândite în cadrul disciplinelor de

3
învăţământ “Bazele Automatizării”, “Electronică Analogică”, şi “Electronică
Digitală”.
Tranzistorul înlocuieste cu succes clasica lampă electronica de radio,
cu rol de amplificator de semnal, trioda. Iată de ce nu este de mirare că
inventarea noului dispozitiv a speriat marile firme producătoare de piese de
radio, care au vazut în tranzistor mai curand o gravă ameninţare, decât un
avantaj economic.De aceea, la început, doar firma Bell Telephone, în
laboratoarele căreia a fost realizată descoperirea, a dezvoltat şi perfecţionat
tranzistorul, făcându-l apt pentru aplicaţii pe scară largă. Prima aplicaţie a
fost fabricarea de proteze acustice tranzistorizate şi a fost realizată de către
firma Raytheon, în 1953. În acest domeniu se simţea nevoia unor aparate
sensibile cu dimensiuni mici.
În lucrarea prezentată încerc a arata dependenţa de ceea ce noi numim
tranzistor şi de a explica rolul său funcţional în zilele noastre.
Consider că tema aleasă în vederea obţinerii diplomei de atestare în
specialitate de “Electronist” dovedeşte capacitatea mea de a sistematiza si
sintetiza cunoştinţele, de a rezolva problemele teoretice dar şi practice,
folosind procese tehnologice din specializarea în care lucrez.

4
 TRANZISTORUL BIPOLAR

1. Noţiunea de tranzistor bipolar. Structura şi joncţiunile

tranzistorului bipolar

Tranzistor bipolar este numit dispozitivul electronic cu trei pini şi două sau
mai multe joncţiuni p-n ce interacţionează între ele. În tranzistor se rânduiesc trei
regiuni semiconductoare, pentru care pe placheta de izolator din Si-i, prin metoda
epitaxial - planară se formează regiunile colectorului (C), bazei (B) şi emitorului
(E) (fig.1.1). Pentru aceasta, în regiunea Si-n, ce serveşte drept colector, prin
metoda difuziei este formată regiunea bazei Si-p. În această regiune, prin metoda
difuziei locale, este format emitorul Si-n cu concentraţie majoră a impurităţilor
donoare.
C B1 E1 C
n Joncţiunea
p emitorului
n Joncţiunea
Si-i colectorului

Fig.1.1. Structura tranzistorului bipolar tip n-p-n

La frontiera regiunii emitorului cu cea a bazei şi de asemenea la frontiera

regiunii bazei cu cea a colectorului se formează două joncţiuni p-n – emitor şi
colector (după denumirea regiunilor laterale ale structurii). Joncţiunile
interacţionează dacă distanţa între ele WB , numită lăţimea bazei, este cu mult mai
mică decât lungimea de difuzie a purtătorilor de sarcină mobili ( WB  L p ,n ).
Lungimea de difuzie L p ,n este distanţa pe care o parcurge electronul sau
golul din momentul apariţiei în semiconductor până la recombinare.
De regulă, suprafaţa joncţiunii colectorului este mai mare ca suprafaţa
joncţiunii emitorului. Regiunea emitorului trebuie să posede o
electroconductibilitate mai înaltă ca cea a bazei şi a colectorului. Concentraţia
impurtăţilor în regiunile tranzistorului bipolar trebuie să respecte inegalitatea.
N E  100N B  N C . (1.1)

5
2. Tranzistorul bipolar ca element al circuitului

În dependenţă de alternarea regiunilor, după tipul de electroconductibilitate,

se deosebesc structuri tip p-n-p şi n-p-n. În fig.1.2 sunt prezentate structurile p-n-
p şi n-p-n ale tranzistorului bipolar şi reprezentarea lor în circuitele electrice .
JE JC JE JC
E C E C
p n p n p n

B B
E C E C

p-n-p n-p-n
B B

Fig.1.2. Reprezentarea tranzistoarelor bipolare

Ca element al circuitului electric, tranzistorul bipolar este utilizat în aşa mod,

ca unul din pini să fie conectat la intrare, iar altul – la ieşire. Al treilea pin este
comun. În dependenţă care din pini este comun, se deosebesc trei circuite de
conectare ale tranzistoarelor bipolare:
- bază comună (BC);
- emitor comun (EC);
- colector comun (CC).
În fig.1.3. sunt prezentate aceste trei modificări de cuplare a tranzistorului
bipolar în circuitul electric.

BC IC CC IE
IE IC EC
IB IB
Iieş. Iieş. Iieş.
Iintr. Iintr.
IB Iintr. IE IC

Fig.1.3. Schemele de conectare ale tranzistoarelor bipolare

6
 3. Regimul de lucru şi procesele
fizice în tranzistorul bipolar
3.1. Regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare

În timpul funcţionării tranzistorului la bornele sale este aplicată tensiune de

la sursa de alimentare în curent contionuu. În dependenţă de polaritatea tensiunii
aplicate, fiecare din joncţiunile p-n ale tranzistorului bipolar poate fi polarizată
direct sau indirect, adică sunt posibile patru modalităţi de funcţionare a
tranzistorului (tab.1.1).
Tabelul 1.1

Modalităţile de funcţionare a tranzistorului bipolar

Conectarea Denumirea regimului

Denumirea joncţiunii joncţiunii de funcţionare a
tranzistorului
Joncţiunea emitorului Inversă Regim de tăiere
Joncţiunea colectorului Inversă (blocare)
Joncţiunea emitorului Idirectă
Regim de saturaţie
Joncţiunea colectorului Idirectă
Joncţiunea emitorului Directă
Regim activ normal
Joncţiunea colectorului Dnversă
Joncţiunea emitorului Inversă
Regim activ invers
Joncţiunea colectorului Directă

3.2. Regim de blocare

În regim de blocaj ambele joncţiuni p-n sunt polarizate indirect. Prin bornele
tranzistorului circulă curenţii de scurgere a joncţiunilor polarizate indirect, care
reprezintă parametrii statici ai regimului dat. În fiecare din cele trei scheme de
conectare a tranzistorului aceşti parametri posedă valori determinate. Ele sunt
prezentate sub forma următoare:
 pentru circuitul cu BC - I EB 0 , I CB 0 , I EBS , I CBS ;
 pentru circuitul cu EC - I BE 0 , I CE0 , I BES , I CES ;
 pentru circuitul cu CC - I BC 0 , I EC 0 , I BCS , I ECS .
Primul indice în reprezentare determină pinul prin care circulă curentul, al
doilea – schema de conectare, al treilea, condiţiile în regiunea rămasă a schemei
(„0” – lipsa curentului, adică mers în gol; „S” – scurtcircuit).

7
 3.3. Regim de saturaţie

În regimul de saturaţie ambele joncţiuni p-n sunt polarizate direct,

joncţiunile sunt saturate cu purtători de sarcină mobili, rezistenţele lor sunt reduse.
Regiunea E-C posedă o conductibilitate înaltă şi poate fi considerată ca
scurtcircuitată.
Parametrii statici reprezintă curenţii de saturaţie I E sat , I C sat , I B sat şi
tensiunile de rest ( U BE sat , U CE sat ).

Raportând mărimile tensiunilor şi curenţilor, obţinem rezistenţa de saturaţie:

U CE sat U BE sat
R C sat  ; R B sat  .
I C sat I B sat

3.4. Regimul activ normal

În fig.1.4 este reprezentat modelul plan unidimensional al tranzistorului

bipolar, joncţiunea emitor a căreia este polarizată direct, iar cea a colectorului
indirect. Această conectare corespunde regimului activ.

JC IEp
IEp=IE
JE
p n p
IE IC

IEn I ICB0
B rec
UEB IB UCB

Fig.1.4. Mişcarea purtătorilor de sarcină şi curenţii în tranzistorul bipolar (regim activ)

Principiul de funcţionare a tranzistorului bipolar în regim activ se bazează pe

utilizarea următoarelor fenomene:
- injecţia purtătorilor de sarcină prin joncţiunea emitorului;
- purtătorii injectaţi prin bază care circulă drept rezultat al fenomenelor de
difuzie şi drift;
- recombinarea purtătorilor de sarcină în regiunea bazei;

8
 - extragerea purtătorilor minoritari din bază în regiunea colectorului prin
intermediul câmpului electric, format de joncţiunea colectorului.
Injecţia purtătorilor de sarcină duce la trecerea prin joncţiunea emitorului a
curenţilor de difuzie (a golurilor I E p şi electronilor I E n ). În circuitul extern al
emitorului circulă curentul de injecţie:
U
EB
q . (1.2)
I E  I E p  I E n  I EB 0 (e kT  1)
Pentru structura tranzistorului tip p-n-p relaţia între concentraţiile
impurităţilor din regiunile emitorului  N acc  E şi bazei  N don  B se determină ca:
 Nacc  E  100   N don  B .
Din aceste considerente se obţine I E p  I E n .
Injecţia purtătorilor de sarcină din emitor în bază măreşte concentraţia purtătorilor
minoritari în regiunea bazei. Concentraţia lor la frontiera joncţiunii emitorului
pentru structura tip p-n-p se determină din relaţia:
qU E

pn  pn 0 e kT (1.3)
Sarcina golurilor, apărute momentan în apropierea joncţiunii emitorului (~ 10-
17
s), se compensează cu sarcina electronilor, ce pătrund în bază de la sursa de
alimentare UEB. Circuitul emitor – bază devine blocat şi asigură circulaţia
curentului emitorului.Sub acţiunea gradientului concentraţiei purtătorilor de
sarcină se produce mişcarea de difuzie a golurilor şi electronilor prin regiunea
bazei de la emitor spre colector.
Concomitent cu difuzia golurilor în bază, are loc şi recombinarea lor cu
electronii. În locul electronilor care se recombină în regiunea bazei din circuitul
extern al sursei de alimentare UEB sunt injectaţi alţi electroni, formând curentul de
recombinare al bazei I B rec , alături de curentul electronilor injectaţi I En .
Deoarece lăţimea bazei este considerabil mai mică ca lungimea de difuzie a
purtătorilor de sarcină  WB  L p ,n  , micşorarea concentraţiei purtătorilor de
sarcină în regiunea bazei din cauza recombinării este nesemnificativă, iar curentul
de recombinare I B rec este mai mic decât curentul emitorului I E cu un ordin-
două.
Golurile injectate de emitor în regiunea bazei se apropie de joncţiunea
colectorului polarizată indirect, nimerind în câmpul de accelerare a acestei
joncţiuni şi sunt transferate în colector. În aşa mod se formează componenta
dirijată a curentului colectorului:
I C p  I E  I B rec  I E n  I E p  I B rec .
Procesul de tranziţie a purtătorilor de sarcină minoritari prin bază este caracterizat
de coeficientul de transfer  .Coeficientul de transfer depinde de lărgimea bazei
WB şi lungimea de difuzie a golurilor L p
I Cp WB2
  1 . (1.4)
I Ep ( 2L p )2

9
 Cu cât mai multe goluri sunt injectate din emitor în bază, cu atât mai major
este curentul colectorului. Din aceste considerente curentul I C este proporţional
p

cu curentul emitorului şi se numeşte curentul dirijat al colectorului. Utilizând

relaţia (1.4), se obţine
I C p  I E   E I E (1.5)
Coeficientul  E este numit coeficient integral de transfer al curentului
emitorului în circuitul colectorului. Dacă apelăm la relaţia (1.4), primim:
IC p IC p IE p
E     . (1.6)
IE IE p IE
Posibilitatea de dirijare cu curentul de ieşire al tranzistorului, modificând
valoarea curentul de intrare, este o proprietate importantă a tranzistorului bipolar,
ceea ce oferă posibilitatea de a-l utiliza în calitate de element activ în circuitele
electronice.
În afară de componenta dirijată a curentului colectorului I C prin electrodul
p

colectorului circulă şi componenta nedirijată a curentului, numită curentul de

scurgere a joncţiunii p-n polarizate indirect. El este analogic curentului diodei
semiconductoare cuplate indirect şi de aceea a primit denumirea de curentul de
scurgere al colectorului I CB 0 . Aici indicii „C” indică curentul joncţiunii
colectorului cuplate indirect; „B” – măsurările au loc în schema de cuplare BC; 0
– măsurările au loc pentru I E  0 , adică pentru regim mers în gol la intrare.
Direcţia curentului de scurgere a colectorului I CB 0 corespunde cu componenta
dirijată a curentului colectorului şi de aceea
I C    I E  I CB 0 . (1.7)
Curentul CB 0 în circuitul bazei este orientat invers curentului de
I
recombinare în bază I B rec şi curentului de injecţie I n inj
I B  I B rec  I CB 0  I n inj . (1.8)
În circuitul emitorului curentul de injecţie se determină ca suma curentului
colectorului I C şi curentul bazei I B :
IE  IC  IB . (1.9)
Relaţiile (1.8) şi (1.10) determină legătura dintre curenţii tranzistorului şi sunt
adecvate pentru oricare din circuitele de conectare.
Procese analogice au loc şi în tranzistorul tip n-p-n, cu unică deosebire că în
loc de goluri trebuie să vorbim despre electroni şi invers. Direcţiile curenţilor
continui şi polarizarea tensiunilor de alimentare ce corespund regimului activ sunt
prezentate în fig.1.3.
În circuitele EC şi CC (fig.1.3) curentul de dirijare este curentul bazei, iar
relaţia pentru curentul colectorului (1.8) poate fi scrisă în felul următor:
I C    I E  I CB 0     I C  I B   I CB 0 ;
I C    I C    I B  I CB 0 ;
 1
IC   IB  I    I B  I CE 0 , (1.10)
1  1   CB 0

10
unde:

  este coeficientul de amplificare după curent în schema de cuplare EC;
1 
1
I   1    I CB 0  I CE0 - componenta nedirijată a curentului colectorului în
1   CB0
schema EC, sau curentul de scurgere a tranzistorului bipolar.

Pentru schema CC curentul de ieşire este curentul emitorului. Din aceste

considerente

I E  I B  I C    I E  I CB 0 ;
1 I
IE  I B  CB 0 ,
1  1 
sau
I E  K I I B  I CE 0 ,
unde
1
KI   1. (1.11)
1 

3.5. Regim activ invers

În regim activ invers joncţiunea emitorului este cuplată invers, iar joncţiunea
colectorului direct. De aceea, în comparaţie cu regimul activ, în regim de inversie
injecţia purtătorilor de sarcină este înfăptuită de joncţiunea colectorului, iar
extracţia purtătorilor de joncţiunea emitorului. Practic, emitorul şi colectorul îşi
schimbă funcţia şi poziţia în circuit.
Pentru schema de cuplare BC:
I E   i  I C  I EB 0 , (1.12)
unde  i este coeficientul de transfer invers.
Deoarece suprafaţa joncţiunii emitorului este cu mult mai mică decât cea a
joncţiunii colectorului şi N C  N B , atunci  i   .
Pentru schema CC

I E   i  I B   1   i  I EB 0 . (1.13)

Pentru schema EC

I C   1   i  I B   1   i  I EB 0 . (1.14)

11
 4. Dependenţa parametrilor tranzistorului de temperatură
4.1. Influenţa temperaturii asupra parametrilor semiconductorilor

Dependenţa parametrilor şi caracteristicilor dispozitivelor semiconductoare

de temperatură este condiţionată de faptul că proprietăţile fizice ale materialului
semiconductor într-o măsură mare se modifică sub influenţa temperaturii. De
exemplu, conductibilitatea specifică a semiconductorului este determinată de
relaţia
  q( n n  p p ) , (1.15)
unde:  n ,  p prezintă mobilitatea purtătorilor de sarcină ce sunt funcţie de
temperatură; n , p - concentraţia purtătorilor de sarcină.
Dependenţa tipică a conductibilităţii specifice a semiconduc-torului de
temperatură este prezentată în fig.1.5.
 ,   cm 1

N 3  N 2  N1
103
N3
102
N1 N2
10

1 0 10 20 30 40 50
1000
T, K

Fig.1.5. Dependenţa electroconductibilităţii specifice a

semiconductorului cu impurităţii de temperatură

La temperatură foarte joasă în semiconductor electronii ce se află pe ultimul

nivel energetic interacţionează între ei foarte puternic. Cu majorarea temperaturii
la are loc ionizarea atomilor de impurităţi şi majorarea concentraţiei purtătorilor
de sarcină mobili. Majorarea valorii conductibilităţii specifice are loc după legea
Tn , unde n este un număr întreg sau fracţionar. Cu mărirea de mai departe a
temperaturii toţi atomii de impurităţi sunt ionizaţi, concentraţia purtătorilor de
sarcină intrinseci rămâne să fie nesemnificativă şi, ca urmare, conductibilitatea
specifică scade din cauza micşorării mobilităţii purtătorilor de sarcină   f (T 3 2 )
. Majorarea de mai departe a conductibilităţii specifice cu creşterea temperaturii
are loc din cauza apariţiei perechilor electron – gol în semiconductorul intrinsec.

12
4.2. Modificarea parametrilor tranzistoarelor
bipolare la variaţia temperaturii

Rezistenţa joncţiunii emitorului depinde de temperatură în modul următor

kT
rE 
qI E , (1.16)
unde: k este constanta lui Boltzman; T - temperatura; q - sarcina electronului;
I E - curentul emitorului.
Se observă că odată cu majorarea temperaturii pentru curentul emitorului
constant rezistenţa rE creşte.
Rezistenţa bazei este determinată de relaţia
kT
rB   rE  
qI E , (1.17)
unde  este coeficientul de transfer după curent în cuplarea tranzistorului EC.
Rezistenţa colectorului tranzistorului (fără drift) în cazul joncţiunii abrupte
U CE WB
rC  , (1.18)
I ELC
unde: U CE este tensiunea între bază şi colector; WB - grosimea bazei; L C -
grosimea joncţiunii colectorului.
Pentru tranzistorul cu drift
3U CE WB
rC  . (1.19)
I ELC
Pentru a determina influenţa temperaturii asupra rezistenţei joncţiunii
colectorului este necesar de a analiza caracteristicile în funcţie de temperatură a
parametrilor ce intră în componenţa relaţiei (1.19). Se cunoaşte că

 . (1.20)
1 
Coeficientul de transfer al curentului în cuplaj BC  este determinat de relaţia
  M , (1.21)
unde:  este coeficientul de injecţie;  - coeficientul de transfer; M - eficacitatea
colectorului.
Cu majorartea temperaturii creşte puţin şi valoarea coeficientului de transfer
  1  WB2 2L2n ,p , deoarece se măreşte neesenţial şi lungimea de difuzie a
purtătorilor de sarcină L n ,p . Aceasta provoacă majorarea coeficientului de transfer
după curent  . Majorarea valorii lui  provoacă creşterea lui  . Modificarea
valorii  constituie 0,03...0,05% o C .
Curentul emitorului depinde de temperatură
qU EB
I E  I EB 0e
kT, (1.22)
unde I EB 0 este curentul termic al joncţiunii emitorului.

13
 Cu majorarea temperaturii, curentul emitorului creşte din cauza modificării
valorii I EB 0 , după legea exponenţială, şi este mai evidenţiat la temperaturi înalte
(se măreşte de două ori la fiecare 10 grade în variaţia temperaturii).
Joncţiunea colectorului este asimetrică şi grosimea poate fi exprimă prin
relaţia
20  C  U CB
LC   , (1.23)
q N
unde: N este concentraţia impurităţilor în regiunea joncţiunii colectorului;  C -
bariera de potenţial.
Fiindcă U CB   C asupra grosimii joncţiunii influenţează nivelul
concentraţiei purtătorilor de sarcină cu modificarea temperaturii. Deoarece
concentraţia purtătorilor de sarcină se măreşte odată cu creşterea temperaturii,
grosimea joncţiunii scade. În aşa mod, la o temperatură nu prea înaltă cea mai
mare influenţă o va avea majorarea coeficientului de transfer  , ceea ce va
provoca mărirea rezistenţei joncţiunii colectorului. La temperatură mai înaltă va
avea loc micşorarea rC din cauza influenţei tot mai mari a curentului emitorului
I CT  I CT e  T , 0
(1.24)
unde
E
T  T  T0 ;   .
kT02
La T  300 (K ) ,   0,1 (K 1 ) pentru germaniu şi   0,16(K 1 ) pentru
siliciu. Dacă vom trece de la logaritmul natural la cel in baza 2, obţinem
T

I CT  I CT0 2 TY , (1.25)
ln 2
unde TY  este temperatura de dublare a curentului termic.

Pentru joncţiunea fabricată din germaniu, TY  7 K , din siliciu - TY  4,5 K .
Dependenţa de temperatură a parametrilor din schema echivalentă analizaţă este
prezentată în fig.1.6.

un. rel .
 1   
2,0
I CB 0 rB
1,5
rC rE  1   
1,0
rE
0,5
rB I CB 0 rC
0
80 40 0 40 T , oC
14
 Fig.1.6. Dependenţa parametrilor fizici de temperatură
pentru tranzistorul bipolar

După cum se cunoaşte, tranzistorul bipolar poate fi prezentat ca cuadripol

liniar. Parametrii h ai tranzistorului sunt legaţi de parametrii schemei echivalente
prin relaţiile următoare
rB 1
h11 b  rE  rB (1   ) ; h11 b   ; h12 b  ; h 22b  ;
rC rC

h11 e  rB  rE (1   ) ; h 21e  ; (1.26)
1 
rE 1 1
h12e  ; h 22e   * .
rC* rC (1   ) rC

În practică, de obicei, apare problema inversă – după parametrii h cunoscuţi

se determină parametrii fizici
rB  h11 e 
h12e
 1  h 22e  ; rE  h12e ; rC  1  h 21e . (1.27)
h 22e h 22 e h 22e
Dependenţa de temperatură a parametrilor h pentru tranzistorul bipolar este
prezentată în fig.1.7.
un. rel .
h12 e
4,0
h22 e
3,0
h11 e
2,0
h21e
1,0
0
40 20 0 20 40 T , oC

Fig.1.7. Dependenţa parametrilor h de temperatură

pentru tranzistorul bipolar

4.3. Dependenţa caracteristicilor tranzistorului

bipolar de temperatură

Cu majorarea temperaturii, curentul emitorului se măreşte esenţial şi

caracteristica de intrare pentru schema de conectare BC are forma indicată în
fig.1.8. Deplasarea caracteristicilor are loc aproximativ cu 1...2mV o C .
Curentul de ieşire (curentul colectorului) se determină conform relaţiei

15
 I C  I E  I CB 0 . (1.28)
Rezultă că pentru curent constant al emitorului modificarea absolută a curentului
colectorului va fi următoarea:
dI C  I Ed  dI CB 0 . (1.29)
Modificarea relativă pentru curentul colectorului este

dI C I E dI d I CB 0 dI CB 0
 d  CB 0    . (1.30)
IC IC IC  I C I CB 0

Din cauza că modificarea coeficientului  nu este majoră, iar I CB 0 I C este

de ordinul 10 6...10 3 , atunci devierea caracteristicilor de ieşire cu temperatura
pentru schema BC este nesemnificativă (fig.1.8).
Pentru schema de conectare EC curentul de intrare este curentul bazei care
aproximativ este determinat din formulele Ebers – Moll în modul următor:

 UE   UC 
I B   1     I ECB  e T  1    1   i   I CBC  e T  1  , (1.31)
   
   

unde:  prezintă coeficientul de transfer în regim activ;  i - coeficientul

de transfer în regim de inversie;  T  kT q - potenţialul termic; I ECB , I CBC -
curenţii inverşi ai joncţiunii emitorului şi colectorului.
Caracteristicile de intrare, măsurate pentru diferite temperaturi, se
intersectează, deoarece unele componente din relaţia (1.32) depind în mod diferit
de temperatură (fig.1.9).

I C , mA 60 oC
50 oC
I E , mA
50 oC 20 oC
4 12 I E  10 mA
80 oC
3 9
I E  6 mA
2 6
20 oC I E  2 mA
1 3
0 0
100 200 U EB , mV 5 10 15 U CB , mV

16
 Fig.1.8. Dependenţa de temperatură a parametrilor h

I B , A
45 oC 20 oC
100
80
60
40
20
0

100 U BE , mV

Fig. 1.9. Dependenţa de temperatură a caracteristicilor

de intrare în schema de cuplare EC

Curentul colectorului pentru schema de conectare EC se scrie în forma

următoare:
I C   I B     1 I CB 0 . (1.32)

I C , mA

I B  40 A
12 30 A
10 60 oC
20 A
8 10 A
I B  40 A
6 30 A
20 oC
4 20 A
10 A
2
0 5 10 U CE ,V

17
Fig.1.10. Dependenţa de temperatură a caracteristicilor de ieşire în schema cu EC

Instabilitatea relativă a curentului colectorului pentru I B  0

dI C d I CB 0 dI CB 0 dI
    1       1 C , (1.33)
I C EC  I C I CB 0 I C BC
adică se măreşte în comparaţie cu conectarea BC de    1 ori. Din relaţia (1.33)
se observă că modificarea caracteristicilor de ieşire a tranzistorului conectat în
schema EC este semnificativă. De exemplu, dacă în diapazonul dat de temperaturi
în schema BC modificarea formei caracteristicilor de ieşire va fi de câteva
procente, atunci pentru conectarea EC ea va constitui sute de procente. În fig.1.10.
sunt prezentate caracteristicile de ieşire ale tranzistorului bipolar conectat în
schema EC, obţinute pentru câteva valori ale temperaturii.

4.4. Regimul limită de funcţionare pentru tranzistoarele

bipolare la variaţia temperaturii

Se cunoaşte că odată cu majorarea temperaturii considerabil se măreşte

concentraţia purtătorilor de sarcină minoritari în funcţie de lărgimea benzii
interzise a semiconductorului. Când concentraţia purtătorilor de sarcină minoritari
se apropie de concentraţia purtătorilor de sarcină majoritari, funcţionarea
dispozitivului semiconductor se dereglează. Temperatura maximă de lucru este
determinată de energia de ionizare a semiconductorului şi concentraţia
impurităţilor. Pentru tranzistoarele fabricate din germaniu temperatura maximă de
funcţionare variază în limitele 70...100o C , iar pentru cele din siliciu în limitele
125...200o C . Aceasta se datorează diferenţei dintre lărgimea benzii interzise
(pentru germaniu 0,72 eV , siliciu 1,1 eV ). Limita de jos a temperaturilor de
lucru este determinată de energia de ionizare a impurităţilor ( 0,05...0,01 eV ), şi
reprezintă aproximativ  200o C . Practic diapazonul minim al temperaturilor de
lucru este limitat de diferiţi factori tehnologici şi de particularităţile constructive şi
se plasează în limitele 70...  60 o C .
Dintre toate regiunile din structura tranzistorului cea mai mare putere este
disipată pe joncţiunea colectorului, deoarece ea posedă rezistenţă electrică mai
majoră. Pentru funcţionarea normală tranzistoarele de putere sunt utilate cu
radiatoare iar puterea disipată de joncţiunea colectorului poate fi determinată
conform relaţiei
T T
PC  n C , (1.34)
R T  R TC

18
unde: Tn este temperatura joncţiunii colectorului; TC - temperatura mediului; R T
- rezistenţa termică a joncţiunii colector - carcasă ; R T C - rezistenţa termică
radiator – mediu.
Rezistenţa termică este un parametru important al tranzistorului şi este
indicată în îndrumarele respective. De obicei ea se exprimă în grade celsius pe
miliwat sau grad celsius pe wat şi pentru majoritatea tranzistoarelor se plasează în
limitele 30...200 o C W .
Temperatura maxim admisibilă determină regimurile de limită
după curent, tensiune şi putere. Cu creşterea temperaturii, curba puterilor
admisibile se deplasează în jos (fig.1.11). Suprafaţa radiatorului este determinată
de relaţia
S R  BPC , (1.35)
unde B este coeficientul termic cm 2 W .
IC , A PC max

I B  200 mA
I C max
T1
4 150 mA
T2
3 100 mA
2 50 mA

1 25 mA

0
5 10 U CE max U CE , V

Fig. 1.11. Dependenţa de temperatură a regimurilor de

funcţionare a tranzistorului

Dependenţa experimentală care leagă variaţia de temperatură t p şi

coeficientul termic B este prezentată în fig.1.12. Curba 1 corespunde convecţiei
libere a aerului, iar curba 2 – răcirii forţate (viteza fluxului de aer aproximativ
300 m s ).

B, cm 2 W

80
60

40
2 1
20

0 20 40 60 80 t , oC
p

19
 Fig.1.12. Dependenţa de temperatură a coeficientului termic

În aşa mod la proiectarea aparatajului radioelectronic cu tranzistoare ce

lucrează într-un diapazon larg de temperaturi şi este important de a cunoaşte ce
influenţă are temperatura asupra parametrilor şi caracteristicilor elementului activ
şi care sunt limitele în funcţionarea acestui dispozitiv electronic.

BIBLIOGRAFIE:
1. Valenoks, Dispozitive semiconductoare, Fundaţia Design de Aparate
Electronice - M. Dodeka 2001.
2. Sandu D. Electronică şi Fizică Aplicată . – V.1. – Iaşi; Editura
A.I.Cuza -1994.
3. D.Dascălu, A.Rusu, M.Profirescu, I.Costea Dispozitive şi Circuite Electronice. –
Bucureşti; Editura Didactică şi Pedagogică - 1982.

20
4. Zamfir V. Bazele Radioelectronicii. – Timişoara; Facla - 1987.

21