1.

Introducere

Tranzistoarele sunt dispozitive semiconductore, construite în general din

materiale semiconductoare din Siliciu, întrebuinţate în general în diverse tipuri de
circuite electronice, care au drept drept principal scop prelucrarea sau generarea
unor informaţii, atât de tip analogic cât şi digital. Câteva din cele mai importante
clase de circuite electronice analogice în care tranzistoarele sunt utilizate sunt:

 amplificatoare de semnal
 generatoare de semnal (oscilatoare)
 stabilizatoare de tensiune

2. Tehnologia de fabricare a tranzistorului bipolar

Tranzistor bipolar este numit dispozitivul electronic cu trei borne și două sau
mai multe joncțiuni p-n care interacționează între ele. Structura reprezintă trei
straturi de semiconductor cu conductibilitate diferită (n-p-n sau p-n-p). În figura
2.1 este reprezentată structura unui tranzistor bipolar executat cu ajutorul
tehnologiei epitaxial-planare. [1]

C B E C

Si-i
Joncțiunea colectorului Joncțiunea emitorului

Figura 2.1 - Structura planară a tranzistorului bipolar

Tranzistoarele bipolare se fabrică pe baza germaniului, siliciului şi arsenurii de
galiu. Cea mai largă utilizare o are germaniul şi siliciu. Metodele tehnologice
permit de a fabrica tranzistorul în aşa mod ca să se realizeze într-o măsură oarecare
cerinţele pentru parametrii maximi admisibili.

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 3

 La etapa actuală se utilizează următoarele metode de fabricare ale
tranzistoarelor: metoda de aliere, metoda de difuzie, metoda planară, epitaxial-
planară şi mesa-planară.
Metoda epitaxial-planară se bazează pe metoda planară. Se ia o plachetă de
monocristal din siliciu (Si) tip-n, (care în structura rezultantă va reprezinta
colectorul). Pe această plachetă peste prima mască de oxid se efectuează difuzia
acceptorului (de obicei bor) şi se primeşte stratul p al bazei. Apoi peste a doua
mască se face difuzia donorilor (de obicei fosfor) astfel primim stratul emitorului.
În sfârşit cu ajutorul celei de-a treia măşti de oxid se conectează contactele ohmice
din aluminiu la toate cele trei straturi şi în continuare sunt lipite la aceste contacte
contacte subţiri care joacă rolul de picioruşe ale tranzistorului.
În cazul tehnologiei epitaxial-planare, dintre regiunile bazei şi a colectorului se
creează un strat de rezistenţă înaltă şi de aceeaşi conductibilitate ca şi colectorul.
Acest strat se obţine prin aşa numita depunere epitaxială a unei pelicule subţire de
monocristal de o rezistenţă înaltă pe o suprafaţă de cristal ce serveşte ca corp al
colectorului. Regiunile bazei şi a emitorului se obţin de obicei prin difuzia locală.
La frontiera regiunilor emitorului și bazei și, respectiv, la frontiera regiunilor
bază-colector se formează două joncțiuni p-n denumite joncțiunea emitorului și
joncțiunea colectorului. Joncțiunile interacționează dacă distanța dintre ele,
denumită lățimea bazei WB , este mult mai redusă decât lungimea de difuziune a
purtătorilor de sarcină WB  Lp,n . Lungimea de difuziune este distanța pe care o
parcurge electronul și golul din momentul apariției până în momentul recombinării.
Suprafața joncțiunii colectorului este mult mai mare decât suprafața joncțiunii
emitorului. Concomitent regiunea emitorului trebuie să aibă o conductibilitate
electrică mai mare decât a regiunilor bazei și colectorului.
În funcție de structura formată, tranzistoarele pot fi p-n-p sau n-p-n. În figura
2.2 sunt reprezentate modelul și desenul tehnic pentru ttanzistorul cu structura p-n-
p și n-p-n.
WB
E C E C

p n p n p n

B B
E C E C

B B
p-n-p n-p-n

Figura 2.2 - Modelul și desenul tehnic al tranzistorului

cu structura p-n-p și n-p-n

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 4

 Ca element al circuitului electronic, tranzistorul bipolar este utilizat astfel,
încât unul din electrozii săi este de intrare, al doilea – de ieșire și al treilea – comun
pentru intrare și ieșire. Din aceste considerente, în funcție care electrod este comun
pentru ieșire și intrare, circuitul de cuplare al tranzistorului este denumit: bază
comună (BC), emitor comun (EC) și colector comun (CC) (figura 2.3).
cu bază comună cu emitor comun cu colector comun
IC IE
IE IC
IB IB

intrare ieșire IE intrare ieșire

IB intrare ieșire
IC

Figura 2.3 - Circuitele de cuplare ale tranzistorului bipolar

2.1. Clasificarea tranzitoarelor bipolare

Tranzistoarele bipolare se pot clasifica în funcţie de tehnologia de fabricaţie și

dupa criterii funcționale .În funcție de tehnologia de fabricare a tranzistoarelor
bipolare discrete se pot clasifica in:
 tranzistoare aliate, realizate prin procese de aliere - tehnologie specifică
tranzistoarelor cu germaniu;
 tranzistoare simplu difuzate realizate prin difuzarea simultană a
impurităţilor pe ambele feţe ale unei plachete semiconductoare dopate iniţial;
 tranzistoare dublu difuzate realizate prin două difuzii succesive într-un
substrat iniţial dopat (difuzia bazei şi apoi difuzia de emitor);
 tranzistoare planar epitaxiale se realizează ca şi cele dublu difuzate cu
difuziile realizate într-un strat epitaxial slab dopat depus pe un substrat puternic
dopat; acestea sunt foarte răspândite în construcţia tranzistoarelor de semnal
mic precum şi a celor de putere;
 tranzistoare planare dublu şi triplu epitaxiale difuzate se caracterizează
printr-o rezistivitate mare a regiunii de colector (rezistivitatea zonelor
epitaxiale), dar cu rezistenţa de colector redusă (rezistivitatea substratului
mică), fiind folosite ca tranzistoare de putere cu tensiuni de colector mari.

2.2. Etapele de fabricare a tranzistorului planar de tip p-n-p.

 placheta înaintea difuziei bazei.

 placheta înaintea difuziei emitorului.

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 5

  placheta înaintea alierii contactelor omice.
 structura rezultantă a tranzistorului de tip p-n-p.

Mai sunt incă etape de obținere a tranzistorului polar epitaxial [2]

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 6

 Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 7

 3. Caracteristicile statistice ale tranzistorului bipolar
Caracteristicile statice indica legatura funcțională între curenții și tensiunile la
bornele tranzistorului bipolar. Pentru fiecare schema conectare în regim
active există o familie de caracteristici, ce arată legatura între curenții și
tensiunile aplicate la tranzistor. [3]

3.1. Caracteristicile pentru cuplaj bază comună

a) caracteristicile de intrare

b) caracteristicile de ieșire

c) caracteristicile de transfer

d) caracteristicile reacției inverse

În cuplaj bază comună (BC) tranzistorul poseda urmatoarele caracteristici:

a) familia caracteristicilor de intrare (fig.3.1,a)

b) familia caracteristicilor de ieșire (fig.3.1,b)

Variația curentului colectorului trebuie să fie constantă la transferul de la o

caracteristică la alta, adică

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 8

 c) caracteristicile de transfer (fig.3.1,c);
d) caracteristicile reacției inverse (fig.3.1,d).

Fig. 3.1 - Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

a) caracteristicile de intrare
b) caracteristicile de ieșire
c) caracteristicile de transfer
d) caracteristicile reacției inverse

Dependența poziției caracteristicilor de intrare, caracteristicilor de transfer și

caracteristicilor de reacție inversă în funcție de valoarea tensiunii aplicate pe
colector se explică prin efectul de modulare a grosimii bazei, din cauza căruia cu
majorarea tensiunii a joncțiunii colector, invers polarizată, grosimea stratului
cu concentrație redusă a purtătorilor de sarcină se mărește. Frontiera joncțiunii
colectorului se deplasează în direcția joncțiunii emitorului. Drept rezultat, grosimea
bazei devine mai mică. Concomitent crește gradientul de concentrație a
purtătorilor de sarcină si în baza tranzistorului și se măreste valoarea
curentului de difuzie (fig.3.2).

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 9

 Fig. 3.2 - Efectul de modulare a grosimii bazei

3.2. Caracteristicile pentru cuplaj emitor comun

Cele mai întrebuintate sunt caracteristicile tranzistorului bipolar în cuplaj emitor
comun (EC), deoarece în acest caz curentul bazei este argument pentru
caracteristicile de intrare și caracteristicile de transfer și ca parametru pentru
celelalte.

În fig.1.8 si fig.1.12 sunt prezentate familiile de caracteristici pentru tranzistorul

bipolar cuplat în schema EC:
a) familia caracteristicilor de intrare (fig.3.3,a)

b) familia caracteristicilor de iesire (fig.3.3,b)

c) familia caracteristicilor de transfer dupa curent

d) familia caracteristicilor de reacție inversă

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 10

 Fig. 3.3 - Caracteristicile de intrare si iesire în cuplaj EC

4. Parametrii H pentru tranzistorul bipolar

Pentru analiza parametrilor tranzistoarelor bipolare mai des sunt utilizați parametrii
H (parametrii hibrizi) care pot fi ridicați fără dificultăți. Sistemul de ecuații pentru
parametrii H este următorul:
U1  h11I1  h12U2 ; I2  h21I1  h22U2 . (4.1)
Coeficienții în sistemul de ecuații (4.1) sunt determinați prin utilizarea regimului
de scurtcircuit și mers în gol la intrarea și ieșirea tranzistorului bipolar (aici și mai
departe prin noțiunea de scurtcircuit și mers în gol se are în vedere acest regim
pentru curentul alternativ):
U
h11  1

I1 U 2  0
reprezintă rezistența de intrare a tranzistorului bipolar când la ieșire este asigurat
un regim scurtcircuit după curentul alternativ;
1U
h12 
U 2 I1  0
reprezintă coeficientul de transfer după tensiune al tranzistorului bipolar când la
intrare este asigurat regimul mers în gol după curentul alternativ;
I
2
h 21 
I1 U 2  0
reprezintă coeficientul de transfer al curentului pentru tranzistorul bipolar când la
ieșire este asigurat regimul scurtcircuit după curentul alternativ;
I
2
h 22 
U 2 I1  0

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 11

 reprezintă coeficientul de transfer al tranzistorului bipolar când la intrare este
asigurat regimul mers în gol după curentul alternativ. [4]

Fig. 4.1 - Modelul tranzistorului bipolar ca un cuadripol activ

Valorile parametrilor schemei echivalente depind de circuitul de cuplare al
tranzistorului bipolar. La elaborarea schemei echivalente s-a stabilit că
frecvența semnalului este joasă și nu influențează asupra parametrilor
tranzistorului. În general, parametrii tranzistorului depind de frecvență, iar
curenții și tensiunile trebuie expuse ca valori complexe. Parametrii H pot
fi determinaţi din caracteristicile statice.

Fig. 4.2 - Schema echivalentă a tranzistorului bipolar

Parametrii menţionaţi mai sus se măsoară în:

h11 – [
h12 – [adimensional
h21 – [adimensional
h22 – [S

5. Analiza schemelor echivalente ale transiztorului bipolar
În figura 5.1 este reprezentată schema echivalentă a tranzistorului bipolar care
corespunde cuplării în circuit cu bază comună. Aicir E și rC reprezintă
rezistența diferențială a joncțiunilor emitorului și colectorului. Rezistența
B
bazei r este

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 12

 comună pentru circuitele de intrare și ieșire. Proprietățile de amplificare ale
tranzistorului sunt reprezentate prin intermediul generatorului de curent IE , unde
  IC / I E este coeficientul de transfer după curent al tranzistorului. Valorile
parametrilor schemei echivalente de tip T depind de selectarea punctului de
funcționare a tranzistorului bipolar după curent continuu ( I 0 , U 0 ) pe caracteristicile
de intrare. Schema echivalentă își menține forma pentru orice metodă de cuplare a
tranzistorului – BC, EC și CC. De exemplu, la cuplarea cu EC semnalul de intrare
este aplicat la baza tranzistorului, iar emitorul conectat la punctul comun al
circuitului (fig. 5.2).

Fig. 5.1 - Schema echivalentă a tranzistorului bipolar

care corespunde cuplării în circuit BC

Fig. 5.2 - Schema echivalentă a tranzistorului bipolar

care corespunde cuplării în circuit EC

Subliniem că atare schemă nu este eficientă, deoarece curentul de dirijare în

aceasta este curentul bazei. Generatorul de curent I E reflectă circuitul emitorului.
Pentru cuplarea cu emitor comun este mai eficient a utiliza un generator care
depinde de curentul bazei (fig. 5.3):

IIC
I E  I E  IC  C
I B  I B . (5.1)
IIE B

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 13

 Fig. 5.3 - Schema echivalentă a tranzistorului bipolar
în circuit EC cu elementele I B și r*C

Dacă înlocuim sursa IE cu sursa I B rezistența de intrare a tranzistorului pentru

schema reprezentată în figura 3.8 nu trebuie să se modifice. Pentru regimul mers în
gol la intrare ( IB  0 ) curentul colectorului
UC
IC   IE . (5.2)
(rC  rE )
În regim circuit deschis al bazei, curentul emitorului și colectorului practic coincid
( IE  IC ). Atunci, luând în considerare că rezistența emitorului este mult mai redusă
decât rezistența colectorului, adică ( rE  rC ), obținem:
ries.  UC / I C  rC (1  ) . (5.3)
*
r
Pentru circuitul echivalent reprezentat în figura 4.4 rezistența de ieșire este ies.  rC .
Luând in considerație faptul că rezistența de ieșire trebuie să fie egală pentru
ambele circuite, obținem:
*

rC  rC (1  ) . (5.4)
Vom determina acum legătura dintre parametrii H și valorile elementelor
schemei echivalente a tranzistorului bipolar de tip T pentru cuplarea bază comună.
Conform definiției, h11 este rezistența de intrare a tranzistorului bipolar pentru
regimul de scurtcircuit la ieșire după curentul alternativ. Notând în schema
echivalentă reprezentată în figura 3.6 tensiunea de ieșire U C  0 și considerând că
cunoaștem valoarea curentului de intrare I E , determinăm tensiunea de intrare:
 r Br

 E
C

UE  I E r  rB  CB . (5.5)
 r r 

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 14

 Luând în considerație că rB  rC , putem scrie:
UE
BC
h11   rE  rB (1  ) . (5.6)
IE
Coeficientul de reacție conform tensiunii pentru regimul mers în gol la intrarea
tranzistorului:
h12  U1 / U 2  UE / UC . (5.7)
În schema echivalentă de tip T această valoare este dirijată de divizorul de
tensiune format de către rezistoarele rC și rB :
rr
h12  U E / U C  B B
 . (5.8)
rB  rC rC
Coeficientul de transfer al curentului h 21  IC / I E . Utilizând legea a doua a lui
Kirchhoff și considerând că este cunoscută valoarea curentului I E , putem scrie:
IC (rCB r )  I ErC  UC . (5.9)
În acest caz
BC I r
h 21   IC   r Cr   . (5.10)
E I E 0 C B

Conform definiției, h22  I2 / U2 reprezintă conductibilitatea de ieșire a

tranzistorului bipolar pentru regimul mers în gol la intrare. Considerând în
relația (5.9) curentul IE  0 , obținem:
BC I
1 1
h 22   UrC   rr  . (5.10)
C I E 0 C B C

În mod analogic putem determina legătura dintre parametrii H și elementele

schemei echivalente
*
de tip T la cuplarea tranzistorului bipolar în schema
emitor comun. Știind că rC  rE , obținem:
EC
B E
h11  r  (1  )r ; (5.11)
EC

h21   ; (5.12)

EC rB
h12  r* ; (5.13)
C

EC 1
h 22  r* . (5.14)
C

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 15

 6. Funcționarea tranzistorului bipolar în regim de
comutație

O altă utilizare a tranzistorului bipolar este aceea de comutator. Circuitul folosit

este cel prezentat in figura 6.1.

Fig. 6.1 - Comutator cu tranzistor n-p-n

Tranzistorul comută curentul prin rezistența RC. Dacă tranzistorul este blocat, nu
curge un curent important, iar dacă tranzistorul este deschis atunci prin RC trece
curentul de colector. Tranzistorul ca și comutator, va lucra, de regulă, în
urmatoarele două stari:

 starea de blocare, când comutatorul este deschis și nu curge curent;

 starea de saturație când comutatorul este închis și curge current [5]

7. Parametrii de bază pentru tranzistorul bipolar

Printre parametrii de bază ai tranzistorului bipolar putem enumera următorii:

1) Factorul de amplificare al tranzistorului

Factorul de amplificare în curent din bază în colector (βcc) – reprezintă raportul

dintrecurentul continuu prin colector (IC) şi curentul continuu prin bază (IB)

(7.1)

β este o mărime statică de curent continuu, care indică de câte ori este mai
mare curentul prin colectorul tranzistorului decât curentul prin baza tranzistorului.
Acest parametru mai poartă denumirea de câştig în curent al tranzistorului.

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 16

 Valoarea acestui parametru este menţionat de către producător în foile de
catalog, ca parametru echivalent hibrid hFE

( 7.2 )
Valorile parametrului β sunt cuprinse între 10 şi 1000, în funcţie de tipul
tranzistorului. Factorul de amplificare în curent din emitor în colector (αcc) –
reprezintă raportul dintre curentul continuu prin colector (IC) şi curentul continuu
prin emitor (IE)

( 7.3 )
Acest parametru este întotdeauna subunitar deoarece curentul de colector (IC)
esteîntotdeauna mai mic decât curentul de emitor (IE) .
Valorile paramentului α sunt cuprinse între 0,95 şi 0,99 în funcţie de tipul
tranzistorului. Între parametrii β şi α sunt următoarele relaţii:

( 7.4 )

( 7.5 ) [6]

2) Valorile maxime absolute

Sunt valori care nu trebuie depăşite în timpul funcţionării tranzistorului,

deoarece pot produce defectarea acestuia.
De regulă în această grupă apar:
 Tensiunile maxime între terminale: VCBO, VCEO, VEBO;

 Curentul maxim de colector şi de bază: ICM, IBM;

 Puterea maximă disipată: Ptot;
 Temperatura maximă a joncţiunii: TjM (este cuprinsă între 175°C şi 200°C).
În practică se recomandă încărcarea tranzistorului la cel mult 0,75 din valorile
decatalog ale acestor parametri.

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 17

 8. Utilizarea tranzistoarelor bipolare în circuite
electronice

8.1. Amplificator de audiofrecvență cu 5 tranzistoare și puterea

de 60 W
De obicei, dacă doriți să realizați un amplificator audio de putere rapid și fără
detalii inutile, radioamatorii acordă atenție microcircuitelor amplificatoarelor audio
integrate. Într-adevăr, un rezultat pozitiv imediat cu un minim de piese și timp de
asamblare.
Cu toate acestea, amplificatorul de udiofrecvență rapid și relativ fără detalii
inutile se poate face fără microcircuite, folosind tranzistori. De exemplu, se poate
dovedi un amplificator deloc complicat, pe doar cinci tranzistoare, dezvoltând o
putere de ieșire de până la 60 W atunci când este alimentat unipolar de la sursa cu
o tensiune de 35V.

Parametrii amplificatorului:
 Gama de frecvență de funcționare 30-200000 Hz.
 THD în intervalul de frecvență de funcționare 60-20000 Hz nu mai mult de
0,1% la o putere de ieșire de 30W la o sarcină de 8 Ω
 Puterea maximă de ieșire la THD nu este mai mare de 1% 60W la o sarcină de
8 Ω.
 Puterea maximă de ieșire de 1,2V.
Schema electrică principială

Schema electrică principială a unui amplificator de audiofrecvență este

reprezentată în figura 8.1. Semnalul de intrare prin condensatorul C2 intră în
prima etapă preliminară a tranzistorului VT1, care este inversat de fază pentru
generarea de semnale pentru etapa de ieșire. Etapa de ieșire se realizează pe un
circuit de punte cu tranzistoarele VT2-VT5.

De fapt, etapa de ieșire este realizată pe tranzistoarele puternice VT4 și VT5 cu

aceeași structură. Cascada pe tranzistorul VT3 funcționează într-un circuit de tran-
zistor compozit față de VT4, iar scena de pe VT2 servește nu numai pentru a
amplifica, ci și pentru a inversa semnalul. Prin urmare, tranzistorul VT2 al
structurii p-n-p.

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 18

 Fig. 8.1 - Schema electrică principială a unui amplificator
de audiofrecvență cu 5 tranzistoare

Pentru a crea o tensiune de polarizare între bazele acestor tranzistoare VT2 și

VT3 pentru a elimina distorsiunile de tip „pas” și stabilizarea termică, se folosește
un circuit de diode VD1-VD2 în direcția curentului înainte și un rezistor de
corecție suplimentar R3 care este conectat între bazele lor.

Detalii și ajustare

În procesul de stabilire, selectând rezistența R3, trebuie să setați curentul de

repaus al etapei de ieșire la aproximativ 50 mA. Tensiunea de polarizare la baza
tranzistorului VT1 provine de la ieșirea ULF prin rezistorul R4.
În procesul de stabilire, selectând rezistența rezistorului R4, este necesar să setați
o tensiune constantă egală cu jumătate din tensiunea de alimentare la punctul de
joncțiune al R10 și al colectorului VT5.
Tranzistoarele de ieșire trebuie montate pe radiatoare pentru a asigura o răcire
eficientă. [8]

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 19

 8.2. Amplificator AF simplu cu trei tranzistoare, circuit
(KT3102, KT816, KT817)

Amplificatorul este construit conform unui circuit simplu cu trei tranzistoare. La

ieșire, la o sarcină de 4 Ω, oferă o putere de 2W atunci când este alimentată de la o
sursă de 12V. Impedanța de intrare a amplificatorului este mică și se ridică la
470 Ω.
O astfel de impedanță de intrare redusă îi permite să se potrivească bine cu
ieșirile echipamentelor portabile concepute pentru a funcționa cu căști. Nu este un
secret faptul că multe gadget-uri au amplificatoare telefonice realizate în așa fel
încât să nu poată funcționa fără încărcare.
Dacă pur și simplu eliminăm semnalul audio dintr-o astfel de ieșire telefonică,
ca de pe linia de ieșire, atunci acesta va fi distorsionat, și totodată urmat și de alte
interferențe. Dacă conectăm un rezistor cu o rezistență de până la 1 kΩ la acesta și
eliminăm semnalul audio din acest rezistor, atunci totul va funcționa bine.

Schema electrică principială

Fig. 8.2 - Circuitul unui amplificator AF

foarte simplu cu 3 tranzistoare

În practică, aceasta este o schemă tipică a unui ULF în două etape. O etapă
preliminară de amplificare se face pe tranzistorul VT1.
De la colectorul VT1, semnalele sunt alimentate la etapa de ieșire push-pull pe
tranzistoarele diferențiale de putere VT2 și VT3. Diodele VD1 și VD2 creează o

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 20

 diferență de tensiune DC pe baza tranzistoarelor de ieșire, eliminând astfel
distorsiunea încrucișată și reducând distorsiunea armonică totală.

Piese și placheta imprimată

Amplificatorul este asamblat pe o placă de circuite imprimate mici. Cu o astfel

de putere de ieșire, tranzistoarele KT817 și KT816 nu au nevoie de radiatoare
deosebit de mari, este suficient să-l asamblăm improvizat de-a lungul unei
piramide de șuruburi, piulițe și șaibe.
Pentru o versiune stereo, avem nevoie de două astfel de amplificatoare.
În etapa de ieșire, putem înlocui perechea KT817A-KT816A cu o pereche
KT817-KT816 sau KT815-KT814 cu indici de literă, dar aceiași.

Fig. 8.3 - Placa de circuite imprimate pentru un

amplifictor AF cu 3 tranzistoare

Tranzistorul KT3102 poate fi, de asemenea, cu orice index de literă.

Reglarea este redusă la selectarea rezistenței R2 de către tensiunea emițătorilor

VT2 și VT3, egală cu jumătate din tensiunea de alimentare.

Un astfel de amplificator poate fi folosit și ca modul de reparații. [9]

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 21

 8.3. Amplificator de putere LF termostabil (25W la 4Ω)

O caracteristică distinctivă a dispozitivului este simplitatea sa extremă și

stabilitatea la temperatură ridicată, care face posibilă acționarea tranzistoarelor
etapei de ieșire la o temperatură de joncțiune apropiată de cea limitativă.

Parametrii de bază:

 Putere nominală de ieșire la o sarcină de 4 Ω - 25 W;

 Tensiunea nominală de intrare – 1 V;
 Coeficientul armonic la frecvență nu mai mult de: 1000 Hz - 0,1 %; 5.000 Hz -
0,14 % ; 10.000 Hz - 0,2 % ; 20.000 Hz - 0,35 % ;
 Coeficientul de distorsiune a intermodulației (când semnalele sunt furnizate cu
o frecvență de 160 Hz și 1,4 kHz și un raport de amplitudine de 4: 1) - nu mai
mult de 0,3 % ;
 Banda de putere - 20 - 150.000 Hz
 Rata maximă de rotire a tensiunii de ieșire – 8 V / μs;
 Rezistență la intrare – 150 kΩ.

Schema electrică principială

Amplificatorul este unul în două trepte, primul stadiu este realizat pe

amplificatorul operațional A1, al doilea - pe tranzistoarele VЗ, V5-V7. Pentru a
obține amplitudinea maximă posibilă a semnalului amplificat, s-a folosit așa-
numita sursă de alimentare plutitoare a amplificatorului operațional (datorită
alimentării unei părți a semnalului de ieșire către circuitul de alimentare prin
rezistorul R6).

Etapa de ieșire se bazează pe așa-numitul circuit amplificator paralel, care și-a

găsit aplicația în amplificatoarele de putere cu putere redusă (până la 1 W). Pentru
a îmbunătăți amplitudinea caracteristică între bazele tranzistoarelor V6, V7, este
inclusă o diodă V4. În absența unui semnal și până când atinge un anumit nivel,
această diodă este închisă și nu afectează funcționarea cascadei.

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 22

 Fig. 8.3 - Schema electrică principială a unui
amplificator de putere termostabil

În momentul limitării semnalului care se ridică la partea pozitivă, când curenții

prin rezistorul R7 și baza tranzistorului V6 devin egali și tranzistorul V5 se
oprește, tensiunea de polarizare inversă a diodei V4 începe să scadă, deoarece
tranzistorul V3 este pornit și semnalul emițătorului său continuă să crească. În cele
din urmă, vine momentul când dioda se deschide și, în locul canalului de
amplificare V5-V6, se formează canalul V3-V4-V6.

Când semnalul este amplificat, crescând în direcția negativă, canalul V5 - V4 -

V7 se formează în mod similar. Rezistorul R8, ocolind dioda V4, elimină coturile
ascuțite ale semnalului de ieșire în momentele în care tranzistoarele V3, V5 se
opresc și dioda V4 se aprinde. Stabilitatea termică ridicată a amplificatorului se
realizează prin utilizarea unei cuplări termice bune între tranzistoarele V3, V6 și
V5, V7.

Prezența a două intrări simplifică utilizarea amplificatorului în sistemele

multibandă cu filtre de intrare crossover. Deci, într-un sistem bidirecțional, este
suficient să instalați un singur filtru trece-înalt între intrările unuia dintre
amplificatoare (semnalul de joasă frecvență se formează ca urmare a scăderii
semnalelor de la intrarea și ieșirea filtrului ).

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 23

 Când utilizați intrarea inversă 2, amintiți-vă că rezistența sursei de semnal este
inclusă în circuitul de feedback negativ care acoperă amplificatorul operațional A1,
deci nu ar trebui să depășească 15 kΩ.
În orice caz, intrarea neutilizată trebuie conectată la firul comun. Pentru a crește
stabilitatea amplificatorului împotriva autoexcitației la intrare, este necesar să
porniți un filtru low-pass cu o frecvență de întrerupere de 20 kHz.

Detalii și construcție
Parametrii specificați au fost obținuți atunci când amplificatorul a fost alimentat
de la o sursă stabilizată. Dacă sursa este nereglementată, tensiunea de alimentare
trebuie redusă cu 20%.
Tranzistoarele V3, V6 și V5, V7 sunt fixate în perechi pe radiatoare cu plăci cu
dimensiuni 80 X 70 mm, realizate din tablă de aluminiu grosime 2 mm grosime,
negru anodizat. Înainte de instalare, suprafețele de răcire ale tranzistoarelor trebuie
lubrifiate cu unsoare CIATIM-201.
Tranzistoarele sunt instalate pe ambele părți ale radiatorului și fixate cu un
singur șurub și piuliță. Pentru a asigura un contact termic fiabil pe toată durata de
funcționare, șaibele de blocare separate trebuie așezate sub piulițe.
Amplificatorul cu radiatoarele specificate este eficient la temperaturi ambientale
de până la 35 ° C. Curentul de repaus (la temperatura normală - aproximativ 50
mA) crește odată cu încălzirea cu nu mai mult de 15%.
În loc de amplificatorul operațional K140UD8A, putem utiliza amplificatorul
operațional K140UD8B, K140UD6, K140UD10, K140UD11, K544UD1,
K574UD1. Bobina L1 poate fi înfășurată pe o bobină cu un diametru de 7 și o
lungime de 25 mm. În acest caz, ar trebui să conțină 30 de rotații de sârmă PEV-2 -
1.0, înfășurată în două straturi.
Un amplificator asamblat corect nu necesită reglare. [10]

9. Probleme cu utilizarea tipică a tranzistoarelor în

diverse circuite

Problema 1

Conform caracteristicilor curent-tensiune (CCT) ale tranzistorului bipolar

(vezi anexele respective) să se efectueze următoarele calcule cu utilizarea metodei
grafice pentru etajul de amplificare:
- să se traseze dreapta de sarcină;

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 24

 - să se traseze pe familia de caracteristici statice diagramele curenţilor şi
tensiunilor în timp şi să se determine dacă pot apărea distorsiuni neliniare ale
semnalului amplificat;
- pentru regimul liniar de amplificare (distorsiunile sunt excluse) să se calculeze
rezistenţa de intrare şi ieşire a etajului, coeficientul de amplificare după curent
K I , tensiune K U şi putere K P . Să se determine puterea utilă debitată sarcinii
PR şi puterea împrăştiată pe colectorul tranzistorului.
~
RS, kOhm

IBm,mA
IB=,mA

ID0,mA

UDS0,V
EC,V
Nr.

Remarcă Remarcă

6 80 1, 0,07 0,07 Să se uti- 1,3 5 Să se utilizeze TEC КП313А,

8 5 5 lizeze VT care posedă paramertrii:
KT601A CGS=7pF;
CGD=1pF;
rC=50 Ohm.

Fig. 9.1 - Caracteristica de intrare IB = f (UBE)|Uce=10 V

pentru tranzistorul bipolar KT601A

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 25

 I C max  I C min 33  10
I Cm  
22
U C max  U C min 
11,5 mA U
2 Cm  2 

47  19
 14 V  
2
IC 11,
0,075
m 5
U BEm   0,0375 V 
U CEm 14
  KI    153,3
I Bm 0,075

KU    373,3
U BEm 0,0375
R   500
K P  K I  KU  153311,1 
47583
2

U EBm 0,0375
2


int
R
2
I Bm 0,07510 3 2

C I Cm  RS 11,5103 
 1,810 3.

P    0,21 W 

P  U CE  I C  15*34 10 3  0,51 W 

 Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 26

 Problema 2
Conform CCT ale tranzistorului bipolar (vezi anexele respective) şi
parametrilor lui la frecvenţă înaltă să se efectueze următoarele calcule pentru etajul
de amplificare:
- să se calculeze valorile parametrilor h şi să se construiască circuitul
echivalent al dispozitivului activ analizat la frecvenţe joase;
- să se calculeze parametrii fizici ai circuitului echivalent la frecvenţă
înaltă.
Am ales deja punctul de funcţionare pe grafic:
IB=150 A; UCE=21 V prin urmare:
 IB=750,2=15 (A)
 UCE=15*0,2=3 (V)

Metoda grafică de determinare a parametrilor h

Din grafic determinăm IIC=1,5(mA); UBE=0,035 (V); IC=2,5(mA);
Determinăm parametrii hibrizi h:
U BE 0,03  2k;
h11E   6
I B U CE const
15  10 U CE  20V

3
I 2,5 10
h21E  C   166,6;
I B 1510  6
U CE const U CE 20V

I 3
I 1,5 10
h22E  U3C   0,5mSm;
CE I B const I B 15A

Schema echivalentă a tranzistorului la frecvenţă joasă este:

Tranzistorul bipolar KT601A posedă următorii parametri la frecvență înaltă:

2; f=20 MHz; CC=15 pF; CE=75 pF; C=600 ps; IC=6 mA; =3.

Determinăm valorile elementelor fizice ale schemei echivalente a tranzistorului la

frecvenţe înalte:
C 600ps
rB     3  3 40 120;
CC 15 pF

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 27

 CC 15 pF
CC1    5 pF ;
 3
CC  CC  CC  15  5 10 pF  ;
21


I 1,5
rB  rB  I C  120  6  60 ;
C

1
rCE  h  2k;
22E

S j  20  I C  20  6 103  120mSm;
1
rBE  2000  60 1960  ;
Sj 12010 3

 
CBE  CE  
  75  6
 160 pF ;
lim 6,3  20  10

Schema echivalentă a tranzistorului bipolar la frecvenţe înalte:

Problema 3

Conform CCT ale tranzistorului bipolar (vezi anexele respective) să se

determine parametrii etajului de amplificare în regim de recuplare a puterii:
- să se traseze dreapta de sarcină;
- să se determine valoarea tensiunii de rest a cheii deschise Urest , curentul
de intrare şi puterea necesară pentru a o deschide.
Rezolvare:
Pe caracteristica de ieşire trasăm dreapta de sarcină şi detetminăm Urest=0,4 (V)
U rest 0,4
Rcupl    36;
I Ccupl 11,1103

PC cupl  U rest  I Ccupl  0,411,110  4,44mW ;

3

C 3
I 11,110
I Bcupl  k sat  sat
I  4 229  0,19 mA ;
k

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 28

 UBEcupl=0,83 (V) - din grafic.
Pint U BEcupl  I Bcupl  0,83 0,1 910  0,15mW  .
3

Nr. Uieş.мах.. Rs, Ohm Fj, Mj EC ,

var. Hz V
6 3,0 540 180 1,25 9

U=2*Uieș=3*2=6V

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 29

 10. Proiectarea unui etaj de amplificare după putere în
baza tranzistorului bipolar cu și fără transformator
Date iniţiale: schema de cuplare a tranzistorului emitor comun (EC); tensiunea la
ieşirea etajului de amplificare (pe sarcină) Uieş.max.; rezistenţa sarcinii; frecvenţa de
limită de jos; valoarea admisibilă a coeficientului de distorsiuni neliniare în gama
frecvenţei de jos; tensiunea sursei de alimentare ЕC. La efectuarea calculelor se
presupune că temperatura mediului ambiant unde este plasat amplifica-torul
este în gama + 15…+ 25 0С.

Să se determine:
- tipul tranzistorului care trebuie utilizat în circuit;
- regimul de funcţionare al tranzistorului;
- nominala rezistorului din circuitul emitorului RE;
- nominala condensatorului de blocaj СE;
- nominala rezistoarelor divizorului de tensiune din circuitul bazei R1, R2;
- nominala condensatorului de divizare Ср2;
- nominala rezistorului din circuitul colectorului RC;
- coeficientul de amplificare al etajului după tensiune КU.

Calculul amplificatorului de tensiune

Nr. Uieş.мах.. Rs, Ohm Fj, Mj EC,
var. Hz V
6 3,0 540 180 1,25 9

1. Determinăm valorile nominale pentru RC şi RE

Rtot=RC+RE,

Rtot =(0.15...0.25)* RC

RC= R810
tot   675
(1.15...1.25) 1.20

RE= Rtot- RC=810-675=135 

2. Determinăm rezistenţa de intrare a etajului de amplificare
 2U intr.med 2* 0,07V
R53
intr. 3 8
2I intr.med. 2* 0.13*10 A

R 1*R 2
R12  (4...6)Rint r., unde R1 2  : R12  (5*538)  2.69k
R1  R2

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 30

 3. Determinăm nominalele rezistoarelor de divizare
EC * R12 9* 2690
R1  
RE * I C 0 135* 20*10 3 9k

R1 *R 12 2690 *9000
R2  
R1  R1 2 9000  2690 3,8k

4. Determinăm capacitatea condensatorului de divizare

1 1
Cd 2    1F
2
2F j Rie;. M 1 j
2*3,14*180*1215 1,56 1

Rieş.=RC+RS=675  +540  =1215 

5. Determinăm capacitatea condensatorului C E
1010
CE    5,5F
2Fj RE 2*3,14*180*135
6

10.1. Placheta de montaj a elementelor utilizate a

amplificatorului proiectat
În figura 10.1 este reprezentată placheta de montaj a elementelor utilizate a
circuitului unui etaj de amplificare după putere în baza tranzistorului bipolar fără
transformator

Fig. 10.1 - Placheta de montaj a amplificatorului proiectat

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 31

 11. Bibliografie

1. Tranzistor bipolar [citat 19.04.2021] disponibil:

https://ru.scribd.com/doc/47300822/Tranzistor-Bipolar
2. Tehnologie electronica [citat 19.04.2021] disponibil:
http://etc.unitbv.ro/~olteanu/tehnologie_electronica/T.E. -Cap.8.pdf
3. Caracteristicile statice [citat 23.04.2021] disponibil:
https://www.scritub.com/tehnica-mecanica/Caracteristicile-statice-
pentr31584.php
4. Determinarea parametrilor hibrizi [citat 23.04.2021] disponibil :
https://www.rasfoiesc.com/business/economie/DETERMINAREA-
PARAMETRILOR-HIBR55.php
5. Tranzistorul – Bipolar [citat 27.04.2021] disponibil
https://ru.scribd.com/doc/182557636/Tranzistorul-Bipolar
6. Electronica analogica [citat 29.04.2021] disponibil
https://eprofu.ro/docs/electronica/analogica/componente/tranzistoare-
bipolare.pdf?fbclid=IwAR1gGIo1sP5PtxsTJwoGOinUvPGS0I80tArgn1dZ
bJdDftRr5vNoka4hfcE
7. Utilizarea tranzistoarelor bipolare în circuite electronice [citat 10.05.2021]
disponibil: https://radiostorage.net/5-usiliteli-na-tranzistorah/
8. Amplificator de audiofrecvență cu 5 tranzistoare și puterea de 60 W
[citat 10.05.2021] disponibil: https://radiostorage.net/5356-skhema-
umzch-na-pyati-tranzistorah-i-s-odnopolyarnym-pitanie m-60w.html
9. Amplificator AF simplu cu trei tranzistoare, circuit (KT3102, KT816,
KT817) [citat 10.05.2021] disponibil: https://radiostorage.net/4993-
prostoj-usilitel-zch-na-trekh-tranzistorah-skhema-kt3102-kt816-kt817.ht ml
10.Amplificator de putere LF termostabil (25W la 4Ω) [citat 10.05.2021]
disponibil: https://radiostorage.net/2860 -termostabilnyj-usilitel-
moshchnosti-nch-25-watt-pri-4om.html

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 32