Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

1

Coala

- 1 -3/16/20153/16/2015

1. Tranzistorul bipolar.
1.1. Parametrii de baz ai tranzistorului KT601A.
Tranzistor bipolar de tip n-p-n, fabricat prin metoda difuziei, de
putere medie i frecven nalt se folosete n circuite de generare
i amplificare din aparatajul radioelectronic.
Masa tranzistorului nu mai mult de 3 grame.
Parametrii electrici:
Parametrii electrici:
1.Coeficientul de transfer dup curent n schema emitor comun:
h21E =16
2. Tensiunea colector-baz: UCB=20 V
3. Curentul colectorului maxim: ICmax=0,3 A
4. Capacitatea jonciunii colectorului: CC=15 pF
5. Capacitatea jonciunii emitorului: CE=20 pF
6. Frecvena de tiere: ft=40 MHz
7. Curentul de scurgere a colectorului: ICB0 .500 A
8. Puterea maxim: Pmax=0,5 W
9. Temperatura de funcionare: T=233....358oK

1.2.Tehnologia de fabricare a tranzistorului KT601A.

Tranzistorul este un dispozitiv avnd o structur de tip n-p-n sau
p-n-p, la care regiunea din mijloc, adic baza trebuie s fie foarte
subire i puin dotat cu impuriti. Se consider a nota cu Eemitorul, cu B-baza i C-colectorul.

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

2

Coala

- 2 -3/16/20153/16/2015

Difuzia este procesul cu ajutorul cruia pe suprafaa sau n

interiorul plachetei semiconductoare primim p sau n regiuni prin
metoda introducerii impuritilor acceptoare sau donoare.
Ptrunderea impuritilor n interiorul plachetei semiconductoare
are loc din cauza difuziei atomilor, care se afl n componena
vaporilor n atmosfera crora este introdus placheta la
temperatur nalt. Deorece atomii de impuriti difundeaz din
regiunea cu concentraie nalt cu vitez determinat de
coeficientul de difuzie, atunci concentraia mai mare a impuritilor
se obine la suprafaa semiconductorului. Cu mrirea distanei de
la suprafa spre interiorul semiconductorului concentraia
impuritilor monoton se micoreaz. Jonciunea p-n apare n
regiunea unde concentraia purttorilor de sarcin este aproape de
cea pe care o are materialul fr impuriti. Din cauza repartiiei
neuniforme a impuritilor pe grosimea regiunii primit prin difuzie
are cmp electric propriu.
Diferena dintre mrimile coeficientului de difuzie la materiale
diferite este folosit pentru primirea simultan a dou regiuni de
diferit tip de electroconductibilitate. Pentru Ge coeficientul de
difuzie a impuritilor donoare este cu cteva ordine mai mare dect
coeficientul de difuzie a impuritilor acceptoare, iar n Si se
observ
o
imagine
invers.
De
aceea
dac
placheta
semiconductorului este plasat ntr-un spaiu cu temperatur
nalt a gazului ce conine vapori de impuriti att donoare, ct i
acceptoare. Atomii impuritilor cu coeficient de difuzie mare vor
ptrunde mai adnc n interiorul semiconductorului i vor forma
regiune cu electroconductibilitate respectiv. Atomii de impuriti
cu coeficient de difuzie mai mic vor forma n apropierea suprafeei
semiconductorului regiune cu electroconductibilitate de tip opus.
Cu toate acestea e necesar ca concentraia impuritilor cu
coeficient mic de difuzie s fie mai mare dect concentraia cu
coeficient mare. Calitatea procesului de difuzie la fabricarea
jonciunilor depinde mult de precizia i de meninerea temperaturii
necesare. De exemplu la temperatura 10001200C schimbarea ei
cu cteva grade poate modifica de dou ori valoarea coeficientului
de difuzie.

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

3

Coala

- 3 -3/16/20153/16/2015

Difuzia n dou etape este folosit pentru micorarea influienei

instabilitii
temperaturii
la
calitatea
dispozitivelor
semiconductoare, primite prin metoda difuziei. La prima etap pe
suprafaa plachetei semiconductoare la temperatur relativ joas se
primete o pelicul de sticl. La a doua etap placheta
semiconductoare este plasat ntr-o sob cu temperatur nalt, n
care difuzia impuritilor are loc din pelicula de sticl spre
interiorul plachetei, iar pe suprafaa semiconductorului rmne o
pelicul dielectric de oxid. Difuzia n dou etape este procesul des
folosit la introducerea impuritilor de B n Si. n calitate de surs
de impuriti se folosete oxidul de bor (B2O3). nclzind placheta i
B2O3 n atmosfera de hidrogen, pe suprafaa ei se primete un strat
de borosilicat. nclzirea plachetei pn la temperaturi nalte aduce
la difuzia borului din stratul de sticl n interiorul plachetei. Cu
toate acestea suprafaa este acoperit cu SiO2, care este un
dielectric. n acest fel prin difuzia n dou etape are loc dozarea
introducerii impuritilor din startul de sticl n semiconductor.
Pentru fabricarea tranzistorului KT601A, care este de tip n-p-n,
se folosete metoda de difuzie planar. Din punct de vedere
constructiv dispozitivele planare sunt caracterizate cu aceea c
toate straturile sunt realizate pe una i aceeai parte a plachetei,
deaceea i electrozii sunt plasai pe aceeai parte.
Masca n form de oxid de siliciu SiO2, o primim prin metoda
oxidrii termice a suprafeelor de siliciu, care posed urmtoarele
proprieti:
1. Masca de oxid este legat organic cu suprafaa plachetei, avnd
un contact trainic cu ea, ceea ce exclude ptrunderea difuzorului
n locul dintre masc i suprafa.
2. Grosimea mtii de oxid (aproximativ un micron) este destul
pentru aprarea prilor respective a plachetei mpotriva atomilor
ce difuzeaz.
3. Stratul d oxid n acelai timp cu funcia de mascare ndeplinete
i funcia de aprare (nseamn i a n-p jonciunii, care iese la
suprafa) de la influiena diferitor factori externi. n cazul,
tehnologiilor de aliere i mesa pentru asta este nevoie de a folosi
metode speciale de protecie.

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

4

Coala

- 4 -3/16/20153/16/2015

Ciclul de fabricare planar a tranzistorului n-p-n este ilustrat n

figura 1. Se ea o plachet din Si tip-n, care n structura rezultant
joac rolul de colector. Pe aceast plachet peste prima masc de
oxid se efectuiaz difuzia acceptorului (de obicei bor) i se primete
stratul p al bazei. Apoi peste a doua masc se face difuzia donorilor
(de obicei fosfor) astfel primim stratul emitorului. n sfrit cu
ajutorul celei de-a treia mti de oxid se conecteaz contactele
omice din aluminiu la toate cele trei straturi i n continuar esunt
lipite la aceste contacte srmulie subiri care joac rolul de
piciorue ale tranzistorului.
n varianta considerat placheta este aleas cu o rezisten destul
de mare, pentru a asigura o tensiune de strpungerea a jonciunii
colectorului necesar.
SiO2

a)

b)

)
E

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

5

Coala

- 5 -3/16/20153/16/2015

b)
Figura 1. Etapele de fabricare a tranzistorului planar de tip n-p-n.
a)
b)
c)
d)

placheta naintea difuziei bazei.

placheta naintea difuziei emitorului.
placheta naintea alierii contactelor omice.
Structura rezultant a tranzistorului de tip n-p-n.

1.3. Caracteristica de
tranzistorul KT601A.

intrare

ieire

pentru

Caracteristica de intrare IB=f(UBE) pentru UCE=const. n conexiunea EC normal

curentul de baz este dat de relaia:

I B I E I C I E 1 N I CB0

IE
I CB0
1 N

Relaia de mai sus pune n eviden c asemnarea caracteristicii de intare este

aceeai ca i la conexiunea BC, cu observaia c reprezentarea se face la o alt
scar. Pentru valori mici ale tensiunii de polarizare direct a jonciunii emitorului,
caracteristica de intrare apare n cadranul IV ntruct n circuitul bazei predomin
curentul rezidual ICB0. La tranzistoarele din siliciu, curentul rezidual este foarte
mic, astfel nct caracteristica de intrare se poate considera c trece prin origine.

Fig .1. Caracteristica de intrare IB=f(UEB), pentru UCE=const.

Caracteristica de ieire a tranzistorului bipolar KT601.

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

6

Coala

- 6 -3/16/20153/16/2015

1.4. Scheme echivalente ale tranzistorului bipolar (BC,

EC, CC).
Conectare emitor comun.
Tranzistorul este un dispozitiv cu trei terminale (borne) i poate fi conectat n
circuit dup unul din montajele fundamentale (BC, EC, CC); montajele
fundamentale sunt denumite i conexiuni fundamentale.
Vom analiza mai detaliat schema de conectare n emitor comun care are cea mai
larg utilizare n practic:

Aceast conectare
schem

are
urmtoarea
echivalent:

Fig. 1. Schema de conectare n emitor comun

fig. 2. Schema echivalent ( emitor comun ).

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

7

Coala

- 7 -3/16/20153/16/2015

Din schema echivalent rezult urmtorii parametri:

- rezistena de intrare n etaj
Z in

U in
;
I in

(1)

U in I b rb I E rE I b rb I b ( 1 E )rE I b rb rE ( 1 E ) ;

(2)

nlocuind n (1) pe Iin cu Ib i pe Uin cu valoarea ei din (2) obinem:

Z in .tr .

U in
rb rE ( 1 E ) rb rE ;
I in

(3)

Conectare baz comun.

fig. 3. Schema de conectare ( baz comun ).

Pentru aceast conectare se poate prezenta urmtoarea schem de conectare:

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

8

Coala

- 8 -3/16/20153/16/2015

fig. 4. Schema echivalent ( baz comun ).

Conectare colector comun.

Coeficientul de transfer dup curent reprezint raportul dintre curentul emitorului
i curentul bazei:
KI

IE
1
IB

Proprietatea cea mai de pre a conexiunii n colector comun este rezistena de

intrare foarte joas. Datorit

rezistenei de intrare reduse tranzistorul n

conexiunea colector comun este echivalent unui generator de tensiune care se

schimb neesenial la variarea rezistenei de sarcin (bineneles pn cnd
rezistena de sarcin nu depete cu mult rezistena de ieire a generatorului).

fig. 5. Schema de conectare ( colector comun ).

1.5. Modelul matematic al tranzistorului.

Pentru a obine modelul matematic al tranzistorului se utilizeaz schema
prezentat n fig. 1. Fiecare jonciune este prezentat n form de o diod simpl,
iar interaciunea dinre ele este reprezentat prin dou generatoare de curent. Dac
jonciunea emitorului este deschis atunci n circuitul colectorului va curge un
curent, puin mai mic ca curentul emitorului (din cauza procesului de recombinare
n baz). Acest curent este obinut de ctre generatorul de curent N I 1 N 1 .
Indicele N reprezint conectarea normal sau direct. Deoarece n caz general
tranzistorul poate fi conectat i indirect, la care jonciunea colectorului este
deschis iar cea a emitorului este nchis, astfel rezult c curentului colector I 2 i

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

9

Coala

- 9 -3/16/20153/16/2015

corespunde curentul emitorului I I 2 , n schema echivalent este introdus al doilea

generator de curent I I 2 , unde I - coeficientul de transfer al curentului
emitorului.
n aa fel curenii emitor i colector n caz general conin dou componente:
cea injectat ( I 1 sau I 2 ) i cea colectat ( I I 2 sau N I 2 ):
I E I 1 I I 2 , I C N I 1 I 2 .
(1)
Jonciunile emitor i colector sunt analogice jonciunii p-n a diodei. La
conectarea aparte a jonciunilor tranzistorului atunci caracteristica Volt-Amper se
determin la fel ca n cazul diodei. ns dac la una din jonciuni se aplic o
tensiune, iar ieirea cealeilalte jonciune se scurtcircuitez, atunci curentul, care
trece prin jonciunea p-n, la care a fost aplicat tensiunea, se mrete din cauza
schimbrii concentraiei purttorilor minoritari de sarcin n baz.
U
(2)
e CT T 1 ,
I 1 I ET e U EB T 1 ; I 2 I CT
unde I ET - curentul termic al jonciunii emitorului msurat la scurtcircuitarea
- curentul termic al jonciunii colectorului
electrozilor bazei i colectorului; I CT
msurat la scurtcircuitarea electrozilor bazei i emitorului.
Legtura dintre curenii termici a jonciunilor I CT , I ET , conectai aparte, i
, I ET o primim din relaiile (1) i (2). S
curenii termici a jonciunilor I CT
. Substituim
presupunem c I E 0 , atunci I 1 I I 2 . Cnd U CB T I 2 I CT
aceste relaii n (1) i obinem pentru curentul colectorului urmtoarea ecuaie
I CT 1 N I .
I CT
Respectiv pentru I ET avem I ET I ET 1 N I
Lund n consideraie relaia (2) vom avea urmtoarele relaii pentru curenii
colector i emitor:
e U CT T 1 ;
I E I ET e U EB T 1 I I CT
(3)
e U CT T 1 ;
I C N I ET e U EB T 1 I CT
Pe baza legii lui Kirghoff curentul bazei este:
e UCB T 1
I B I E I C 1 N I ET e U EB T 1 1 I I CT
(4)
La utilizarea relaiilor (1)-(4) trebuie de reinut c n tranzistoare la general
este valabil relaia:
N I ET I I CT .
(5)
Rezolvnd ecuaia (3) n raport cu I C , vom boine:
I C N I E I e UCB T 1 .
(6)
Aceast ecuaie descrie caracteristicile de ieire ale tranzistoarelor.
Dac ecuaia (3) se rezolv n raport cu U EB atunci se obine relaia care
reprezint caracteristicile idealizate de ieire ale tranzistorului:
(7)
U EB T I E I E I ET 1 N e UCT T .
n tranzistorul real n afar de curenii termici ale jonciunilor mai sunt i
curenii de generare-recombinare, cureni de canal i de scurgere. Deaceea
, I ET , I ET de regul sunt necunoscute.
I CT , I CT

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

10

Coala

- 10 -3/16/20153/16/2015

Dac jonciunea p-n este polarizat indirect atunci curentul termic poate fi
nlocuit cu curentul de scurgere, adic putem considera c I CT I CB 0 i I ET I EB 0 .
Prima aproximare poate fi utilizat i la polarizarea direct. Cu toate acestea la
tranzistorii de siliciu T trebuie substituit prin m T , unde coeficientul
m reprezint influiena curenilor asupra unei jonciuni reale ( m 2 4 ). Utiliznd
aceasta, relaiile (3) i (5) adesea se scriu n alt forma care este mai comod la
calcularea parametrilor circuitelor cu tranzistori reali:

1
N I EB 0 e U EB mT 1 I CB 0 e U EB mT 1 ;
A
1
I E I EB 0 e U EB mT 1 I I CB 0 e UCB mT 1 ;
A
N I EB 0 I I CB 0
IC

unde A 1 N I .

(8)
(9)
(10)

Se deosebesc trei regime de baz de funcionare a tranzistorilor bipolari:

activ, de blocare i de saturaie.
n regimul activ una din jonciunile tranzistorului este polarizat direct
datorit tensiunii aplicate din exterior, iar cealalt este polarizat indirect. Astfel n
regim de polarizare normal activ emitorulu este polarizat direct iar tensiunea
U EB din relaiile (3) i (8) are semnul +. Jonciunea colectorului este polarizat
indirect respectiv tensiunea U CB n relaia (3) are semnul -. La conecatrea
inversoare a tranzistorului n ecuaiile (3) i (8) tensiunea U EB i U CB trebuie s
aib polaritate opus. Deosebirea dintre regimul inversor i cel activ are numai
caracter cantitativ.
Pentru regimul activ, cnd U CB T i I CT I CB 0 relaia (6) o vom scrie n
forma urmtoare I C N I E I KB 0 , care corespunde absolut cu relaia (1) din punctul
anterior.
Lund n consideraie c deobicei N 0 ,9 0 ,995 i 1 N 0 ecuaia (7)
poate fi simplificat:
U EB T ln I E I ET T ln I E 1 N I I EB 0
(11)
n acest mod, ntr-un tranzistor ideal curentul colector i tensiunea emitorbaz la o anumit valoare a curentului I E nu depind de tensiunea alpicat la
jonciunea colector. n realitate la modificarea tensiunii U CB se modific lrgimea
bazei, din cauza schimbrii dimensiunilor jonciunii colector i respectiv se
modific gradientul concentraiei purttorilor minoritari de sarcin. Astfel la
mrirea U CB are loc micorarea bazei, gradientul concentraiei golurilor n baz i
curentul I E se mresc. n afar de aceasta, se reduce probabilitatea de recombinare
a golurilor i se mrete coeficientul . Pentru menionarea acestui efect, care
apare mai pronunat n regimul activ, n relaia (11) se adaug nc un termen:
I C N I E I CB 0 U CB rC dif
(12)
unde

rC dif

U CB
I C

I E const

- rezistena diferenial a jonciunii colectorului blocat.

Aciunea tensiunii U CB asupra curentului I E se observ cu ajutorul

coeficientului de reacie negativ n tensiune:

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

11

Coala

- 11 -3/16/20153/16/2015

 CE

dU EB
dU CB

I E const

(13)

care arat de cte ori trebuie schimbat tensiunea U CB pentru primirea aceleiai
schimbri a curentului I E . Semnul minus arat c pentru meninerea curentului
I E const creterea tensiunii trebuie s aib polaritate opus. Coeficientul CE este
destul de mic ( CE 10 4 10 5 ), deaceea la calcule practice deobicei se exclude
influiena tensiunii colectorului asupra cea a emitorului.
n regim de blocare ambele jonciuni sunt polarizate indirect de ctre
tensiunile aplicate din exterior. Modulul tensiunilor trebuie s ntreac valoarea
3 5 m T . Dac aceste tensiuni vor fi mai mici atunci tranzistorul va rmne n
regim de blocare. ns curenii electrozilor vor fi mai mari, ca n regim de blocare
puternic.
innd cont, c tensiunea U CB i U EB au semn negativ, i avnd n vedere c
U EB 3 m T i U CB 3 m T , relaia (8) devine:
I C 1 A N I EB 0 I CB 0
(14)
I E 1 A I EB 0 I I CB 0 .

Substituind n (14) valoarea I EB 0 , gsit din (9), i nlocuind A prin valoarea

sa, obinem:
I C I CB 0

1 I
,
1 N I

(15)

I 1 N
I E I CB 0
.
N 1 N I
Dac inem cont de faptul c N 1 iar I N atunci expresia (15) se va

simplifica esenial i va avea forma:

I C I CB 0 ,
IE

1
I
N CB 0

(16)

N
1
unde N 1 ; 1 1 .
N
1
Din (16) se vede c n regimul de blocare curentul colector are valoarea
minim care este egal cu curentul unei monojonciuni polarizate indirect.
Curentul emitorului are semn opus i esenial mai mic ca curentul colector, aa
cum I N . Deaceea n multe cazuri el se consider egal cu zero.
Curentul bazei n regim de blocare aproximativ este egal cu curentul
colector:
I B I E I C I CB 0 .
(17)
Acest regim caractreizeaz starea de blocare a tranzistorului, n care rezistena sa
este maxim, iar curenii electrozilor sunt minimi. Regimul este utilizat n
dispozitivele de impulsuri, unde tranzistorii funcioneaz n regim de cheie
electronic.
n regim de saturaie ambele jonciuni ale tranzistorului sunt polarizate direct
datorit tensiunii aplicate din exterior. Astfel cderea de tensiune pe tranzistor (
U CE ) este minim iar valoarea lui este de zeci de milivoli. Regimul de saturaie

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

12

Coala

- 12 -3/16/20153/16/2015

apare atunci cnd curentul colector al tranzistorului este limitat de ctre parametrii
sursei de alimentare i de schema n care este amplasat, unde el nu ntrece o
valoare maxim I C max . n acelai timp parametrii semnalului de intrare luat astfel
nct curentul emitorului este esenial mai mare ca valoarea curentului din reeaua
colectorului: I C max N I E .
Atunci jonciunea colectorului este deschis, cderea de tensiune pe tranzistor
este minimal i nu depinde de curentul emitorului. Mrimea ei la conectare
normal pentru un curent mic I C I C I CB 0 este egal cu:
U CE sat T

1 I
.
I

(18)

U CE sat T

1 N
N

(19)

Pentru conectarea inversoare:

n regim de saturaie ecuaia (12) devine fals. Deoarece pentru trecerea

tranzistorului din regimul activ n regimul de saturaie este necesar de mrit
curentul emitorului (la conectare normal) n aa mod nct s se ndeplineasc
condiia I C max N I E . Iar valoarea curentului I E , la care se ncepe acest regim,
depinde de curentul I C max care este determinat de parametrii circuitului n care
este amplasat tranzistorul.

1.6. Ridicarea parametrilor de baz a tranzistorilor

Dup cum a mai fost menionat, tranzistorul este un dispozitiv electronic cu
dou jonciuni p-n ce intreacioneaz ntre ele avnd trei sau mai multe borne de
ieire, fenomenele de amplificare ale crora sunt determinate de fenomenele de
inijecie i extracie ale purttorilor de sarcin. n fig. 1 sunt prezentate ilustrarea
schematic (a) i grafic (b) a tranzistorului de tip p-n-p distribuia concentraiei
purttorilor de sarcin minoritari de-a lungul structurii n stare de echilbru (c).

p
a)

n,p

C
B

b)
c)

x
Fig. 1

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

13

Coala

- 13 -3/16/20153/16/2015

Cunoatem c tranzistorul este constituit din trei regiuni: emitor (E), baz (B) i
colector (C). Jonciunea ce se creaz la frontiera E-B este numit jonciunea
emitorului, iar cea de la frontiera C-B jonciunea colectorului.
Electroconductibilitatea bazei poate fi de tip-p sau de tip-n. Respectiv, sunt dou
tipuri de structur a tranzistorului bipolar: p-n-p i n-p-n.
Principiul de funcionare al tranzistorilor de tip p-n-p i n-p-n este acelai.
Deosebirea const numai n aceea, c n tranzistorul de tip p-n-p curentul ce curge
prin baz este creat de golurile, injectate din emitor, iar n tranzistorul de tip n-p-n
de electroni. n regim normal de funcionare jonciunea emitorului este polarizat
direct, iar a colectorului indirrect.
Dac jonciunile colectorului i emitorului se afl la distan mai mare ntre
ele (adic, dac grosimea bazei este mai mare ca lungimea de difuzie), atunci
purttorii, injectai de emitor, nu vor ajunge la colector, ci vor recombina n
regiunea bazei.
Un atare sistem din dou jonciuni p-n se comport la fel ca i dou diode
semiconductoare, cuplate n serie. Caracteristica volt-amper (C.V.A.) a jonciunii
emitorului prezint ramura direct a caracteristicii diodei, iar a jonciunii
colectorului cea invers. Proprietatea unic a tranzistorului const anume n
interaciunea acestor dou jonciuni.
n fig. 2 este prezentat distribuirea curenilor n structura tranzistorului
bipolar (a), repartizarea potenialului de-a lungul tranzistorului (b) i a purttorilor
de sarcin neechilibrai n baz (c) pentru diferite valori ale curentului emitorului.

I E I Ep
p

I Ep I En
n

E EB

I Cp I C
IC 0 p
a)

ECB
x

b)

p
x

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

14

c)
Coala

- 14 -3/16/20153/16/2015

Fig. 2
La cuplarea tensiunii colectorului U CE are loc decalarea invers a jonciunii
colectorului i n circuitul colectorului curge un curent de valoare redus. Acest
curent este numit curent de scurgere al jonciunii colectorului i se noteaz I CB 0 .
Curentul invers al colectorului I CB 0 (parametru foarte important al tranzistorului)
prezint n sine curentul prin jonciunea colectorului la tensiunea dat, cnd
circuitul este decuplat.
Cuplarea tensiunii la emitor U BE duce la decalarea direct a jonciunii
emitorului i apariia curentului emitorului I E , care este detrminat de curentul de
difuzie.
Curentul de difuzie al emitorului posed dou componente: curentul
electronilor i golurilor:
I E I En I Ep .
Contnd, c la tranzistor baza este srac n purttori de sarcin majoritari
(electroni), iar regiunea emitorului posed o concentraie nalt a purttorilor de
sarcin majoritari (goluri), componenta golurilor n emitor este cu mult maimare ca
cea a electronilor: I Ep I En .
Componenta electronilor se scurtcircuiteaz n circuitul bazei i nu particip
la crearea curentului colectorului. Difuzia electronilor din baz n emitor se
compenseaz cu parvenirea unui flux de noi electroni n baz din circuitul exterior.
Acest lucru determin mrimea i direcia componentei electronilor din curentul
emitorului.
Pentru circuitul bazei I En este componenta principial a curentului bazei.
Relaia:

I Ep I E I Ep I Ep I En 0 ,98...0 ,99

este numit eficacitatea emitorului.

Componenta golurilor a curentului emitorului se determin prin trecerea golurilor
din emitor n baz. Golurile,injectate n baz, sub aciunea difuziei ce tinde s
egaleze concentraia pe ntreg volumul bazei, se deplasseaz n direcia
colectorului. Din cauz c cmpul electric n baz este relativ mic, se poate
considera, c deplasarea golurilor din emitor n colector are loc exclusiv din contul
difuziei. La injectarea necontenit ( I E const . ) n baz se stabiliete o bistribuie
corespunztoare a concentraiei golurilor, ceea ce determin trecerea lor prin baz.
Apropiindu-se de jonciunea colectorului, polarizat indirect, golurile, fiind
purttori de sarcin minoritari, trec din baz n colector, mrind ca rezultat curentul
colectorului. Deoarece trecerea golurilor din baz n colector este fr obstacole,
concentraia lor la frontiera BC este egal cu zero.
Dac vom mri valoarea decalajului direct al jonciunii emitorului, atunci
concentraia golurilor la emitor va crete, iar la colector va rmne ca mai nainte
egal cu zero.
n rezultat crete gradientul concentraiei i, ca urmare, crete curentul de
difuzie al golurilor spre colector. O cantitate de goluri, traversnd baza, recombin

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

15

Coala

- 15 -3/16/20153/16/2015

cu electronii de conductibilitate, ce aduce la mrirea numrului de electroni,

parvenii n baz din circuitul exterior. Aceasta condiioneaz mprirea curentului
golurilor n dou componente:
I Ep I E .rec . I Cp ,
unde I E .rec . este componenta de recombinare a curentului emitorului ce coincide
dup direcie cu I En ; I Cp - componenta curentului emitorului, ce curge n circuitul
colectorului.
La confecionarea tranzistorilor bipolari baza se face subire i srac n
purttori de sarcin majoritari, iar suprafaa jonciunii colectorului de vreo cteva
ori mai mare dect cea a emitorului. Din aceste considerente:
I E .rec . I Cp .
Mrimea raportului:
I Cp I Ep I Cp I Cp I E .rec . 0 ,98...0 ,99

se numete coeficient de transfer. Din cele de mai sus urmeaz, c la tranzistori

mrimea , la fel ca i , este aproximativ egal cu unitatea. De aceea mrimea
:
I Cp I E

I Cp I Ep

0 ,95...0 ,99 ,

I Ep I E

se numete coeficient static integral de transfer al curentului emitorului i, de

asemenea este aproximativ egal cu unitatea. Acest coeficient indic a cta parte din
curentul emitorului curge n circuitul colectorului.
Legea I-a a lui Kirghhoff, aplicat la tranzistor, ne da egalitatea:
I E IC I B

unde

I E I En I E .rec . I Cp ; I B I En I E .rec . I CB 0 ; I C I Cp I CB 0 .

Utiliznd relaia (7), obinem:

I C I E I CB 0 .

Destul de des este utilizat coeficientul static integral de transfer al curentului

bazei :

I Cp
I En I E .rec .

I C I CB 0
.
I B I CB 0

S analizm acum caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar cuplat n

baz comun. n fig. 3 este prezentat familia de caracteristici statice de intrare i
ieire ale tranzistorului, cuplat n BC.
Caracteristica de intrare, cnd U CB 0 (caracteristica nul) este asemntoare
cu caracteristica unei diode obinuite, cuplate la polarizare direct. La alimentarea
jonciunii colectorului cu tensiune negativ caracteristica de intrare decaleaz n
stnga. Aceasta ne indic prezena n tranzistor a legturii inverse interne. Legtura
apare din cauza rezistenei bazei.
I
I
I En de intrare i
nEschema BC rezistena bazei este Ccomun pentru circuitele
ieire. Fie c U EB const . atunci pe emitorul tranzistorului ideal care dirijeaz
curentul jonciunii:
1
U CB 1U EB
U EB rB I B U CB rB I En I E .rec . I CB 0 .

U CB 0
Mod Coal N Document

Semn.

Data

U EB

IE1
IE 0
UTM 525.3 13 TLC-122
16

Coala

- 16 -3/16/20153/16/2015

U CB

a)

b)
Fig. 3

La mrirea tensiunii pe colectorul tranzistoruluise mrete i I CB 0 . n afar de

aceasta se micoreaz I E .rec , fiindc la mrirea tensiunii colectorului semicoreaz
limea bazei tranzistorului. Din aceste considerente tensiunea U EB , aplicat la
emitor, la mrimea U CB la fel se mrete. Acest fapt explic creterea curentului
emitorului i decalajul n stnga al caracteristicii de intrare a tranzistorului cuplat n
BC.
Caracteristicile de ieire prezint dependenel I C f U CB cnd I E const .
Dei tensiunea pe colector este negativ, caracteristicile sunt trasate, de regul, n
coordonate pozitive. Caracteristica nul prezint o caracteristic simpl a diodei
semiconductoare polarizate indirect. La mrirea curentului emitrului caracteristica
se schimb.
E cunoscut, c la apariia curentului emitorului curentul colectorului se
mrete cu valoarea I Cp I E I E . Curentul I Cp poate fi modelat ca un curent
suplimentar al jonciunii colectorului. Din aceste considerente pe baza (11), unde
I 0 I Cp , putem afirma, c oriice caracteristic de ieire a tranzistorului cuplat n
BC prezint caracteristica diodei semiconductoare cu un decalaj I Cp , adic:
I p n I 0 exp eU kT 1 .
Analizm acum caracteristicile static pentru cuplarea tranzistorului bipolar
n schema emitor comun. n fig. 4 sunt prezentate C.V.A. statice de inttrare i ieire
pentru tranzistorul cuplat cu EC. Calitativ ele sunt similar cu cele pentru BC.

IB

I Bn

IC

U CE 0

I B1
IB 0

U CE 1
U BE
Mod Coal N Document

Semn.

Data

U CE
UTM 525.3 13 TLC-122
17

Coala

- 17 -3/16/20153/16/2015

a)

Fig. 4

b)

Caracteristica de intrare la tensiunea colectorului, egal cu zero, trece prin

punctul x 0 i y 0 i difer de caracteristica diodei semiconductoare doar prin
mrimea curentului, deoarece curentul bazei este mai mic dect curentul prin
jonciune ( I E ). La tensiuni negative U CE caracteristicile au un decalaj la drreapta
i n jos. Acest decalaj poate fi explicat n felul urmtor. Fie, c tensiunea pe
jonciunea emitorului este constant. Atunci la fel constant va fi i concentraia
golurilor n apropierea emitorului. Mrimea U CE provoac micorarea limii
bazei, adic micorarea numrului de goluri ce se gsesc n baza tranzistorului. Din
aceast cauz procesul de recombinare a purttorilor de sarcin n baz este redus.
Findc electronii care i-au parte la procesul de recombinare trec prin borna bazei,
curentul bazei se micoreaz. Ca rezultat caracteristicile au un decalaj n dreapta.
S explicm acum decalajul caracteristicilor n jos. La U EB 0 i tensiune
negativ pe jonciunea colectorului concentraia golurilor n baz este mai joas,
fiindc la frontiera cu jonciunea colectorului eat este nul, iar la frontier cu
jonciunea emitorului este egal cu concentraia de echilibru. Din aceste
considerente n regiunea bazei procesul generrii termice este mai rapid dect
prcesul de recombinare. Electronii generai n baz pleac din ea prin borna bazei,
iar aceasta nseamn, c apare curentul ndreptat spre baza tranzistorului.
Creterea curentului colectorului cu mrimea valorii U CE este dirijat de
micorarea limii bazei. Coeficientul de tranziie, adic i coeficientul de transfer,
al curentului emitorului crete. Coeficientul de transfer pentru curentul bazei n
schema cu emitor comun 1 .

2. Tranzistorul cu efect de cmp.

2.1. Parametrii de baz ai tranzistorului K301.
Tranzistorul cu efect de cmp este fabricat prin metoda planar, cu p-n jonciune,
cu gril izolat i canal de tip p. Tensiunea pe dren pozitiv comparativ cu sursa,
iar pe gril negativ. Masa tranzistorului nu mai mult de 1,5 grame.
Parametrii electrici:

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

18

Coala

- 18 -3/16/20153/16/2015

1.Curentul dren: ID =5 mA
2. Curentul grilei: IG=0,3 nA
3. Panta caracteristicii de transfer: S=1 AV
4. Capacitatea de intrare: C11S=3,5 pF
5. Capacitatea de trecere: C12S=3,5 pF
6. Puterea maxim: Pmax=200 mW
7. Temperatura de funcionare: T=233....358oK

2.2. Tranzistoarele cu efect de cmp (generaliti).

Tranzistoarele cu efct de cmp (TEC) sunt dispozituvele electronice a cror
funcionare se bazeaz pe modificarea conductanei unui canal semiconductor sub
influiena cmpului electric.
Deplasarea purttorilor mobili de sarcin are loc, n canal, sub influiena
tensiunii aplicate ntre doi electrozi numii dren i surs, plasai la cele dou
capete ale canalului.
Sursa desemneaz electrdul prin care purttorii mobili de sarcin ptrund n
canal, iar drena, electrodul prin care purttorii mobili de sarcin sunt evacuai din
canal.
Conform celor de mai sus, sensul deplasrii purttorilor mobili de sarcin
este de la surs spre dren. n anumite condiii sensul deplasrii purttorilor mobili
de sarcin se inverseaz, fr ca funcionarea tranzistorului s fie influienat.
Multe tranzistoare simetrice nu-i schimb proprietile dac drena i sursa
se inverseaz.
Tiplu p sau n al materialului semiconductor din care este fcut canalulu
determin tipul purttorililor mobili de sarcin, goluri, respectiv electroni i
mprirea tranzistoarelor cu efect de cmp n TEC cu canal p i cu canal n.
Modificarea conductanei canalului se realizeaz cu ajutorul cmpului creat
de o tensiune de comand aplicat unui al treilea electrod numit gril sau poart.
Conductana canalului depinde de seciunea canalului i de numrul
purttorilor mobili de sarcin din canal.
Deoarece fenomenul conduciei electrice este determinat numai de un singur
tip de purttori i anume de purttorii majoritari din canal, tranzistoare cu efect de
cmp se mai numesc i tranzistoare unipolare.
Clasificarea i simbolurile utilizate pentru tranzistoarele cu efect de cmp
sunt prezentate n fig. 1.
TEC
TEC cu regiune
TEC cu gril
de trecere
izolat
Jonciune pn

Contact
Metal-semicond.

n D Data
Canal
pD Canal Semn.
Mod Coal
N Document
G
G
BG
B
S

D
B G

TECMOS

Tranzistor cu
TECMNS straturi subiri Coala

UTMD 525.3 13 TLC-122

D
19

Fig. 1nS
Canal
Cu canal
iniial
Canal
Sp

- 19G-3/16/20153/16/2015
B

Canal
Cu Scanal
p indus
Canal nS

Tranzistoarele cu efect de cmp se pot mpri n dou grupe. Din prima grup fac
parte TEC a cror funcionare se bazeaz pe modificarea seciunii efective a
canalului.
Pentru a modifica seciunea efectiv a canalului se utilizeaz proprietatea
regiunii de trecere a unei jonciuni p-n sau a unui contact metal-semiconductor de
a-i modifica limea n funcie de tensiunea de polarizare.
TEC realizate astfel se numesc tranzistoare cu efect de cmp TECJ sau
TECMS.

2.3. Tehnologia de fabricare.

Pentru faricarea tranzistorului K301 se folosete metoda planar. Din punct de
vedere constructiv dispozitivele planare sunt caracterizate cu aceea c toate
straturile sunt realizate pe una i aceeai parte a plachetei, deaceea i electrozii sunt
plasai pe aceeai parte.
Masca n form de oxid de siliciu SiO2 , o primim prin metoda oxidrii termice a
suprafeelor de siliciu, care posed urmtoarele proprieti:
4. Masca de oxid este legat organic cu suprafaa plachetei, avnd un contact
trainic cu ea, ceea ce exclude ptrunderea difuzorului n locul dintre masc i
suprafa.
5. Grosimea mtii de oxid (aproximativ un micron) este destul pentru aprarea
prilor respective a plachetei mpotriva atomilor ce difuzeaz.
6. Stratul d oxid n acelai timp cu funcia de mascare ndeplinete i funcia de
aprare (nseamn i a n-p jonciunii, care iese la suprafa) de la influiena
diferitor factori externi. n cazul, tehnologiilor de aliere i mesa pentru asta este
nevoie de a folosi metode speciale de protecie.
n fig. 2,a este prezentat modul de realizare a unui TECJ. ntr-un cristal se
realizeaz dou jonciuni p-n satfel nct ntre ele s rmn un canal ngust.

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

20

Coala

- 20 -3/16/20153/16/2015

Cele dou regiuni exterioare ale jonciunilor se conecteaz n sens invers.

Prin modificarea tensiunii de polarizare se modific limea regiunilor de trecere i
deci seciunea efectiv a canalului.
n fig. 2,b este prezentat un TEC realizat n tehnologie planar epitaxial.
Canalul este constituit din regiunea n crescut pe substratul puternic impurificat.
Jonciunile gril-canal i substrat-canal delimiteaz limea canalului.
S

Contact
metalic

Canal
G

n
p n

np

n+

p+

n+

Canal

p+

Substrat

Izolator

Fig. 2
Cele dou capete ale canalului sunt contactate constituind drena i sursa.
Pentru a se realiza contactele ohmice la surs i dren, nainte de depunerea
metalului se realizeaz prin difuzie dou regiuni n+.
Substratul poate fi utilizat ca un al patrulea electrod de comand avnd
proprieti de comand asemntoare grilei. n general grila i substratul sunt
legate mpreun, constituind electrodul de comand. Dac este nevoie de nc un
electrod de comand se utilizeaz tranzistoare cu dou grile de comand identice.

2.4. Procedee fizice n tranzistorul cu efect de cmp.

LSD
D
G

n
G
Tranzistorul cu efect de cmp prezint un dispozitiv electronic n care
valoarea curentului de transfer este dirijat prin modulaia rezistenei canalului la
aciunea tensiunii din exterior.
S-a convenit ca s se noteze cu S-sursa, D-drena, G-grila.
Tranzistorul cu jonciune p-n de sine o plachet de semiconductor care are
electroconductibilitate de un anumit tip, la capetele cruia sunt realizate dou ieiri
sursa i drena. De-a lungul plachetei este realizat o jonciune p-n, de la care este
scoas o a treia ieire grila. Tensiunea din exterior este aplicat astfel nct ntre

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

21

Coala

- 21 -3/16/20153/16/2015

surs i dren curge un curent electric, iar tensiunea aplicat pe gril polarizeaz
jonciunea n sens invers. Rezistena regiunii care se afl n cmpul electric al
jonciunii poart denumirea de canal i depinde de tensiunea aplicat la gril,
reeind din faptul c dimensiunile jonciunii se mresc la aplicarea pe ea a unei
tensiuni inverse, iar mrirea tensiunii n regiunea nsrcit de purttori de sarcin
aduce la mrirea rezistenei electrice a canalului. n aa fel funcionarea TEC-ului
cu jonciunea p-n dirijat se bazeaz pe schimbarea rezistenei canalului din contul
schimbrii dimensiunilor regiunii nsrcite de puttori de sarcin, care are loc sub
influiena tensiunii inverse apicate pe gril.
Electrodul de la care ncep micarea purttorii de sarcin majoritari n canal
se numete surs, iar electrodul spre care se mic purttorii de sarcin se numete
dren. Dac ntr-o plachet de semiconductor, de exemplu de tip-n, sunt formate
zone de electroconductibilitate de tip-p, atunci la aplicarea tensiunii pe jonciunea
p-n, care o polarizeaz invers se formeaz regiuni nsrcite n purttori de sarcin
majoritari. Rezistena semiconductorului ntre electrozii sursei i drenei se mrete
deoarece curentul trece printr-un canal ngust ntre jonciuni. Schimbarea tensiunii
gril-surs aduce la schimbarea dimensiunii zonei de sarcin spaial
(dimensiunilor jonciunii p-n), adic la schimbarea rezistenei canalului. Canalul
poate fi pe deplin nchis i atunci rezistena ntre surs i dren va fi foarte mare
(zeci de M ). Tensiunea dintre gril i surs la care curentul atinge valoarea cea
mai mic (ID 0) se numete tensiune de blocaj a TEC-ului.
Jonciunea care separ grila de canalul dren-surs trebuie polalrizat invers
pentru ca dioda pe care o constituie s fie blocat. Curenii de gril sunt n cazul
unei polarizri inverse cuprini ntre 1 pA i 10 nA. Rezistena de intrare este
cuprins ntre 10 10 i 10 13 .
Polarizarea direct a jonciunii care separ grila de canalul dren-surs
trebuie evitat, deoarece ar produce o micorare nesmnificativ a regiunilor de
trecere simultan cu o cretere pronunat a curentului de gril i a puterii necesare
comenzii.
Tranzistorii cu efect de cmp cu regiune de trecere se caracterizeaz prin
faptul c n absena unei tensiuni de comand, aplicarea unei tensiuni la capetele
canalului are ca efect trecerea prin canal a unui curent relativ mare.
Modificarea conductanei canalului se face prin extinderea regiunilor de
trecere adic tensiunea de comand produce o micorare a conductanei canalului
i deci o micorare a curentului care trece prin canal.

2.5. Caracteristicile statice.

Caracteristicile statice ale tranzistorului cu efect de cmp reprezint modul
de variaie a curentului de dren n funcie de tensiunile gril-surs i dren-surs.
Cele mai utilizate caracteristici statice sunt caracteristicile de ieire i de transfer.

2.5.1. Caracteristicile de ieire.

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

22

Coala

- 22 -3/16/20153/16/2015

Caracteristicile de ieire prezentate n fig. 3. reprezint dependena

curentului de dren n funcie de tensiunea dren-surs pentru diferite valori ale
tensiunii gril-surs.
UDS =UGS-Up
Liniar
Saturaie
0
UGS

iC
IDS

-2

UGS
UGS
UGS

-4
-6

UDS

UDS
UDS=UGS-Up

mA
12

+2V

10
iD

0V

8
UDS=1V

6
4

-2V
-4V

2
0

4 U
DS

-6V
10V

Fig. 3
Pentru toate tipurile de TEC caracteristicile de ieire sunt asemntoare i
pot fi mprite n trei regiuni:
1. Regiunea liniar uDS U GS U p . Pentru valori mici ale tensiunii dren-surs,
curentul de dren crete proporional cu tensiunea. n apropierea oridinii,
caracteristicile sunt aproape liniare. n aceast regiune, tranzistorul poate
ndeplini rolul de rezisten variabil sau comutator. Caracteristicile de ieire
pentru valori mici ale tensiunii dren-surs sunt prezentate n fig. 8.
Se observ c sensul de trecere a curentului se poate inversa, adic drena i sursa
i pot schimba rolurile.
Analiznd caracteristicile prezentate n fig. 4 se poate trage concluzia c
pentru valori mici ale tensiounii dren-surs caracteristicile sunt aproximativ

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

23

Coala

- 23 -3/16/20153/16/2015

liniare. Deoarece caracteristicile sunt cu att mai liniare cu ct tensiunea drensurs este mai mic, n practic se lucreaz cu valori ale tensiunii drensurs de
ordinul sutelor de milivoli.
iD
mA
4
3
2
1
-1,5

-1

-0,5

UGS=0V
-1V
-2V
-2,5V
uDS, V
-1 0,5
-2
-3
-4
-5

1,5

Fig. 4
2.

Regiunea de saturaie uDS uGS U p . Curentul de dren rmne aproape

constant chiar la creteri relativ mari ale tensiunii dren-surs.
Separarea regiunii de saturaie de regiunea liniar se poate face
aproximnd curentul de dren cu ajutorul relaiei:
iD

I DS 2
u DS .
U p2

Curentul I DS reprezint curentul dren-surs pentru uGS 0 sau uGS 2U p .

Se ia valoarea uGS 0 n cazul tranzistorilor care conduc n lipsa
tensiunii de gril, adic TEC cu regiune de trecere i TECMIS cu canal
indus.
Relaia (2) este reprezentat punctat n planul caracteristicilor de
ieire.
3. Regiunea de strpungere uDS U DS . La tranzistorii cu efect de cmp la care
substratul este conectat cu sursa, creterea tensiunii dren-surs peste o
anumit valoare (deenumit tensiune de strpungere, U DS ) produce o
multiplicare n avalan a purttorilor desarcin. Fenomenul este reversibil
n cazul n care creterea curentului de dren este limitat n mod
corespunztor de elementele de circuit exterioare.
Din caracteristicile de ieire se poate determina rezistena dren-surs
sau conductana de ieire ( rDS , respectiv g DS ):
i D
1
g DS
rDS
u DS

U GS const

i D
u DS

U GS const

Pentru exemplul prezentat se obine:

g DS

i D
0 ,15 mA

150 S .
uDS
1V

2.5.2. Caracteristicile de transfer.

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

24

Coala

- 24 -3/16/20153/16/2015

Caracteristicile de transfer reprezint variaia curentului de dren n funcie

de tensiunea gril-surs pentru diferite valori ale tensiunii dren-surs.
Caracteristicile de transfer ale unui TECMIS cu canal iniial de tip n
(SM103) sunt prezentate n fig. 5.
8V 12

Se observ c acest tranzistor poate lucra att n

regim de srcire ( uGS 0 ), ct i n regim de
mbogire ( uGS 0 ).
i
ID=0,875mA
8 D
Pentru tensiuni u DS mici caracteristica difer,
2V
apropiindu-se pe msur ce tensiunea dren-surs
6
crete. n regim de saturaie, datorit influienei
V 4
slabe a tensiunii dren-surs, este suficient s se
traseze o singur caracteristic pentru o valoare a
2
tensiunii dren-surs mai mare dect tensiunea de
0,5V
0,25V
saturaie.
0
-6
-4
-2
0
2 V
Aceast comportare fiind comun tuturor tipurilopr
uGS
de TEC caracteristicile de transfer n regiunea de
saturaie se pot reprezenta ca n fig. 6.
TECMIS TECMIS TECMIS
Canal
iD Canal
iD
Canal
iniial
iniial
indus
UGS=0,5V

4V 10

IDS

IDS

TECJ

TECJ

-Up 0 Up 2Up UGS

Canal n

-2Up -Up 0

Up UGS

Canal p

Fig. 6

Caracteristica de transfer n regim de saturaie poate fi aproximat cu

ajutorul relaiei:
u
i D I DS 1 GS
Up

Cu ajutorul caracteristicilor de transfer se poate determina panta

caracteristicii sau transconductana, definite ca:
gm S

i D
uGS

U DS const .

i D
uGS

U DS const .

Pentru exemplul considerat se obine:

gm S

0 ,875 mA
1 ,75 mS .
0 ,5V

n regim de saturaie aceast pant se poate calcula utiliznd relaia (4).

S

Mod Coal N Document

Semn.

Data

2 I DS
2
uGS U p
2
Up
Up

I DS i D .

UTM 525.3 13 TLC-122

25

Coala

- 25 -3/16/20153/16/2015

Panta S se msoar n miliamperi pe volt, avnd valori cuprinse ntre

i 1 A V . n cazul tranzistoarelor de mic putere, valorile sunt cuprinse
ntre 0,2 i 5 mA V .
Caracteristica de trnsfer depinde de temperatur dup cum se vede din fig.7.
Este de remarcat faptul c exist un punct n care
iD
curentul de dren nu depinde de temperatur
(aa-zisul punct Z).
20C
Un alt parametru al tranzistorilor cu efect decmp
60C
este factorul de amplificare static, definit cu
120C
ajutorul relaiei:
Z
u
u
1 mA V

uGS

DS

uGS

I D const .

g m rDS .

DS

uGS

I D const .

Fig. 7

2.6. Schemele echivalente a TEC-ului.

Tranzistoarele cu efect de cmp pot fi utilizate n trei conexiuni:surs
comun, dren comun i gril comun.
Pentru a utiliza rezistena gril-canal foarte mare (unul din principalele
avantaje ale tranzistorilor cu efect de cmp ) este necesar ca grila s constituie
borna de intrare.
Conexiunea cu gril comun va fi deci foarte puin utilizat.
Ca amplificator, tranzistorul cu efect de cmp lucreaz aproape tot timpul n
regim de saturaie.
n cele ce urmeaz se vor analiza numai tranzistorii cu efect de cmp cu
canal n. Pentru tranzistorii cu canal p rezultatele sunt valabile dac se inverseaz

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

26

Coala

- 26 -3/16/20153/16/2015

polaritatea surselor. Diodele i condensatorele electrolitice existente n circuit

trebuie de asemenea inversate.
Conexiune surs comun. Acest circuit prezentat n fig. 8. este analog
conexiunii emitor comun a tranzistorului bipolar. Deosebirea const n rezistena
mare gril-canal adic n lipsa curentului de intrare.
Alegerea punctului de funcionare const n alegerea i meninerea constant
a tensiunii gril-surs (uGS).
Presupunnd c s-a ales o tensiune gril-surs UDS, din carasterici rezult un
curent de dren ID i o tensiune dren-surs UDS .
innd cont c tranzistorul lucreaz n regim saturat este valabil relaia (4).
Aplicnd la intrare o tensiune sionusoidal de amplificare U 1 max se poate scrie:
+E

S
u2

u1

u1

gmugs

rDS

RD

u2

Fig. 8
uGS U GS U 1 max sin t .

Cu ajutorul teoremei Kirchhoff aplicat circuitului dren-surs se obine

relaia :
E RD i D uDS

u DS

U U 1 max sin t
E RD I DS 1 GS

Up

Efectund calculele se obine:

uDS

U
E RD I DS 1 GS
Up

U
2 RD I DS 1 GS
Up

RD I DS

U 1 max 2

2U p

U 1 max
RD I DS U 12max

sin

cos 2t
U
2U 2p
p

Se constat c semnalul sinusoidal este distorsionat, deoarece a aprut i armonica

a doua (termenul n cos2t). Definind ca factor de distorsiune pentru armonica a
doua (notat d2) raportul dintre amplitudinile celor dou armonici se obine:
d2

U 1 max
100% .
4 U GS U p

Pentru ca acest factor s fie mai mic de 1% este necesar ca amplitudinea

semnalului de intrare U 1 max s satisfac inegalitatea:

U 1 max 0 ,04 U GS U p

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

27

Coala

- 27 -3/16/20153/16/2015

considernd U GS 2V i U p 4V se obine U 1 max 80 mV .

Amplificarea n tensiune a semnalului este:

U
An 2 RD I DS 1 GS
Up

1 RD S .
U
p

Dei calculul fcut este aproximativ, se poate trage concluzia c tranzistorii

cu efect de cmp avnd o caracteristic aproximativ ptratic introduc distorsiuni
mai mici dect tranzistorii bipolari.
Factorul de distorsiuni depinde i de punctul de funcionare, scznd odat
cu micorarea tensiunii gril-surs.
Difereniind relaiile:
E RD i D u DS

i D i D u DS , uGS

se obine:
i D
uDS

RD di D duDS 0
i
du DS D duGS di D .
uGS

innd seama de definiiile pantei i a rezistenei interne i eliminnd

curentul se obine:
duDS
du
SduGS DS .
rDS
RD

Amplificarea n tensiune va fi:

An

duDS
SR D rDS

RD S .
duGS
RD rDS

Cu ajutorul relaiilor (17) i (18) se poate construi circuitul echivalent pentru

amplificator, prezentat n fig. 9. Circuitul din fig.9,a este valabil numai la frecvene
mijlocii; n cazul frecvenelor joase i nalte este necesar s se in sema de
capacitile de cuplare (fig. 9,b)i de capacitile interne ale tranzistorului (fig.9,c).
Valori uzuale pentru elementele de circuit sunt date n tabelul 1.

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

28

Coala

- 28 -3/16/20153/16/2015

RG

D
gmugs

u1 R
1

ugs

rDS

u2

a)

S
RG

D
gmugs

ugs
u1 R
1

rDS

C2

u2

b)

S
RG

Cgd

gmugs
u1 R
1

rDS

Cgs

u2

c)

Fig. 9
Dou circuite de polarizare pentru conexiunea surs comun sunt prezentate
n fig. 10.
n fig. 10,a curentul de dren produce pe rezistena R2 o cdere de tensiune
R2 I D .
+E

+E

R3
C1

C2

R2

C3
R1
R1

R2

RD
C3

C1

C2

Fig. 10
Circuitul se poate utiliza pentru polarizarea tranzistorilor cu efect de cmp cu
regiune de trecere i a tranzistorilor cu gril izolat i canal iniial.
Condensatoarele C1 i C3 sunt condensatoare de cuplaj cu generatorul i respectiv
consumatorul.
Condensatorul C2 are rolul de a scurtcircuita rezistena R2, punnd la mas
componenta alternativ a curentului. Pentru a-i ndeplini rolul, reactana
capacitiv a condensatorului C2 la frecvena cea mai joas trebuie s fie mult mai
mic dect R2:

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

29

Coala

- 29 -3/16/20153/16/2015

X C2

1
R2
2f j C 2

Dimensionarea circuitului se face su ajutorul relaiilor:

RD

E U DS
ID

U DS U DSS )U GS U p

R2

U GS
.
ID

Condiia (23) trebuie ndeplinit pentru a fi siguri c tranzistorul lu creaz n

regim saturat. Valoarea rezistenai R1 este limitat superior de cderea de tensiune
produs de curentul de intrare. Aceasta cdere de tensiune trebuie s fie mult mai
mic dect U GS . Deoarece curentul de intrare este foarte mic (nA) valorile uzuale
ale rezistenei R1 sunt de ordinul megaohmilor.
Tranzistorii TECMIS cu canal indus de tip n necesit o tensiune de
polarizare pozitiv fa de surs.
Aceast tensiune s-ar putea obine uor cu ajutorul unui divizor de tensiune
ale sursei de alimentare a drenei, ns variaiile de tensiune ale sursei s-ar transmite
pe gril i ar aprea la ieire amplificate.
Un mojntaj mai avantajos este prezentat n fig. 10,b. Prin rezistena R1 se
obine U GS U DS . n general aceast valoare este avantajoas, deoarece rezult
U DS U DSS U p

Impunnd curentul I D , se obine din caracteristic U GS i se calculeaz RD

:
RD

E U GS
.
ID

Condensatorul C 2 are rolul de a mpiedica transmiterea semnalelor

alternative pe gril.
Pentru ambele circuite rezistena de intrare este egal cu R1 .
Conexiunea cu dren comun. Circuitul cu dren comun (fig. 15) sau
repetor pe surs este asemntor circuitului cu colector comun sau repetor pe
emitor de la tranzistorii bipolari.
Circuitul echivalent din fig. 11,b se poate deduce cu uurin din circuitul
echivalent prezentat n fig. 9.
G

+E

rGS

u1
u1

RS

D
gmugs

u2

rDS

RS

u2

Fig. 11
Amplificarea n tensiune se poate calcula cu ajutorul relaiilor:
u1 u gs u2

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

30

Coala

- 30 -3/16/20153/16/2015

RS rDS
RS rDS

u2 g m uGS

An

R r
1 g m S DS
RS rDS

g m RS
.
1 g m RS

Amplificarea este subunitar, iar tensiunea de ieire este n faz cu tensiunea de

intrare. Rezistena de intrare ( Rin ) este egal cu:
Rin

R r
u1
rGS 1 S DS g m rGS 1 RS g m .
i1
RS rDS

Rezistena de ieire ( Rie ) se poate determina din circuitul echivalent:

1
1
RS
gm
gm
Rie

.
1
1 rDS
RS
RS rDS RS

gm
gm gm
RS rDS

Pentru polarizarea tranzistorului cu efect de cmp ca repetor pe surs se pot

utiliza circuite prezentate n fig. 12.
n circuitul din fig. 12,a, U DS este egal cu E U GS , cderea de tensiune pe
rezistena RS fiind egal cu U GS . Dac aceast tensiune este prea mic, se poate
utilioza un divizor de tensiune, ns acest divizor micoreaz rezistena de intrare.
+E

+E
R1

C1
u1

C1

C2
R1

RS

u2

u1

RS

C3

u2

Fig. 12
Pentru tranzistorii TECMIS cu canal indus este indicat circuitul din fig. 12,b.
Cderea de tensiune pe rezistena RS este E U GS , iar tensiunea dren-surs va fi
egal cu U GS . Aceast tensiune asigur funcionarea n regim de saturaie,
deoarece U GS U DSS U p .

2.7. Utilizarea tranzistorului cu efect de cmp CCCCC n scheme electronice.

Voi prezenta mai jos o parte din circuitul n care se utilizeaz tranzistorul cu
efect de cmp K301:

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

31

Coala

- 31 -3/16/20153/16/2015

Amplificator de audio frecven.

Tranzistorul VT6 este de tipul K301. Acest tranzistor este folosit pentru a
stabiliza curentul colector al tranzistorului VT3.

3. Rezolvarea problemelor.
3.1. Problema 1.
Conform caracteristicilor volt-amperice statice ale tranzistorului bipolar s se
efectuieze urmtoarele calcule grafico-analitice pentru etajul de amplificare:
a) s se traseze dreapta de sarcin;
b) s se traseze pe familia de caracteristici statice diagramele curenilor i
tensiunilor n timp i s se determine dac pot aprea distorsiuni neliniare a
semnalului amplificat;
c) pentru regimul liniar de amplificare (fr distorsiuni) s se calculeze
rezistena de intrare i de ieire a etajului, coeficientul de amplificare dup

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

32

Coala

- 32 -3/16/20153/16/2015

curent ki, tensiune kU i putere kP. S se determine puterea util pe sarcin

PR~ i puterea mprtiat pe colectorul tranzistorului.
Se d:
EC=60 V; RS=3 k ; IB=0,075 mA; IBm=0,075 mA.
Rezolvare:
Pe caracteristica de ieire trasm dreapta de sarcin prin punctele:
EC

(EC,0) i) (0, R ) adic (60 V,0) i (0 ;20 mA)

S

I C max I C min 20 0

10 mA
2
2
U
U C min 60 4
U Cm C max

28 V
2
2
0 ,08
U BEm
0 ,04 V
2
I Cm

I Cm
10

133 ,33
I Bm 0 ,075
U
28
K U CEm
700
U BEm 0 ,04
K P K I K U 133 ,33 700 93331

KI

Rint

U EBm
0 ,04
4 10 3

530
I Bm
7 ,5
0 ,075 10 3

I2 R
10 10 3 3 10 3.
PR Cm S
0 ,15 W
2
2
PC U CE I C 20 10 3 30 0 ,6 W

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

33

Coala

- 33 -3/16/20153/16/2015

Dup nominalele date etajul de amplificare posed distorsiuni nelimiare.

3.2. Problema 2.
Conform caracteristicilor volt-amperice statice ale tranzistorului bipolar i
parametrilor lui la frecven nalt s se efectuieze urmtoarele calcule pentru
etajul de amplificare:
a) s se calculeze parametrii h i s se construiasc shema echivelent a
dispozitivului analizat la frecven joas;
b) s se calculeze parametrii fizici ai schemei echivalente la frecven nalt.

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

34

Coala

- 34 -3/16/20153/16/2015

Din cauz c dup nominalele date UCE=50 (V) i IC=40 (mA) nu pot fi
soluionate atunci vom considera datele iniiale ca n problema 1, pentru care am
ales deja punctul de funcionare:
IB=75 A; UCE=50 V
prin urmare:
IB=75 0,2=15 ( A)
UCE=50 0,2=10 (V)

Figura 1. Caracteristicile de ieire i intrare pentru tranzistorul KT601A.

Din grafic determinm IIC=2(mA); UBE=0,02 (V); IC=1(mA);

Determinm parametrii hibrizi h:
h11 E
h21 E

h22 E

U BE
I B
I C
I B

U CE const

U CE const

I CI
U CE

I B const

0 ,02
15 10 6

U CE 20V

2 10 3
15 10 6

2 10 3
10

1 ,33 k ;

133 ,3 ;
U CE 20V

0 ,2 mS ;
I B 15 A

Schema echivalent a tranzistorului la frecven joas este:

Trantistorul bipolar KT601A posed urmtorii parametri la frecven nalt:

2; f=20 MHz; CC=15 pF; CE=75 pF; C=600 ps; IC=6 mA; =3.

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

35

Coala

- 35 -3/16/20153/16/2015

Determinm valorile elementelor fizice ale schemei echivalente a tranzistorului

la frecvene nalte:
rB
C C1

rC
600 ps
3
3 40 120 ;
CC
15 pF

C C 15 pF

5 pF ;

C C2 C C C C1 15 5 10 pF ;

I C
1
120
49 ;
IC
6

rB rB
rCE

1
h22 E

5 k ;

S j 20 I C 20 40 10 3 800 mS ;

1
rBE
670 49 621 ;

Sj

3
75 800 10
6425 pF ;
6

6
,
3

20

10
lim

CE
C BE

Schema echivalent a tranzistorului bipolar la frecvene nalte:

3.3. Problema 3.
Conform caracteristicilor volt-amperice statice ale tranzistorului bipolar s se
determine parametrii etajului de amplificare n regim de recuplare a puterii:
a) s se traseze dreapta de sarcin;
b) s se determine tensiunea de rest a cheii deschise Urest, curentul de intrare i
puterea necesar pentru a o deschide.

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

36

Coala

- 36 -3/16/20153/16/2015

aracteristicile de ieire i intrare pentru tranzistorul bipolar KT601.

Rezolvare:
Pe caracteristica de ieire trasm dreapta de sarcin i detetminm Urest=4 (V)
Rcupl

U rest
4

2 10 2 ;

3
I Ccupl 20 10

PCcupl U rest I Ccupl 4 20 10 3 0 ,08 W ;

I Bcupl k sat

I Csat
20 10 3
4
0 ,6 mA ;
kI
133 ,33

UBEcupl=0,38 (V)-din grafic.

Pint U BEcupl I Bcupl 0 ,6 10 3 0 ,38 0 ,228 mW

3.4. Problema 4.
Conform datelor din ndrumare s se traseze carcteristicile statice pentru
tranzistorul cu efect de cmp i s se efectuieze urmtoarele calcule grafo-analitice
pentru etajul de amplificare:
a) s se traseze dreapta de sarcin;
b) s se traseze diagramele curenilor i tensiunilor n timp i s se determine
dac pot aprea distorsiuni ale semnalului amplificat;
c) pentru regimul liniar de amplificare (fr distorsiuni) s se determine
rezistena de intrare i de ieire a dispozitivului analizat i s se calculeze

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

37

Coala

- 37 -3/16/20153/16/2015

volorile numerice pentru coeficientul de amplificare dup curent ki, tensiune

kU i putere kP.
Date iniiale:
ED=-20 (V); ID0=5 (mA);
UDS0=-10 (V); UGsmax=3 (V);
Ubloc=-2,5 (V); IDmax =1,5 (mA);
Pimp=130 (mW);
Rezolvare:
Ecuaia caracteristicii cutate are forma:
I D I D max

U GS U bloc

U GS max U bloc

U GS 1

3 2 ,5

I D 1 ,5

0 ,05 U GS 2 ,5 2 mA ;

Folosind ecuaia primit completm tabelul:

-ID, mA
0
0,075
0,11
0,32
UGS, V

-2,5

-2

-1

0,62

Dup datele din tabel trasm caracteristica de transfer:

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

38

Coala

- 38 -3/16/20153/16/2015

Figura 1.Caracteristica de transfer i caracteristica de ieire.

Trasm dreapta de sarcin tiind c :

ED=-20 V i RS=2,5 k primim punctele (-20 ; 0) i (0 ; 8 10-3)

I Dm
I Dm
0 ,46 mA ;
2
I
0 ,46 10 3
Dm
0 ,34 10 3 mS ;
U GSm
2

I Dm
S med

Utiliznd datele obinute putem calcula urmtorii parametri ai tranzistorului:

kU S med RS 0 ,34 10 3 2 ,5 10 3 0 ,85 ;
Rint RG 1 M
U
2
I Gm GSm 6 2 nA ;
RG
10

k I S med RG 0 ,34 10 3 10 6 340 ;

k P k I kU 340 0 ,85 289 ;

3.5. Problema 5.
Conform carcteristicilor statice ale tranzistorului cu efect de cmp i parametrilor
lui la frecven nalt s se calculeze:
a) parametrii schemei echivalente (cu construirea ei concomitent pentru
frecven joas);
b) parametrii schemei echivalente (cu construirea ei concomitent pentru
frecven nalt);

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

39

Coala

- 39 -3/16/20153/16/2015

c) componenta activ a conductibilitii de intrare i modulul pantei

dispozitivului analizat la frecvena de 100 MHz.
Date iniiale:
ID0=8,4 mA; UDS0=7 (V);
CGS=7 pF; CGD=1 pF;
RG=50 ;
Rezolvare:
ID0=0,2 8,4 10-3 (mA)=1,68 10-3 (mA);
UDS0=0,2 7 (V)=1,4 (V);
I D
1 ,68 10 3

1 ,2 mS ;
U DS
1 ,4
U DS
1 ,4
RI

833 ;
I D 1 ,68 10 3
S

Prezentm schema echivalent la frecvene joase a tranzistorului cu efect de cmp:

Cu ajutorul parametrilor tranzistorului la frecvene nalte putem determina

elementele schemei echivalente la frecven nalt:

Calculm pentru frecvena de 100 MHz valoarea:

k RC C GS 6 ,3 10 8 50 7 10 12 0 ,22 ;
2
1
1 k2
1 0 ,22
Rint
RC

50

1083 ;
g int
k2
0 ,22 2
S

S0
1 k2

0 ,25 mS .

3.6. Problema 6.
Conform carcteristicilor statice construite ale tranzistorului cu efect de cmp s se
efectuieze calculul proprietilor tranzistorului n regim de rezistor variabil:
a) s se calculeze caracteristica R~ f U DS ;
b) s se calculeze coeficientil de amplificare dup putere pentru regulatorul de
putere montat pe baza tranzistorului cu efect de cmp.

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

40

Coala

- 40 -3/16/20153/16/2015

Conform caracteristicii statice construite a tranzistorului cu efect de cmp (dup

rezolvarea problemei 4.), vom calcula caracteristica R=f(UDS);
Aflm punctele de blocare a tranzistorului :
U D U GS U bloc ;
punctul 1 avem: U D 2 2 ,5 4 ,5 V ; U G 2V ;
punctul 2 avem: U D 1 2 ,5 3 ,5 V ; U G 1V
punctul 3 avem: U D 1 2 ,5 1 ,5 V ; U G 1V
punctul 4 avem: U D 2 2 ,5 0 ,5 V ; U G 2V .
Determinm patru valori ale rezistenei tranzistorului n regim ohmic:
4 ,5

R~ 1

1 10 3
3 ,5

R~ 2
R~ 3
R~ 4

4 ,5 k ;

0 ,62 10 3
1 ,5

0 ,11 10 3
0 ,5

5 ,6 k ;
13 ,6 k ;

0 ,0075 10 3

15 ,4 k ;

Cu ajutorul punctelor obinute trasm caracteristica: R=f(UGS):

Figura 1. Caracteristica regulatorului.

Amplificarea maxim a regulatorului:

k P max

RG
10 6

111 ,1
2 R~ min 2 4500

Conform sarcinii primite de la profesor s se proiecteze un etaj

de amplificare dup putere n baza tranzistorului bipolar n dou
variante:cu i fr transformator.

a) Sarcin:
S se proiecteze un etaj de amplificare n audiofrecven cu tranzistor
bipolar.
Date iniiale: Uie. max=3V
RS=600
Fj=100Hz

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

41

Coala

- 41 -3/16/20153/16/2015

Mj=1.25
EC=9V
Calculul amplificatorului de tensiune
1. Alegem tipul tranzistorului conducndu-ne de urmtoarele:
UCEadmis(1,1...1,3)EC=(1.1.....1.3)*9V=(9,9...11,7)
ICadmis2IS.max=2Uie max/RS=6/600 =0,01A
PCadmis.=ICadmis*UCeadmis=0,01*11=0,11 W
2. IC0=(1,05...1,20) IS.max=(5,25....6)mA
Urest =1
UCE0= Urest+Uie max=1+3=4V
3.Dup datele acestea am ales tranzistorul KT 354A.
4. Determinm valorile nominale pentru RC i RE
Rtot=RC+RE, Rtot=EC/I=9/10,8*10-3=833
Rtot =(0.15...0.25)* RC
Rtot

RC= (1.15...1.25)

833
677
1.23

RE= Rtot- RC=156

Iintr.min= IB.min=Ic.min/min=2,4mA/90=0.026mA
Iintr.max = IB.max=Ic.max/max=9,6mA/200=0,048mA
Iintr.med= IB.med=(IBmax-IBmin)/2 = 0.011mA
5. Determinm rezistena de intrare a etajului de amplificare

Rint
r.

2U int r .med
2 * 0,06V

545
2 I int r .med .
2 * 0.11 * 10 3 A

R12 ( 4...6) Rint

r ., unde R12

R1 * R2
: R12 ( 4 * 545) 2.18k
R1 R2

6. Determinm nominalele rezistoarelor de divizare

R1
R2

E C * R12
9 * 2180

21k
R E * I C 0 156 * 6 * 10 3

R1 * R12
2180 * 21000

24,3k
R1 R12 21000 2180

7. Determinm coeficientul de stabilitate n funcionare a etajului

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

42

Coala

- 42 -3/16/20153/16/2015

RE ( R1 R2 ) R1 * R2
156(24,3 21) 21 * 24,3

2,74
R1 * R2
21 * 24,3
156(21 24,3)
RE ( R1 R2 )
200 90
max min
2
2

8. Determinm capacitatea condensatorului de divizare

Cd 2

1
2F j Rie;. M 1
2
j

1
5F
801956 * 0,75

Rie.=RC+RS=677 +600 =1277

9. Determinm capacitatea condensatorului CE
CE

10
100 F
2F j R E

10. Determinm valoarea coeficientului de amplificare a etajului dup

tensiune:
KU

U ie;.med .
U int r .med

( dingrafic )

3
50.5
0,06

b)Sarcin:
S se proiecteze un etaj de amplificare dup putere n baza tranzistorului
bipolar cu transformator .
Date iniiale: Pie.=2,0W
RS=6
Fj=110 Hz
Mj=1,15
EC=12 V
Calculul amplificatorului de tensiune
1.Determinm puterea ce va fi mprtiat pe tranzistorul selectat:
P

P0=
P

2.0
2,5W
0.8

Pies
T

T (0.7...0.9)

C (0,8...0,9)

-puterea cedata de tranzistor

P0=2,5/0,9=2,77W
2.Determinam valorile
ISmax.* Uies.max= Pies

Mod Coal N Document

Semn.

ISmax si Uies.max.

ISmax.* Uies.max. / Rs = Pies / Rs

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

43

Coala

- 43 -3/16/20153/16/2015

I 2 Smax = Pies / Rs
ISmax=

Pies
Rs

2
0,58 A
6

U ies. max I S max * Rs 0,58 * 6 3.5V

Conform datelor noastre am ales tranzistorul KT809A.

U CE 0 U rest U ies 1 3.5 4,5V

ICo=(1.051.20)ISmax=(0.60.69)A
ICmin=0.38A
ICmax=0,98A
IBmax=64mA
IBmin=24mA
IBm=20mA
UBEmax=0,9V
UBEmin=0,8V
UBEm=0,05V
Toate aceste valori sunt luate din grafic.
Deci calculm rezistenta rezistorului dup curent alternativ.
Rint r
Pint r .

2U BE .m
2 * 0,05

2,5
2 I B.m
2 * 0,020

2 * U BE .m * 2 * I B .m 4 * 0.05 * 20 * 10 3

0,5mW
8
8

3.Calculam rezistenta din circuitul emitorului Re:

RE=

U RE

-valoarea tensiunii care cade pe rezistenta .

IC0

RE=1, 5V/0.65A=2,3
4. Determinam capacitatea condensatorului ce unteaz rezistorul RE:
CE

1
1

1000 F
2F j R E
2 * 3,14 * 110 * 2,3

5.Rezistenta divizorului de tensiune dup curent alternativ:

R12

Mod Coal N Document

Semn.

Data

R1 R2
R1 R2

R1 2 (8...12) Rint e 25

UTM 525.3 13 TLC-122

44

Coala

- 44 -3/16/20153/16/2015

R1

R2

E C * R1 2
12 * 25

200
RE * I C 0
2,3 * 0.65

R1 * R12
200 * 25

29
R1 R1 2 200 25

6. Determinm coeficientul de amplificare al etajului dup putere

KP

Pies.
2,0

4000ori
Pint r . 0,5 * 10 3

7.Determinam rezistenta sarcinii colectorului dupa curent alternativ si

coeficientul de transformare pentru transformatorul de putere.
RC

U CE max
Ec U
12 3

10,5
I C max
c * I C max 0.9 * 0,95

RS
6

0,84

10,5 * 0.8
RC T

8.Determinm rezistena nfurrii transformatorului primar

rT 1 0.5 RC (1 T ) 0.5 * 10,5 * 0.2 1,05

rT 2 0.5 RS

1 T
0.75
T

9.Inductanta transformatorului primar

L1

RS rT 2
2F j n

M 1
2
j

6 0.75
6,75

24,7 mH
2
6.28 * 110 * (0,84) * 0.56 273

4. Bibliografie.
1. Sandu D. Electronica fizic i aplicat Iai: Editura A.I. Cuza,1994.
2. .. .: , 1991.

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

45

Coala

- 45 -3/16/20153/16/2015

3. .. .:, 1977.
4. C .. .:, 1977.
5. Vasilescu G. Electronica 1993.

Mod Coal N Document

Semn.

Data

UTM 525.3 13 TLC-122

46

Coala

- 46 -3/16/20153/16/2015