Ministerul Educației al Republicii Moldova

Universitatea Tehnică a Moldovei

Facultatea Inginerie și Management în Electronică și Telecomunicaţii
Catedra Sisteme și Rețele de Comunicații Optoelectronice

Dare de Seamă
La lucrarea de laborator nr.3
Tema: ” Caracteristicile de intrare şi ieşire a tranzistorului
bipolar cuplat după schema bază comună. Determinarea
coeficientului de amplificare a tranzistorului.”
La disciplina: dispozitive electronice

A efectuat studentul grupei IMTC-151: Morozan Pavel

A verificat lectorul superior: Griţco Roman

Chișinău 2016

Lucrarea de laborator nr. 3

 Tema: Caracteristicile de intrare şi ieşire a tranzistorului bipolar cuplat după schema bază comună.
Determinarea coeficientului de amplificare a tranzistorului.
Scopul lucrării: Studierea metodelor de ridicare a caracteristicilor de intrare şi ieşire ale
tranzistorului bipolar conectat după schema bază comună.
Aparate şi materiale: Generator funcţional, multimetru, osciloscop sursă de tensiune curent
continuu, rezistoare, tranzistor bipolar.

Mersul lucrării:

Lansaţi programul emulator ELECTRONICS WORKBENCH.

Experienţa 1. Măsurarea datelor experimentale pentru construcţia caracteristicii volt-amper

de intrare.

Construiţi circuitul de mai jos

Figura 1. Conexiunea bază comună a tranzistorului bipolar.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Schimbând cu rezistorul variabil (tasta <R> rezistenţa scade, tastele <shift>-<R> rezistenţa se
măreşte) tensiunea de intrare (Ueb) de la 0 până la 0,9 V, ridicaţi caracteristica de intrare a tranzistorului
Ie=f(Ueb) la tensiunea colectorului (Ucb) 0; 5; 10 V (Ucb=0 în cazul când comutatorul este deconectat).
Datele experimentale le introduceţi în tabelul 1.1 .

Tabelul 1.1 Datele experimentale pentru construcţia CVA de intrare.

Tensiunea de Ie , mA Ie , mA Ie , mA
 intrare Ueb , V Ucb = 0 V Ucb = 5 V Ucb = 10 V
0 0 0 0
0,1 0 0 0
0,2 0 0 0
0,3 0,001 0,001 0,001
0,4 0,02 0,031 0,032
0,5 0,237 1.207 1,258
0,6 57,21 267,1 1368
0,7 1180 4999 7654
0,8 16420 77720 80170
0,9 49880 217800 230600

Experienţa 2. Măsurarea datelor experimentale pentru construcţia caracteristicii volt-amper

de ieşire.

Construiţi circuitul de mai jos:

Figura 2. Conexiunea bază comună a tranzistorului bipolar.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Schimbând tensiunea (Ucb) de la 0 până la 10V, ridicaţi ramura directă a caracteristicii de ieşire a
tranzistorului Ic=f(Ucb) pentru curentul emitorului (Ie) 10, 20 şi 30 mА. Datele experimentale le
introduceţi în tabelul 1.2 .

Tabelul 1.2 Datele experimentale pentru construcţia CVA de ieşire.

Tensiunea de Ic , mA Ic , mA Ic , mA
intrare Ucb , V Ie = 10 mA Ie = 20 mA Ie = 30 mA
0 9,528 19,77 29,72
1 9,542 19,78 29,73
2 9,556 19,80 29,75
3 9,57 19,81 29,76
4 9,584 19,82 29,77
5 9,598 19,84 29,79
6 9,611 19,85 29,80
7 9,625 19,86 29,81
8 9.638 19,88 29,82
9 9,652 19,89 29,84
10 9,665 19,9 29,85
După datele obţinute în rezultatul măsurărilor trasaţi caracteristicile de intrare şi ieşire

Experienţa 3. Determinaţi următorii parametri:

Rezistenţa de intrare a tranzistorului

Rint =∆Ueb/∆Ie;
U eb
∆Ueb¿ ∑n =
0.9+0.8+ 0.7+0.6+0.5+ 0.4+0.3+ 0.2+0.1+0
10
=0.45(V)

Ie
∆Ie ¿ ∑n =
0+0+0+ 0.001+ 0.02+0.237+57.21+1180+16420+ 49880
10
=6.759746 (m A)
0.45
Rint¿ 6.759∗10−3 =66.571 (Ω)

Rezistenţa de ieşire a tranzistorului

Ries=∆Ucb/∆Ic;
U cb
∆Ucb¿ ∑n =
0+1+2+3+ 4+5+ 6+7+8+ 9+10
10
=5.5(V)

∆Ic =
∑ Ic = 9,528+9,542+9,556+ 9,57+9,584 +9,598+9,611+ 9,625+9.638+ 9,652+ 9,665 =10.55
n 10
(mA)
5.5
Ries= 10.55∗10−3
=521.327 (Ω)

Coeficientul de amplificare al tranzistorului

α=Ic/Ie
9,528∗10−3
α= 10∗10−3
=0.9528

Concluzie :

În urma efectuării lucrării de laborator, am făcut cunoştinţă cu comportamentul

tranzistorului bipolar în circuitele electrice, elaborate cu ajutorul aplicaţiei WorkBench.
De asemenea, ne-am familiarizat cu metodele de ridicare a caracteristicilor de intrare şi
ieşire ale tranzistorului bipolar conectat după schema bază comună. Astfel, in urma
calculelor de rigoare, am abtinut valoarea coieficientului de transfer al curentului egala
cu 0.9528.