Ministerul Educaţiei Tineretului şi Sportului al Republicii Moldova

Universitatea Tehnică a Moldovei

REFERAT

Lucrarea de Laborator nr. 2

Tema: Caracteristicile de intrare şi ieşire a

tranzistorului bipolar cuplat după schema bază comună şi
cuplat după schema emitor comun. Determinarea
coeficientului de amplificare a tranzistorului.

A efectuat Studentul grupei RST-201

________________________ Namolovan Alexandru

semnătura nume, prenume

A verificat __________ ______ ______________ Grițco Roman

nota data semnătura nume, prenume profesor

Chisinău 2021
 Lucrarea de laborator nr. 2

Tema: Caracteristicile de intrare şi ieşire a tranzistorului bipolar cuplat după schema bază
comună şi cuplat după schema emitor comun. Determinarea coeficientului de amplificare a tranzistorului.
Scopul lucrării: Studierea metodelor de ridicare a caracteristicilor de intrare şi ieşire ale
tranzistorului bipolar conectat după schema bază comună.
Aparate şi materiale: Generator funcţional, multimetru, osciloscop sursă de tensiune curent
continuu, rezistoare, tranzistor bipolar.

Mersul lucrării:
Lansaţi programul emulator ELECTRONICS WORKBENCH.

Partea I
Experienţa 1. Măsurarea datelor experimentale pentru construcţia caracteristicii volt-
amper de intrare.

Construiţi circuitul de mai jos

Figura 1. Conexiunea bază comună a tranzistorului bipolar.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Schimbând cu rezistorul variabil (tasta <R> rezistenţa scade, tastele <shift>-<R> rezistenţa se
măreşte) tensiunea de intrare (Ueb) de la 0 până la 0,9 V, ridicaţi caracteristica de intrare a tranzistorului
Ie=f(Ueb) la tensiunea colectorului (Ucb) 0; 5; 10 V (Ucb=0 în cazul când comutatorul este deconectat).
Datele experimentale le introduceţi în tabelul 1.1 .
 Tabelul 1.1 Datele experimentale pentru construcţia CVA de intrare.
Tensiunea de intrare Ie ,A Ie ,A Ie ,A
Ueb , V Ucb = 0 V Ucb = 5 V Ucb = 10 V
0 0 0 0
0,1 0 0 0
0,2 0 0 0
0,3 0.001µ 0,002 µ 0.003 µ
0,4 0.028 µ 0,84 µ 0,108 µ
0,5 0.838 µ 3,339 µ 5µ
0,6 41.11 µ 230 µ 204.5 µ
0,7 1.336 m 6.527m 6.95m
0,8 16.7m 77m 78.72m
0,9 49,9m 220m 226m

Experienţa 2. Măsurarea datelor experimentale pentru construcţia caracteristicii volt-

amper de ieşire.

Construiţi circuitul de mai jos:

Figura 2. Conexiunea bază comună a tranzistorului bipolar.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Schimbând tensiunea (Ucb) de la 0 până la 10V, ridicaţi ramura directă a caracteristicii de ieşire a
tranzistorului Ic=f(Ucb) pentru curentul emitorului (Ie) 10, 20 şi 30 mА. Datele experimentale le introduceţi
în tabelul 1.2 .

Tabelul 1.2 Datele experimentale pentru construcţia CVA de ieşire.

Tensiunea de intrare Ic ,A Ic ,A Ic ,A
Ucb , V Ie = 10 mA Ie = 20 mA Ie = 30 mA
0 10,8 m 20.82m 30.67m
1 10,81m 20.83m 30.68m
2 10.82m 20.84m 30.68m
3 10.82m 20.84m 30.69m
4 10,83m 20.85m 30.7m
5 10.84m 20.86m 30.71m
6 10.84m 20.86m 30.72m
7 10.85m 20.87m 30.73m
8 10.85m 20.88m 30.74m
9 10.86m 20.88m 30.74m
 10 10.87m 20.89m 30.75m
După datele obţinute în rezultatul măsurărilor trasaţi caracteristicile de intrare şi ieşire

Experienţa 3. Determinaţi următorii parametri:

Rezistenţa de intrare a tranzistorului

Rint=∆Ueb/∆Ie=0,9/49,9*10-3 A =18.04Ω
Rezistenţa de ieşire a tranzistorului
Ries=∆Ucb/∆Ic =10/(10.87-10.8)*10-3=142.857 Ω
Coeficientul de amplificare al tranzistorului
α=∆Ic/∆Ie=(10.87-10.8)* 10-3/49.9*10-3=1.40281*10-9
Partea II
Experienţa 1. Măsurarea datelor experimentale pentru construcţia caracteristicii volt-
amper de intrare.

Construiţi circuitul de mai jos

Figura 1. Conexiunea emitor comun a tranzistorului bipolar.

 Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Schimbând cu rezistorul variabil (tasta <R> rezistenţa scade, tastele <shift>-<R> rezistenţa se
măreşte) tensiunea de intrare (Ube ) de la 0 până la 0,8 V, ridicaţi caracteristica de intrare Ib=f(Ueb) la
tensiunea colectorului (Uce) 0; 5; 10 V (Uce=0 în cazul când comutatorul este deconectat). Datele
experimentale le introduceţi în tabelul 1.1 .
Tabelul 1.1 Datele experimentale pentru construcţia CVA de intrare.
Tensiunea de intrare Ib ,A Ib ,A Ib ,A
Ube , V Uce = 0 V Uce = 5 V Uce = 10 V
0 0 0 0
0,1 0 0 0
0,2 0 0 0
0,3 0.001 µ 0 0
0,4 0.019 µ 0.002 µ 0.002 µ
0,5 0.618 µ 0.043 µ 0.043 µ
0,6 5µ 2.2 µ 2.5 µ
0,7 1.14m 77.62 µ 80.3 µ
0,8 1.2m 1.1m 1,17m

Experienţa 2. Măsurarea datelor experimentale pentru construcţia caracteristicii volt-

amper de ieşire.

Construiţi circuitul de mai jos

Figura 2. Conexiunea emitor comun a tranzistorului bipolar.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Schimbând tensiunea colectorului (Uce) de la 0 până la 8 V, ridicaţi caracteristica de ieşire

Ic=f(Uce) pentru curentul bazei (Ib ) 95 µA; 245 µA. Datele experimentale le introduceţi în tabelul 1.2 .

Tabelul 1.2 Datele experimentale pentru construcţia CVA de ieşire.

Tensiunea de intrare Ic , Ic ,
Uce , V Ib = 95 µA Ib = 245 µA
0 73.7µ 230.5µ
1 6.37m 16.95m
2 6.44m 17.1m
3 6.5m 17.25m
4 6.56m 17.39m
5 6.62m 17.54m
6 6.68m 17.69m
7 6.74m 17.8m
8 6.8m 18m
După datele obţinute construiţi caracteristicile de intrare şi ieşire a tranzistorului.

Experienţa 3.Determinaţi următorii parametri.

Rezistenţa de intrare a tranzistorului

Rint=∆Ube/∆Ib=
Rezistenţa de ieşire a tranzistorului
Ries=∆Uce/∆Ic;
Coeficientul de amplificare al tranzistorului
β=∆Ic/∆Ib

Concluzie:
În concluzie pot spune ca in urma efectuării acestei lucrări de laborator, am fost
familiarizat cu metodele de ridicare a caracteristicilor volt-amperice(CVA) pentru diverse
diode semicoductoare , ridicarea parametrilor de bază a diodelor şi schemelor cu
utilizarea lor. De asemenea am făcut cunoștință cu metodele de ridicare a
caracteristicilor volt-amper (CVA) al diodei stabilizatoare (Zener) , ridicarea parametrilor
de bază a diodelor Zener şi a schemelor cu utilizarea lor.
 La final pot spune că lucrarea de laborator a fost efectuată cu succes, iar obiectivele
principale au fost atinse. De asemenea am construit graficul dependentei tensiunii de
intensitate la o fotodiodă si deja încă 2 grafice ce descriu dependența tensiunii de
stabilizare de tensiunea aplicată și de rezistența RL în circuitul reprezentat mai sus.

Tranzistoarele V1 (1,4,7,10,13,16,19) - 2N2218

V2 (2,5,8,11,14,17,20) - 2N2222
V3 (3,6,9,12,15,18,21) - 2N2222A