Ministerul Educaţiei, Culturii şi Cercetării al Republicii Moldova

Universitatea Tehnică a Moldovei

Facultatea Electronică și Telecomunicaţii
Departamentul TSE

Dare de Seamă

Lucrarea de laborator № 3

Disciplina: Dispozitive și circuite electrice

Tema: „ Cercetarea tranzistorului cu efect de cîmp cu joncţiune cu canal de tip

n.”

A efectuat
studentul gr.TST-201 Semnătura Cătană Ion

A verificat Semnătura Grițco R.

Chişinău 2022
Scopul lucrării: Cercetarea experimentală a caracteristicilor tranzistorului cu efect
de cîmp cu joncţiune cu canal de tip n conectat după schema sursă comună.

Aparate şi materiale: Generator funcţional, multimetru, osciloscop sursă de

tensiune curent continuu, rezistoare, tranzistor cu efect de cîmp.

Experienţa 1. Măsurarea datelor experimentale pentru construcţia

caracteristicii volt-amper de intrare.
Construiţi circuitul de mai jos

Figura 1. Conexiunea sursă comună a tranzistorului cu efect de cîmp.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul..

Ridicaţi caracteristica tranzistorului: ID=f(UD) pentru tensiunea pe grilă

UG=0V; -1V; -2V; -3V. Tensiunea pe drenă (UD) schimbaţi de la 0 pînă la 3V cu
pasul 0,5V şi în continuare pînă la 15V cu pasul 1V rezultatele le introduceţi în
tabelul 1.1.
Tabelul 1.1 Rezultatele măsurărilor experimentale.
Tensiunea de UG=0V UG=-1V UG=-2V UG=-3V
intrare UD, V ID, A ID, A ID, A ID, A
0 0 0 0 0
0,5 564.5 μ 428.7 μ 249.3 μ 17.84 μ
1 1.091m 800 μ 405.7 μ 17.95 μ
1,5 1.574m 1.104m 448.6 μ 18.06 μ
2 2.009m 1.326m 451.3 μ 18.17 μ
2,5 2.386m 1.447m 454 μ 18.28 μ
3 2.696m 1.467m 456.7 μ 18.39 μ
 4 3.054m 1.485m 462.2 μ 18.61 μ
5 3.1m 1.502m 467.6 μ 18.83 μ
6 3.136m 1.519m 473 μ 19.05 μ
7 3.172m 1.537m 478.4μ 19.27 μ
8 3.207m 1.554m 483.9 μ 19.48 μ
9 3.243m 1.571m 489.3 μ 19.70 μ
10 3.278m 1.589m 494.7 μ 19.92 μ
11 3.314m 1.606m 500.1 μ 20.14 μ
12 3.350m 1.623m 505.5 μ 20.36 μ
13 3.385m 1.641m 511 μ 20.58 μ
14 3.421m 1.658m 516.4 μ 20.80 μ
15 3.456m 1.675m 521.8 μ 21.02 μ

Experienţa 2. Măsurarea datelor experimentale pentru construcţia caracteristicii

volt-amper de ieşire.
Ridicaţi caracteristica tranzistorului: ID=f(UG) pentru tensiunea pe drenă
UD=5V; 7,5V; 10V. Tensiunea pe grilă (UG) schimbaţi de la 0 pînă la 5V cu pasul
0,5V.Datele obţinute le întroduceţi în tabelul 1.2
 Tabelul 1.2 Rezultatele măsurărilor experimentale.
Tensiunea de UD=5V UD=7.5V UD=10V
intrare UG, V ID, A ID, A ID, A
0 3.1 m 3.190 m 3.278 m
0.5 2.232 m 2.297 m 2.361m
1 1.502 m 1.545 m 1.589 m
1.5 912.7 μ 939.2 μ 965.5 μ
2 467.6 μ 481.1 μ 494.7 μ
2.5 168.9 μ 173.8 μ 178.7 μ
3 18.83 μ 19.37 μ 19.92 μ
3.5 0 0 0
4 0 0 0
4.5 0 0 0
5 0 0 0

Experienţa 3.Determinaţi următorii parametri.

După caracteristica ID=f(UD) găsiţi:

a) tensiunea de saturaţie: UD sat.=5V
b) curentul de saturaţie al tranzistorului ID.sat. pentru UG=0V ID.sat= 3.1 mA
c) rezistenţa de ieşire a tranzistorului pentru UG=0V după formula
Ries=dUD/dID

15−14
Ries= =28571 Ω
( 3.456−3.421 )∗10−3

d) rezistenţa canalului deschis Rcan.desc.

1 1 −5
. Rcan . desc= = =3.50∗10 Ω
Ries 28.5∗10 3

După caracteristica ID=f(UG) găsiţi:

а) tensiunea de blocare UG bloc. =3.5 V
б) panta caracteristicii de transfer S=dID/dUG pentru UD=UD sat.
 |(1.502−2.232)|∗10−3 1
S= =1.46
|−1−(−0.5)| kΩ

Concluzie: In acest laborator am cercetat experimental caracteristicile tranzistorului cu efect

de cimp cu jonctiune cu canal cu tip n conectat dupa schema sursa comună.
Am masurat datele experimentale pentru constructia caracteristicii volt-amper de intrare
si de esire. Dupa care am trasat graficele dependentei tensiune curent si am determinat UD sat.=5V
si de blocare UG bloc. =3.5 V, ) curentul de saturaţie al tranzistorului ID.sat. pentru UG=0V ID.sat= 3.1
mA
Ries =28571 Ω,
rezistenţa canalului deschis Rcan.desc=3.50∗10−5 Ω
1
panta caracteristicii de transfer S=1.46
kΩ