Proiect de An Dispozitive Si Circuite Electronice

INTRODUCERE
Tranzistorul punctual, care a fost produs în masă timp de aproximativ zece ani, s-a
dovedit a fi o ramură fără margini a dezvoltării electronicii - a fost înlocuit cu tranzistori plani cu
germaniu. Teoria joncțiunii p-n și a tranzistorului de joncțiune a fost creată în 1948-1950 de
William Shockley. Primul tranzistor de joncțiune a fost fabricat pe 12 aprilie 1950 prin creșterea
topiturii A fost urmat de Tranzistor de fuziune, Tranzistor electrochimic și MesaTransistor de
difuzie. Drept urmare, tranzistorul bipolar a demonstrat proprietăți necesare pentru a fi utilizat în
toate aspectele electronicii.
Tranzistorul bipolar a fost inventat în 1947, în anii următori s-a impus ca element
principal pentru fabricarea circuitelor integrate folosind logica tranzistor-tranzistor, rezistor-
tranzistor și diodă-tranzistor. Astfel, tranzistorul bipolar a fost inventat în 1948 de către fizicienii
americani J. Bardeen, W. Brattain și W. Shockley, care ulterior pentru această invenție în 1956 li
s-a acordat Premiul Nobel. Pe 16 decembrie 1947, fizicianul experimental Walter Brattain,
lucrând cu teoreticianul John Bardeen, a asamblat primul tranzistor punctual funcțional. Șase
luni mai târziu, dar înainte de publicarea lucrării lui Bardeen și Brattain, fizicienii germani
Herbert Matare (englez) rus. și Heinrich Welker (engleză) rusă. a introdus un tranzistor punctual
de design francez ("tranzistron") Deci, din încercările nereușite de a crea mai întâi un analog cu
stare solidă a unei triode de vid, apoi un tranzistor cu efect de câmp, sa născut primul tranzistor
bipolar punct imperfect.
Coala
UTM 0714.1 010 NE
Mod Coală N Document Semn. Data 4 - 4 -5/3/20235/3/2023
Capitoulul 1 Notiuni Generale
1.1. Tehnologia de fabricare a tranzistorului bipolar KT603A.
Tranzistorul KT603A este fabricat prin tehnologia epitaxial-

planară. Epitaxia reprezintă procesul de creştere a
straturilor monocristaline pe plachetă cu păstrarea orientării
cristalografice.
Epitaxia ocupă locul intermediar între procesele de bază
şi cele ajutătoare.
Placheta monocristalină de siliciu se află în fluxul de
hidrogen, conţinînd vapori de compuşi ale siliciului cu
halogenii(de obicei SiCl4) la temperaturi mari(1200C şi
mai sus) la suprafaţa plachetei se petrece reacţia:
SiCl4+2H2=Si+4HCl
în rezultatul căreia la suprafaţa plachetei se depune siliciul curat, iar vaporii de HCl sunt
evacuaţi odată cu fluxul de
hidrogen. Statul epitaxial de siliciu monocristalin are aceeaşi orintaţie cristalografică ca
şi placheta.
Dacă la vaporii de SiCl4 adăugăm BBr3 sau PCl3, atunci stratul epitaxial va avea nu
conductibilitate proprie dar conductibilitate prin goluri sau prin electroni, după care în
timpul reacţiei chimice în siliciu se întroduc atomii acceptori de bor sau atomii donori de
fosfor.
În aşa mod, epitaxia permite creşterea straturilor monocristaline de conductibilitate şi
rezistenţă diferite pe plachetă, avînd aceeaşi parametri.
Graniţa între stratul epitaxial şi plachetă nu este ideală, deoarece în procesul de
epitaxie are loc difuzia între atomii de la suprafaţă a plachetei şi atomii din stratul
epitaxial. De aceea prin epitaxie nu se poate de depus mai multe straturi. Cu ajutorul
epitaxiei se poate de depus pe plachetă un strat foarte subţire (1m) ce nu este posibil
de depus prin celelalte tehnologii.
Coala
UTM 0714.1 010 NE
1.2. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar cuplat în
schema emitor comun și bază comună
Un diport (cuadripol) este caracterizat de patru mărimi, două de intrare şi două de
ieşire. Sensul convenţional al curenţilor şi al tensiunilor este prezentat în figura 3.4.
Cum diportul (care poate fi văzut ca o “cutie
neagră”, în care se poate imagina că se află orice
dispozitiv sau circuit electric, cu o schemă oricât de
complexă) este caracterizat prin patru borne iar
tranzistorul are doar trei, una din ele trebuie să fie
comună atât intrării cât şi ieşirii.
Borna comună defineşte conexiunea TB. În figura

3.5 sunt prezentate cele trei tipuri de conexiuni ale tranzistorului, precum şi echivalenţa
dintre mărimile electrice ce caracterizează diportul şi cele ce caracterizează tranzistorul.
Descrierea funcţionării cuadripolului constă în determinarea curenţilor atunci când se
cunosc valorile tensiunilor.
Curenţii de la intrarea, respectiv de la ieşirea cuadripolului, se vor exprima fiecare în
funcţie de cele două tensiuni, adică:
Mărimile de ieşire (curenţii i1 şi i2) sunt funcţii de două variabile, adică din punct de
vedere grafic cuadripolul (deci şi tranzistorul) este descris de două familii de
caracteristici, sub forma unor suprafeţe
1) Caracteristica de intrare i i ( ) v ; v parametru 1 = 1 1 2 =
Coala
UTM 0714.1 010 NE
Reprezintă dependenţa curentului de intrare funcţie de tensiunea de intrare,
pentru diverse valori constante ale tensiunii de ieşire.
2) Caracteristica de transfer i i ( ) v ; v parametru 2 = 2 1 2 =

Reprezintă dependenţa curentului de ieşire funcţie de tensiunea de intrare, pentru
diverse valori constante ale tensiunii de ieşire.
3) Caracteristica de ieşire i i ( ) v ; v sau i parametru 2 = 2 2 1 1 =

Reprezintă dependenţa curentului de ieşire funcţie de tensiunea de ieşire, pentru
diverse valori constante ale curentului (tensiunii) de intrare.
Coala
UTM 0714.1 010 NE
Corespunzător celor trei conexiuni posibile, ecuaţiile (expresiile) caracteristicilor
tranzistorului sunt următoarele:
După cum sugerează și numele, în configurația bază comună, conexiunea BAZĂ este
comună atât semnalului de intrare, cât și semnalului de ieșire. Semnalul de intrare este
aplicat între terminalele bază și emitor ale tranzistorului, în timp ce semnalul de ieșire
corespunzător este luat între terminalele bază și colector, așa cum se arată. Terminalul
Bază este legat la pământ sau poate fi conectat la un anumit punct de tensiune de
referință.
Curentul de intrare care circulă spre emitor este destul de mare deoarece este suma curentului de
bază și a curentului de colector, prin urmare, ieșirea de curent a colectorului este mai mică decât
intrarea curentului de emitor, rezultând un câștig de curent pentru acest tip de circuit de "1"
Coala
UTM 0714.1 010 NE
(unitate) sau mai puțin, cu alte cuvinte configurația bază comună "atenuează" semnalul de
intrare.
Circuitul tranzistorului cu bază comună
În connfigurația Emitor Comun sau la masă, semnalul de intrare este aplicat între
Bază și Emitor, în timp ce ieșirea este preluată între Colector și Emitor, așa cum se
arată. Acest tip de configurație este cel mai frecvent utilizat circuit pentru
amplificatoare pe bază de tranzistor și care reprezintă metoda "normală" de conectare a
tranzistorului bipolar.
Configurația amplificatorului cu Emitor Comun produce cel mai mare câștig de curent
și putere din toate cele trei configurații ale tranzistorului bipolar. Acest lucru se
datorează în principal faptului că impedanța de intrare este LOW, deoarece este
conectată la o joncțiune-PN polarizată direct, în timp ce impedanța de ieșire este HIGH
deoarece este preluată de la o joncțiune-PN polarizată invers.
Circuit de amplificare cu Emitor Comun
Coala
UTM 0714.1 010 NE
În configurația Colector Comun sau la masă, colectorul este acum comun prin
intermediul alimentării. Semnalul de intrare este conectat direct la Bază, în timp ce
ieșirea este preluată din sarcina Emitorului, așa cum se arată. Acest tip de configurație
este cunoscută în mod obișnuit ca un circuit de urmărire a tensiunii sau de repetor
pe emitor.
Configurația Colector Comun sau repetor pe emitor este foarte utilă pentru aplicațiile de
adaptare a impedanței datorită impedanței foarte mari de intrare, în regiunea sutelor de
mii de ohmi, având în același timp o impedanță relativ mică de ieșire.
Circuitul tranzistorului cu Colector Comun
Coala
UTM 0714.1 010 NE
Coala
UTM 0714.1 010 NE
Fig.1. Caracteristica de intrare I B = f U BE U 5
( )
CE = V
pentru tranzistorul bipolar KT603A
Fig.2. Caracteristica de ieşire I C = f U CE I B const

( )
=
pentru tranzistorul bipolar KT603A
Coala
UTM 0714.1 010 NE
1.3.Analiza circuitelor echivalente ale tranzistorului bipolar
Conectare emitor comun. Tranzistorul este un dispozitiv cu trei terminale (borne)
şi poate fi conectat în circuit după unul din montajele fundamentale (BC, EC, CC);
montajele fundamentale sunt denumite şi conexiuni fundamentale.
Vom analiza mai detaliat schema de conectare în emitor comun care are cea mai
largă utilizare în
practică:
Fig. 1. Schema de conectare în emitor comun
Această conectare are următoarea schemă echivalentă:
fig. 2. Schema echivalentă ( emitor comun ).
Din schema echivalentă rezultă următorii parametri:

- rezistenţa de intrare în etaj
(1)
[
Uin = Ibrb + IErE = Ibrb + Ib(1+ E )rE = Ib rb + rE (1+ E ) ; ] (2)
Coala
UTM 0714.1 010 NE
Înlocuind în (1) pe Iin cu Ib şi pe Uin cu valoarea ei din (2) obţinem:
Conectare bază comună:
fig. 3. Schema de conectare ( bază comună ).
Pentru această conectare se poate prezenta următoarea schemă de conectare:
fig. 4. Schema echivalentă ( bază comună ).
Coala
UTM 0714.1 010 NE
Conectare colector comun.
Coeficientul de transfer după curent reprezintă raportul dintre curentul emitorului şi curentul
bazei :
fig. 5. Schema de conectare ( colector comun ).
Coala
UTM 0714.1 010 NE
1.4.Regimurile de funcționare a tranzistorului bipolar
Funcţionarea tranzistorului bipolar în regim de comutaţie

Funcţionarea tranzistorului bipolar în regim de comutaţie reprezintă trecerea acestuia
din stare de blocare în stare de conducţie (comutaţie directă) sau din starea de
conducţie în stare de blocare (comutaţie inversă). Tranzistorul bipolar funcţionează în
conexiunea EC ca un comutator comandat de tensiune. Puterea de comandă este foarte
redusă: în blocare - curent mic (µA) şi rezistenţă mare (MΩ) şi în saturaţie - tensiune
mică şi rezistenţă mică (Ω). Aplicând tensiunea e(t) în baza tranzistorului obţinem
pentru curentul de bază, tensiunea vCE şi tensiunea vBE formele de undă din fig. 3.8.
Timpul de comutaţie directă tcd reprezintă timpul scurs din momentul aplicării
tensiunii E1 până în momentul când ic(t) atinge valoarea 0,9 ICsat. Curentul de
colector în regim de saturaţie este limitat doar de rezistenţa RC din colector .
Valoarea acestui curent este:
Coala
UTM 0714.1 010 NE
Ridicarea parametrilor tranzistorului bipolar în regim static și dynamic
Funcţionarea unui tranzistor (într-un circuit oarecare) poate fi înţeleasă doar dacă este
foarte clară comportarea acestuia: în regim static (la bornele tranzistorului se aplică
tensiuni continue); în regim dinamic (la intrarea tranzistorului văzut ca un diport apare
un semnal de comandă (sinusoidal sau impuls), sub forma unui curent sau a unei
tensiuni, semnal ce se suprapune peste o tensiune continuă preexistentă). Pentru a
înţelege principiul de funcţionare se vor face câteva afirmaţii ce vor fi demonstrate pe
parcursul acestui capitol. Curentul de emitor şi cel de colector sunt aproximativ egali:
În regim static, curentul de bază este mult mai mic decât curentul de colector:
unde F este amplificarea în curent la semnale mari, fiind o mărime ce depinde de tranzistor.
Tranzistoarele de mică putere sunt caracterizate de valori mari ale lui F (de ordinul sutelor), iar
cele de putere medie sau mare prezintă valori mai mici (de ordinul zecilor) ale acestui parametru.
Trebuie subliniată dispersia mare a parametrului F , chiar pentru tranzistoare făcând parte din
aceeaşi familie. În regim dinamic, variaţia curentului de bază este mult mai mică decât variaţia
curentului de colector: h21 sau (hfe) este amplificarea în curent la semnale

mici cu ieşirea în scurtcircuit. F ≈h21 Această relaţie înţeleasă profund poate explica
funcţionarea unui tranzistor. Un tranzistor amplifică în putere. Toate aceste afirmaţii vor fi pe
larg explicate. Prezenţa lor aici, la începutul capitolului, nu are rolul de a face inutilă parcurgerea
lui, ci oferă permanent posibilitatea de a şti care este scopul tuturor abordărilor ulterioare. În
funcţionarea normală a unui tranzistor joncţiunea emitor-bază este polarizată direct, iar cea
colector-bază polarizată invers. Specificitatea tranzistorului este cuplarea electrică a acestor două
joncţiuni pn. Constructiv, trebuie îndeplinite două condiţii : Joncţiunea emitor-bază trebuie să fie
puternic asimetrică: p+n în cazul tranzistoarelor pnp şi n+p în cazul tranzistoarelor npn (adică
zona puternic dopată este emitorul). Baza trebuie să fie subţire (îngustă) în comparaţie cu
lungimea de difuzie Lp a purtătorilor majoritari din emitor ce ajung în bază, astfel încât cea mai
mare parte dintre ei să fie captaţi de colector.
Coala
UTM 0714.1 010 NE
1.5. Parametrii de bază ai tranzistorului bipolar
Tranzistor bipolar de tip n-p-n, fabricat prin metoda epitaxial-planară, de putere medie
şi frecvenţă înaltă se foloseşte în circuite de generare şi amplificare din aparataju
radioelectronic.
Masa tranzistorului nu mai mult de 2 grame.
Parametrii KT603A:
• Desemnator de tip: KT601A
• Material de tranzistor: Si
• Polaritate: NPN
• Puterea maximă de disipare a colectorului (Pc): 0,5 W
• Tensiunea maximă colector-bază |Vcb|: 100 V
• Tensiunea maximă colector-emisor |Vce|: 100 V
• Tensiunea maximă emițător-bază |Veb|: 3 V
• Curentul maxim al colectorului |Ic max|: 0.03 A
• Max. Temperatura de funcționare a joncțiunii (Tj): 175 °C
• Frecvența de tranziție (ft): 40 MHz
• Capacitate de colector (Cc): 15 pF
• Raport de transfer al curentului direct (hFE), MIN: 16
• Figura de zgomot, dB: -
Coala
UTM 0714.1 010 NE
1.6. Utilizarea tranzistorului bipolar în scheme electronice.
Tranzistoarele sunt utilizate pe scară largă în diverse instrumente electrice, radio și
de control.
Tranzistoarele bipolare utilizate pot fi întâlnite în schemele electronice în cele trei
modalităţi de conexiune BC-bază comună, EC-emitor comun şi CC-colector comun.
Însă cele mai utilizate sunt EC şi CC, datorită particularităţilor pe care le posedă. Voi
prezenta mai jos o parte din circuitul în care se utilizează tranzistorul bipolar:
Deoarece tranzistorul bipolar este un dispozitiv cu trei terminale, există în principiu

trei moduri posibile de conectare a acestuia într-un circuit electronic, cu un terminal comun
pentru intrare și ieșire. Fiecare metodă de conectare răspunde diferit la semnalul său de
intrare într-un circuit, deoarece caracteristicile statice ale tranzistorului variază cu fiecare
aranjament de circuit.
- Configurația bază comună - are un câștig de tensiune dar nu are un câștig de

curent.
- Configurația emitor comun - are atât câștig de curent cât și tensiune.
- Configurația colector comun - are un câștig de curent dar fără câștig de

tensiune.
După cum sugerează și numele, în configurația bază comună, conexiunea BAZĂ este
comună atât semnalului de intrare, cât și semnalului de ieșire. Semnalul de intrare este
aplicat între terminalele bază și emitor ale tranzistorului, în timp ce semnalul de ieșire
corespunzător este luat între terminalele bază și colector, așa cum se arată. Terminalul
Bază este legat la pământ sau poate fi conectat la un anumit punct de tensiune de
referință.
Curentul de intrare care circulă spre emitor este destul de mare deoarece este suma
curentului de bază și a curentului de colector, prin urmare, ieșirea de curent a
colectorului este mai mică decât intrarea curentului de emitor, rezultând un câștig de
curent pentru acest tip de circuit de "1" (unitate) sau mai puțin, cu alte cuvinte
configurația bază comună "atenuează" semnalul de intrare.
Coala
UTM 0714.1 010 NE
Circuitul tranzistorului cu bază comună
În connfigurația Emitor Comun sau la masă, semnalul de intrare este aplicat între Bază și
Emitor, în timp ce ieșirea este preluată între Colector și Emitor, așa cum se arată. Acest tip
de configurație este cel mai frecvent utilizat circuit pentru amplificatoare pe bază de
tranzistor și care reprezintă metoda "normală" de conectare a tranzistorului bipolar.
Configurația amplificatorului cu Emitor Comun produce cel mai mare câștig de
curent și putere din toate cele trei configurații ale tranzistorului bipolar. Acest lucru se
datorează în principal faptului că impedanța de intrare este LOW, deoarece este
conectată la o joncțiune-PN polarizată direct, în timp ce impedanța de ieșire este HIGH
deoarece este preluată de la o joncțiune-PN polarizată invers.
Circuit de amplificare cu Emitor comun:
Coala
UTM 0714.1 010 NE
În configurația Colector Comun sau la masă, colectorul este acum comun prin
intermediul alimentării. Semnalul de intrare este conectat direct la Bază, în timp ce
ieșirea este preluată din sarcina Emitorului, așa cum se arată. Acest tip de configurație
este cunoscută în mod obișnuit ca un circuit de urmărire a tensiunii sau de repetor
pe emitor.
Configurația Colector Comun sau repetor pe emitor este foarte utilă pentru aplicațiile de
adaptare a impedanței datorită impedanței foarte mari de intrare, în regiunea sutelor de
mii de ohmi, având în același timp o impedanță relativ mică de ieșire.
Circuitul tranzistorului cu Colector Comun:
Coala
UTM 0714.1 010 NE
CAPITOLUL II
Rezolvarea problemelor cu utilizarea tipică a
tranzistoarelor bipolare în circuite electronice conform variantei
indicate.
Problema 2
Coala
UTM 0714.1 010 NE
Problema 4
Conform datelor din îndrumare să se traseze caracteristicile statice pentru tranzistorul cu efect de
câmp şi să se efectueze următoarele calcule pentru etajul de amplificare cu utilizarea metodei
grafice:
- să se traseze dreapta de sarcină;
- să se traseze pe familia de caracteristici statice diagramele curenţilor şi tensiunilor în timp
şi să se determine dacă pot apărea distorsiuni neliniare ale semnalului amplificat;
RS = 2000Ω
ID, mA 0 0.1 0.41 0.92 1.63 2.55 3.67 5 6.53

UGS, V -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2
Coala
UTM 0714.1 010 NE
Problema 6
Conform caracteristicilor statice ale tranzistorului cu efect de câmp (după rezolvarea problemei
4) să se efectueze calculul proprietăţilor tranzistorului la funcţionarea în regim de rezistor
variabil:
- să se calculeze şi să se traseze caracteristica ;
- să se calculeze coeficientul de amplificare după putere pentru regulatorul de putere
montat în baza tranzistorului cu efect de câmp.
Coala
UTM 0714.1 010 NE
CAPITOLUL III
PROIECTAREA ETAJULUI DE AMPLIFICARE ÎN PUTERE CU
UTILIZAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
Date inițiale pentru proiectarea etajului de amplificare în tensiune fără transformator

Nr. var. Pieş., W Rs, Ω Fj, Hz Mj EC, V
10 2.5 12 100 1.15 18
Să se determine:
- tipul tranzistorului;
- regimul de funcţionare al tranzistorului;
- nominala rezistorului în circuitul emitorului Re ;
- capacitatea condensatorului Сe;
- nominalele rezistoarelor din divizorul de tensiune în circuitul bazei R1 şi R2;
- coeficientul de amplificare al etajului după putere КР;
- coeficientul de transformare al transformatorului n ;
- rezistenţa primarului şi secundarului transformatorului rT1 şi rT2 ;
- inductanţa primarului transformatorului L1;
- suprafaţa radiatorului pentru tranzistorul utilizat Srăă. ,dacă el este necesar pentru a
asigura regimul de funcţionare al tranzistorului.
3.1 Determinarea tipului tranzistorului
Deci în urma calculelor efectuate s-a determinat că tranzistorul ce corespunde cerințelor

este tranzistorul n-p-n KT904A, cu următorii parametri:
β, ori fгр, МHz IC max, mА PC max, mW UCE max, V
10 350 800 5000 28
3.2 Determinarea regimului de funcționare
Coala
UTM 0714.1 010 NE
3.3 Determinarea rezistenţei din circuitul emitorului RE
3.4 Determinarea capacității condensatorului ce şuntează rezistorul RE
3.5 Determinarea rezistenţei divizorului de tensiune după curent alternativ
3.6 Determinarea coeficientului de amplificare al etajului după putere
3.7 Determinarea coeficientului de transformare al transformatorului de putere
3.8 Determinarea rezistenţei înfăşurării primarului transformatorului
3.9 Determinarea inductanţei primarului transformatorului
3.10 Determinarea suprafaţei radiatorului pentru răcirea tranzistorului
Coala
UTM 0714.1 010 NE
CONCLUZII
Deci, tranzistorul bipolar reprezintă un dispozitiv semiconductor utilizat în mod obișnuit pentru
amplificare. Dispozitivul dat poate amplifica semnale atât analogice, cât și digitale. Din punct de
vedere fizic, un tranzistor bipolar amplifică în majoritatea cazurilor curentul, dar acesta poate fi
conectat în circuite concepute pentru a amplifica tensiunea sau puterea. În cadrul proiectului, a
fost analizat tranzistorul bipolar conectat într-un circuit specializat cu scop de amplificare în
tensiune. Metoda de proiectarea a circuitului dat a constat prin utilizarea unui tranzistor bipolar
conectat în circuit cu emitor comun, ceea ce a permis ca în rezultat să se obține o amplificare în
tensiune.
Așadar, în cadrul realizării părții practice, s-a cercetat tranzistorul bipolar de tip n-p-n
KT904A. În baza caracteristicilor volt-amperice de intrare și ieșire a acestuia au fost determinate
valorile experimentale cu care s-a lucrat în cadrul calculelor finale pentru a determina
coeficientul de amplificare a etajului în putere, fiind obținută o valoarea de 4166, și a suprafeței
de răcire a tranzistorului, aceasta fiind de 171 cm2.
Coala
UTM 0714.1 010 NE
Bibliografie.
1. https://sites.google.com/site/bazeleelectronicii/home/tranzistoare-
bipolaresi-fet/1-tranzistor-bipolar https://rudatasheet.ru/
2. https://www.afahc.ro/ro/facultate/cursuri/ccg/CDE/Cursul%203%20-
%20TB.pdf
3. https://www.academia.edu/37797691/Tranzistor_bipolar
4. https://riverglennapts.com/ro/two-port-network/932-hybrid-parameters-
or-hparameters.html
5. http://tet.pub.ro/pages/De/lucrarea3.pdf
6. https://aut.unitbv.ro/aut/electronica/elRo/curs/4CELtranzBip.pdf
7. https://alltransistors.com/ru/transistor.php?transistor=38902
https://eandc.ru/catalog/detail.php?ID=10403
8. http://www.iscee.ugal.ro/BJT.pdf
Coala
UTM 0714.1 010 NE
Anexa
Coala
UTM 0714.1 010 NE

Proiect de An Dispozitive Si Circuite Electronice

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Proiect de An Dispozitive Si Circuite Electronice

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

INTRODUCERE

Tranzistorul KT603A este fabricat prin tehnologia epitaxial-

Borna comună defineşte conexiunea TB. În figura

funcţie de cele două tensiuni, adică:

1) Caracteristica de intrare i i ( ) v ; v parametru 1 = 1 1 2 =

2) Caracteristica de transfer i i ( ) v ; v parametru 2 = 2 1 2 =

3) Caracteristica de ieşire i i ( ) v ; v sau i parametru 2 = 2 2 1 1 =

Circuitul tranzistorului cu bază comună

Circuit de amplificare cu Emitor Comun

Circuitul tranzistorului cu Colector Comun

Fig.2. Caracteristica de ieşire I C = f U CE I B const

Fig. 1. Schema de conectare în emitor comun

Această conectare are următoarea schemă echivalentă:

fig. 2. Schema echivalentă ( emitor comun ).

Din schema echivalentă rezultă următorii parametri:

Conectare bază comună:

fig. 3. Schema de conectare ( bază comună ).

Pentru această conectare se poate prezenta următoarea schemă de conectare:

fig. 4. Schema echivalentă ( bază comună ).

fig. 5. Schema de conectare ( colector comun ).

Funcţionarea tranzistorului bipolar în regim de comutaţie

curentului de colector: h21 sau (hfe) este amplificarea în curent la semnale

• Desemnator de tip: KT601A

• Puterea maximă de disipare a colectorului (Pc): 0,5 W

• Tensiunea maximă colector-bază |Vcb|: 100 V

• Tensiunea maximă colector-emisor |Vce|: 100 V

• Tensiunea maximă emițător-bază |Veb|: 3 V

• Curentul maxim al colectorului |Ic max|: 0.03 A

• Max. Temperatura de funcționare a joncțiunii (Tj): 175 °C

• Frecvența de tranziție (ft): 40 MHz

• Capacitate de colector (Cc): 15 pF

• Raport de transfer al curentului direct (hFE), MIN: 16

• Figura de zgomot, dB: -

Deoarece tranzistorul bipolar este un dispozitiv cu trei terminale, există în principiu

- Configurația bază comună - are un câștig de tensiune dar nu are un câștig de

- Configurația emitor comun - are atât câștig de curent cât și tensiune.

- Configurația colector comun - are un câștig de curent dar fără câștig de

Circuit de amplificare cu Emitor comun:

Circuitul tranzistorului cu Colector Comun:

ID, mA 0 0.1 0.41 0.92 1.63 2.55 3.67 5 6.53

Date inițiale pentru proiectarea etajului de amplificare în tensiune fără transformator

3.1 Determinarea tipului tranzistorului

Deci în urma calculelor efectuate s-a determinat că tranzistorul ce corespunde cerințelor

3.2 Determinarea regimului de funcționare

3.4 Determinarea capacității condensatorului ce şuntează rezistorul RE

3.5 Determinarea rezistenţei divizorului de tensiune după curent alternativ

3.6 Determinarea coeficientului de amplificare al etajului după putere

3.7 Determinarea coeficientului de transformare al transformatorului de putere

3.8 Determinarea rezistenţei înfăşurării primarului transformatorului

3.9 Determinarea inductanţei primarului transformatorului

3.10 Determinarea suprafaţei radiatorului pentru răcirea tranzistorului

S-ar putea să vă placă și