2

STUDIUL REGIMULUI DE COMUTAŢIE

AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE

1. OBIECTUL APLICAŢIEI

Sunt studiate fenomenele care apar la comutaţia directă şi inversă a tranzistoarelor de

putere. Sunt vizualizate formele de undă şi măsurate mărimile caracteristice în condiţiile
unui circuit similar cu circuitul de test indicat în catalog şi în condiţii reale de exploatare.
Analiza SPICE a circuitului de test permite compararea rezultatelor practice cu cele obţinute
prin simulare.

2. INTRODUCERE TEORETICĂ. PREZENTAREA TRANZISTORULUI

BIPOLAR DE PUTERE

În electronica de putere tranzistoarele se folosesc ca elemente de comutaţie bilateral

sau ca amplificatoare de putere în circuitele cu sarcină rezonantă. Tehnologia de fabricaţie
permite realizarea tranzistoarelor care lucrează ca elemente de comutaţie astfel încât
tensiunea de saturaţie să fie minimă, iar tensiunea de susţinere în blocare maximă.
Tranzistoarele utilizate ca amplificatoare de putere sunt realizate astfel încât să se
maximizeze coeficienţii de transfer, puterea şi frecvenţa de lucru.

2.1. Caracteristici statice

Pe caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar de putere din fig. 1 se pun în
evidenţă valorile limită ale mărimilor electrice.

Fig. 1 Caracteristici statice.

36 STUDIUL REGIMULUI DE COMUTAŢIE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE

Curentul de colector iCE, tensiunea de colector vCE şi puterea disipatăPd sunt limitate
superior, deoarece sunt mărimi care caracterizează schimburi sau acumulări de energie. În
planul iC-vCE aceste limite definesc "aria de funcţionare sigură" (AFS) a tranzistorului.

2.1.1. ICM - curentului de colector maxim

Este valoarea maximă a curentului de colector la depăşirea căreia conducţia prin
pastila semiconductoare capătă caracter ohmic. Peste această valoare curentul de colector nu
mai este controlat de curentul de bază prin factorul de amplificare în curent .

2.1.2. PdM - puterea maximă disipată

Este puterea maximă pe care o poate disipa tranzistorul în condiţiile în care
temperatura joncţiunii nu depăşeşte valoarea maximă admisibilă (jM = 150C - 200C) iar
temperatura capsulei are o valoare fixată (de exemplu 25C). Puterea maximă disipată are
expresia:
 jM  25 C
PdM  (1)
R th ( j  c )
unde Rth(j-c) este rezistenţa termică joncţiune-capsulă.
În montajele reale, temperatura capsulei depinde de modul în care se face evacuarea
căldurii, deci de rezistenţa termică capsulă-radiator şi radiator-ambiant.

2.1.3. VCEM - limita superioară a tensiunii colector-emitor

a) Străpungerea primară
Corespunde fenomenului de multiplicare în avalanşă a purtătorilor de sarcină în
joncţiunea polarizată invers (colector-bază) şi depinde de profilul de impurităţi din această
joncţiune. Tensiunea la care apare străpungerea, denumită primară, depinde de mecanismul
de injecţie de purtători în bază, deci de modul de conectare a bazei.
Se pot defini următoarele valori limită ale tensiunii colector-emitor:
VCE0 - cu baza în gol (iB = 0);
VCER - cu baza conectată la emitor printr-o rezistanţăde valoare R;
VCES - cu baza conectată în scurtcircuit la emitor;
VCEX - cu baza polarizată invers, la o tensiune specificată VBE = VBEX;
VCER (care se noteazăVCEM) şi variază între VCE0 şi VCES (VCE0< VCER< VCES);
VCEX este mai mare decât VCES şi ambele sunt apropiate ca valoare de tensiunea
VCB0 (tensiunea colector-bazăcu emitorul în gol).

b) Străpungerea secundară
Datorită distribuţiei neuniforme a impurităţilor sau neuniformităţii profilului
joncţiunii, distribuţia densitătii de curent prin joncţiune este neuniformă, apărând zone de
concentrare a curentului. În aceste zone, denumite şi puncte fierbinţi, temperatura creşte şi
determină generarea termicăde purtători, lucru care contribuie la creşterea localăa densităţii
Introducere teoretic` 37
de curent, deci şi a temperaturii, concomitent cu scăderea tensiunii dintre colector şi emitor.
Temperatura în punctele fierbinţi poate creşte peste valoarea maximă admisibilă.
Tranzistorul se poate distruge prin efect termic la o putere disipată mai mică decât puterea
admisibilă.
Fenomenul de străpungere secundară are un caracter statistic. Din acest motiv în
planul caracteristicilor iC-vCE, din fig. 1, se poate trasa o curbă care împarte planul în două
zone. În una din aceste zone poate să apară fenomenul de străpungere secundară, iar în
cealaltă probabilitatea de apariţie are o valoare acceptabil de mică(1%). Curba care
delimitează cele două zone este descrisă de relaţia empirică:
iC =   vCE-n (2)
unde  şi n depind de tehnologia de fabricaţie a dispozitivului.

2.2. Aria de funcţionare sigură (AFS)

Reprezintă zona în care se poate deplasa punctul figurativ de funcţionare, de
coordonate iC-vCE, fără a exista pericolul distrugerii tranzistorului. Aria de funcţionare
sigură în fig. 1 este mărginită de axele de coordonate iC-vCE şi de curbele:
iC = ICM;
iC = PdM vCE-1, pentru iC < ICM şi vCE < VCEM;
iC =  vCE-n , pentru iC < ICM şi vCE < VCEM;
vCE = VCEM.
Cazul general este cel în care iC = PdM vCE-1 se intersectează cu iC =  vCE-n într-un
punct (iCint, vCEint) pentru care avem iCint < ICM şi vCEint < VCEM.
Dacă iCint > ICM, atunci AFS este mărginită de iC = vCE-n, iC = ICM şi vCE
= VCEM, iar dacăVCEint > vCEM, AFS este mărginită de iC = PdM vCE-1, iC = ICM şi vCE =
VCEM.
În fig. 2 este reprezentat un exemplu de arie de funcţionare sigură.

Fig. 2 Aria de funcţionare sigură.

În cazul funcţionării în curent continuu, curba care mărgineşte AFS este figurată cu
linie continuă pentru două temperaturi ale capsulei tranzistorului (25C şi 100C). Se
38 STUDIUL REGIMULUI DE COMUTAŢIE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE

observă că aria de funcţionare sigură se micşorează la creşterea temperaturii capsulei. În

cazul în care tranzistorul funcţionează în regim de impulsuri, AFS se măreşte (figurată
punctat). În această situaţie, în pauza dintre impulsuri, joncţiunea se răceşte. Din acest motiv
curentul maxim poate depăşi valoarea sa maximă de curent continuu (ICM) şi puterea
instantanee poate fi mai mare decât cea de curent continuu. Tot în această situaţie aria de
funcţionare sigură este mărginită doar de străpungerea secundară, exponentul n fiind cu atât
mai mare cu cât durata impulsului scade.

2.3. Tranzistorul în regim de comutaţie

2.3.1. Parametrii de impuls

Datorită fenomenelor de stocare, recombinare şi deplasare a purtătorilor de sarcină în
regiunea bazei şi în regiunea colector-bază, intrarea în conducţie şi blocarea tranzistorului în
circuitul de sarcină se produc cu o anumită întârziere faţă de intrarea în conducţie şi blocarea
în regiunea bazei.

Fig. 3 Diagrame funcţionale la comutarea tranzistorului bipolar.

Mărimile care caracterizează comutarea tranzistorului, definite folosind formele de

undă din fig. 3, sunt:
ton - intervalul de timp între creşterea curentului de bază(0,1iB1) şi atingerea de
către iC a valorii 0,9iCM;
toff - intervalul de timp între căderea curentului de bază(0,9iB1) şi atingerea valorii
0,1iCM de către iC;
tp - durata impulsului aplicat în bază;
td - întârzierea la creştere;
ts - timp de stocare;
Tranzistorul bipolar în circuit de comutaţie 39
ton - se numeşte timp de comutaţie directă, iar toff timp de comutaţie inversă.
Fiecare din cei doi timpi se compune dintr-o întârziere (td şi ts) şi un timp de
creştere / cădere a frontului (tr, tf).

3. TRANZISTORUL BIPOLAR ÎN CIRCUIT DE COMUTAŢIE

Se va analiza în continuare dependenţa diagramelor funcţionale ale tensiunii şi

curentului prin tranzistor şi solicitările la care este supus acesta în funcţie de caracteristicile
acestuia şi de circuitul în cadrul căruia lucrează.

3.1. Comutarea pe sarcină rezistivă

Tranzistorul din fig. 4 comută pe sarcină rezistivă, formele de undă liniarizate în
comutaţie fiind prezentate în fig. 5. Ţinând cont că U CE( sat)  EC , I CE0  I CM şi fiind
date EC , I CM , t r , t f , t s, se vor determina teoretic puterile medii disipate în comutaţie şi se va
trasa graficul puterii instantanee.

Fig. 4 Tranzistorul bipolar în comutaţie pe sarcină rezistivă:

a) circuit; b) excursia punctului figurativ de funcţionare.

Fig. 5 Diagrame funcţionale ale tranzistorului bipolar în comutaţie.

Pe intervalul 0  t r putem scrie:
40 STUDIUL REGIMULUI DE COMUTAŢIE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE
t E
i C  I CM , unde I CM  C (3)
tr R
şi
 t 
uCE  EC  iC R  EC 1   . (4)
 tr 
Puterea medie la comutarea în conducţie este:
t
1 r I E
Pr  
tr o
iC uCE dt  CM C .
6
(5)

La comutarea în intervalul t f , se obţine în mod asemănător:

 t  t
iC  I CM 1   şi u CE  E C . (6)
 t  tf
 f 

Puterea medie disipatăîn intervalul t f este:

tf
1 I CM ECD
Pf 
tf i
0
C uCE dt 
6
. (7)

Puterea medie disipatăde tranzistor se poate exprima:

t  tr ( t  t f ) I CM E C
PT  f ( Pr  Pf )  r . (8)
T 6T
Folosind relaţiile anterioare pentru curent, tensiune şi putere, în intervalele de timp t r şi
t f se obţin puterile instantanee:
 t t2   t t2 
pr (t )  I CM EC   2  şi p f (t )  I CM EC   2  . (9)
t 
 tr tr   f tf 
Puterea instantanee disipatăare variaţia din fig. 6.

Fig. 6 Puterea instantanee disipată de tranzistorul

bipolar în comutaţie pe sarcină rezistivă.
3.2. Comutarea pe sarcină inductivă
În condiţii reale de funcţionare procesul de comutare al tranzistorului bipolar de putere
este determinat nu numai de parametrii intrinseci de comutaţie ci şi de caracterul sarcinii.
Astfel, să considerăm circuitul din fig. 7.a cu tranzistor în comutaţie, lucrând pe sarcină
inductiv-rezistivă.
Tranzistorul bipolar în circuit de comutaţie 41

Fig. 7 Diagrame funcţionale pentru comutarea tranzistorului bipolar pe sarcină inductivă:

a) circuit; b) excursia punctului figurativ de funcţionare.

Traiectoria punctului figurativ de funcţionare în planul caracteristicilor i C ( uCE ) , într-

un proces complet de comutaţie (conducţie-blocare şi invers) determină atât de puterea
disipată de tranzistor cât şi asigurarea sa în raport cu străpungerea secundară.
Dacă R<L şi tranzistorul se află iniţial în blocare, în punctul figurativ A, la aplicarea
comenzii de comutare în conducţie se produce saltul acestuia în B, parcurgându-se în
continuare curba de saturaţie B-C. După comanda de blocare, punctul figurativ descrie
traiectoria C-D-A. În funcţie de circuitul de polarizare al intrării, punctul D se poate afla pe
una din caracteristicile de străpungere primară ( uCE0 , uCER sau uCEX ). Pe traiectoria C-D-
A se descarcă energia acumulată în inductanţă, o parte pe rezistenţa de sarcină iar cealaltă
prin tranzistor.
În intervalul de blocare t rev, circuitul echivalent de comutare este cel din fig. 8 în care
tranzistorul a fost modelat printr-un comutator T ideal (această aproximare este posibilă
întrucât tranziţia este determinată în principal de constanta de timp a sarcinii), iar tensiunea
în străpungerea primară este uCE  U CE( sus) .
Aplicând teorema Kirchhoff II pentru circuitul echivalent se obţine:
di
L  Ri c  E C  U CE ( sus) . (10)
dt
Comutarea în blocare începe în momentul în care comutatorul S trece de pe poziţia 1
pe poziţia 2. Condiţia iniţială pentru curent fiind:
E C  U CE ( sat)
i C ( t  0)  I CM  , (11)
R
soluţia ecuaţiei (10) este:
EC  U CE ( sus)  
t
 
t
iC  1  e    I CM e .
(12)
 
R  
42 STUDIUL REGIMULUI DE COMUTAŢIE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE

Fig. 8 Comutarea în blocare pe sarcină R-L:

a) circuit echivalent; b) curentul de colector şi tensiunea colector-emitor.

Dacă sarcina este puternic inductivă astfel încât L / R  t r , L / R  t f şi energia

acumulată la sfîrşitul încărcării este suficient de mare ( WL  LI 2CM / 2 ), punctul de
funcţionare parcurge traiectoria A-B-C-D-A.
Dacă tensiunea de alimentare EC şi durata de aplicare a impulsului t p sunt mari,
traiectoria parcursă de punctul figurativ de funcţionare poate intersecta curba de
probabilitate a străpungerii secundare (în F), punctul figurativ se întoarce spre zona care
specific tensiunea în străpungere secundară, dispozitivul putându-se distruge.

3.3. Tehnici de comandă a tranzistoarelor bipolare de putere

Pentru creşterea vitezei de comutare în conducţie şi respectiv blocare a tranzistorului
bipolar de putere au fost elaborate o serie de tehnici de comandă. Intervalul de timp t on
poate fi micşorat prin aplicarea iniţial a unui curent de bază mare pentru încărcarea rapidă a
regiunii de bază, iar apoi curentul este redus la o valoare necesară pentru a suporta regimul
de saturaţie staţionar (cvasisaturaţie). Timpul de blocare t off poate fi redus prin inversarea
sensului curentului de bază. Creşterea valorii iniţiale a curentului invers de bază determină
micşorarea timpului de stocare.
În lucrare sunt studiate tehnicile de comandă care permit controlul comutării în
conducţie şi controlul de antisaturaţie.
3.3.1. Controlul comutării în conducţie
Principiul controlului de comutare în conducţie, în vederea micşorării timpului t on este
prezentat în fig. 9.
Tranzistorul bipolar în circuit de comutaţie 43

Fig. 9 Controlul comutării în conducţie:

a) principiu; b) circuit practic.

În primul interval de timp curentul injectat în bază satisface condiţia: I B1  I C( sat) , iar
apoi acesta este redus la valoarea I B2 care asigură regimul cvasistaţionar. În varianta reală
de circuit, curentul de bază este exponenţial.
Curentul de bază maxim este:
U  U BE
I B1  B1 , (13)
R1
iar valoarea staţionară a acestuia este:
U  U BE
I B2  B1 . (14)
R1  R 2
Condensatorul se încarcă la tensiunea:
R2
u C  U B1 , (15)
R1  R 2
având constanta de timp:
R1R 2
1  C. (16)
R1  R 2
Pentru a dimensiona condensatorul C, vom pune condiţia egalităţii între sarcina electric
cu care acesta este încărcat între momentele comutaţiei:
Q c  R 2 I BC (17)
şi sarcina electric ce trebuie injectată sau extrasă din bază:
QB  I B B( ef ) . (18)
Rezultă valoarea condensatorului:
 B ( ef )
C . (19)
R2
44 STUDIUL REGIMULUI DE COMUTAŢIE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE
Relaţia (19) poate fi utilizată şi pentru determinarea experimentală a lui  B( ef ) . În acest
scop, se modifică valoarea lui C până când tensiunea uCE are fronturi de comutaţie minime,
atunci când la intrarea circuitului se aplică impulsuri dreptunghiulare.

3.3.2. Controlul de antisaturaţie

Dacă tranzistorul este comutat "puternic" în conducţie, are loc o reducere a timpului de
comutare directă t on, dar la comutarea inversă, în blocare, se produce creşterea timpului de
stocare, t s. În aplicaţiile de comutaţie la frecvenţe ridicate această situaţie devine
indezirabilă. O soluţie mai eficientă pentru rezolvarea acestei probleme este utilizarea unui
circuit de antisaturaţie, (fig. 10).

Fig. 10 Circuit cu diodă Das de antisaturaţie pentru

minimizarea timpului de stocare.

Până la intrarea în saturaţie a tranzistorului, dioda Das este blocată:

U Das  U BE  U D1  UCE  0. (20)
Curentul injectat în bază este i B  I B1, iar curentul de colector este egal cu cel al
sarcinii, I C  I 0 .
La atingerea pragului impus pentru U CE( sat) , dioda Das se deschide, o parte a
curentului I B1 se ramifică prin Das şi curentul injectat în bază scade, I B  I B1  I as; gradul
de saturaţie scade, tranzistorul trecând din regim de saturaţie puternică în cvasisaturaţie. În
condiţiile de limită de saturaţie, având U BE( on)  U CE( sat), căderile de tensiune pe cele
două diode D1 şi Das sunt egale, uDas  U D1 . Pragul pentru uCE se poate controla prin
adiţionarea unor diode în serie cu D1. Curentul de colector se poate obţine din ecuaţia:
s
I C   sI B   s ( I B1  I C  I 0 )  ( I B1  I 0 ) , (21)
s  1
unde cu  s s-a notat un factor de amplificare echivalent, la saturaţie.
Dioda Das trebuie să aibă un timp de revenire mai redus decât timpul de stocare al
tranzistorului. Mai mult, tensiunea inversă maximă a diodei trebuie să fie similară cu
tensiunea de susţinere a tranzistorului.
Tranzistorul bipolar în circuit de comutaţie 45
În circuitele din fig. 10, dioda D 2 este introdusăpentru a permite eliminarea sarcinii
stocate prin curent invers în bază, etc.
Dezavantajul major al metodei prezentate constă în creşterea puterii disipate, datorată
creşterii tensiunii uCE şi într-o oarecare măsură creşterii curentului de colector prin
adiţionarea componentei de curent prin Das.

3.4. Circuite de protecţie pentru tranzistoare bipolare de putere

Circuitele de protecţie individuală ("snubber circuits") pentru tranzistoare bipolare cu
joncţiuni (TBJ) de putere sunt utilizate pentru a menţine pe intervalul de comutaţie
traiectoria punctului figurativ de funcţionare în AFS. Astfel tranzistorul este supus la un
regim de stress la comutarea în conducţie/blocare, când atât curentul cât şi tensiunea au
valori ridicate, ceea ce conduce la puteri mari disipate, efecte nedorite ale străpungerii
dispozitivului ş.a. Circuitele de protecţie individual a TBJ de putere sunt necesare tocmai
pentru a diminua (dacă nu a reduce în totalitate) elementele de stress.
În cele ce urmează, în vederea simplificării analizei circuitelor de protecţie, se consider
variaţia curentului prin tranzistor liniară. Această ipoteză permite elaborarea unor criterii
simple pentru proiectarea circuitelor de protecţie.

3.4.1. Circuit de protecţie la comutarea în blocare

Problema care se cere rezolvată la comutarea în blocare constă în diminuarea puterii
disipate pe dispozitiv.
Tranzistorul are curentul în conducţie i C  I 0 şi tensiunea la borne u CE =0. La
comutarea în blocare, în prezenţa snubber-ului R s , Cs , Ds , curentul i C descreşte liniar, iar
componenta i Cs  I 0  i C prin D s încarcă capacitatea C s. În intervalul de blocare t 0  t  t f
se obţine:
I0
i Cs  t (22)
tf
iar curentul prin tranzistor este:
 t 
iC  I 0 1  . (23)
 t 
 f 
46 STUDIUL REGIMULUI DE COMUTAŢIE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE

Fig. 11 Circuit pentru protecţia la comutarea în blocare (snubber "off"):

a) circuit; b) diagramele funcţionale ale tensiunii şi curentului la comutarea în blocare.

Tensiunea la bornele condensatorului şi tranzistorului este:

t
1 I 0t 2
Cs 0
uCs  uCE  iCs dt  . (24)
2Cs t f
Formele de undăale mărimilor electrice pentru trei valori ale capacităţii C s sunt
reprezentate în fig. 11.b.
1. Pentru o valoare micăa lui C s, tensiunea uC atinge valoarea E înainte ca i C săse
anuleze. La t f dioda de nul D, în paralel pe sarcină, comută în conducţie şi tensiunea uCE
devine egalăcu E, dioda D s este blocată, iar încărcarea condensatorului încetează.
2. Pentru o valoare Cs  Cs1 se produce anularea curentului de colector la t= t f , când
uCE = E. Din relaţia (24) se obţine:
I t
C s1  0 f . (25)
2E
3. Pentru o valoare Cs  Cs1, încărcarea este mai lentă, are loc prelungirea procesului
de comutaţie. Deşi curentul de colector se anulează înainte ca tensiunea uCE săatingă
valoarea staţionară E, comutarea în circuitul de sarcină nu este încheiată.
Utilizând relaţiile (23) şi (24), se poate determina energia disipată de tranzistorul
bipolar în prezenţa circuitului snubber off:
tf
 I 0t 2
tf
   I 2t 2
W f   uCE iC dt     I 0 1  t dt  0 f , (26)
 2C t   t  24Cs
0 0 s f   f 
care pentru Cs  Cs1 devine:
I Et
Wf  0 f . (27)
12
Comparând această energie cu cea obţinută în circuitul fără snubber se constată un
raport de 1:6, ceea ce exprimă în mod evident utilitatea circuitului de protecţie.
O analiză mai detaliată a circuitului snubber off trebuie să ia în considerare şi
influenţa snubber-ului asupra energiei disipate de dispozitiv la comutarea în conducţie.
Tranzistorul bipolar în circuit de comutaţie 47

3.4.2. Circuit de protecţie la comutarea în conducţie

Ca şi pentru celelalte situaţii prezentate, punctul figurativ de funcţionare pentru
regimul normal trebuie să se găsească în AFS. În acest caz, circuitul de protecţie este utilizat
pentru reducerea pierderilor de comutaţie şi mai ales la frecvenţe de lucru mari.
1. În circuitul din fig. 12. a snubber-ul este utilizat în scopul reducerii tensiunii la
bornele de ieşire ale dispozitivului la comutarea în conducţie. Diagramele funcţionale pentru
circuitul menţionat sunt trasate în fig. 12.b.
La comutarea în conducţie inductanţa L s a snubber-ului "on" preia saltul de tensiune:
LI
U CE  0 , (28)
t ri
unde t ri este timpul de creştere al curentului pentru valori mici ale lui L s; panta de creştere a
curentului, di/dt, la valori mici ale lui L s este dictată numai de parametrii tranzistorului.
Pentru valori mari ale lui L s, se reduce căderea de tensiune uCE ca şi valoarea
curentului i C în comutaţie.
În intervalul de conducţie al tranzistorului, energia acumulată în inductanţa
snubber-ului, L sI 02 2, este disipată în R s. La determinarea rezistenţei R s se au în vedere 2
factori:
a) Pe durata blocării tranzistorului, căderea de tensiune la bornele R s este adiţionată
tensiunii de alimentare, astfel că la bornele tranzistorului apare supratensiunea:
UCE max  R sI 0 . (29)

Fig. 12 Circuit pentru protecţia la comutarea în blocare (snubber "on"):

a) circuit; b) diagramele funcţionale ale tensiunii şi curentului la comutarea în conducţie.

b) În blocare curentul prin L s trebuie să scadă la o valoare minimă(de exemplu la

0,1 I 0 ) astfel încât la începutul unui nou ciclu de comutare să fie realizate aceleaşi condiţii
iniţiale.
48 STUDIUL REGIMULUI DE COMUTAŢIE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE

Rezultă că intervalul minim de blocare al tranzistorului trebuie să satisfacă condiţia:

L
t off  2 , 3 s . (30)
Rs
Dimensionarea elementelor snubber-ului ia în consideraţie procesele de blocare atât
în conducţie cât şi în blocare.

4. MONTAJUL STUDIAT

Se remarcă în fig. 13 modulul de comandă care este un circuit basculant astabil

realizat cu tranzistoarele T2 şi T3. Etajul de ieşire este realizat în contratimp cu T3 şi T4,
astfel încât prin saturarea tranzistoarelor, acestea să prezinte o impedanţă de ieşire foarte
mică în ambele stari. Circuitul basculant astabil este astfel dimensionat încât să oscileze
pentru tensiuni de alimentare cuprinse între V+ = 4  10V şi V- = 0  -8V furnizând semnale
de comandă pentru tranzistorul de putere studiat.
Tranzistorul de putere studiat este T1 2N 5492 cu parametrii ICM = 6A, fT = 0,8 MHz,
Pd = 50 W / c = 25 C. Pentru T1 care este echivalent cu tranzistorul 2N3055, se cunosc: td
= 0,2s, ts = 2,6s, ts = 2,7s, tf = 6s, la IB = +/- 4A.
Diodele folosite sunt 1N4148. Pentru a evita străpungerea diodelor se limitează
tensiunea de alimentare (E) la 30V. De asemenea se limitează curentul prin tranzistor (iC) la
1A pentru a se evita supraîncălzirea acestuia.

Fig. 13 Schema electric a montajului studiat.

Elemente de simulare SPICE 49
Rezistenţele din circuit trebuie să aibă inductanţa parazită cât mai mică, astfel încât
constanta de timp proprie să fie mică în raport cu timpii de comutaţie. Întrerupătoarele
sunt marcate în dreptul poziţiei care introduce în circuit componenta respectivă.

5. ELEMENTE DE SIMULARE PSPICE

În fig. 14 este înlocuit circuitului astabil pentru generarea impulsurilor de comandă

cu sursa de tensiune în impulsuri VIN . Pentru diode şi tranzistoare se folosesc modele
PSpice aflate în bibliotecile diode.lib, respectiv BIPOLAR.LIB. Tranzistorul bipolar este
modelat de PSpice ca un tranzistor intrinsec, cu rezistenţele ohmice în serie cu colectorul
(RC), cu baza (valoarea acesteia este dependentăde curent) şi cu emitorul (RE). Parametrii
de model mai importanţi ai tranzistoarelor bipolare, în regim de comutaţie sunt:
Parametru Semnificaţie parametru de model Valoare Unitate de
de model implicită măsură
IS curent de saturaţie al joncţiunii p-n 1E-16 A
BF valoarea lui  direct 100 -
BR valoarea lui  invers 1 -
RB rezistenţa bazei la curent nul 0 Ohm
RE rezistenţa ohmicăa emitorului 0 Ohm
RC rezistenţa ohmicăa colectorului 0 Ohm
CJE capacitatea joncţiunii bază-emitor la curent nul 0 F
CJC capacitatea joncţiunii bază-colector la curent nul 0 F
TF timpul de tranzit la comutaţia directă 0 S
TR timpul de tranzit la comutaţia inversă 0 S

6. DESFĂŞURAREA APLICAŢIEI

Aparate şi echipamente necesare:

- douăsurse stabilizate de tensiune de 0 - 10V şi 0,5A, pentru alimentarea diferenţială
a astabilului, de exemplu stabilizatorul dublu IFIN Multistab 235;
- stabilizator de tensiune de 0 - 30V şi 0,75A, pentru alimentarea tranzistorului de
studiat, de exemplu IFA Stabitrans 303 sau IEMI 4102;
- osciloscop cu două spoturi şi banda de cel puţin 10 MHz, de exemplu Tesla BM;
- două sonde fără divizor; - calculator compatibil IBM PC;
- pachet de programe PSpice.

6.1. Se vizualizează pe osciloscop tensiunea ucom furnizată de astabil. Se măsoară

timpii de comandă ai conducţiei, respectiv blocării, deci şi perioada de repetiţie. Se ajustează
E pentru ca amplitudinea IE a curentului de emitor săfie 0,75 A.
50 STUDIUL REGIMULUI DE COMUTAŢIE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE

6.2. Se studiază cazul sarcinii pur rezistive (Ls = 0), fără circuite snubber, circuit
de control a comutării în conducţie (Cb=0), diodă antisaturaţie Das, şi diodă de nul Df. Se
vizualizează pe osciloscop ucom, vCE(t), iC(t)iE(t) şi evoluţia punctului figurativ de
funcţionare de coordonate iC(t)-vCE(t) în planul ariei de funcţionare sigură(AFS), folosind
bornele Ucom, U0 şi IE. Se măsoară timpii td, tr, ts, tf.
Circuitul pentru simularea LTspice este reprezentat în fig. 14, iar fişierul de circuit
corespunzător este 62.CIR din directorul ...\L2 care contine descrierea circuitului:

Comutatia tranzistorului bipolar de putere

* Sarcina rezistiva, fara DF, snubber on, snubber off, CB si DAS.
.LIB LIB\diode.lib
.LIB LIB\bipolar.lib
*Declarare componente circuit
Q 5 4 0 Q2N5492
*Circuitul din baza
Vin 1 0 PULSE(-5 5 1n 1n 1n 25uS 50uS)
Rb 1 2 100
D1 2 3 D1N4148
D2 3 4 D1N4148
D3 4 2 D1N4148
*Circuitul din colector
Vcc 6 0 30V
Rs 5 6 40
*Istructiuni si optiuni
.TRAN 10nS 100uS
*.PROBE ; in alte versiuni spice afiseaza fereastra Probe
*.OPTIONS reltol = 0.0001 ; optional pentru probleme de convergenta
.END

Fig. 14 Tranzistor bipolar în comutaţie cu sarcină rezistivă.

Desfăşurarea aplicaţiei 51
În programul LTspice se deschide fişierul de intrare …\L2\62.CIR cu File-> Open
(se alege în stanga jos tipul de fisier Netlists).
 Se aranjeaza ferestrele vertical din meniul Window -> Tile Vertically.
 se vizualizează pe 2 ploturi separate curentul de colector şi curentul de bază cu
succesiunea de comenzi Click Dreapta in ecranul Probe -> Add Plot Pane urmat de Click
Dreapta in ecranul Probe -> Add Traces -> Ic(Q) şi similar pentru Ib(Q).
Se masoara valorile maxime ICM si IBM : se activează cursoarele apasând Click Stânga
pe numele formei de unda, Ic(Q) de 2 ori. Se apasă odată pe numele Ib(Q) pentru mutarea
celui deal doilea cursor pe curentul de bază.
Cursoarele se pot misca selectand un cursor cu mouse-ul si din tastatura sageti
orizontale sau direct cu mouse-ul. Folosind tastele stanga - drepata, cursoarele se misca doar
in punctele in care exista calcul PSF in spice. Cu mouse-ul se misca cursorul si intre puncte,
realizandu-se o interpolare automata. Se măsoară ICM si IBM in regiunea unde au valori
stabile mari (nu in zona tranzitiilor). Se calculeaza 10% si 90% din cele 2 valori.
Se măsoară timpii td, tr, ts, tf definiti in fig. 3 pozitionand cursoarele in valorile calculate.
 se vizualizează tensiunea colector-emitor a tranzistorului între punctele 5 şi 0
folosind comenzile: Click Dreapta in ecranul Probe -> Add Traces -> V(5)
 se vizualizează puterea instantanee disipată de tranzistor cu succesiunea de
comenzi Click Dreapta in ecranul Probe -> Add Traces -> V(5)*IC(Q).
Se măsoară (si se noteaza intr-un tabel pentru fiecare caz din lucrare) puterea
medie disipată ținând apasată tasta Ctrl și cu mouse-ul se apasă pe numele formei de undă
V(5)*IC(Q). (timpul de integrare pe axa X este multiplu de perioadă?).
În vederea realizarii unor poze vizibile se vor configura grosimea liniilor și fontul.
Folosind comenzile Tools -> Control Panel -> Tabul Waveforms se selecteaza: Data trace
width = 2 si Font point size = 16. Se schimba culoarea formelor de unda: se apasa pe
Color scheme si se completeaza astfel: V(2) Red 255 Green 255 Blue 0 ; V(3) Red 255
Green 0 Blue 0 ; V(4) Red 0 Green 255 Blue 255
Se face poza la grafic: se dimensioneaza fereastra Probe astfel incat sa se incadreze
bine in pagina, se reseteaz Zoom-ul si din meniul Tools -> Copy bitmap to clipboard se
introduce în Paint (sau echivalent, InfranView) poza și se selectează Invert Colors.

Din situaţia anterioară, cu formele de undă pentru V(5), IC(Q), IB(Q) şi V(5)*IC(Q)
afişate pe ecran, se revine în situaţia în care pe ecran se afişează doar Ic(Q) cu succesiunea
de comenzi: Click Dreapta in ecranul Probe -> Delete this Pane .
 se vizualizează evoluţia punctului figurativ de funcţionare (PFF) iC(t)-vCE(t) în
planul ariei de funcţionare sigură(AFS). Se schimbă axa X ca să reprezinte V(5), tensiunea
VCE, apasand Click Dreapta pe textul de pe axa X. In dreptul Quantity Plotted se scrie
V(5). Se putea anticipa evoluţia PSF în AFS ? Se face poza la grafic.
52 STUDIUL REGIMULUI DE COMUTAŢIE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE

6.3. Se introduce în circuit dioda de antisaturaţie Das pentru reducerea timpului de

stocare. Se vizualizează pe osciloscop ucom, vCE(t), iC(t)iE(t). Se măsoară timpii td, tr, ts, tf.
Ce se constată?
În programul LTspice se deschide fişierul de intrare care corespunde circuitului din
Fig. 15: …\L2\63.CIR cu File-> Open (se alege în stanga jos tipul de fisier Netlists).
 Se aranjeaza ferestrele vertical din meniul Window -> Tile Vertically.

Fig. 15 Tranzistor bipolar în comutaţie cu sarcină rezistivă şi circuit

cu diodă antisaturaţie pentru reducerea timpului de stocare.

Se vizualizează diagramele funcţionale PSpice care pun în evidenţă fenomenul

considerat (Ic(Q) şi Ib(Q)). Se măsoară timpii corespunzători comutaţiei tranzistorului ca in
cazul anterior. Ce diferenţe se observă faţă de punctul anterior ? Se completeaza graficul cu
V(5), IC(Q), IB(Q) şi V(5)*IC(Q). Se face poza la grafic
Se măsoară puterea medie disipată ținând apasată tasta Ctrl și cu mouse-ul se apasă pe
numele formei de undă V(5)*IC(Q).

6.4. Se introduce în circuiul de la punctul 6.2 condensatorul Cb pentru controlul

comutării în conducţie. Se vizualizează pe osciloscop ucom, vCE(t), iC(t)iE(t). Se măsoară
timpii td, tr, ts, tf.
În programul LTspice se deschide fişierul de intrare care corespunde circuitului din
Fig. 16: …\L2\64.CIR cu File-> Open (se alege în stanga jos tipul de fisier Netlists).
 Se aranjeaza ferestrele vertical din meniul Window -> Tile Vertically.
Se vizualizează pe monitor diagramele V(6), IC(Q) şi IB(Q) punându-se în evidenţă
reducerea fronturilor de comutaţie în conducţie a tensiunii colector-emitor comparativ cu
cazul de la punctul 6.2. Se măsoară timpii comutaţiei tranzistorului ca in cazul anterior.Se
adauga puterea disipata, Se face poza la grafic si se măsoară puterea medie disipată ținând
apasată tasta Ctrl și cu mouse-ul se apasă pe numele formei de undă V(5)*IC(Q).
Desfăşurarea aplicaţiei 53
Se efectueazămultiple simulări cu diverse valori ale Cb până se obţine o valoare
minimă a frontului de comutaţie în conducţie a tensiunii pe tranzistorul bipolar de putere (se
masoara timpul de scădere a tensiunii V(6). Ce valoare are condensatorul Cb în acest caz ?
(Obs. se aleg valori 1n , 100n, 200n, 300n).

Fig. 16 Tranzistor bipolar în comutaţie pe sarcinărezistivă

şi circuit pentru controlul comutării în conducţie.

6.5. Se analizeazăcomutaţia tranzistorului bipolar pe sarcinăinductiv-rezistivă,

fărădiodăde nul şi circuite snubber. Circuitul din bază nu conţine nici dioda antisaturaţie,
nici condensatorul pentru controlul comutării în conducţie.
Se vizualizează pe osciloscop ucom, vCE(t), iC(t)iE(t) şi evoluţia punctului figurativ
de funcţionare de coordonate iC(t)-vCE(t), folosind bornele Ucom, U0 şi IE. Cum vă explicaţi
oscilaţia iC(t) şi vCE(t) în absenţa "aparentă" a unui condensator în circuit ?
În programul LTspice se deschide fişierul de intrare care corespunde circuitului din
Fig. 17: …\L2\65.CIR cu File-> Open (se alege în stanga jos tipul de fisier Netlists).
 Se aranjeaza ferestrele vertical din meniul Window -> Tile Vertically.

Fig. 17 Tranzistor bipolar în comutaţie pe sarcinăinductiv-rezistivă.

54 STUDIUL REGIMULUI DE COMUTAŢIE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE

Se vizualizează curentul de colector, tensiunea colector-emitor şi puterea instantanee

disipată de tranzistor, ca la punctul 6.2. Se face poza la grafic. Se măsoară puterea medie
disipată de tranzistor. Există momente în care puterea instantanee pe tranzistor este
negativă, deci tranzistorul cedează energie. Cum explicaţi acest lucru ţinând cont că
dispozitivul este pasiv, deci nu conţine surse de energie ?
 se vizualizează evoluţia punctului figurativ de funcţionare (PFF) iC(t)-vCE(t) în planul
ariei de funcţionare sigură(AFS). Se schimbă axa X ca să reprezinte V(5), tensiunea VCE,
apasand Click Dreapta pe textul de pe axa X. In dreptul Quantity Plotted se scrie V(5). Se
face poza la grafic. Identificaţi punctele corespunzătoare stărilor staţionare în care
tranzistorul este saturat şi respectiv blocat. Cum apreciaţi condiţiile în care lucrează
tranzistorul în acest circuit ?

6.6. Se introduce în circuitul de la punctul anterior dioda de nul Df. Se vizualizează

diagramele curenţilor şi tensiunilor pe dispozitiv.
În programul LTspice se deschide fişierul de intrare care corespunde circuitului din
Fig. 18: …\L2\66.CIR cu File-> Open (se alege în stanga jos tipul de fisier Netlists).
 Se aranjeaza ferestrele vertical din meniul Window -> Tile Vertically.

Fig. 18 Tranzistor bipolar în comutaţie cu sarcină

inductiv-rezistivă şi diodăde nul.

Se vizualizează curentul de colector, tensiunea colector-emitor şi puterea instantanee

disipată de tranzistor. Se face poza la grafic. Se măsoară puterea medie disipată de
tranzistor. Ce diferenţe se constată faţăde punctul anterior ? Se observa evenimentul de
comutatie in conductie in detaliu. Se observa in fisierul 66.CIR existenta conditiei initiale
„IC=.375” pentru curentul prin inductanta si activarea ei in instructiunea „.tran .... UIC”
Desfăşurarea aplicaţiei 55
6.7. Pentru configuraţia din cadrul punctului anterior se introduce circuitul snubber
off. Deoarece pentru cazul considerat se poate presupune că sarcina este puternic inductivă,
iar impulsurile de comandă au factorul de umplere  = 0,5, se obţine pentru curentul prin
sarcină valoarea de palier I 0  Vcc / Roff  0, 375 . La acest curent tranzistorul are
t f  0, 35s. Se obţine, utilizând relaţia (25), valoarea condensatorului Cs1  2,1875nF.
În programul LTspice se deschide fişierul de intrare care corespunde circuitului din
Fig. 19: …\L2\67.CIR cu File-> Open (se alege în stanga jos tipul de fisier Netlists).
 Se aranjeaza ferestrele vertical din meniul Window -> Tile Vertically.

Fig. 19 Tranzistor bipolar în comutaţie cu sarcină inductiv-rezistivă,

Diodă de nul şi circuit snubber "off".

Se vizualizează curentul de colector Ic(Q), curentul prin condensatorul snubber

I(Coff), tensiunea colector-emitor V(5), puterea instantanee disipată de tranzistor
IC(Q)*V(5). Se face poza la grafic. Se măsoară puterea medie disipată de tranzistor. Se
vizualieaza şi evoluţia PFF în planul AFS, iC(t)-vCE(t) modificand axa X corespunzator (doar
1 plot). Se face poza la grafic. . Se observă folosindu-ne de Zoom evoluţia parabolică a
tensiunii colector-emitor în cursul comutaţiei tranzistorului în blocare. Cum apreciaţi
modificarea puterii instantanee pe tranzistor în cursul celor două comutaţii ? Efectuaţi alte
două simulări cu valori ale lui Coff mai mari şi respectiv mai mici decât C s1. Să se explice
evoluţia PFF în planul AFS pentru cele trei situaţii obţinute.

6.8. În cadrul configuraţiei de la punctul 6.6 se introduce circuitul snubber on. La

valoarea de palier I 0  Vcc / Roff  0, 375 a curentului de colector calculată anterior,
tranzistorul are t r  1, 2s. Se obţine utilizând relaţia (28) şi impunând U CE  Vcc
valoarea inductanţei din circuitul snubber on L on  96H .
În programul LTspice se deschide fişierul de intrare care corespunde circuitului din
Fig. 20: …\L2\68.CIR cu File-> Open (se alege în stanga jos tipul de fisier Netlists).
56 STUDIUL REGIMULUI DE COMUTAŢIE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE

Se vizualizează curentul de colector Ic(Q), tensiunea colector-emitor V(5), puterea

instantanee disipată de tranzistor IC(Q)*V(5) pe trei ploturi. Se face poza la grafic. Se
măsoară puterea medie disipată de tranzistor.
Se observă utilizând Zoom faptul că tranzistorul comută în conducţie la tensiune
colector-emitor nulă, puterea disipată fiind redusa. Cum apreciaţi influenţa circuitul snubber
on asupra puterii instantanee pe tranzistor în cursul comutaţiei în blocare ?
Se vizualieaza şi evoluţia PFF în planul AFS, iC(t)-vCE(t) modificand axa X
corespunzator (doar 1 plot). Se face poza la grafic. Efectuaţi alte două simulări cu valori ale
lui Lon mai mari şi respectiv mai mici decât valoarea calculată anterior. Ce observaţi ?

Fig. 20 Tranzistor bipolar în comutaţie cu sarcinăinductiv-rezistivă,

diodăde nul şi circuit snubber "on".

7. ÎNTREBĂRI

7.1. Să se calculeze puterea disipată de tranzistorul T1 în saturaţie datorită

tensiunii de saturaţie VCEsat.
7.2. Să se calculeze pentru cazul sarcinii rezistive puterea disipată de tranzistorul T1
în cursul comutaţiei, folosind pentru tr, tf şi frecvenţa impulsurilor de comandă valorile
măsurate. Să se compare puterea disipată în saturaţie calculată cu cea datorată comutaţiei.
7.3. Săse calculeze pentru cazul sarcinii inductiv-rezistive la comutarea în blocare,
energia stocată în condensatorul C al circuitului snubber "off", energia disipată în rezistenţa
Rs şi să se facă bilanţul puterilor.
7.4. Din ce motiv apar oscilaţii ale curentului iC(t) la comutarea în blocare pe sarcină
inductiv-rezistivă (punctul 6.5). Să se estimeze valoarea capacităţii colector-emitor a
tranzistorului T1 utilizând rezultatele simulării PSpice ?