62 Parametrii de exploatare ai tranzistorului bipolar

3.7. Parametrii de exploatare ai tranzistorului bipolar

Tranzistorul bipolar ca orice dispozitiv electronic este

caracterizat printr-o serie de parametri de exploatare, care reprezintă
limitele de exploatare, adică limitele ariei de funcţionare sigură a
tranzistorului bipolar (SOA  Safe Operating Area). Aria de
funcţionare sigură a tranzistorului bipolar este domeniul
caracteristicilor statice de ieşire în limitele cărui este admisă
poziţionarea punctului regimului de funcţionare a tranzistorului fără
pericolul ieşirii lui din funcţie (vezi fig.3.14). Aria de funcţionare
sigură este prezentată în catalog. În acest caz caracteristicile statice
sunt prezentate în scară logaritmică.
Aria de funcţionare sigură este limitată de:
I hiperbola puterii maxim admisibile,
II curentul colectorului maxim admisibil,
III străpungerea joncţiunii colectorului.

II
IC
IC M
PC M

II I

UCE M UCE
Fig.3.14. Aria de funcţionare sigură a
tranzistorului bipolar

Să analizăm parametrii uzuali de exploatare ai tranzistorului:

Valeriu Blajã
 TRANZISTOARE BIPOLARE 63
 Puterea maxim admisibilă disipată pe colector, PCM  este puterea
dezvoltată în tranzistor care este transformată în căldură şi
provoacă creşterea temperaturii cristalului tranzistorului. În caz
general ea este puterea disipată pe tranzistor:
P=PE +PC=IEUEB+ICUCB. (3.49)
Deoarece în regim activ direct curenţii IE şi IC au aproximativ
aceeaşi valoare, iar tensiunile:
UEB<< UCB, (3.50)
puterea se va disipa preponderent pe joncţiunea colectorului şi, prin
urmare:
PICUCB. (3.51)
Fiecare tranzistor este caracterizat de temperatura joncţiunii maxim
admisibilă, la depăşirea căreia scad brusc parametrii tranzistorului.
Dacă evacuarea de căldură este slabă, are loc încălzirea joncţiunii
colectorului, care provoacă o creştere rapidă s curentului colectorului.
Acesta, la rândul său, aduce la o creştere a puterii disipate pe colector.
Procesul poate evolua în avalanşă şi tranzistorul este deteriorat
definitiv.
Valoarea maxim admisibilă a puterii colectorului se alege în aşa
mod încât temperatura joncţiunii colectorului să nu depăşească
temperatura maxim admisibilă TJ M:
TJM  TA
PCM  , (3.52)
RthJA
unde ТА este temperatura mediului ambiant,
Rth JA  impedanţa termică joncţiune–mediu ambiant.
Valorile mărimilor Rth JA şi TJ M sunt indicate în catalog.
Valoarea tipică a impedanţei Rth JA pentru tranzistoare de mică putere
este de 0,50,7 0С/mW. Pentru tranzistoarele de putere această
valoare este de zeci de ori mai mică. Valorile tipice ale temperaturii
TJM sunt 150-200 0С pentru siliciu şi de 90-100 0С pentru germaniu.

Valeriu Blajã
64 Parametrii de exploatare ai tranzistorului bipolar
Din expresia (3.52) rezultă, că puterea maxim admisibilă scade
la creşterea temperaturii mediului ambiant. Prin urmare, metoda
principală de creştere a puterii este reducerea impedanţei termice,
adică îmbunătăţirea evacuării de căldură.
 Curentul colectorului maxim admisibil, IC  este limitat de puterea
maxim admisibilă disipată pe joncţiunea colectorului.
 Tensiunea maxim admisibilă între colector şi terminalul comun 
UCBM sau UCEM. Este determinată de străpungerea joncţiunii
colectorului.
 Frecvenţa limită a amplificării în curent f sau f  este frecvenţa
la care factorul de transfer direct al curentului  sau  scade de е
ori faţă de valoarea sa maximală la joase frecvenţe.
Parametrii prezentaţi mai sus sunt cei mai importanţi. În funcţie
de montajul folosit al tranzistorului din catalog mai pot fi folosite şi
valorile altor parametri. Spre exemplu:
 Curentul maxim admisibil al bazei,
 Curentul invers al emitorului,
 Curentul colectorului maxim admisibil în impuls etc.
În cazul folosirii tranzistorului la înalte frecvenţe vor fi utile
valorile:
 Capacitatea joncţiunii emitorului şi
 Capacitatea joncţiunii emitorului.

Valeriu Blajã