REGIMUL TERMIC AL TRANZISTORULUI

În timpul funcţionării dispozitivelor semiconductoare, o parte din puterea electrică

preluată de la sursa de alimentare se disipă sub formă de căldură în mediul
ambiant. Puterea disipată determină creşterea temperaturii dispozitivului
respectiv. Datorită dependenţei caracteristicilor statice de temperatură, la
dispozitivele semiconductoare problema puterii disipate este de primă importanţă.

Disiparea de putere are loc într-o regiune limitată a structurii semiconductoare. În

cazul diodelor şi tranzistoarelor, degajarea căldurii are loc în regiunile de tranziţie
ale joncţiunilor, întrucît pe acestea cade aproape întreaga tensiune aplicată din
exterior.

La tranzistor, curenţii care străbat cele două joncţiuni sînt aproape egali, dar
tensiunea aplicată pe joncţiunea colectorului, în regim normal de lucru, este mult
mai mare decît cea aplicată pe joncţiunea emitorului. De aceea, cea mai intensă
degajare de căldură are loc în regiunea de tranziţie a joncţiunii colectorului.

Puterea disipată pe tranzistor se compune din puterile disipate pe joncţiunea

colectorului şi respectiv a emitorului, putînd scrie:

PD = PDE + PDC = IE ∙VEB + IC ∙VCB ≈ IC ∙VCB (1)

Puterea disipată pe tranzistor conduce la creşterea temperaturii joncţiunii

colectoare Tj, antrenînd (pentru temperaturi mai mari de 85 ºC la Ge şi mai mari
de 180 ºC la Si) fenomene ireverisbile (topiri şi recristalizări locale) care
degradează structura semiconductoare respectivă.

Pentru ca temperatura joncţiunii să nu depăşească temperatura limită Tjmax,

trebuie ca puterea reală PD să nu depăşească puterea maxim admisibilă PDmax.
Această putere, pentru un tranzistor dat, se calculează cu ajutorul unei mărimi de
material, măsurabile, dependentă de construcţia tranzistorului, numită rezistenţă
termică Rth.

În cataloagele de tranzistoare se indică rezistenţa termică globală joncţiune-mediu

ambiant Rthja. Valoarea ei obişnuită la tranzistoarele de mică putere este cuprinsă
între 100...500 ºC/W.

Puterea maximă pe care o poate disipa tranzistorul este dată de relaţia:

Tjmax − Ta
PDmax = (2)
R thja

La tranzistoarele de putere, rezistenţa termică joncţiune – corp metalic (capsulă)

este Rthjc ≈ 2 ºC/W, iar cea între corpul metalic şi mediul ambiant Rthca ≈ 40 ºC/W.
Puterea maximă pe care o poate disipa un tranzistor cu Ge este de 1...2 W, iar în
cazul tranzistoarelor cu Si, 2...5 W. Pentru creşterea puterii disipate admise,
tranzistorului i se ataşează un radiator termic, realizat din Al sau Cu.

1
Se pune problema dimensionării radiatorului necesar pentru o anumită putere
disipată admisă PDmax la o temperatură ambiantă dată Ta. Din cataloage se cunosc
Tjmax, Rthjc şi Rthca.

Uneori în loc de Rthjc, cataloagele dau puterea disipată pentru un radiator de arie
infinită PD∞ la o temperatură ambiantă Ta = 25 ºC:

Tjmax − Ta
PD = (3)
R thjc

CONSIDERAŢII PRIVIND ALEGEREA PUNCTULUI STATIC DE

FUNCŢIONARE ŞI DETERMINAREA SA GRAFICĂ

Pentru a putea realiza amplificarea unui semnal, folosind tranzistorul bipolar, este
necesar ca un circuit exterior să polarizeze tranzistorul în regiunea activă normală.
Alegerea punctului static de funcţionare se face pe baza unor criterii care variază
cu funcţia circuitului respectiv.

Pentru buna funcţionare a tranzistorului, trebuie să se delimiteze în planul

caracteristicilor de ieşire o regiune în care se admite plasarea punctului static de
funcţionare.

IC

IC ∙VCE = PDmax
ICmax
Saturaţie
Regiunea
admisă

0 VCE
Blocare VCEmax

Figura 1

Au fost reprezentate caracteristicile statice de ieşire ale unui tranzistor npn în

conexiune EC.

Regiunea admisă este delimitată de trei mărimi: puterea disipată maximă,

tensiunea maximă admisă şi curentul maxim admis (mărimi date de cataloage).
Condiţia ca puterea disipată de tranzistor să nu depăşească limita maximă admisă
determină în planul caracteristicilor de ieşire o graniţă sub forma unei hiperbole,
numită hiperbola de disipaţie:

IC ∙VCE = PDmax (4)

2
Tensiunea colector-emitor nu trebuie să depăşească o valoare maxim admisă
VCEmax. De obicei, limitarea tensiunii este determinată de multiplicarea în avalanşă
a purtătorilor de sarcină în regiunea de tranziţie ale joncţiunilor, care duce la
străpungerea tranzistorului (curentul de colector creşte mult, independent de
curentul de bază aplicat).

Limitarea curentului de colector la o valoare ICmax determină o graniţă sub forma

unei linii orizontale. Trebuie observat că nu întotdeauna limitarea curentului de
colector este impusă de pericolul distrugerii tranzistorului, ci foarte frecvent apare
ca o limită peste care tranzistorul nu mai satisface ca performanţe (βF scade foarte
mult).

În domeniul tensiunilor mici, regiunea admisă de lucru este mărginită de graniţa

dintre regiunea activă şi cea de saturaţie , iar în domeniul curenţilor mici, de graniţa
dintre regiunea activă şi cea de tăiere.

Pentru fiecare caz concret, se poate alege un punct optim de funcţionare în

regiunea permisă. Circuitul de polarizare trebuie să asigure funcţionarea
tranzistorului în punctul astfel ales.

Pentru un tranzistor dat, definit prin caracteristicile sale într-o conexiune dată, sînt
suficiente două mărimi pentru fixarea punctului static de funcţionare:
- tensiuni ieşire, curent ieşire (VCB, IC) sau (VCE, IC)
- tensiuni ieşire, tensiuni intrare (VCB, VEB) sau (VCE, VBE).

3
 CIRCUITE DE POLARIZARE CU DOUĂ SURSE DE ALIMENTARE

IC

IE IC IB

RE RL RB RL

+ - - -
EE EB
- EC + EC
+ +
BC EC

Figura 2

Acest mod de polarizare apare ca o consecinţă normală dată de modul de

funcţionare a tranzistorului bipolar.

Pentru schema BC, să scriem expresia curentului de colector şi a tensiunii

colector-bază (mărimi ce caracterizează punctul static de funcţionare) în funcţie
de elementele EE, Ec, RE, RL ale schemei, şi de parametrii F, ICBO, VEB ai
tranzistorului. Se va presupune că tranzistorul lucrează în regiunea activă normală
a caracteristicilor şi se va găsi condiţia pe care trebuie să o îndeplinească
elementele montajului pentru ca această presupunere să fie adevărată.

În regiunea activă normală:

IC = FIE + ICBO (5)

unde IE rezultă din scrierea teoremei a II-a a lui Kirchhoff pe ochiul emitorului, iar
VCB din ecuaţia de tensiuni pe ochiul colectorului. Rezultă:

E − VEB
IE = E (6)
RE
şi deci:

𝐸𝐸 − 𝑉𝐸𝐵
𝐼𝐶 = 𝛼𝐹 ∙ + 𝐼𝐶𝐵0 (7)
𝑅𝐸

În ochiul de la ieşire:
EC = VBC + RL ·IC (8)

şi deci, dacă neglijăm curentul rezidual de colector putem scrie:

 (E E − VEB )
RL
VCB = −E C + I C  R L = −E C + α F  (9)
RE
4
 Pentru menţinerea punctului static de funcţionare în regiunea activă normală,
trebuie să fie satisfăcută condiţia: VCB  0 şi deci avem:

EC R  V  R I
 F  L 1 − EB  + L CBO (10)
EE R E  EE  EE

Cu suficientă precizie putem considera condiţia îndeplinită dacă:

EC R
 F  L (11)
EE RE

Analog se va proceda şi pentru schema de la montajul EC.

CIRCUIT DE POLARIZARE SIMPLU PENTRU CONEXIUNEA EMITOR COMUN

În etajele de amplificare, fixarea punctului static de funcţionare se realizează

obişnuit cu ajutorul circuitelor care conţin o singură sursă de alimentare.

Cea mai simplă metodă de a polariza un tranzistor bipolar este folosirea unui
rezistor RB, care să furnizeze curentul continuu necesar în baza tranzistorului.

+ EC IC
RB
RL IB β FI B
RL

T rD Ieşire
RB
Ieşire Intrare +
Intrare +
EC +
VD EC
- - -

Figura 3 Figura 4

Pentru determinarea relaţiilor de proiectare corespunzătoare, tranzistorul se va

înlocui cu circuitul său echivalent (vezi figura 4).

Dependenţa de temperatură la tranzistoarele cu Si se manifestă prin doi

parametrii: βF şi VD. Ecuaţia de proiectare poate fi găsită scriind ecuaţia tensiunilor
pe ochiul de intrare:

EC − VD = I B  R B + I B  (β F + 1) rD (12)

Ştiind că IC = β F  I B , avem:

5
 β F  (E C − VD )
IC =
R B + (β F + 1)  rD
(13)

Pentru proiectarea reţelelor de polarizare trebuie găsită valoarea lui RB, necesară
pentru a obţine un anumit curent prin colector. Astfel, avem:

β  (E − VD )
RB = F C − (β F + 1) rD (14)
IC

Expresia lui RB scoate în evidenţă un inconvenient serios al acestui circuit de

polarizare: lasă foarte puţină libertate în proiectare pentru a îmbunătăţi
performanţele circuitului.

Pentru determinarea punctului static de funcţionare trebuie reprezentate

caracteristicile statice ale tranzistorului.

IB IC

Ge Si
EC/RL
EC/RB
M
IB
M
VCE = EC/2 IC

VBE
VBE 0 VCE EC VCE

Figura 5 Figura 6

Conform teoremei a II-a a lui Kirchhoff (figura 4) se poate scrie:

EC = R B  I B + VBE  R B  I B (15)

EC = R C  IC + VCE (16)

Curentul de bază este practic determinat de EC şi RB, iar curentul de colector va fi

de aproximativ βF ori mai mare:

E E
IB  C şi IC  β F  C . (17)
RB RB

Ecuaţiile (15) şi (16) pot fi soluţionate grafic. Astfel, ecuaţia (15) reprezintă o
dreaptă de pantă -1/RB în planul caracteristicilor de intrare. Intersecţia acestei
drepte cu caracteristica de intrare pentru VCE = EC/2, determină punctul static de
funcţionare M în acest plan. Deoarece tensiunea VCE este deocamdată
necunoscută și avind în vedere influența sa redusă asupra caracteristicilor de
intrare, se poate alege o caracteristică medie, VCE = EC/2.
6
De altfel, dreapta (1) este aproape orizontala si nu se comite o eroare
semnificativă facînd această aproximație.

În planul caracteristicilor de ieşire, ecuaţia (16) reprezintă o dreaptă de pantă -

1/RL, numită dreapta statică de sarcină. Aceasta se trasează peste curbele
caracteristice ale tranzistorului, tranzistorul fiind conectat la o sarcină de o anumită
valoare. Dreapta de sarcină reprezintă graficul tensiunii colector – emitor pentru
un anumit domeniu al curenților de colector. În partea din dreapta jos, tensiunea
este maximă și curentul este zero, fiind atinsă condiția de blocare. În stînga sus,
tensiunea este zero, iar curentul este maxim, fiind atinsă condiția de saturație.
Punctele de intersecție ale dreptei cu caracteristicile dau condițiile de operare ale
tranzistorului corespunzător curenților respectivi din baza tranzistorului.

Intersecţia acestei drepte cu caracteristica corespunzătoare curentului de bază

determinat anterior, reprezintă punctul static de funcţionare M, în planul
caracteristicilor de ieşire.

Din cele două grafice rezultă şi celelalte mărimi: VBE şi respectiv VCE.

Variaţia temperaturii influenţează regimul de curent continuu al tranzistorului

bipolar, modificînd în consecinţă punctul static de funcţionare.

Dacă temperatura creşte, punctul static de funcţionare se deplasează spre

regiunea de saturaţie, iar dacă temperatura scade PSF se deplasează spre
regiunea de tăiere.

Din mai multe motive (distorsionarea semnalelor amplificate, ambalarea termică a

tranzistorului etc.) se impune localizarea cu precizie a PSF-ului.

Deci, circuitul de polarizare va trebui nu numai să asigure funcţionarea

tranzistorului într-un punct static precizat, ci şi menţinerea acestui punct în
aceleași coordonate cînd temperatura se modifică.

Procedeele de stabilizare termică pot fi împărţite în două categorii:

- procedee liniare, care utilizează în circuitul de polarizare elemente liniare
(rezistoare);
- procedee neliniare sau de compensare, care compensează variaţia
parametrilor tranzistorului cu temperatura, folosind componente cu
caracteristici dependente de temperatură (termistoare, diode).

Procedeele liniare realizează stabilizarea PSF-ului atît la variaţia temperaturii, cît

şi la dispersia de fabricaţie a caracteristicilor tranzistoarelor. Procedeele neliniare
nu realizează stabilizarea PSF-ului cu dispersia de fabricaţie a caracteristicilor
tranzistoarelor şi în plus cer o reglare minuţioasă.