CIRCUITE LOGICE CU COMPONENTE DISCRETE

Circuitul RTL-NOR. PROIECTARE

+EC
RC

IC

n x RA
IB

1
2
n

T UC
RB

UBE

1
2
m

-EB

1. Scopul proiect rii:

Se va urm ri ob inerea num rului maxim de ie iri comandate m pentru un
num r dat de intr ri de comand n, cu condi ia asigur rii satur rii i bloc rii
sigure a tranzistorului n situa iile cele mai dezavantajoase din punctul de
vedere al interconect rii cu alte circuite similare i al toleran elor admise
pentru componente i pentru tensiunile de alimentare.
2. Date ini iale:
-

tranzistorul (tip, caracteristici, date de catalog)

tensiunea de alimentare: EC (V)
tensiunea de polarizare: EB (V)
num rul de intr ri: n
toleran a tensiunilor: E (%)
toleran a rezistoarelor: R (%)
domeniul de temperatur : T (C).

3. M rimi adoptate:
- curentul optim de colector: ICopt = 5 ... 15 mA (compromis ntre num r mare
de ie iri comandabile i vitez redus de ac ionare i consum mare de
energie);
- tensiunea de prag pentru blocarea profund (sigur ) a tranzistorului:
UBbl = 0,1 ... 0,2 V;
- valoarea minim a factorului de suprainjec ie: s = 2,5;
- valoarea semnalului "1min" n condi ia nc rc rii maxime a ie irii circuitului
de comand : UCbl.opt EC / 2;
- valorile tensiunilor UC i UB la saturare i la blocare (maxime i minime):
Tranzistor cu
Germaniu
Siliciu

UCs (V)

UCs (V)

UBs (V)

UBs (V)

0,2 ... 0,3

0,2 ... 0,3

0,05
0,05 ... 0,1

0,4 ... 0,5

0,8 ... 0,9

0,2
0,4 ... 0,5

ASDN - CLCD - 1

4. Date de catalog:
- valoarea minim a factorului de amplificare static n curent: h21E ;
- valoarea maxim
a curentului rezidual: ICB0 ; pentru majoritatea
tranzistorilor se accept n calcule o lege de varia ie a lui ICB0 cu
temperatura jonc iunii de forma: ICB0 (Tmax ) ICB0 (25 ) e a T , unde
1/ a 12,5 C pentru Germaniu, iar 1/ a 8 C pentru Siliciu; n general trebuie
se conteze pe o dublare a lui ICB0 pentru fiecare aproximativ 9 C la
tranzistoarele cu germaniu i pentru 6 C la cele cu siliciu; n proiectare,
valoarea maxim a lui ICB0 se cite te din foile de catalog care dau
caracteristica: ICB0 = f(Tj).
5. Calculul rezistorului RC:
RC

EC

; se alege valoarea de catalog corespunz toare clasei de

ICopt .

toleran

admise

6. Calculul raportului m/R A:

m
RA

1
1

E C (1

E)

UCbl. ICB0 R C (1
R C (UCbl. UBs )

R)

7. Calculul curentului n baza tranzistorului:

IBs

E C (1

1
h 21E

E)

R C (1

UCs

UBs

R)

UCs

m
RA

IB

s IBs

8. Calculul valorii rezistoarelor RA:

RA

U'

U' K' (UBbl.

ICB0 (1

(UCbl. UBs )(1

UCs ) n

, unde:

R ) K' IB

R)

(UBs
1

UCs )(n 1)(1

R)

2
R

K'

EB (1
E B (1

E)

UBs
1
E ) UBbl . (1

R
R)

Se adopt valoarea de catalog pentru RA corespunz toare toleran ei admise.

9. Calculul rezistorului RB:
RB

1
1

R
R

R A E B (1
ICB0 R A (1

R)

E)

UBbl .

n (UBbl .

UCs )

Se adopt valoarea de catalog pentru RB corespunz toare toleran ei admise.

10. Calculul num rului de ie iri ale circuitului:
m

m
R A ; trebuie s se ob in o valoare apropiat de num rul de intr ri (m
RA

ASDN - CLCD - 2

n)

11. Stabilirea domeniului de func ionare: R B

RB

E B (1
ICB0

RB

E C (1

E)

f (R A )

UBbl.

UCs UBbl.
R A (1 R )

E B (1

E)

UBs

ICB0 R C (1
(R C R A )(1

R)

UBs

E)

R)

E C (1 E )
R C (1 R ) h21E

Dac se consider semnele de egalitate, ecua iile definesc frontierele

domeniului de func ionare din planul RB(RA). Dnd lui RA diferite valori se
ob ine:
R B f1 (R A ) - frontiera domeniului de blocare, i
R B f2 (R A ) - frontiera domeniului de saturare.
Valorile rezistoarelor RA i RB trebuie astfel determinate nct, innd cont de
toleran ele stabilite ( R), dreptunghiul toleran elor s nu intersecteze
frontierele domeniului de func ionare.
RB

RB

Tranzistorul nu
se blocheaz
2

RBn
a

RB
2

Tranzistorul nu
se satureaz
RA

RAn

n alegerea punctului de
func io-nare trebuie s se in
cont de urm toarele:
- n punctul a, RA i RB au valori
mici, fiind necesar o putere
mare
pentru
sursele
de
alimentare i de polarizare; n
schimb, datorit
capacit ilor
parazite mici circuitul poate
func iona la frecven e de
comutare mari;
- n punctul c, RA i RB au valori
mari i efectele sunt contrare;

- n punctul b, se realizeaz practic un compromis ntre un consum acceptabil

i o vitez de comutare corespunz toare.
Observa ie: Dac cele dou curbe nu se intersecteaz , calculul trebuie
ref cut prin adoptarea altor valori a m rimilor ini iale. Dac nici aceast
solu ie nu conduce la stabilirea unui domeniu de func ionare, atunci se
ac ioneaz asupra valorilor EC, RC, sau chiar h21E (alegerea unui alt
tranzistor).

ASDN - CLCD - 3

CIRCUITE LOGICE CU COMPONENTE DISCRETE

Circuitul DTL-NOR. PROIECTARE
+EC
RC
D
1
2
n

D
D

IC

IB

RA

T UC
RB

UBE

1
2
m

-EB

1. Scopul proiect rii:

Se va urm ri ob inerea num rului maxim de ie iri comandate m pentru un
num r dat de intr ri de comand n, cu condi ia asigur rii satur rii i bloc rii
sigure a tranzistorului n situa iile cele mai dezavantajoase din punctul de
vedere al interconect rii cu alte circuite similare i al toleran elor admise
pentru componente i pentru tensiunile de alimentare.
2. Date ini iale:
-

Tranzistorul i diodele (tip, caracteristici, date de catalog)

tensiunea de alimentare: EC (V)
tensiunea de polarizare: EB (V)
num rul de intr ri: n
toleran a tensiunilor: E (%)
toleran a rezistoarelor: R (%)
domeniul de temperatur : T (C).

3. M rimi adoptate:
- curentul optim de colector: ICopt = 5 ... 15 mA (compromis ntre num r mare
de ie iri comandabile i vitez redus de ac ionare i consum mare de
energie);
- tensiunea de prag pentru blocarea profund (sigur ) a tranzistorului:
UBbl = 0,1 ... 0,2 V;
- valoarea minim a factorului de suprainjec ie: s = 2,5;
- valoarea semnalului "1min" n condi ia nc rc rii maxime a ie irii circuitului
de comand : UCbl.opt (3 ... EC / 2) V;
- valorile tensiunilor UC i UB la saturare i la blocare (maxime i minime):
UCs (V)
UBs (V)
UCs (V)
UBs (V)
Tranzistor cu
Germaniu
0,2 ... 0,3
0,05
0,4 ... 0,5
0,2
Siliciu
0,2 ... 0,3
0,05 ... 0,1
0,8 ... 0,9
0,4 ... 0,5
- valoarea curentului direct printr-o diod : ID = 1 mA (este valoarea
curentului din baza tranzistorului: ID IB).
ASDN - CLCD - 4

4. Date de catalog:
- valoarea minim a factorului de amplificare static n curent: h21E ;
- valoarea maxim
a curentului rezidual: ICB0 ; pentru majoritatea
tranzistorilor se accept n calcule o lege de varia ie a lui ICB0 cu
temperatura jonc iunii de forma: ICB0 (Tmax ) ICB0 (25 ) e a T , unde
1/ a 12,5 C pentru Germaniu, iar 1/ a 8 C pentru Siliciu; n general trebuie
se conteze pe o dublare a lui ICB0 pentru fiecare aproximativ 9 C la
tranzistoarele cu germaniu i pentru 6 C la cele cu siliciu; n proiectare,
valoarea maxim a lui ICB0 se cite te din foile de catalog care dau
caracteristica: ICB0 = f(Tj);
- valoarea maxim a curentului invers printr-o diod : Iinv . (la temperatura
maxim de lucru i la tensiunea maxim invers din circuit: Uinv E C ); se
calculeaz mai nti Iinv la Uinv n func ie de datele de catalog:
Uinv
; Iinv(5V) se cite te din catalog, prin liniarizarea
5V
caracteristicii inverse a diodei; se stabile te apoi Iinv la temperatura
Iinv (Uinv )

Iinv (5 V )

T max 25
C
2

maxim de lucru: Iinv Iinv (Uinv )

, unde: C=10 (pentru germaniu) i
C=7 (la siliciu); n general, pentru diodele cu siliciu Iinv se dubleaz la
fiecare cre tere a temperaturii jonc iunii cu cte 10-15 C;
- valorile extreme ale tensiunii directe pe diod :
UD 0,1 ... 0,2 V (se poate aproxima cu zero);
UD se indic

n catalog, pentru ID = 1 mA (dac

considera valoarea acoperitoare: UD 0,8 ... 1 V.

nu se d , se poate

5. Calculul rezistorului RC:

RC

EC
ICopt .

; se alege valoarea de catalog corespunz toare clasei de

toleran

admise

6. Calculul curentului din baza tranzistorului, necesar pentru saturarea

sigur a acestuia n cele mai dezavantajoase condi ii:
IBs

1
h 21E

E C (1
R C (1

E)
R)

m Iinv

; IB

unde, se estimeaz num rul de ie iri (f

s IBs

a introduce erori), m = 6.

ASDN - CLCD - 5

7. Calculul valorii rezistorului RA:

RA

U'

UCbl.

U' K' (UBbl.

ICB0 (1

(UBs UD )
1 R

UCs

UD )

R ) K' IB

, unde:

E B (1
EB (1

K'

E)

UBs
1
E ) UBbl. (1

R
R)

Se adopt valoarea de catalog pentru RA corespunz toare toleran ei admise.

8. Calculul rezistorului RB:
RB

1
1

R A E B (1

R
R

ICB0 R A (1

R)

E)

UBbl.

UBbl . UCs

UD

Se adopt valoarea de catalog pentru RB corespunz toare toleran ei admise.

9. Calculul num rului de ie iri m:
m

EC
UCbl.

(UD

UCbl.

ICB0 R C (1

R)

UBs ) (n 1) Iinv R C (1

R)

10. Stabilirea domeniului de func ionare: RB = f(RA)

vezi proiectarea circuitului RTL-NOR.

ASDN - CLCD - 6

CIRCUITE LOGICE CU COMPONENTE DISCRETE

Circuitul DTL-NAND. PROIECTARE
+EC

+EC
RC

R
D
1
2
n

D
D

IC

IB

RA

T UC
U1

RB

UBE

1
2
m

-EB

1. Scopul proiect rii:

Se va urm ri ob inerea num rului maxim de ie iri comandate m pentru un
num r dat de intr ri de comand n, cu condi ia asigur rii satur rii i bloc rii
sigure a tranzistorului n situa iile cele mai dezavantajoase din punctul de
vedere al interconect rii cu alte circuite similare i al toleran elor admise
pentru componente i pentru tensiunile de alimentare.
2. Date ini iale:
-

tranzistorul i diodele (tip, caracteristici, date de catalog)

tensiunea de alimentare: EC (V)
tensiunea de polarizare: EB (V)
num rul de intr ri: n
toleran a tensiunilor: E (%)
toleran a rezistoarelor: R (%)
domeniul de temperatur : T (C).

3. M rimi adoptate:
- curentul optim de colector: ICopt .

EC
RC

1 ... 2 mA (compromis ntre num r

mare de ie iri comandabile i vitez redus de ac ionare i consum mare

de energie);
- tensiunea de prag pentru blocarea profund (sigur ) a tranzistorului:
UBbl = 0,1 ... 0,2 V;
- valoarea minim a factorului de suprainjec ie: s = 2,5;
- valorile tensiunilor UC i UB la saturare i la blocare (maxime i minime):
Tranzistor cu
Germaniu
Siliciu

UCs (V)

UCs (V)

UBs (V)

UBs (V)

0,2 ... 0,3

0,2 ... 0,3

0,05
0,05 ... 0,1

0,4 ... 0,5

0,8 ... 0,9

0,2
0,4 ... 0,5

- valoarea curentului prin R: I = EC / R = 10 mA;

- valoarea optim a tensiunii U1: U1 EC / 2.
ASDN - CLCD - 7

4. Date de catalog: (vezi DTL-NOR)

5. Calculul rezistoarelor R i RC i a tensiunii U1:
R

EC
(K ) ; R C
10 mA

EC
(K ) ; U1
1 ... 2 mA

EC
2

Conform toleran elor admise, se aleg pentru R i RC valorile de catalog .

6. Calculul rezistorului RA:
RA

1
1

U1 UBs

R
R

EC

U1

n ICB0

(m 1)Iinv (1

R)

unde, se estimeaz num rul de ie iri (f

a introduce erori), m = 6.
Valoarea rezistorului RA se alege din catalog din domeniul de toleran
admis.
7. Calculul rezistorului RB:
RB

1
1

R
R

R A (E B
ICB0R A (1

R)

UBbl. )
UBbl.

UD

UCs

unde, UD se stabile te din catalog pentru un curent prin diod : ID

EC
.
R

Valoarea rezistorului RB se alege din catalog din domeniul de toleran

admis.
8. Stabilirea num rului de ie iri ale circuitului:
h21E
m

E C UCs
U1 UBs
E B UBs
R A (1 R ) R B (1 R ) R C (1 R )
.
E C (UD UCs )
(n 1)Iinv
R (1 R )

9. Stabilirea domeniului de func ionare: RB = f(RA) - vezi RTL-NOR.

ASDN - CLCD - 8

Date de catalog pentru tranzistoare

Tranzistoare cu Germaniu
Tip
AC 181 V
EFT 373
EFT 377 A
EFT 377 B
EFT 377 C

h21E
50 ... 100
60 ... 150
75
110
160

ICB0 (25C)
8 (< 20) A
8 (< 20) A
20 A
20 A
20 A

h21E
125 ... 500
125 ... 500
240 ... 900
125 ... 500
40 ... 250
40 ... 160

ICB0 (25C)
0,2 (< 15) nA
0,2 (< 15) nA
0,2 (< 15) nA
0,2 (< 15) nA
100 nA
100 nA

Tranzistoare cu Siliciu
Tip
BC 107
BC 108
BC 109
BC 171
BD 135
BD 139

Date de catalog pentru dioda EFD 105

Iinv.(25C, 5V) = 3A

Tabel de valori nominale pentru rezistoare

Tip E12, clasa 10%
1
1,2 1,5

1,8

2,2

2,7

3,3

3,9

4,7

5,6

6,8

8,2

Tip E24, clasa 5%

1
1,1 1,2
3,3 3,6 3,9

1,3
4,3

1,5
4,7

1,6
5,1

1,8
5,6

2
6,2

2,2
6,8

2,4
7,6

2,7
8,2

3
9,1

Tip E48, clasa 2%

100 105 110
178 187 196
316 332 348
562 590 619

115
205
365
649

121
215
383
681

127
226
402
715

133
237
422
750

140
249
442
787

147
261
464
825

154
274
487
866

162
287
511
909

169
301
536
953

ASDN - CLCD - 9

CIRCUITELOR LOGICE CU COMPONENTE DISCRETE

TEME DE PROIECTARE

Nr.
Tem

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25

Tip Func ie
circuit logic

RTL
RTL
RTL
RTL
RTL
DTL
DTL
DTL
DTL
DTL
DTL
DTL
DTL
DTL
DTL
RTL
RTL
RTL
RTL
RTL
DTL
DTL
DTL
DTL
DTL

ASDN - CLCD - 10

Tip
tranzistor

Tip diode

EC
(V)

EB
(V)

NOR EFT373
NOR EFT377A
NOR EFT377B
NOR EFT377C
NOR AC181V
NAND BC107 EFD105
NAND BC108 EFD105
NAND BD139 EFD105
NAND BD135 EFD105
NAND BC109 EFD105
NOR
BC171 EFD105
NOR AC181V EFD105
NOR
BC107 EFD105
NOR
BC108 EFD105
NOR
BC109 EFD105
NOR
BC171
NOR EFT373
NOR AC181V
NOR
BC107
NOR
BC108
NAND AC181V EFD105
NAND BD139 EFD105
NAND BC107 EFD105
NAND BC109 EFD105
NAND BC171 EFD105

10
12
15
18
24
24
18
24
24
18
24
18
24
24
24
24
18
15
18
12
12
24
24
24
15

12
12
12
12
18
24
18
24
18
15
18
15
15
12
18
24
12
12
18
12
12
18
18
24
15

3
4
4
5
5
4
5
6
7
8
4
5
6
7
8
3
4
4
5
5
4
5
6
7
4

(%)

(%)

2
5
5
5
3
5
5
3
3
5
10
5
5
5
5
3
2
5
5
5
3
5
3
3
5

5
5
10
2
10
2
2
10
5
10
10
5
2
2
2
5
10
5
10
10
5
2
5
5
5

Tmax (C)

60
65
50
45
50
55
60
65
45
50
70
65
60
50
45
65
50
55
40
50
55
60
50
60
45