EA2 curs 4

DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

Tiristorul:
Denumirea de tiristor se aplică unei clase întregi de dispozitive semiconductoare cu
siliciu care au o caracteristică bistabilă dependentă de o reacție pozitivă, formată pe o
structură cu patru straturi pnpn. Tiristoarele pot avea două, trei sau patru terminale, putând
conduce uni- sau bi-direcțional1.
Cele mai utilizate tiristoare în practică sunt structurile cu trei terminale, cunoscute sub
numele de SCR (Silicon Controlled Rectifier – Redresoare Comandate cu Siliciu), denumite în
continuare tiristoare. Pentru celelalte tipuri, se va utiliza denumirea particulară.
Tiristorul are o structură pnpn, din patru straturi semiconductoare care formează trei
joncțiuni, ca în fig. 1.

Anod Catod
Poartă - Gate

Fig. 1. SCR -Tiristor structură2 și simbol

Tiristorul are trei terminale: anod, catod și poartă (Anode, Cathode, Gate - engl.)
Funcționarea acestuia poate fi explicată prin structura sa echivalentă formată din tranzistoare
complementare, npn și pnp, legate într-o buclă de reacție pozitivă (fig. 2.).

Fig. 2. Echivalarea structurii pnpn cu două tranzistoare bipolare complementare

Pentru schema echivalentă cu tranzistoare complementare, se poate scrie curentul
anodic al dispozitivului:

1
Connolly A.P. & others - SCR Manual 5th Edition, General Electric Company 1972, pag. 1.
2

https://www.google.com/search?q=thyristor+structure&client=opera&hs=jFX&tbm=isch&source=iu&ictx=1&fi
r=guy64MFj5cUdqM%252CFQHBvry3E396dM%252C_&vet=1&usg=AI4_-
kSJjmv0WPfaJ7yRCK1Mee_af9okJg&sa=X&ved=2ahUKEwj40a70g9rsAhWJEWMBHQACA-
IQ_h16BAgOEAU#imgrc=guy64MFj5cUdqM

1
 𝛼𝑛 𝑀𝑛 𝐼𝐺 + 𝐼𝐶𝐵0−𝑛 + 𝐼𝐶𝐵0−𝑝
𝐼𝐴 = 3
1 − (𝛼𝑝 𝑀𝑝 + 𝛼𝑛 𝑀𝑛 )
unde: αn, αp sunt factorii de amplificare în curent colector față de emitor pentru
tranzistoarele npn, respectiv pnp, ICB0-n, ICB0-p sunt curenții reziduali colector – bază și Mn, Mp
sunt coeficienții de multiplicare în avalanșă a electronilor și golurilor (aproximativ egali cu 1).
Tiristorul fiind polarizat corect (direct), anodul pozitiv față de catod și fără a aplica
semnal pe poartă, ambii coeficienți α ai tranzistoarelor sunt mici, numitorul fracției este
subunitar, iar curentul anodic este puțin mai mare decât suma curenților reziduali ICB0.
Tiristorul este „blocat în sens direct” și prezintă o rezistență mare anod – catod.
Pentru a fi trecut în „conducție în sens direct”, este necesar ca numitorul fracției care
reprezintă curentul anodic să se anuleze, adică:
𝛼𝑝 𝑀𝑝 + 𝛼𝑛 𝑀𝑛 = 1
Practic, pe măsură ce curenții prin tranzistoare cresc, cresc și factorii de amplificare α.
Modul de legare al tranzistoarelor creează reacția pozitivă prin aceea că fiecare tranzistor
primește în baza proprie curentul de colector al celuilalt, îl amplifică și în direcționează prin
colector în baza celuilalt, fenomenul terminându-se prin intrarea în saturație a ambelor
tranzistoare, având ca efect o cădere de tensiune pe tiristor aproximativ egală cu cea pe o
joncțiune pn. În această stare, curentul anodic este limitat doar de componentele externe din
circuitul anodic.
Trecerea din blocare în conducție în sens direct a tiristorului se face prin orice metodă
care duce la creșterea către unitate a sumei αn + αp (Mn, Mp ≈ 1).
Tiristorul este definit printr-o familie de caracteristici IA = f(UA-C), curent anodic în funcție
de tensiunea aplicată între anod și catod, parametrul care face diferența între membrii
familiei fiind curentul injectat în poartă.
IA 3

2
IG=0
1
4 0 UA-C

5
Fig. 3. Caracteristica IA = f(UA-C) a tiristorului

3
Connolly A.P. & others - SCR Manual 5th Edition, General Electric Company 1972, pag. 2.

2
 Pe caracteristica din fig. 3. se evidențiază cinci zone distincte:
• Zona 0-1: tiristorul este blocat în sens direct (blocarea este asigurată de
joncțiunea J2). Zona este limitată superior de tensiunea de străpungere în direct.
Tiristorul poate suporta tensiuni mari (sute de volți) și este parcurs de un curent
rezidual deosebit de mic;
• Zona 1-2: este o regiune cu rezistență negativă, instabilă, care face trecerea
dintre zona de blocare în sens direct și cea de conducție în sens direct;
• Zona 2-3: zona de conducție în sens direct, caracterizată de curenți mari (amperi,
..., sute de amperi) – curentul anodic este limitat doar de sarcina anodică - și o
tensiune anod – catod mică (1, ..., 1,5 V), în general neglijabilă față de tensiunea
de alimentare anodică. Zona este limitată superior de curentul maxim admis (în
regim permanent, impuls repetitiv sau nerepetitiv). Inferior, se definesc curentul
de acroșaj, corespunzător valorii minime pentru care, o dată amorsat (trecut din
blocare în conducție), tiristorul își păstrează starea de conducție, și curentul de
menținere, reprezentând valoarea maximă sub care tiristorul aflat în conducție,
fără comandă de amorsare, trece în blocare;
• Zona 0-4: este zona de blocare în sens invers, în care tiristorul suportă tensiuni
inverse (- pe anod, + pe catod) mari (sute de volți), fiind parcurs de un curent
foarte mic, neglijabil în majoritatea aplicațiilor, pentru dispozitive răcite
corespunzător. Zona este limitată de tensiunea de străpungere în sens invers;
• Zona 4-5: zona de conducție în sens invers, în care tiristorul se străpunge
(joncțiunea J1) și conduce un curent mare, având și o tensiune mare la borne,
din care rezultă o putere electrică foarte mare, imposibil de suportat de către
dispozitiv, acesta distrugându-se.
În cataloage se indică, de regulă, o singură tensiune maximă, care poate fi suportată de
tiristor atât în polarizare directă, cât și inversă.
Trecerea tiristorului din blocare în conducție în sens direct (amorsarea):
Există cinci situații în care tiristorul trece din blocare în sens direct în conducție, dintre
care două utile, folosite în practică, și trei parazite, accidentale, nedorite, care pot duce la
defectarea dispozitivului.
În practică se folosesc pentru amorsarea tiristorului comanda electrică în poartă și
comanda optică.
Parazit, tiristorul poate trece în conducție prin depășirea tensiunii de străpungere în
direct, prin efect dU / dt, sau prin creșterea temperaturii.
1. Comanda electrică în poartă:
În polarizare directă (+ pe anod, - pe catod), injectarea unui curent în poartă duce la
creșterea curentului de colector al tranzistorului npn din fig. 2. Acesta, trecând prin baza
tranzistorului pnp este amplificat și curentul de colector al pnp-ului se adună la curentul de
poartă, dând naștere unei bucle de reacție pozitivă regenerativă. Circuitele de comandă a

3
amorsării trebuie să fie capabile să producă un curent corespunzător prin poartă – catod.
Simplificat, circuitul poartă catod este:

Fig. 4. Circuitul echivalent poartă – catod

În afara joncțiunii pn dintre poartă și catod, reprezentată de dioda Dg-c, mai apar două
rezistențe: RL, care este rezistența echivalentă a stratului p din poartă și RS, care modelează
rezistența de pierderi dintre poartă și catod și o eventuală rezistență introdusă voit în procesul
de fabricație. Între poartă și catod, sursa de comandă a amorsării aplică tensiunea V G, încât
prin poartă intră curentul IG.
Pentru ca amorsarea să aibă loc, trebuie îndeplinite următoarele condiții:
• VG ≥ VGT;
• IG ≥ IGT;
• Durata impulsului de comandă să fie mai mare decât timpul necesar curentului
anodic să depășească valoarea curentului de acroșaj.
VGT și IGT sunt valorile de amorsare indicate în catalog (GT – Gate Triggering).
Pentru comandă cu durată mare, mai trebuie verificată o condiție, respectiv puterea
disipată pe circuitul poartă – catod să fie inferioară celei înscrise în catalog.
𝑃𝐺 = 𝑉𝐺 𝐼𝐺 ≤ 𝑃𝐺 𝑚𝑎𝑥𝑖𝑚
Aceasta, împreună cu primele două condiții anterioare, dau un domeniu permis de
comandă ca în fig. 5.

Fig. 5. Restricțiile pentru comanda electrică pe poartă

4
 La temperaturi negative, triunghiul curbiliniu din fig. 5. devine mulțime vidă din cauza
creșterii accentuate pentru valorile VGT și IGT, motiv pentru care comanda în poartă eficientă
se face în impulsuri scurte dar mari (IG = 3, ..., 5 IGT) și nu în curent continuu.
Tiristoarele de putere mare au curenți mari de amorsare pe poartă, motiv pentru care
la cele de fabricație mai recentă s-a introdus un amplificator de poartă, ca în fig. 6.

Fig. 6. Tiristor cu amplificator de poartă4

Trebuie accentuat faptul că, prin comandă pe poartă, tiristoarele obișnuite pot trece
doar din blocare în conducție, nu și invers!
2. Comanda optică:
Prin iluminarea joncțiunii J2, care în polarizare directă a tiristorului este blocată, cu o
radiație în banda spectrală a siliciului, în rețeaua cristalină apar numeroase perechi electron
– gol. Acestea măresc curentul rezidual prin joncțiune până în punctul la care se atinge
condiția de amorsare: αn + αp = 1. Tiristoarele cu comandă optică au practicată în capsulă o
fereastră transparentă prin care se poate ilumina joncțiunea J2. Asemenea dispozitive
echipează optocuploare cu tiristor în loc de tranzistor bipolar.
3. Depășirea tensiunii de străpungere în sens direct:
Atunci când tensiunea colector – emitor aplicată unui tranzistor bipolar crește, se atinge
un punct în care energia purtătorilor de sarcină din curentul rezidual ICB0 care ajung în colector
este suficient de mare încât să dea naștere la purtători suplimentari. Aceștia, la rândul lor, vor
crea alți purtători suplimentari, fenomenul amplificându-se în avalanșă ceea ce duce la o
creștere bruscă a curentului de colector. Când această creștere îndeplinește condiția αn + αp
= 1, tiristorul comută din blocare în conducție.
4. Efectul dU / dt:
Orice joncțiune pn are o capacitate proprie, cu atât mai mare cu cât joncțiunea este mai
mare. Joncțiunea J2, normal polarizată invers dacă tiristorul este blocat, dar polarizat în sens
direct, nu face excepție (fig. 7.).
La aplicarea unei tensiuni variabile pe un condensator, apare un curent prin acesta:
𝑑𝑈𝐶
𝑖𝐶 = 𝐶
𝑑𝑡

4
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-AN2018-08_Triggering_ETTs-ApplicationNotes-v06_00-
EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cdcf641272e4c, pag. 7.

5
 Dacă viteza de creștere a tensiunii pe condensatorul echivalent joncțiunii J2 (care este
și viteza de creștere a tensiunii anod – catod a tiristorului (joncțiunile J1 și J3 sunt polarizate
direct, preiau o tensiune neglijabilă) este suficient de mare, curentul de încărcare a capacității
echivalente crește rapid suma αn + αp la 1, comutând dispozitivul.

Fig. 7. Condensatorul echivalent joncțiunii J2

5. Creșterea temperaturii:
La temperaturi înalte, curentul rezidual prin-tr-o joncțiune pn cu siliciu polarizată invers
se dublează aproximativ la fiecare 8oC. Când curentul generat prin creșterea temperaturii
îndeplinește condiția pentru care αn + αp = 1, dispozitivul trece din blocare în conducție în
sens direct.
În vederea evitării amorsării parazite a tiristorului conform cazurilor 3, 4 și 5, la fabricație
se introduce o rezistență între poartă și catod care are rolul de a crea o cale de ocolire a
joncțiunii bază – emitor a tranzistorului npn (J3) de curentul rezidual, care crește substanțial
în cazurile sus-amintite, astfel încât acesta să nu fie amplificat de tranzistorul npn. Este
motivul pentru care la măsurătoarea cu ohmmetrul, nu se detectează joncțiune între poartă
și catod, ci rezistență, la multe tiristoare.
Efectul di / dt:
În procesul de amorsare a tiristorului, în principal prin comandă pe poartă, dar efectul
apare și la celelalte moduri, conducția curentului prin tiristor se realizează inițial pe o arie
redusă, în jurul porții, arie mult mai mică decât cea a catodului, urmând ca suprafața de
conducție să se extindă cu o viteză finită la toată secțiunea semiconductorului. Dacă viteza de
creștere a curentului di / dt este prea mare, aria inițială de conducție se supraîncălzește și se
topește, dispozitivul defectându-se. Rata maximă de variație a curentului anodic pe care o
suportă un tiristor fără a se defecta se numește capabilitate în di / dt și este un parametru
specificat de fabricant. La fabricant se iau măsuri de creștere a acestui parametru, prin
proiectarea zonelor semiconductoare. La utilizator se pot lua măsuri de protecție prin care să
se limiteze viteza de creștere a curentului anodic, prin proiectarea circuitului extern.
Blocarea tiristoarelor:
Prin blocarea unui tiristor se înțelege procesul de trecere din stare de conducție în sens
direct în starea de blocare în sens direct.

6
 Pentru tiristoarele convenționale blocarea se poate produce în două moduri:
1. Prin scăderea curentului anodic sub valoarea de menținere. Acest lucru se poate
întâmpla la creșterea rezistenței de sarcină din circuitul anodic, sau la șuntarea
tiristorului cu un alt dispozitiv care să preia curentul de sarcină. Ambele metode
apar rar în practică și sunt considerate moduri parazite de comutare;
2. Prin aplicarea unei tensiuni inverse anod – catod. Tensiunea inversă poate
proveni din semialternanța negativă a tensiunii de alimentare (comutație
naturală), atunci când tiristorul lucrează alimentat în curent alternativ, sau, în
circuite de curent continuu, aceasta este creată și aplicată de circuite speciale de
stingere (comutație forțată).
În fig. 8., pentru blocarea tiristorului Th, sursa E își schimbă polaritatea.

IA RA

E Th

Fig. 8. Circuit cu tiristor

Evoluția tensiunilor și curenților din circuit sunt prezentate în fig. 9.

UAC
EF
t
ER

trr
IA
tRM tf
IF

IRmax tq

Fig. 9. Procesul de blocare a tiristorului5

La momentul t = 0, sursa de alimentare E, de la tensiunea pozitivă EF, comută brusc la o
tensiune negativă ER. Curentul anodic IA al tiristorului scade de la valoarea din conducție IF la
o valoare negativă maximă IRmax. Sarcinile stocate în joncțiuni sunt responsabile de apariția
curentului invers prin tiristor. Acestea sunt evacuate inițial din joncțiunile J1 și J3, în timpul
tRM – timp de stocare în volum (volume storage time) și apoi curentul anodic revine la zero în
timpul tf – timp de cădere (fall time). Suma acestor doi timpi, dintre cele două treceri prin
zero ale curentului anodic se numește trr – timp de revenire în invers (reverse recovery time).

5
Conform: Bodea M. ș.a., - Diode și tiristoare de putere, Ed. Tehnică, București 1989, pag. 103

7
Deși curentul anodic s-a anulat, o reaplicare a tensiunii anodice pozitive EF imediat după trr ar
duce tiristorul din nou în conducție. Procesul de blocare este încheiat după tq – timp de
blocare, când tiristorul poate fi polarizat cu tensiune pozitivă.
În funcție de timpul de blocare tiristoarele se clasifică în tiristoare normale, cu timpi de
blocare de 50, ..., 200 µs, destinate redresării în frecvențe joase (50, 60Hz), rapide, cu timpi
de blocare cu un ordin de mărime mai mic, folosite în comutație forțată (invertoare etc.) și
ultra-rapide, cu timpi de blocare sub 2 µs, pentru aplicații speciale.
Timpul de blocare poate fi redus prin aplicarea unei tensiuni negative pe poartă simultan
cu tensiunea negativă anodică. Metoda funcționează pentru toate tiristoarele, dar există o
clasă specială, construite special pentru accelerarea blocării prin negativarea porții, numite
GATT (Gate Assisted Turn off Thyristor – tiristoare cu blocare asistată pe poartă).
Tiristoarele convenționale nu se pot bloca prin comandă pe poartă.
Există tiristoare de construcție specială GTO Thyristors (Gate Turn Off Thyristors –
tiristoare cu blocare pe poartă), care se comandă să treacă în conducție ca tiristoarele
convenționale, se pot bloca la fel cu acestea, dar, suplimentar, se mai pot bloca prin
extragerea unui curent (relativ mare) din poarta dispozitivului, polarizată negativ pentru
blocare, ca în fig. 10.

IA RA
Eon
E Th RG Sw ON
OFF
Eoff

Fig. 10. Comanda tiristorului GTO

Comutatorul cu trei poziții Sw aplică tensiunile de comandă pe poarta dispozitivului. Pe
poziția ON, o tensiune pozitivă dată de sursa Eon amorsează tiristorul. Pe poziția OFF, poarta
este negativată de sursa Eoff și tiristorul GTO se blochează. Pe poziția mediană, ca în figură,
poarta este necomandată și dispozitivul păstrează ultima stare comandată, ca un bistabil RS.
Dacă, în general, curenții de poartă pentru amorsare IGT sunt mici față de curentul
anodic, curentul care trebuie extras din poartă pentru a bloca un tiristor GTO este comparabil
cu cel anodic (de câteva ori mai mic)!