Universitatea Politehnica Bucuresti

Facultatea de Inginerie Electrica, Specializarea SIIM

Sursa de alimentare in comutatie

Student,
DAN Ionut Andrei
Grupa,
SIIM 1
 Sursa de alimentare in comutatie

Stabilizatoarele de tensiune cu funcţionare în comutaţie sunt larg răspândite în industrie datorită

avantajelor acestora comparativ cu stabilizatoarele liniare de tensiune: randament ridicat obţinut prin funcţionarea
în regim de comutaţie a dispozitivelor semiconductoare de putere, gabarit scăzut şi flexibilitate ridicată a valorii
tensiunii medii de ieşire faţă de valoarea tensiunii continue de intrare. Aceste surse de tensiune se bazeaza pe
folosirea unui convertor de tip DC-DC. Acesta are la intrare o plaja de valori in tensiune continua si la iesire o
tensiune continua (stabilizata). De regula, tensiunea de iesire face parte din alta gama decat cele de intrare. Exista
cateva feluri de convertoare DC-DC. Pentru a realiza sursa de alimentare din proiect vom folosi un convertor de tip
step-down (cunoscut si sub denumirea de “step-down converter”), adica vom avea la intrare o plaja de tensiuni mai
mari decat tensiunea de iesire.

Atunci cand tranzistorul se afla in regiunea activa, el va aplica tensiunea de intrare la capatul apropiat al
bobinei. Curentul prin bobina are tendinta de creste iar dioda blocata datorita tensiunii negative ce cade pe ea. Cand
tranzistorul este in regiunea de blocare, curentul prin bobina va continua sa curga insa dioda va fi cea care va
inchide circuitul.

Tranzistorul si dioda trebuie privite ca doua comutatoare comandate in antifaza. In electronica de putere,
aceste comutatoare sunt realizate cu ajutorul tranzistoarelor MOSFET (Metal Oxid Semiconductor Field Effect
Tranzistor).
Tranzistorul MOS este un dispozitiv electronic la care conductia curentului electric se produce la suprafata
semiconductorului. Proprietatile conductive ale suprafetei semiconductorului sunt controlate de un câmp electric ce
ia nastere ca urmare a aplicarii unei tensiuni pe electrodul poarta.

2
   Când electrodul poarta este lasat in gol sau i se aplica o tensiune negativa (v GS < 0) in raport cu sursa, nu
exista practic conductie intre sursa si drena, deoarece regiunile sursei si drenei, impreuna cu regiunea din substratul
semiconductor cuprinsa intre aceste regiuni, formeaza doua jonctiuni pn+ legate in opozitie, astfel ca, indiferent de
polaritatea tensiunii aplicate intre sursa si drena, una din jonctiuni va fi polarizata invers, blocând calea de
conductie intre sursa si drena.
Când poarta este pozitivata (vGS > 0) fata de sursa si drena, in stratul de oxid de sub electrodul poarta ia
nastere un câmp electric E (fig. 5) orientat dinspre metal (grila) spre semiconductor (substrat), câmp care respinge
de la interfata golurile, marind concentratia electronilor minoritari. Peste o anumita valoare V P a tensiunii vGS,
numita tensiune de prag, concentratia electronilor la interfata devine mai mare decât concentratia golurilor, adica s-
a inversat tipul de conductibilitate. Stratul superficial de la interfata, in care, sub actiunea câmpului electric generat
de tensiunea de grila, a fost inversat tipul de conductibilitate a semiconductorului (in cazul de fata de la plan) se
numeste strat de inversie sau canal indus (aici, canal n). Formându-se stratul de inversie intre D si S, cu acelasi tip
de conductibilitate ca si regiunile respective, se asigura conductia electrica intre drena si sursa.

Fig. 5 Tranzistorul MOS cu grila pozitivata in raport cu sursa

 
  Aplicând atunci o tensiune vDS, prin circuitul de drena va trece un curent iD cu sensul corespunzator
polaritatii lui vDS.
Daca dupa formarea canalului marim tensiunea vGS, conductanta canalului va creste, deoarece se mareste
intensitatea câmpului electric E si un numar mai mare de electroni se acumuleaza in canal.
    Prin urmare, conductanta canalului va fi comandata de catre v GS prin intermediul câmpului electric dintre grila si
substrat. Cu alte cuvinte, curentul iD este controlat de tensiunea vGS când aceasta depaseste valoarea de prag VP. In
jurul sursei, al drenei si al canalului apare o zona de sarcina spatiala.

Pentru un tranzistor MOS cu canal initial n caracteristica de transfer este reprezentata in figura 6.

3
 Fig. 6 Caracteristica de transfer a unui tranzistor MOS cu canal initial n

Urmatoarea problema care trebuie rezolvata in schema initiala este controlul celor doua comutatoare de
putere. Trebuie specificat ca producatorii de circuite integrate implementeaza unul dintre cele doua comutatoare (si
anume “high side switch” – cel care este reprezentat ca tranzistor bipolar in schema actuala) de regula intr-un
controler, facand mai usoara sarcina proiectantului. Dar acest lucru se intampla doar pentru tranzistoare MOSFET
de putere mica. Pentru aplicatii precum cea din tema de proiect (unde sunt necesari curenti mai mari de 2,5-3A) nu
se gasesc controlere cu switch-ul de sus integrat din cauza costurilor suplimentare pentru introducere de tranzistoare
de putere in aceeasi capsula cu chip-ul. De aceea vom utiliza un PWM (Pulse width Modulation) cu functie de
driver pentru cele doua comutatoare. In acest stadiul schema de principiu a convertorului DC-DC ar fi aceasta:

Se observa ca la iesirea intregului circuit se sintetizeaza o tensiune de referinta pentru controler, tensiune
care inchide o bucla de reactie negativa ce controleaza ritmul de comutare al celor doua tranzistoare. Acesta este un
parametru specific fiecarui integrat PWM (duty cicle), precizat de catre producator (D ia o valoare in intervalul
(0,1)).
S-a optat pentru utilizarea integratului PWM TPS40055, de la Texas Instruments intrucat este unul dintre
putinele produse de acest tip de pe piata care suporta parametrii sursei de proiectat.

Deoarece se vor face referiri ulterioare la anumite functii interne ale integratul este prezentata si schema de
principiu a acestuia:

4
 Pentru a veni in sprijinul proiectantului de circuite, pe site-ul companiei Texas Instruments aceasta familie
de controlere are si un simulator care poate oferi pe scurt, in urma introducerii unor parametri de proiectare, detalii
despre schema de principiu a montajului dorit. Aceeasi schema de principiu este prezentata si in foaia de catalog a
produsului.

Fig. 10 Schema de principiu pentru urilizarea integratului TPS40055

Datele de proiectare
5
 Sa se proiecteze o sursa de alimentare, avand urmatoarele caracteristici:

Tipul sursei stabilizate: in comutatie (en: SMPS = Switched Mode Power Supply)
Gama tensiunilor de intrare: 16 - 40V
Randament: min 90% la sarcina maxima
Tensiunea stabilizata de iesire: 12V
Curentul maxim de iesire: 6 A
Riplul maxim la iesire: 30 mVpp
Frecventa de comutatie: 1MHz
Stabilizarea sarcinii (Load Regulation): 1%

In cele ce urmeaza se va dimensiona circuitul corespunzator cerintelor din tema de proiect si se vor face
comentariile necesare intelegerii functionarii schemei.

Setarea frecventei de operare circuitului integrat

Setarea frecventei de lucru se face cu ajutorul rezistentei Rt (R4 in schema de mai sus) conform formulei de
mai jos:

Avand in vedere faptul ca circuitul trebuie sa functioneze la 1MHz , reiese din calcule R4=39.11KΩ. Vom
folosi un rezistor standard de 39.2K, 1/16W, 1%.

Programarea generatorului de rampa

Rampa circuitului de comparatie este programata prin intermediul rezistentei Rkff (R7 in schema de mai
sus). Formula de aflare a rezistentei Rkff este:

Unde tensiunea de intrare este 16V, Rt a fost calculat mai sus, iar tensiunea pinului kff (pinul 1) este tipic
3.48V. In urma calculelor, Rkff =45.24 KΩ. Vom folosi o rezistenta standard de 45.3 KΩ, 1/16W, 1%.

Pinii Bp5 si Bp10

Acesti pini pot fi folositi cu surse de referinta externe. In proiectul de fata nu se folosesc acesti pini si este
recomandat ca ei sa fie conectati la masa prin doi capacitori ceramici de 0.1 uf respectiv 1uF. In schema de mai sus,
cei doi capacitori sunt reprezentati de C4 si C13. Vom alege din catalog doi capacitori standard de 0.1uF, 6.3V,
10% si 1uF, 50V, 10%.

Alegerea bobinei

Valoarea bobinei determina amplitudinea riplului de curent in capacitorul de iesire cat si curentul la care
convertorul intra in mod discontinuu (vezi si Anexa A). O bobina mare reduce riplul de curent dar este fizic prea
mare pentru curentul de iesire necesar. O bobina mica determina un riplu de curent mare si necesita un numar mai
mare de capacitori la iesire care sa suporte acelasi riplu de tensiune necesar. Un bun compromis este alegerea
impedantei astfel incat riplul de current sa reprezinte 10%-30% din curentul maxim de iesire. Ecuatia de aflare a
inductantei este:

6
 Henri
unde Vin se considera tensiunea maxima de intrare.
Vom considera ca riplul de curent este 20% din curentul maxim de iesire.
DI=(20/100)*6A=1.2A
In acest caz inductanta are valoarea 7uH.
Se calculeaza incontinuare curentul maxim ce va trece prin bobina. Si acesta are un rol important in alegerea
bobinei din punct de vedere al curentului de saturatie care trebuie sa fie mai mare decat curentul maxim ce va trece
prin ea. In principiu se accepta o margine de 20% pentru a acoperi toleranta componentelor din circuit si diferentele
dintre valorile calculate si valorile folosite efectiv in circuit. Imax= I+DI=7.2A.
O bobina de aceasta marime are in principiu o rezistenta in curent continuu (DCR-DC resistance) de ordinul
a 5-18 mohm. Pentru a minimiza pierderile de putere se va alege un inductor cu rezistenta cea mai mica.
Avand in vedere considerentele de mai sus se alege un inductor de tipul UP4B-6R8 produsa de Coiltronics
de 6.8 uH, cu Isat=14.10A si DCR=10 mohm.

Alegerea capacitatii de la iesire

Capacitatea de iesire trebuie sa minimizeze cresterile accidentale de tensiune si riplul unui step-down
converter. Cresterile bruste, accidentale de tensiune sunt datorate unei capacitati de iesire prea mica. Riplul mare
este datorat atat subdimensionarii capacitatii cat si unei rezistente serie echivalente mari (ESR). Pentru a rezolva
aceste probleme trebuie sa existe la iesire un capacitor de valoare mare si ESR mic.
Atunci cand rezistenta de sarcina este scoasa brusc, tensiunea de iesire are tendinta de crestere brusca peste
valorile nominale. De aceea este necesar un capacitor relativ mare care sa inmagazineze energia furnizata de bobina
si a nu permita la iesire o tensiune mai mare decat cea specificata.

Deci capacitatea de iesire este egala cu:

Unde DV reprezinta maximul de tensiune peste norma impus de proiect. Vom considera aceasta valoare
egala cu 100mV. In urma calculelor Co=126.523 uF. Daca luam in calcul si toleranta de 20% a capacitatii ajungem
la Co=151.827uF.
Riplul datorat capacitatii este:

Iar riplul datorat parametrului ESR este:

In total, riplul este:

Iar valoarea ESR este:

Pentru un riplu de 30mV ESR=0.02401 Ohm.

Avand in vedere aceste date se alege un capacitor cu 150 uF sau mai mult si un factor ESR<24 mOhm.
Se opteaza pentru un capacitor Sanyo model 16SA150M de tip OS-CON de 150 uF si cu un ESR tipic de
14 mohm. Capacitorul rezista la 16V.
7
 Alegerea capacitorului de la intrare

Capacitorul de la intrare se alege in functie de riplul in tensiune dorit si de curentul efectiv. In aplicatiile
tipice convertorul step-down este alimentat de la un convertor de putere care are propria capacitate de iesire. Se
considera un riplu acceptabil valoarea de 250mV. In acest caz valoarea capacitatii se calculeaza cu formula:

In urma calculelor a rezultat o capacitate de 18uF.

Se calculeaza incontinuare curentul efectiv ce va trebui suportat de capacitor:

Curentul efectiv calculat este de 5.19A.

In acest caz se aleg 2 capacitori ceramici GRM55DR61H106KA01K produsi de muRata de 10uF, 50V,
Esr=4mV, 10% ce se pun in paralel.

8
 Anexa
Un convertor step-down lucreaza in mod continuu daca IL (curentul prin bobina) nu ajunge niciodata la zero
in timplu unei perioade de ciclu. Acest mod de functionare este descris in diagrama de mai jos.

In acest mod de functionare tensiunea de iesire variaza liniar cu factorul de umplere pentru o tensiune de
intrare data.
In unele cazuri, necesarul de energie pentru o rezistenta de sarcina este atat de mic incat necesita un timp de
transfer mai mic decat perioada de comutatie. In acest caz, curentul prin bobina ajunge la zero o parte din perioada
de ciclu. Acest mod de functionare este prezentat in diagrama de mai jos.

In acest caz, tensiunea de iesire nu mai depinde doar de tensiunea de intrare si de factorul de umplere ci si
de valoarea bobinei, perioada de ciclu si de curentul de iesire.