Quiz uri

Cursul 1
Conductivitatea electrica a semiconductorilor se situeaza intre cea a conductorilor si cea a izolatorilor.

La semiconductorii intrinseci condcutia electrica se face in egala masura prin electorni si goluri.

Jonctiunea PN este regiunea din vecinatatea suprafetei de contact a doi semiconductori dopati diferit.

Rezistivitatea electrica a semiconductorilor descreste cu cresterea temperaturii.

Banda interzisa este intervalul care separa banda de valenta de banda de conductie.

Cursul 2
O dioda semiconductoare este o jonctiune PN conectata la doua terminale electrice, denumite anod is
catod.

Dispozitivele semiconductoare sunt componente sau ansambluri de componente electronice realizate in

principal din material semiconductoare si a caror functionare se bazeaza pe propietatile electronice ale
acestor material.

Polarizarea directa a diodei inseamna aplicarea la bornele ei a unei tensiuni positive de la anod spre
catod.

Tensiu7nea de deschidere a unei diode semiconductoaree depinde putin de modificarile curentului

direct si de temperature, dar mai mult de tipul materialului semiconductor utilizat pentru fabricarea ei.

Principala propietate a diodei este aceea de a conduce bine curentul electric intr un sens si foarte putin
in sens invers. X

Cursul 3
Panta graficului la PSF este data de derivate functiei curentului si are semnificatia unei conductante.

Semnalul mic este acel semnal a carui amplitudine nu depaseste tensiunea de deschidere a diodei, VF.

Punctul static de functionare este unic determinat de coordonatele sale: o tensiune si un curent.

Punctul static de functionare este dat de intersectia caracteristicii diodei cu dreapta de sarcina.
Cursul 4
Dublorul de tensiune este un circuit care amplifica de doua ori orice semnal ce este aplicat la intrare.

Teorema lui Thevenin permite simplificarea unei scheme cu surse de tensiune si rezistoare prin
echivalarea ei cu o singura sursa de tensiune echivalenta, inseriata cu o rezistenta echivalenta.

Circuitele de limitare a semnalelor permit reducerea amplitudinii acestora la anumite valori prestavilite,
positive si/sau negative.

Redresoarele se folosesc pentru a obtine tensiuni unipolare (positive sau negative) din cele alternative.

Detectorul de valoare de varf realizeaza incarcarea unui condensator la o tensiune egala cu

amplitudinea semnalului sinusoidal aplicat la intrare.

Cursul 5
Tranzistoarele sunt dispositive electronice active, deoarece pot amplifica sau comuta semnalele
electrice.

Tranzistorul bipolar este o structura semiconductoare compusa din doua jonciuni PN cuplate intre ele,
conectate in antiserie.

Efectul de transistor apare prin cuplarea electrica a celor doua jonctiuni, ce este datorata doparii
puternice a emitorului si grosimii reduse a bazei.

Modelul Ebers-Moll contine doua diode (BE si BC) conectate in antiserie si doua surse de current invers,
5cate una in parallel cu fiecare dioada, curentul fiecarei surse depinde direct proportional de curentul
prin diode cealalta, prin coeficientii .

Cursul 6
Conectarea unei rezistente mici intre baza si emitor este cea mai utilizata modalitate de blocare a TB.

Conexiunile EC si CC prezinta valori apropiate ale amplificarii in curent.

Atunci cand jonctiunea baza-emitor nu este parcursa de current, tranzistorul se afla in regim blocat.

Regimul blocat se caracterizeaza prin absenta curentului de baza si a celui de collector, ambele jonctiuni
fiind polarizate invers.
Cursul 7
Punctul static de functionare cuprinde componentele de current continuu ale curentului de collector
(IC), tensiunii coletor emitor (VCE) si curentului de baza (IB).

In regim variabil de semnal mic, tranzistorul polarizat in RAN se poate aproxima prin elementele liniare
(rezistente si capacitate).

Pentru utilizarea in circuite de amplificare, tranzistorul bipolar trebuie sa functioneze in regiunea active
normala.

Rezistenta de intrare, a tranzistorului bipolar are valori tipice in gama .

Cursul 8
TEC se numeste “cu efect de camp” deoarece intensitatea curentului intre doua terminale ale sale este
controlata de campul electric generat de potentialul aplicat pe un al treilea terminal.

Tetroda cu effect de camp se obtine prin conectarea substratului unui TEC-J la un terminal independent.

Modificarea curentului ce trece prin canalul unui TEC_J se realizeaza printr-un camp electric care
modifica grosimea regiunii de sarcina spataiala a jonciunii PN, deci si grosimea canalului.

TEC este unipolar pentru ca in interiorul lui condcutia electrica este asigurata de un singur tip de
purtatori de sarcina.

Tensiune de prag este valoarea tensiunii grila-sursa care determia ocuparea complete a canalului de
catre regiunea de sarcina spataia, in apropierea drenei.

Cursul 9
La polarizarea TEC-J cu canal n in regim de saturatie, folosind o singura sursa de alimentare (pozitiva),
tensiunea negativa grila-sursa, VGS se obtine prin conectarea grilei la un potential scazut si prin
montarea unei rezistente adecvate intre sursa si masa.

PSF al TEC-J este definit prin componentele de current continuu, al curentului de drena, tensiunii drena-
sursa si tensiunii grila-sursa.

Pentru utilizarea in amplificatoare TEC-J trebuie sa functioneze in regiunea de saturatie.

Intersectia dreptei de sarcina cu caracteristica de iesire are coordonatele egale cu tensiunea drena-
sursa, respective curentul cu drena la PSF.

X
Cursul 10
Componentele MOS se manipuleaza si depoziteaca cu pinii scurtcircuitati deoarece au impendante mari
de intrare si se pot distruge daca se incarca electrostatic.

Functionarea tranzistoarelor cu effect de camp cu grila izolata se bazeaza pe posibilitatea controlului

curentului printr-un strat superficial de material semiconductor ce se formeaza intre doi electrozi,
folosind in acest scop un camp electric perpendicular pe acest strat semiconductor.

Pentru TEC MOS cu canal n indus, tensiunea de prag este pozitiva si are o valoare tipica in jur de 2V.

La TEC-MOS cu canal n initial, canalul conductor initial apre in urma atragerii unor electroni de conductie
spre suprafata semiconductorului, cauzata de implantarea de ioni pozitivi imobili in stratul de dioxid de
siliciu de sub grila.

Campul electric ce comanda TEC-MOS se creaza intr-un strat de SiO2, dispus intre canalul semiconductor
si electrodul metallic de comanda.

Cursul 11
Tranzistoarele TEC-MOS functioneaza bine atat cu tensiune drena-sursa pozitiva, cat si negativa.

In modul saturat electronii trec peste regiunea lipsita de purtatori mobile pentru ca grosimea aceseia
este mult mai mica decat lungimea de difuzie a electronilor.

TEC-MOS functioneaza in mod saturat doar la tensiuni mai mari decat pragul de saturatie si mai mici
decat tensiunea de strapungere.

Caracteristica de transfer se traseaza pentru TEC_MOS aflat in zona de saturatie, pentru ca aceasta
amplifica doar acolo.

La tensiuni drena-sursa ce depasesc pragul de saturatie, sensul campului electric de langa drena se
schimba si acolo se formeaza o regiune de sarcina spatiala lipsita de purtatori mobile.

Cursul 13
Panta TEC-MOS la frecvente joase si medii, gm se calculeaza din ecuatia tranzistoului in zona de
saturatie.

In circuitul echivalent la semnal mic, gm este panta tranzistorului iar gd este transconductanta.

Pentru TEC-MOS cu canal n indus, panta gm se calculeaza derivand relatia specifica a curentului pentru
regiunea de saturatie.

La TEC-J cu canal n, curentul de grila este curentul de saturatie al unei jonctiuni pn cu siliciu.

Cgd este capacitatea de bariera dintre grila si drena la TEC-J si are valori tipice de .
Cursul 14
Poarta CMOS SAU-NU are tranzistoarele cu canal p legate in serie, fiind folosit cate unul pentru fiacre
intrare a protii.

Inversorul CMOS contine doua tranzistoare MOS, unul cu canal n si celalalt cu canal p, realizate pe
acelasi suport semiconductor.

Inversoarele integrate se realizeaza de obicei cu doua TEC-MOS cu canal n indus.

Simbolurile simplificate pentru TEC-MOS prezinta linii subtiri pentru canalele induse si linii ingrosate
pentru canalele initiale.

Pentru NAND are tranzistoarele inversoare legate in serie, cate unul pentru fiecare intrare a portii.
Probleme