Dispozitive i circuite electronice Prof. Dr. Ing.

Paca Sever
Tranzistoare cu efect de cmp 1
Prof. Dr. Ing. Sever Paca
Catedra de Electronic Aplicat i Ingineria Informaiei
Facultatea Electronic, Telecomunicaii i Tehnologia Informaiei
Universitatea POLITEHNICA din Bucureti
Tranzistoare cu efect de cmp (TEC)
2 Tranzistoare cu efect de cmp
Coninutul cursului
Structura, funcionarea i caracteristicile TEC-J
Influena temperaturii asupra TEC-J
Notaii i parametri de catalog ai TEC-J
Exemple de circuite de curent continuu i polarizarea TEC-J
Structura, funcionarea i caracteristicile TEC-MOS
Tipuri i simboluri de TEC-MOS
Exemple de circuite de curent continuu i polarizarea TEC-MOS
3
Tranzistorul cu efect de cmp
cu poart jonciune (TEC-J)
TEC-J este utilizat att n circuitele integrate ct i ca o component
distinct n circuitele electronice datorit obinerii unor performane ridicate:
- impedane de intrare mari
- liniaritate bun a circuitului
- nivel de zgomot redus.
Ele sunt folosite n etaje de amplificare de semnal mic la joas i nalt
frecven. De asemenea, se utilizeaz la variaii mici de tensiune i curent
ca rezistene, a cror valoare poate fi controlat pe cale electric de
tensiunea gril-surs.
4 Tranzistoare cu efect de cmp
Tranzistorul cu efect de cmp cu poart jonciune (TEC-J)
Prezentarea TEC-J
Dou tipuri: canal n i canal p
Conexiunile sunt:
surs (S), dren (D), gril (G)
substrat (Sb) neconectat ntotdeauna
la un terminal la dispozitivele discrete.
Polarizrile uzuale sunt:
TEC-J canal n
Tensiunea gril-surs:
Tensiunea dren-surs:
V
P
este tensiunea de prag i la acest tip de TEC este negativ.
TEC-J canal p
Tensiunea gril-surs:
Tensiunea dren-surs:
V
P
este tensiunea de prag i la acest tip de TEC este pozitiv.
D
I
Canal n
I
Canal p
D
GS
v
GS
v
DS
V
DS
V
G
S
D
S
G
D
0
GS P
V V
0
DS
V
P GS
V V 0
0
DS
V
5 Tranzistoare cu efect de cmp
Tranzistorul cu efect de cmp cu poart jonciune (TEC-J)
Caracteristicile TEC-J
Caracteristicile de ieire sunt
definite de dependenele dintre
curentul de dren i tensiunea
dren-surs trasate pentru diverse
valori ale tensiunii V
GS
considerat
ca parametru:
Caracteristica de transfer este
definit de dependena dintre
curentul de dren i tensiunea
gril-surs, dependen trasat la
tensiuni dren-surs mari
I
D
V
DS
V =0
GS
V <0
GS
M
N S
( )
constant =
=
DS
V GS D D
V I I
( )
constant =
=
GS
V DS D D
V I I i
D
v
GS
I
DSS
V
P
6 Tranzistoare cu efect de cmp
Tranzistorul cu efect de cmp cu poart jonciune (TEC-J)
Regimurile de funcionare ale TEC-J
Un TEC-J are trei regimuri de funcionare:
La V
DS
mici (300 mV V
DS
300 mV) zon n care, ntre dren i
surs, tranzistorul se comport ca o rezisten a crei valoare este
controlat de tensiunea V
GS
.
La V
DS
medii, zon n care caracteristica TEC-ului este neliniar.
Tipul de neliniaritate nu are aplicativitate practic.
La V
DS
mari (V
DS
> V
GS
V
P
), zon n care tranzistorul se comport
fa de dren ca un generator de curent comandat de tensiunea
V
GS
. Se spune n aceast situaie c TEC-ul este saturat. Mai exact,
este vorba de saturaia curentului de dren al TEC.
Principalele aplicaii:
etaje de amplificare de zgomot mic, impedan de intrare mare i
liniaritate bun (circuite HiFi)
comutatoare de semnal analogic (n circuite de eantionare i
memorare, multiplexare i demultiplexare a semnalelor analogice
generatoare de curent continuu fix
Dispozitive i circuite electronice Prof. Dr. Ing. Paca Sever
Tranzistoare cu efect de cmp 2
7
Structura i funcionarea TEC-J
8 Tranzistoare cu efect de cmp
Structura i funcionarea TEC-J
Structura TEC-J
Conducia curentului se face
de la surs ctre dren.
Curentul trece printr-un canal
(zona haurat) reprezentat de
poriunea n de sub zona dopat p
+
.
n funcie de limea canalului, conducia este uoar sau mai dificil.
Tensiunea aplicat ntre gril (zona p
+
) i substrat (zona p

) moduleaz
conducia canalului i valoarea curentului dren-surs al TEC-J.
Pentru ca o astfel de structur s se comporte ca un TEC, limea
efectiv a canalului (w din figura urmtoare cu canalul detaliat) trebuie
s fie suficient de mic, comparabil cu limea regiunii de trecere a
unei jonciuni pn. Acest lucru se obine dac distana ntre jonciunile
metalurgice ale jonciunilor gril-canal i substrat-canal (w
0
) este la
rndul ei suficient de mic.
S G
1
D
p
+
n
p
-
Sb
SiO
2
L=10 m
5 m
w =0,8 m
0

limea canalului h1000 m
9 Tranzistoare cu efect de cmp
Structura i funcionarea TEC-J
Funcionarea TEC-J
Pentru analiza calitativ a funcionrii fizice vom folosi un model de
TEC-J cu canal n cu zona canalului detaliat ca n figura urmtoare.
Vom considera grila i substratul conectate mpreun.
Tensiunile aplicate vor fi:
V
GS
tensiunea gril-surs
Jonciunea gril-canal trebuie s fie polarizat ntotdeauna invers,
ceea ce nseamn c trebuie s avem V
GS
0.
V
GD
tensiunea gril-dren
De asemenea aceast tensiune trebuie s fie tot timpul negativ
pentru a asigura o jonciune gril-canal blocat.
V
DS
tensiunea dren-surs
Deoarece V
DS
= V
GS
V
GD
se observ c valori pozitive pentru
tensiunea dren-surs asigur valori negative pentru V
GD
;
Tensiunea dren-surs poate fi i uor negativ cu condiia ca V
GD

s rmn negativ.
10 Tranzistoare cu efect de cmp
Structura i funcionarea TEC-J
Funcionare la tensiuni dren-surs mici
Cu D i S scurtcircuitate, V
GS
= V
GD
. Aplicnd o tensiune negativ gril-
surs, limile regiunilor de trecere ale jonciunilor gril-canal i substrat-
canal se mresc (zonele haurate se lesc o dat ce tensiunea e mai
negativ) iar limea efectiv a canalului (w) scade (canalul se ngusteaz).
Dac tensiunea aplicat este suficient de negativ (depete tensiune de
prag notat V
P
), regiunile de trecere ale jonciunilor gril-canal i substrat-
canal se ating. Conductana canalului devine zero i rezistena sa infinit.
Conductana canalului este dependent de tensiunea gril-surs G(V
GS
).
Lucru valabil i cnd aplicm tensiuni dren-surs mici cnd V
GS
= V
DS
+
V
GD
V
GD
. Aceast egalitate nseamn c limea canalului este constant
pe toat lungimea sa, de la S la D.
Datorit aplicrii unei tensiuni V
DS
uor diferite de zero, ntre dren i
surs va circula curent, curentului
de dren I
D
fiind proporional cu
tensiunea V
DS
.
S G D
p
+
n
p
-
h
w
0 w
L
Sb
11 Tranzistoare cu efect de cmp
Structura i funcionarea TEC-J
Funcionare la tensiuni dren-surs mici (cont.)
Ecuaia de funcionare a TEC-J
la tensiuni dren-surs mici este
unde conductana canalului este
G(0) fiind conductana canalului la V
GS
= 0.
Caracteristicile de ieire TEC-J sunt drepte care trec prin origine,
panta lor fiind determinat de valoarea tensiunii V
GS
(zona M).
Concluzie:
La V
DS
mici, ntre dren i surs tranzistorul se comport ca o rezisten
a crei valoare poate fi controlat pe cale electric prin tensiunea V
GS
.
I
D
V
DS
V =0
GS
V <0
GS
M
N S
( )
DS GS D
V V G I =
( ) ( )

P
GS
GS
V
V
G V G 1 0
12 Tranzistoare cu efect de cmp
Structura i funcionarea TEC-J
Funcionare la tensiuni dren-surs medii
Tensiunile V
GS
i V
GD
nu mai sunt egale (V
GD
= V
GS
V
DS
< V
GS
< 0) dar
V
GD
nu este suficient de negativ pentru a produce nchiderea canalului la
captul dinspre dren (V
P
< V
GD
< V
GS
<0).
Limea regiunilor de trecere la captul dinspre dren va fi mai mare i
respectiv canalul va fi mai ngust.
Creterea tensiunii V
DS
produce dou efecte contrarii asupra lui I
D
:
creterea lui I
D
datorit creterii tensiunii la capetele canalului;
scderea lui I
D
datorit ngustrii mai accentuate a canalului la captul
dinspre dren i, implicit, a scderii conductanei acestuia.
Aceasta face ca la V
DS
medii, ntre dren
i surs, tranzistorul s se comporte
neliniar: I
D
= G(V
GS
, V
GD
) V
DS
. Rezultatul
celor dou efecte contrarii va fi o pant
de cretere a curentului de dren cu
tensiunea dren-surs mai mic dect
n cazul precedent.
S G D
p
+
n
p
-
Sb
Dispozitive i circuite electronice Prof. Dr. Ing. Paca Sever
Tranzistoare cu efect de cmp 3
13 Tranzistoare cu efect de cmp
Structura i funcionarea TEC-J
Funcionare la tensiuni dren-surs medii (cont.)
Ecuaia de funcionare a TEC-J este
unde G
0
este conductana unui canal
fictiv avnd o lime egal cu w
0

distana ntre jonciunile metalurgice ale

jonciunilor gril-canal i substrat-canal.
Caracteristicile de ieire ale TEC-J sunt neliniare (zona N).
Concluzie:
La tensiuni dren-surs medii, TEC-J se comport ca o rezisten
neliniar ntre dren i surs. Valoarea rezistenei depinde att de
tensiunea la borne ct i de tensiunea gril surs.
Conducia curentului se face de ctre un singur tip de purttori (electroni
n cazul TEC-J canal n). TEC este un tranzistor unipolar.
I
D
V
DS
V =0
GS
V <0
GS
M
N S

+ =
2 3
0
2 3 1
3
P
GS
P
GS P
D
V
V
V
V V G
I
14 Tranzistoare cu efect de cmp
Structura i funcionarea TEC-J
Funcionare la tensiuni dren-surs mari
Acest regim de funcionare apare atunci cnd tensiunea gril-dren V
GD

devine egal sau mai negativ dect tensiunea de prag V
P
. Relaia ntre
tensiuni n acest caz trebuie s fie V
GD
V
P
< V
GS
< 0.
Deoarece V
GD
V
P
, canalul se nchide la captul dinspre dren.
La captul dinspre surs, canalul rmne deschis deoarece V
GS
> V
P
.
n aceast situaie, curentul de dren nu mai poate s creasc odat cu
creterea tensiunii V
DS
, rmnnd constant.
Panta de variaie a curentului de dren cu tensiunea dren-surs este
nul.
S G D
p
+
n
p
-
Sb
15 Tranzistoare cu efect de cmp
Structura i funcionarea TEC-J
Funcionare la tensiuni dren-surs mari (cont.)
Ecuaia de funcionare a TEC-J este
unde I
DSS
este curentul de dren la
V
GS
= 0 i tensiuni V
DS
mari.
Caracteristicile de ieire sunt drepte paralele i orizontale (zona S).
n cazul cnd i tensiunea V
GS
devine mai negativ dect V
P
, tranzistorul
se blocheaz, curentul de colector devenind nul.
Concluzie:
La tensiuni dren-surs mari, TEC-J se comport fa de dren ca un
generator de curent comandat de tensiunea V
GS
.
I
D
V
DS
V =0
GS
V <0
GS
M
N S
2
1

P
GS
DSS D
V
V
I I
16 Tranzistoare cu efect de cmp
Structura i funcionarea TEC-J
Influena temperaturii asupra caracteristicilor TEC-J
Tensiunea de prag a TEC-ului i curentul I
DSS
sunt date de relaiile
Variaia cu temperatura a tensiunii de prag este practic dat de variaia
cu temperatura a diferenei de potenial intern al jonciunii gril-canal,
parametru calculat la diod. Deci coeficientul termic al tensiunii de prag
este
Acest lucru nseamn c tensiunea de prag crete n modul odat cu
creterea temperaturii.
Curentul I
DSS
este proporional cu produsul dintre mobilitatea purttorilor
mobili i tensiunea de prag. Cele dou mrimi au variaii opuse cu
temperatura tensiunea de prag crete iar mobilitatea scade. n
majoritatea cazurilor, descreterea mobilitii domin creterea tensiunii
de prag (dac tensiunea de prag este mai mare dect 0,6 V), ceea ce
are ca rezultat scderea curentului I
DSS
cu temperatura.
C mV/ 2 2
o
01
, dT d dT V d
P

P D n DSS
V
L
h w
N q I =
0

2
2
0
01
w N q
V
D
P
=
17 Tranzistoare cu efect de cmp
Structura i funcionarea TEC-J
Influena temperaturii asupra caracteristicilor TEC-J (cont.)
Observaii:
Din creterea lui |V
P
| i scderea lui
I
DSS
rezult un punct de funcionare
pentru care curentul de dren I
D
are
coeficient termic nul.
Un TEC polarizat n acest punct are
o stabilitate termic foarte bun.
Un reglaj care s determine
funcionarea n acest punct este ns
relativ dificil de realizat i costisitor.
i
D
v
GS
I (T )
DSS 1
I (T )
DSS 2
V (T )
P 1
V (T )
P 2
Punct cu coeficient
termic nul
T
1
T >T
2 1
18
Parametrii electrici ai TEC-J
Sunt prezentai succint parametrii de catalog ai TEC-J cu notaiile i
definiiile sau semnificaiile lor.
Dispozitive i circuite electronice Prof. Dr. Ing. Paca Sever
Tranzistoare cu efect de cmp 4
19 Tranzistoare cu efect de cmp
Parametrii electrici ai TEC-J
Parametrii de curent continuu
BV
GSS
, V
(BR)GSS
tensiunea de strpungere poart-surs
(Gate-Source Breakdown Voltage with Drain Source Shorted)
Este tensiunea de strpungere ntre poart i surs msurat la un anumit
curent, cu drena n scurtcircuit la surs.
BV
GD0
, V
(BR)GD0
tensiunea de strpungere poart-dren cu sursa n gol
(Gate-Drain Breakdown Voltage with Source Open Circuit)
Reprezint tensiunea de strpungere gril-dren msurat la un curent
specificat, cu sursa n gol.
BV
GS0
, V
(BR)GS0
tensiunea de strpungere gril-surs cu drena n gol
(Source-Gate Breakdown Voltage with Drain Open Circuit)
Reprezint tensiunea de strpungere gril-surs msurat la un curent
specificat, cu drena n gol.
I
D(OFF)
curentul de dren la blocare
(Drain Cutoff Current)
Este curentul de dren msurat la tensiuni gril-surs i dren-surs specificate,
aproape de blocare.
I
G
curentul rezidual de gril
(Gate Leakage Current with Drain Current Flowing)
Reprezint curentul de gril msurat la un curent de dren i o tensiune dren-
surs specificate.
20 Tranzistoare cu efect de cmp
Parametrii electrici ai TEC-J
Parametrii de curent continuu (cont.)
V
GS(OFF)
, V
GSoff
, V
P
tensiunea de blocare poart-surs
(Gate-Source Cutoff, Pinch-Off, Voltage)
Este tensiunea de prag a TEC-ului, respectiv tensiunea gril-surs la care
canalul se nchide; valorile curentului de dren i ale tensiunii dren-surs la
care se face msurtoarea sunt specificate (valorile tensiunii de prag au n
general o dispersie mare).
r
DS(on)
rezistena canalului
(Drain-Source On Resistance)
Reprezint rezistena canalului msurat ntre dren i surs la tensiune gril-
surs i curent de dren specificate; zona de funcionare din caracteristici
corespunde tensiunilor dren-surs mici.
I
DSS
, I
D(on)
curentul de dren de saturaie
(Zero Gate Voltage Drain Current, Drain Saturation Current)
Este curentul de dren msurat la o tensiune dren-surs specifi-cat cu
scurtcircuit gril-surs; aceast valoare de curent este cel mai mare curent de
dren care se poate nchide prin TEC-J (valorile curentului I
DSS
au n general o
dispersie mare).
P
tot
, P
D
puterea disipat maxim
(Maximum Disipated Power)
Este n general specificat pentru o temperatur ambiant de 25C.
21 Tranzistoare cu efect de cmp
Parametrii electrici ai TEC-J
Parametrii de semnal mic
C
rss
, C
rs
capacitatea de reacie
(Feedback Capacitance, Common Source Reverse Transfer Capacitance)
Reprezint capacitatea de reacie ieire-intrare msurat ntre dren i gril la
tensiuni dren-surs i gril-surs specificate; valoarea sa este practic
determinat de capacitatea C
gd
.
C
iss
, C
is
, C
gss
capacitatea de intrare
(Common Source Input Capacitance)
Este capacitatea msurat ntre gril i surs cu drena scurtcircuitat n c.a. la
surs; este apropiat ca valoare de C
gs
.
C
oss
, C
os
capacitatea de ieire
(Common Source Output Capacitance)
Este capacitatea msurat ntre dren i surs, cu grila scurtcircuitat la surs
n c.a., la polarizri dren-surs i gril-surs specificate.
g
fs
, g
m
conductana de transfer direct
(Common Source Forward Transconductance)
Este panta tranzistorului la variaii de semnal mic a TEC; la frecvene ridicate
este n general o mrime complex.
22 Tranzistoare cu efect de cmp
Parametrii electrici ai TEC-J
Parametrii de semnal mic (cont.)
g
iss
, y
is
impedana de intrare n conexiune surs comun
(Common Source Input Conductance)
Este impedana msurat ntre gril i surs, cu ieirea (drena) n scurtcircuit la
surs; este n general o mrime complex.
g
oss
, y
os
conductana de ieire n conexiunea surs comun
(Common Source Output Conductance)
Este conductana msurat ntre dren i surs, cu intrarea (grila) n scurtcircuit
la surs; este n general o mrime complex.
g
fg
, y
fg
conductana de transfer n conexiunea gril comun
(Common Gate Forward Transconductance)
Reprezint transconductana direct msurat n scurtcircuit la ieire; este n
general o mrime complex.
e
n
, i
n
tensiunea/curentul echivalent de zgomot la intrare (Noise)
t
on
timpul de comutare din blocare n conducie
t
off
timpul de comutare din conducie n blocare
23
Circuite de curent continuu cu TEC-J
Se prezint calitativ structura i funcionarea ctorva circuite fundamentale
utiliznd TEC-J.
24 Tranzistoare cu efect de cmp
Circuite cu TEC-J
Generator de curent fix
Ecuaiile pentru circuit sunt:
Dreapta de sarcin pe ochiul de intrare
Caracteristica TEC-J la V
DS
mari
Rezolvarea grafic: PSF (V
0
GS
, I
0
DSS
)
Rezolvarea numeric:
Se elimin I
D
Se rezolv ecuaia i se alege soluia care
ndeplinete condiia
D
I
R
D
DD
V
+
= +16V
R
S
V
D
V
S
V
GS
250
I
D
V
GS
I =9mA
DSS
V =-3V
P
I
DSS
0
V
GS
0
D S GS
I R V =
2
1

=
P
GS
DSS D
V
V
I I
2
1

=
P
GS
DSS
S
GS
V
V
I
R
V
0
GS P
V V
Dispozitive i circuite electronice Prof. Dr. Ing. Paca Sever
Tranzistoare cu efect de cmp 5
25 Tranzistoare cu efect de cmp
Circuite cu TEC-J
Generator de curent fix (cont.)
Condiia ca tranzistorul s se comporte ca un generator
de curent constant este ca el s lucreze n saturaie.
Pentru ca tranzistorul s lucreze n regiunea de
saturaie a curentului de dren trebuie ca V
GD
V
P
.
Tensiunea gril-dren este dat de ecuaia
deci rezult
Observaii:
Dac se alege ca punct de funcionare acea valoarea a curentului de
dren care are deriv termic nul, generatorul obinut va avea o foarte
bun stabilitate cu temperatura.
Dac se cunosc coordonatele punctului (I
DT
, V
GST
) se poate alege
rezistena corespunztoare din surs R
S
= V
GST
/ I
DT
.
Sensul curentului generat poate fi schimbat dac se folosete un TEC-J
canal p.
D
I
R
D
DD
V
+
= +16V
R
S
V
D
V
S
V
GS
250
DD D D GD
V I R V =
D
P DD
D
I
V V
R
+

26 Tranzistoare cu efect de cmp

Circuite cu TEC-J
Repetor de tensiune compensat termic
Un repetor de tensiune asigur o impedan de intrare
mare i red la ieire tensiunea de intrare. Acest circuit
realizeaz acest lucru fr a fi influenat de valoarea
tensiunii V
GS
.
Condiia ca acest lucru s se realizeze este ca cele
dou TEC-uri s fie identice, respectiv s aib aceeai
tensiune de prag i acelai curent I
DSS
.
Pentru T
2
avem V
GS2
= R I
D
.
Curenii de dren ai celor dou tranzistoare sunt egali
deoarece TEC nu are curent de gril.
Tranzistoarele fiind identice i lucrnd la acelai curent
avem de asemenea V
GS1
= V
GS2
.
Tensiunea de ieire V
O
va fi dat de ecuaia
V
I
= V
GS1
+ R I
D
+ V
O
Rezult V
O
= V
I
V
SS
I
= - 10V
I
O
_
D
2
= V
V
V
D
DD
I
V = +10V
I
=
1
+

R
T2
T1
6k
6k
27 Tranzistoare cu efect de cmp
Circuite cu TEC-J
Repetor de tensiune compensat termic (cont.)
Observaii:
Egalitatea tensiunii de ieire cu cea de intrare are loc
atta timp ct T
1
i T
2
sunt identice (V
P
i I
DSS
aceleai),
lucreaz n saturaie i se afl la aceeai temperatur.
Dac punctul de funcionare al celor dou TEC este la
curentul de dren la care deriva termic este nul,
atunci nici diferenele de temperatur ntre T
1
i T
2
nu
conteaz.
V
SS
I
= - 10V
I
O
_
D
2
= V
V
V
D
DD
I
V = +10V
I
=
1
+

R
T2
T1
6k
6k
28 Tranzistoare cu efect de cmp
Circuite cu TEC-J
Polarizarea TEC-J de la o singur surs
Circuitul este similar din punct de vedere al comportrii
n curent continuu cu generatorul de curent fix prezentat
anterior.
Deoarece TEC-J practic nu are curent de gril, pe
rezistena R
G
nu apare cdere de tensiune.
Scrierea ecuaiilor de curent continuu i rezolvarea
circuitului se face la fel ca la generatorul de curent cu
TEC-J.
Pentru un TEC-J canal p sursa de alimentare trebuie s
fie negativ.
R
D
DD
V
+
S
R
G

G
V = 0
R
1M
29 Tranzistoare cu efect de cmp
Circuite cu TEC-J
Polarizarea TEC-J de la dou surse
Pentru polarizarea TEC-J se pot utiliza dou surse,
una pozitiv i una negativ.
Comportarea n curent continuu nu difer mult fat de
circuitul anterior.
Curentul de gril este nul i potenialul grilei este
de asemenea zero.
Ecuaia Kirchoff pe ochiul din gril difer puin:
n rest, circuitul se rezolv la fel ca generatorul de
curent constant.
DD
D
= +10V V
R
+

G
R
_
V
SS
= - 5V
D
I

R
S
1M
5k
D S SS GS
I R V V =

30
Tranzistorul cu efect de cmp
cu poart izolat (TEC-MOS)
Tranzistoarele TEC-MOS sunt foarte mult utilizate n circuitele integrate (CI) n
special digitale, ca dispozitive active i ca rezistene sau capaciti.
CI cu TEC pot avea un nivel mare de complexitate la preuri de cost reduse. Dei
performanele cu frecvena nu sunt deosebite, creterea gradului de integrare prin
micorarea dimensiunilor duce la reducerea capacitilor parazite i la creterea
vitezei de lucru.
n circuitele electronice liniare, grila izolat a TEC permite obinerea de impedane
de intrare de ordinul a 10
14
. Zgomotul acestor tranzistoare este destul de mare i
ca urmare nu sunt adecvate aplicaiilor unde nivelele semnalelor sunt mici.
Transconductana mai mare i comportarea cu frecvena mai bun fac ca TB s fie
preferat n multe aplicaii TEC-ului. La puteri mari ns, TEC-MOS nu prezint
fenomenul de ambalare termic i are o mai bun liniaritate dect TB. De
asemenea, comutatoarele de putere TEC-MOS au o comutaie mai rapid dect TB.
Dispozitive i circuite electronice Prof. Dr. Ing. Paca Sever
Tranzistoare cu efect de cmp 6
31 Tranzistoare cu efect de cmp
Tranzistorul cu efect de cmp cu poart izolat (TEC-MOS)
Prezentarea TEC-MOS
n funcie de conducia la tensiune gril-surs zero, exist dou tipuri de
baz:
TEC-MOS cu mbogire nu conduce curent la V
GS
= 0
(sau TEC-MOS fr canal iniial)
TEC-MOS cu srcire conduce curent la V
GS
= 0
(sau TEC-MOS cu canal iniial)
Fiecare din aceste dou tipuri poate fi cu canal n sau p
Definirea familiei de caracteristici de ieire i a caracteristicii de transfer
este aceeai cu cea de la TEC-J.
Observaii:
TEC-MOS cu srcire canal n (substrat p) sunt mai des ntlnite fiind
mai uor de fabricat.
Un TEC-MOS cu srcire are o capacitate gril-substrat mai mic i, ca
urmare, o comportare mai bun la frecvene ridicate dect omologul su
cu mbogire.
32 Tranzistoare cu efect de cmp
Tranzistorul cu efect de cmp cu poart izolat (TEC-MOS)
Prezentare TEC-MOS cu mbogire cu canal n (substrat p)
Tensiune gril-surs pozitiv: V
GS
> 0. Curentul de dren crete dac
V
GS
devine mai pozitiv;
Tensiune dren-surs pozitiv: V
DS
> 0;
Sb se conecteaz la cel mai negativ potenial din circuit sau la surs;
Sensul pozitiv al curentului de dren este de la dren la surs.

D
I
DS
V
b
S
V
GS
G
S
D
I
D
V
GS
V >0
P
V >0; V >0; I >0
GS DS D
33 Tranzistoare cu efect de cmp
Tranzistorul cu efect de cmp cu poart izolat (TEC-MOS)
Prezentare TEC-MOS cu mbogire cu canal p (substrat n)
Tensiune gril-surs negativ: V
GS
< 0. Curentul de dren crete dac
V
GS
devine mai negativ;
Tensiune dren-surs negativ: V
DS
< 0;
Sb se conecteaz la cel mai pozitiv potenial din circuit;
Sensul pozitiv al curentului de dren este de la surs la dren.
D
I
DS
V
V
GS
S
b
G
S
D
I
D
V
GS
V <0
P
V <0; V <0; I >0
GS DS D
34 Tranzistoare cu efect de cmp
Tranzistorul cu efect de cmp cu poart izolat (TEC-MOS)
Prezentare TEC-MOS cu canal iniial n
(cu srcire cu canal n substrat p)
Tensiunea gril-surs poate fi att pozitiv ct i negativ: V
GS
<> 0;
Curentul de dren crete dac V
GS
crete;
Tensiune dren-surs pozitiv: V
DS
> 0;
Sb se conecteaz la cel mai negativ potenial din circuit sau la surs;
Sensul pozitiv al curentului de dren este de la dren la surs.
V
DS
I
D
V
GS
S
b
S
G
D
I
D
V
GS
V <0
P
V
>
<
0; V >0; I >0
GS DS D
I
DSS
35 Tranzistoare cu efect de cmp
Tranzistorul cu efect de cmp cu poart izolat (TEC-MOS)
Prezentare TEC-MOS cu canal iniial p
(cu srcire cu canal p substrat n)
Tensiunea gril-surs poate fi att pozitiv ct i negativ: V
GS
<> 0.
Curentul de dren crete dac V
GS
scade;
Tensiune dren-surs negativ: V
DS
< 0;
Sb se conecteaz la cel mai pozitiv potenial din circuit;
Sensul pozitiv al curentului de dren este de la surs la dren.
V
DS
V
GS
D
I
S
b
S
G
D
I
D
V
GS
V >0
P
V
>
<
0; V <0; I >0
GS DS D
I
DSS
36
Structura i funcionarea TEC-MOS
Dispozitive i circuite electronice Prof. Dr. Ing. Paca Sever
Tranzistoare cu efect de cmp 7
37 Tranzistoare cu efect de cmp
Structura i funcionarea TEC-MOS
Structura TEC-MOS
Structura i dimensiunile
unui TEC-MOS canal p
discret sunt date alturat.
Tranzistoarele din circuitele
integrate au dimensiuni
sensibil mai mici.
n substratul (Sb) slab dopat (n

) sunt create dou regiuni puternic

dopate (p
+
) care constituie sursa (S) i drena (D).
Lungimea canalului este dat de distana ntre zonele laterale ale celor
dou jonciuni.
Grila (G), izolat de Sb printr-un strat subire de SiO
2
, se ntinde peste
spaiului dintre cele dou regiuni p
+
i acoper puin i aceste regiuni.
Pentru explicarea funcionrii vom considera c tensiunile aplicate
corespund celor prezentate mai sus pentru TEC-MOS canal p iar
substratul TEC este conectat la surs.
S G D
p
+
n
-
Sb
SiO
2
L=4 m 5 m
1,6m
400m
limea canalului h50 m
p
+
Surs Dren
0,2 m
0,15 m
regiune de sarcin spaial

metal
Poart
38 Tranzistoare cu efect de cmp
Structura i funcionarea TEC-MOS
Funcionare la tensiuni dren-surs mici
ntre dren i surs avem dou diode conectate n serie i opoziie.
Indiferent de sensul tensiuni aplicate ntre cele dou terminale, cel puin
una din diode este blocat i curentul este nul.
Aplicarea unor tensiuni negative ntre gril i surs (substrat) determin
ntr-o zon ngust de la suprafaa semiconductorului respingerea
electronilor i atragerea golurilor, fiind posibil ca numrul golurilor s fie
mai mare dect al electronilor.
ntr-o zon foarte
ngust la suprafaa
semiconductorului
se produce o
inversiune de tip,
formndu-se un
canal de tip p.
S G D
p
+
n
-
Sb
SiO
2
L=4 m 5 m
1,6m
400m
limea canalului h50 m
p
+
Surs Dren
0,2 m
0,15 m
regiune de sarcin spaial

metal
Poart
39 Tranzistoare cu efect de cmp
Structura i funcionarea TEC-MOS
Funcionare la tensiuni dren-surs mici (cont.)
Cele dou zone de tip p
+
vor fi interconectate tot printr-o zon de tip p i
aplicnd o tensiune dren-surs diferit de zero prin canal se poate
nchide curent.
Pentru tensiuni dren-surs mici practic tensiunile V
GS
i V
GD
sunt egale
i limea canalului este aceeai la capetele dinspre dren i surs.
Tensiunea gril-surs la care apare formarea canalului se numete
tensiune de prag (V
P
). Pentru acest tranzistor tensiunea de prag este
negativ.
Ecuaia de funcionare:
unde

p
- mobilitatea golurilor n canal
C
0
- capacitatea gril-substrat
L - lungimea canalului.
S G D
p
+
n
-
Sb
SiO
2
L=4 m 5 m
1,6m
400m
limea canalului h50 m
p
+
Surs Dren
0,2 m
0,15 m
regiune de sarcin spaial

metal
Poart
( )
DS P GS
p
D
V V V
L
C
I =
2
0

40 Tranzistoare cu efect de cmp

Structura i funcionarea TEC-MOS
Funcionare la tensiuni dren-surs medii
ntre tensiunile de la bornele TEC-MOS se poate scrie relaia
V
GD
= V
GS
V
DS
.
Cu semnele alese pentru tensiuni (V
DS
< 0), ntre acestea exist relaiile
V
GS
< V
GD
i V
GS
< V
P
.
Dac tensiunea gril-dren este mai negativ dect tensiunea de prag,
atunci canalul este deschis i la captul dinspre dren, respectiv avem
V
GS
< V
GD
< V
P
.
Creterea tensiunii dren-surs
produce dou tendine contrarii
asupra curentului de dren:
creterea I
D
datorit creterii
tensiunii la bornele canalului;
scderea I
D
datorit ngustrii
canalului la captul dinspre
dren.
S G D
p
+
n
-
Sb
p
+
Surs Dren
0,6 m
Canal

V =-10V
G
V =-6V
D
41 Tranzistoare cu efect de cmp
Structura i funcionarea TEC-MOS
Funcionare la tensiuni dren-surs medii (cont.)
Aceste tendine contrarii determin o comportare neliniar a TEC-MOS
la V
DS
medii. Rezultatul va fi o pant de cretere a curentului de dren
cu tensiunea dren-surs mai mic dect n cazul precedent.
Ecuaia de funcionare a TEC la V
DS
medii este
unde
este constanta TEC-ului, care se msoar n [mA/V
2
].
Caracteristicile de ieire corespunztoare acestei regiuni sunt o familie
de parabole cu vrful n sus care trec prin origine avnd ca parametru
tensiunea V
GS
. ncepnd cu punctul de vrf al parabolelor se intr n
zona de funcionarea la V
DS
mari.
( )
DS DS P GS D
V V V V k I = 2 2
2
0
2L
C
k
P

=
42 Tranzistoare cu efect de cmp
Structura i funcionarea TEC-MOS
Funcionare la tensiuni dren-surs mari
Odat cu creterea tensiunii V
DS
crete i tensiunea V
GD
. Se ajunge n
situaia n care la captul dinspre dren nu se mai poate forma canalul.
Relaia ntre tensiuni este V
GS
< V
P
< V
GD
.
nchiderea canalului la captul dinspre dren mpiedic creterea
curentului de dren odat cu creterea tensiunii dren-surs. Acesta
rmne constant cu V
DS
, la valoarea avut n momentul nchiderii
canalului.
Caracteristicile de ieire sunt
drepte aproape orizontale.
TEC-ul lucreaz n regim de
saturaie a curentului de dren
sau, mai pe scurt, n saturaie
(a nu se confunda cu saturaia
tranzistorului bipolar!).
S G D
p
+
n
-
Sb
p
+
Surs Dren
Canal nchis

V =-10V
G
V =-18V
D
Dispozitive i circuite electronice Prof. Dr. Ing. Paca Sever
Tranzistoare cu efect de cmp 8
43 Tranzistoare cu efect de cmp
Structura i funcionarea TEC-MOS
Funcionare la tensiuni dren-surs mari (cont.)
Zonele de funcionare sunt localizate
n caracteristicile de ieire la fel ca la
TEC-J.
Ecuaia de funcionare a TEC la V
DS

mari este
Aceast ecuaie reprezint
caracteristica de transfer a TEC.
I
D
V
DS
V =0
GS
V <0
GS
M
N S
I
D
I
D
V
GS
V
GS
V <0
P
V >0
P
V >
<
0; V <0; I >0
GS DS D
V <0; V <0; I >0
GS DS D
I
DSS
I
D
I
D
V
GS
V
GS
V >0
P
V <0
P
V >0; V >0; I >0
GS DS D
V >
<
0; V >0; I >0
GS DS D
I
DSS
( )
2
P GS D
V V k I =
44 Tranzistoare cu efect de cmp
Structura i funcionarea TEC-MOS
Strpungerea TEC-MOS
La aplicarea unor tensiuni dren-surs mari, la V
GS
= constant, se
observ o cretere brusc a curentului de dren. Acest fenomen
constituie strpungerea TEC-ului.
Creterea semnificativ a lui I
D
poate fi provocat de:
Strpungerea prin avalan a jonciunii dren-substrat
Aceast strpungere este similar cu cea de la diod.
Strpungerea prin anularea lungimii canalului
Pentru lungimi de canal mai mici de 10 m, polarizarea invers a
jonciunii dren-substrat determin creterea limii regiunii de
trecere a acestei jonciuni i ptrunderea ei peste regiunea de
trecere a jonciunii surs-substrat. Bariera de potenial de la
jonciunea surs-substrat este redus i ntre surs i dren apare
practic un scurtcircuit. Acest tip de strpungere este mai frecvent la
TEC-MOS.
45 Tranzistoare cu efect de cmp
Structura i funcionarea TEC-MOS
Strpungerea TEC-MOS (cont.)
Msuri de protecie pentru gril
Tensiunea de strpungere a SiO
2
este de circa V/m iar grosimea
stratului izolator al grilei de circa 0,1 m, ceea ce corespunde unei
tensiuni de strpungere de 100 V.
Sarcinile electrostatice care apar la manipularea dispozitivului pot
produce foarte uor strpungerea stratului izolator al grilei. Din acest
motiv, terminalele TEC-MOS trebuie s fie scurtcircuitate pn cnd
tranzistorul este montat n circuit.
Pentru unele TEC-MOS se folosesc dou diode Zener de protecie
montate n serie i opoziie, ntre gril i substrat. Tensiunea de
strpungere a acestor diode este mai mic dect tensiunea de
strpungere a grilei. Sarcinile electrostatice se descarc prin aceste
diode. Desigur prezena lor duce la creterea scurgerilor de curent
prin grila TEC.
46
Parametrii electrici ai TEC-MOS
Parametrii de catalog ai TEC-MOS sunt similari cu cei de la TEC-J n cea
mai mare parte.
47
Circuite de curent continuu cu TEC-MOS
Se prezint calitativ structura i funcionarea ctorva circuite fundamentale
utiliznd TEC-MOS.
48 Tranzistoare cu efect de cmp
Circuite cu TEC-MOS
Surs de curent cu TEC-MOS
Tranzistorul TEC-MOS cu canal p cu mbogire
are V
P
= 4 V i k = 0,05 mA/V
2
.
1. S se arate c pentru orice valoare a rezistenei R,
tranzistorul se afl n regiunea de saturaie.
2. Determinai valoarea tensiunii de ieire n cazul n care R = 20 k.
Rezolvare:
1. Tranzistorul din figur este un TEC-MOS cu mbogire. Pentru ca prin
el s circule curent ntre dren i surs, trebuie ca V
GS
< V
P
. n plus,
pentru ca tranzistorul s fie saturat trebuie ca la captul dinspre dren
canalul s fie nchis, deci V
GD
< V
P
. Relaia a doua este verificat
automat avnd n vedere c V
GD
= 0 > 4 V = V
P
.
Pentru un tranzistor TEC-MOS aflat la saturaie este valabil relaia
I
D
= k (V
GS
V
P
)
2
cu sensul lui I
D
cel din figur.
De asemenea, ecuaia lui Kirchhoff pentru tensiuni se scrie
V
DD
= V
GS
R I
D
.
I
DD
V
O
D
V
= - 10V
R
Dispozitive i circuite electronice Prof. Dr. Ing. Paca Sever
Tranzistoare cu efect de cmp 9
49 Tranzistoare cu efect de cmp
Circuite cu TEC-MOS
Surs de curent cu TEC-MOS
Din cele dou relaii anterioare rezult
Tranzistorul este n saturaie dac exist o valoare a lui V
GS
< V
P
care s
verifice ultima egalitate.
Ultima egalitate este echivalent cu
unde f este o funcie continu n V
GS
. Avem:
Rezult c exist o valoare a lui V
GS
verificnd relaia V
DD
< V
GS
< V
P
pentru care f(V
GS
) =0 i deci tranzistorul este saturat pentru orice
valoare acceptabil a lui R (R fiind o rezisten, nu poate avea dect
valori pozitive).
( ) ( )
( )
( )
0
4 10
0
2
<

=

=
> =
R R
V V
V f
V V k V f
GS DD
P
P GS DD
( ) ( ) 0
2
= +

=
P GS
GS DD
GS
V V k
R
V V
V f
( )
2
P GS
DD GS
D
V V k
R
V V
I =

=
50 Tranzistoare cu efect de cmp
Circuite cu TEC-MOS
Surs de curent cu TEC-MOS
2. Dac rezistena R are valoarea de 20 k, nlocuind direct n ecuaia
f(V
GS
) =0 se obine succesiv:
Dintre cele dou soluii este acceptabil doar soluia pentru care
V
GS
< V
P
i deci rezult V
GS
= 6 V.
De aici rezult c tensiunea de ieire este dat de
V
O
= V
DD
V
GS
= 10 (6)= 4 V.
( )
V 6 V 1
0 6 7 0 4 05 0
20
10
2 1
2 2
= =
= + + = + +

GS GS
GS GS GS
GS
V ; V
V V V ,
V
51 Tranzistoare cu efect de cmp
Circuite cu TEC-MOS
Polarizare TEC-MOS cu canal iniial de la o singur surs
Tranzistorul TEC-MOS cu canal iniial p are
tensiunea de prag V
P
= 4 V i k = 0,02 mA/V
2
.
Se dorete determinarea valorilor I
D
, V
GS
i V
DS
.
Presupunem c tranzistorul funcioneaz n zona
de saturaie a curentului de dren. Ecuaia TEC
este I
D
= k (V
GS
V
P
)
2
cu condiia V
GS
< V
P
.
Ecuaia lui Kirchhoff pentru tensiuni pentru ochiul
grilei este V
GS
R
S
I
D
= 0.
R
G
nu intervine deoarece curentul de gril al TEC este nul.
Valoarea curentului de dren se obine rezolvnd sistemul format din ecuaiile
de mai sus. Avnd n vedere restricia impus asupra lui V
GS
, din a doua ecuaie
l vom scoate pe I
D
i valoarea obinut o vom nlocui n prima ecuaie. Se obine

G
D
R
R

R
= - 10V
DD
V
1M
40k
25k
( )
2
P GS
S
GS
V V k
R
V
=
52 Tranzistoare cu efect de cmp
Circuite cu TEC-MOS
Polarizare TEC-MOS cu canal iniial de la o singur surs
nlocuind valorile numerice (n V, mA i k) obinem
cu soluiile V
GS1
= 2 V i V
GS2
= 8 V
Din cele dou soluii doar prima este acceptabil,
ntruct a doua nu verific restricia V
GS
< V
P
.
Folosind ecuaia liniar rezult valoarea I
D
Pentru a determina valoarea tensiunii dren-surs, pornim de la ecuaia lui
Kirchhoff pentru tensiuni scris pe ochiul de ieire
Din aceast relaie rezult
Pentru tensiunea gril-dren V
GD
se obine valoarea
Avnd n vedere c V
GD
> V
P
se verific presupunerea iniial c tranzistorul
funcioneaz n zona de saturaie a curentului de dren.

G
D
R
R

R
= - 10V
DD
V
1M
40k
25k
0 16 10
2
= +
GS GS
V V
mA 08 0
25
2
,
R
V
I
S
GS
D
= = =
D D DS D S DD
I R V I R V + =
V 8 4 08 0 40 10 08 0 25 , , , I R V I R V
D D DD D S DS
= + = + + =
( ) V 4 V 8 6 8 4 2 > = = = , , V V V
DS GS GD
53 Tranzistoare cu efect de cmp
Circuite cu TEC-MOS
Polarizarea unui TEC-MOS cu canal indus n
Parametrii TEC sunt V
P
= 3 V i k = 0,06 mA/V2.
Calculul circuitului se face similar cu cel anterior.
Ecuaiile din care se determin curentul de dren
sunt:
Este valabil pentru V
GS
acea valoare care duce
tranzistorul n conducie, respectiv V
GS
> V
P
= 3 V.
Rezolvarea sistemului de ecuaii duce la soluiile
(I
D
= 0,39 mA, V
GS
= 5,55 V i V
DS
= 1,11 V).
= +15V
DD
V

1M
R2
5k
R4
5k
R3
1M
R1
D GS DD
I R V
R R
R
V
3
2 1
2
+ =
+

( )
2
P GS D
V V k I =