EFECTUL FOTOVOLTAIC

1. Scopul lucrrii
n lucrare se studiaz comportarea unei celule fotovoltaice la diferite valori ale iluminrii
i se determin eficiena de conversie al celulei.
2. Teoria lucrrii
Efectul fotovoltaic const n apariia unei tensiuni electromotoare ntr-un semiconductor
atunci cnd acesta este iluminat. Iluminarea semiconductorului duce numai la generarea
purttorilor de sarcin de neechilibru (electroni i goluri) dar pentru a lua natere o t.e.m. este
necesar separarea acestora de ctre un cmp intern imprimat. Intr-o jonciune p-n acest cmp
este chiar cmpul electric din stratul de baraj. Pot exista i alte mecanisme de generare a
efectului fotovoltaic dar, n cele ce urmeaz, vom studia doar celula (generatorul) fotovoltaic
realizat cu jonciunea p-n.
n corpul solid, datorit interaciunii dintre electronii i nucleele diferiilor atomi, a crei
intensitate crete odat cu apropierea atomilor, n locul nivelelor energetice din atomii izolai,
apar benzile de energie. Intre benzile de energie permise se afl benzi interzise. Banda de energie
permis, ocupat (parial sau total) de ctre electronii de valen se numete band de valen,
BV. Urmtoarea band de energie permis este banda de conducie, BC. Cele dou benzi sunt
separate printr-o band interzis de lime, pe scara energetic, Eg. In materialele
semiconductoare BV este complet ocupat iar BC este complet goal.
Limea benzii interzise, pentru materialele semiconductoare uzuale (germaniu, siliciu, AsGa
etc), este Eg12 eV. Ca urmare, materialele semiconductoare se comport la temperaturi joase
ca nite izolatori, un cmp electric aplicat nu poate mica electronii deoarece ei nu au n
vecintate stri energetice libere n care s poat trece pe seama energiei primite de la cmp. La
temperaturi ridicate ns, chiar la temperatura camerei, un numr important de electroni pot trece,
pe seama energiei termice, din BV n BC, devenind liberi s se mite prin cristal.
Cnd un electron este scos dintr-o legtur covalent, n urma sa rmne sarcin pozitiv
necompensat, adic un gol. Un electron al unui atom vecin poate ocupa acest loc gol, lsnd un
loc vacant la atomul vecin i aa mai departe. In semiconductorul intrinsec (pur) golurile din BV
i electronii din BC sunt n numr egal (figure 1). Cnd se aplic un cmp electric, electronii i
golurile se mic n sensuri opuse, golurile comportndu-se ca particule cu sarcin pozitiv.
Electron de
conduc ie

Eg

gol

Banda de
conduc ie
Banda
interzis
Banda de
valen

Cmp electric E

Figura 1

Conductibilitatea unui semiconductor

poate fi schimbat semnificativ prin adugarea
de impuriti, adic prin dopare . Astfel, prin
EF
E d~0,01 eV adugarea in semiconductorul cu atomi
Nivel donor
E g ~1 eV
tetravaleni (Ge, Si) a unei mici cantiti de
atomi din grupa a V-a a sistemului periodic
(P,As,Sb), cu cinci electroni de valen, patru
Banda de
valen
dintre electronii de valen ai atomului
impuritate particip la legturile covalente cu
atomii semiconductorului. Cel de al cincilea
Figura 2.a
electron este slab legat (cca 0,01 eV) i se
comport practic ca electron liber s se mite
n cristal, deoarece el poate trece, chiar la temperatura camerei, n BC. In imaginea benzilor de
energie, energia celui de al cincilea electron corespunde unui nivel energetic donor plasat n
banda interzis, la distan de cca 0,01 eV de banda de conducie (figure 2a). Impuritile
pentavalente se numesc donoare, conductivitatea electric
a semiconductorului astfel
impurificat este asigurat, n principal, de micarea electronilor din BC, iar materialul se
numete semiconductor de tip n.
Doparea cu atomi ai elementelor din
Banda de
grupa a treia a sistemului periodic (B, Al, Ga,
conduc ie
In, Tl), care au trei electroni pe stratul de
valen, produce un efect asemntor. Un atom
E g ~1 eV
Nivel acceptor
trivalent introdus ca impuritate n reeaua
EF
semiconductorului tetravalent, are nevoie spre
E a~0,01 eV
a participa la legtura covalent cu atomii
Banda de
vecini, de un electron pe care-l fur de la un
valen
atom al semiconductorului, formnd n
vecintatea acestuia un gol , care, la rndul lui,
Figura 2.b
poate fi completat cu un electron de la alt atom
i n felul acesta golul se deplaseaz n cristal ca o particul cu sarcin pozitiv. Atomul trivalent
(impuritatea acceptoare) care a captat un electron devine ion negativ, cu poziie fix n reea.
Electronul capturat de atomul de impuritate este reinut de acesta printr-o interaciune creia i
corespunde o energie reprezentat n imaginea benzilor printr-un nivel energetic, numit nivel
acceptor, plasat deasupra benzii de valen, la distan de cca 0,01 eV (figure 2b). In
semiconductorul dopat cu impuriti acceptoare conducia electric este asigurat aproape n
ntregime de micarea golurilor, echivalente cu particule pozitive, iar materialul se numete
semiconductor de tip p .
Jonciunea p-n (dioda semiconductoare) este format la zona de contact dintre o regiune cu
impuriti de tip p i alta cu impuriti de tip n. Considerm o jonciune p-n cu regiunea p foarte
subire (figure3) astfel nct fotonii de energie h s poat ptrunde n regiunea stratului de baraj.
Dac energia acestor fotoni este mai mare sau cel
puin egal cu limea energetic a benzii interzise,
p
n
electronii din zona de valen pot trece n zona de
conducie, formndu-se n felul acesta perechea
h electron-gol. Cmpul electric din stratul de baraj va
separa aceste sarcini, acionnd ca un cmp intern
Banda de
conduc ie

Figura 3

imprimat, care antreneaz electronii spre zona n iar golurile spre zona p, genernd astfel un
curent de iluminare I L inL i pL . Acumularea electronilor n zona n i a golurilor n zona p va
genera o polarizare a diodei i, ca urmare, se va nate prin jonciune curentul I j , orientat de la p
la n, astfel nct curentul total prin dioda iluminat este
I I L I j I L I S expeU / k BT 1

(1)

n care U este tensiunea la bornele diodei, IS - curentul invers de saturaie al diodei neiluminate,
T temperatura diodei, e=1,6.10-19 C - sarcina electric elementar iar kB=1,38.10-23 J/K este
constanta lui Boltzmann.
Caracteristica diodei iluminate, descris de (1), este reprezentat n fig.4, n
care poriunea din cadranul nti corespunde funcionrii diodei ca generator de tensiune
fotoelectromotoare (celul fotovoltaic).
Dac celula este scurtcircuitat (U=0) rezult
(2)
I L I sc

I
Isc

Ufem

Figura 4
electrice dezvoltate se obine din condiia:

iar dac celula se afl n gol (I=0), atunci la

bornele ei se msoar chiar tensiunea
fotoelectromotoare
(3)
U U fem
Celulele fotovoltaice se utilizeaz, n
principal, pentru conversia energiei solare n
energie electric. Puterea electric dezvoltat de
o celul solar pe o rezisten de sarcin R se
U poate scrie, innd seam de (1):
Pel UI UI L UIS exp eU / kT 1
(4)
care variaz n funcie de tensiunea la borne, ea
nsi funcie de R , U=U(R). Maximul puterii
dPel dPel dU dPel

I 0
dR
dU dR dU

(5)

adic
dPel
e
(6)
I L I S exp eU / kT 1 UI S
exp eU / kT 0
dU
kT
innd seam de (1), se obine o relaie ntre valorile curentului i tensiunii,
corespunztoare maximului puterii electrice:
e
(7)
I m I SU m
exp eU m / kT
kT
i deci
U
kT
Rm m
exp eU m / kT
(8)
I m eI S

3. Dispozitivul experimental
Folosind montajul experimental din figura 5, celula fotovoltaic este iluminat cu
ajutorul becului B, ntr-un aranjament experimental care permite variaia iluminrii
modificnd distana de la sursa de lumin la celul, glisand suportul celulei pe o tij.

A
B

CF
R

Figura 5
4. Modul de lucru
1. Se recomand a se lucra la urmtoarele valori ale iluminrii determinate cu ajutorul
luxmetrului PU 150 : E=53 Klx (D=93, Isc=1 mA); E=36 Klx (D=92, Isc=0,7 mA);
E=14 Klx (D= 85,5 , Isc=185 mA), unde D reprezint poziia celulei fa de originea
riglei.
2.

Se alege o anumit iluminare i o anumit poziie a celulei , apoi se modific rezistena de

sarcin R (ntre 200 i 2000 ), notnd valorile lui U i I n tabelul 1.
Tabel 1

R ()

E=...
U(V)

Rm=...
3.

I(mA)

Um=...

Im=...

Pel(W)

Pinc(W)

Pel,m(W)

(%)

IS=...

Se procedeaz la fel pentru celelalte iluminri. Se precizeaz Isc i Ufem pentru fiecare iluminare.

5. Prelucrarea datelor experimentale

1. Cu datele msurate anterior, se calculeaz Pel=UI pentru fiecare valoare a rezistenei de sarcin i se
reprezint Pel(R), pentru fiecare iluminare.
Se definete randamentul (eficiena) de conversie al celulei:
(9)
Pel , m / Pinc
n care Pel , m este puterea electric maxim dezvoltat pe rezistena de sarcin iar Pinc este puterea
2.

incident (a radiaiei luminoase) pe celul.

Puterea incident se afl din relaia

Pinc 0,013ES

(10)
i se obine n watt dac iluminarea E se exprim n lx iar suprafaa iluminat S a celulei n m2;
pentru celula utilizat S=13 mm2.

3. Din graficul Pel(R) se citete Pel , m i apoi cu (9) se calculeaz randamentul celulei fotovoltaice,
pentru iluminarea corespunztoare.
4. Din graficul Pel(R) se citete valoarea rezistenei de sarcin Rm care optimizeaz puterea electric pe
rezistena de sarcin.
5. Din tabelul de rezultate se citesc apoi valorile corespunztoare pentru Im i Um care, introduse n (7)
sau (8) permit calcularea curentului invers de saturaie IS.

6. ntrebri
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.

Cine sunt purttorii de sarcin minoritari i majoritari n fiecare regiune a diodei?

Care este originea cmpului electric din stratul de baraj?
Ce este efectul fotovoltaic?
In ce condiie fotonii incideni pot genera perechi electron-gol?
Care este cauza apariiei tensiunii fotoelectromotoare n jonciunea p-n?
Scriei expresia curentului prin fotocelul, preciznd semnificaia mrimilor care intervin.
Cum pot fi msurate tensiunea fotoelectromotoare i curentul de iluminare prin celul?
Cum se poate modifica iluminarea fotocelulei?
Definii randamentul de conversie al celulei fotovoltaice.
Cum pot fi calculate puterea electric dezvoltat pe sarcin i cea incident pe celul?

7. Bibliografie:
1. I.Damian, D.Popov, Teme experimentale,Editura Politehnica (2003).
2. Luminosu I., Fizic teme experimentale - Editura Politehnica, Timioara, 2009.
3. C. Marcu, I. Mihalca, D. Mihailovici, I. Damian, R. Baea, M. Cristea, Lucrari de laborator
Fizic (1981).