APLICAIA PRACTIC NR..

2 STUDIUL EXPERIMENTAL AL CELULEI FOTOVOLTAICE

Celula fotovoltaic este un dipozitiv cu diode semiconductoare care transform energia radiaiilor electromagnetice din spectrul optic n energie electric pe baza a trei efecte: fotoelectric intern, Dember i fotovoltaic. 1. EFECTUL FOTOELECTRIC INTERN Efectul fotoelectric intern const n modificarea conductivitii i rezistivitii unei probe semiconductoare omogene dac aceasta este iradiat cu fotoni a cror frecven aparine spectrului vizibil iar energia unui foton este mai mare dect lrgimea benzii de energie interzis. Fotonii fluxului radiant ptrund n prob i prin cioniri cu constituienii acesteia produc efectul fotoelectric intern prin urmtoarele mecanisme: a) genereaz perechile electrongol; b) ionizeaz strile legate; c) comunic energie purttorilor liberi care devin energizai. Variaia conductivitii probei, , la iluminare permanent fa de conductivitatea de ntunerec este = e q ( n n n + p p p ). (1) n ecuaia (1) semnificaiile mrimilor sunt: e, sarcina elementar; q, numrul fotonilor incideni care strbat unitatea de arie a suprafeei normale la direcia fluxului n unitatea de timp, <q >SI = m-2 s-1 ; , probabilitatea de absorbie a unui foton pe unitatea de lungime aprobei, <>SI = m-1 ; , mobilitatea purttorilor, <>SI = m2 V-1 s-1 ; , durata de via a purttorilor, < >SI = s ; , randament cuantic. 2. EFECTUL DEMBER Numrul perechilor electron-gol, g, < g > SI = m - 3 s -1, generate prin efect fotoelectric intern, n unitatea de volum a probei i n unitatea de timp, variaz n lungul probei iluminate cu adncimea, x ,conform relaiei g ( x) = g ( 0 ) exp ( - x ). (2) Semnificaiile mrimilor n relaia (2) sunt: g (0) - concentraia fotopurttorilor pe faa iluminat, g ( 0 ) = q ( 0 ), - probabilitatea de absorbie a unui foton pe unitatea de lungime a probei, ,< > SI = m-1 , - randament cuantic, care are fie valoarea unu fie valoarea zero, adic fotonul absorbit poate s genereze cel mult o pereche electron-gol, q ( 0 ) - numrul fotonilor incideni pe unitatea de arie a suprafeei iluminate n unitatea de timp, < q > SI = m-2 s- 1. La iluminarea permanent a probei, variaia mrimii g n lungul probei determin apariia gradientului de concentraie care are semnficaia unei fore termodinamice generalizate. Fora termodinamic determin difuzia purttorilor n profunzimea probei. Coeficienii de difuzie pentru cele dou tipuri de purttori , Dn (electron) i DP (gol) sunt: Dn = kT n /e i DP = kT P /e (3) unde, n, P sunt mobilitile electronului respectiv golului, n > P . Deoarece mobilitatea electronilor este mai mare dect mobilitatea golurilor , electronii ptrund n prob pe o distan mai mare dect distana pe care ptrund golurile. Ca urmare, suprafaa iluminat a probei se ncarc pozitiv iar suprafaa neiluminat se ncarc cu sarcin negativ, adic apare un gradient al sarcinii electrice. Gradientul de sarcin determin apariia unui cmp electric orientat n sensul razei de lumin.

Apariia cmpului electric n semiconductorul omogen ca urmare a iluminrii acestuia se numete efect Dember. La iluminri slabe, potenialul feei iluminate, V(0), este V ( 0 ) = kTq ( n p ) / . (4) Mrimea V ( 0 ) , se numete tensiune fotoelectromotoare. Cmpul de neechilibru care apare prin efect Dember se opune separrii purttorilor de neechilibru generai prin efectul fotoelectric intern. 3. EFECTUL FOTOVOLTAIC Dac proba expus radiaiei este o diod semiconductoare, cmpul intern din Z. S. S. orienteaz micarea electronilor spre partea n a jonciunii unde exist sarcini pozitive fixe n exces iar micarea golurilor o orienteaz spre partea p a jonciunii unde sarcinile negative fixe sunt n exces. n zonele n i p ale diodei apar sarcini libere n exces care genereaz cmpul de neechilibru, E*. Cmpul de neechilibru fiind opus cmpului intern determin micorarea nlimii barierei de potenial. ntre zona n cu electroni n exces i zona p cu goluri n exces apare o diferen de potenial numit tensiune fotoelectromotoare, UFV, care micoreaz nlimea barierei de potenial a jonciunii. Apariia tensiunii fotoelectromotoare ntre zonele n i p ale diodei expuse fluxului electromagnetic radiant de fotoni cu energia mai mare dect lrgimea energetic a benzii interzise se numete efect fotovoltaic. 4. CELULA FOTOVOLTAIC Celula solar din siliciu este alctuit dintr-o diod semiconductoare introdus ntr-o montur metalic. Dioda este din siliciu pur masiv sub form cilindric cu grosimea de 0,2mm, impurificat n partea p cu atomi acceptori de bor iar n partea n cu atomi donori de fosfor. Partea n este foarte subire i este expus radiaiei. Electrodul de pe faa n este depus sub forma unei grile metalice fine pentru a lsa lumina s treac spre diod. Electrodul de pe faa p este depus sub forma unui strat metalic subire, continuu. La iluminarea probei sunt generate perechile electrongol. Mobilitile celor dou particule sunt diferite. Mobilitatea electronilor este mai mare dect mobilitatea golurilor. Diferena de mobilitate determin o diferen ntre fluxurile de difuzie ale electronilor i ale golurilor . Diferena de mobilitate a purttorilor i aciunea cmpului intern al Z.S.S. determin ca electronii s ptrund n zona n a jonciunii iar golurile s rmn n zona p a jonciunii. Aglomerarea sarcinii negative n partea n i a celei pozitive n partea p duce la apariia cmpului de neechilibru care stopeaz migrarea puttorilor. Cmpul de neechilibru orientat de la partea p spre partea n determin o diferen de potenial ntre cele dou regiuni. La terminale se culege tensiunea fotoelectromotoare, UFV . Celula este o surs de tensiune. Pe fig.1 se arat schema de principiu a celulei solare. n instalaiile solare fotovoltaice, ca exemplu, panoul solar cu suprafaa de 0,5 m2 , expus radiaiei cu intensitatea se 1000 W/m2 , furnizeaz la borne tensiunea de 12V iar puterea pe rezistorul de sarcin ajunge la 50 W.

p h

- + - goluri libere, electroni liberi Fig. 1. Schema de principiu a celulei solare.

UFV

5. CARACTERISTICA CURENT-TENSIUNE A CELULEI FOTOVOLTAICE Conform modelului Shockley, prin celula fotovoltaic circul doi cureni: a) curentul direct , Id , studiat la lucrarea 8.1, numit curent de ntunerec; b) curentul generat prin efecte optice, IL , numit fotocurent. Cei doi cureni au sensuri opuse. Ecuaia caracteristicii curent-tensiune a celulei fotovoltaice este I = I LI d = IL Is [ exp(eU/kT ) 1]. (5) Curba caracteristicii curent-tensiune este artat pe fig. 10. 1. 2. Puterea util maxim ca produs ntre tensiune i curent corespunde punctului M. Zona de utilizare a celulei corespunde arcului AB al curbei. Punctul M este inclus n arcul AB.
I Isc A

M B

UF Fig. 2. Caracteristica curent tensiune.

Experimental, caracteristica curent-tensiune se ridic conectnd la bornele celulei un rezistor variabil i meninnd iluminarea celulei constant se msoar curentul prin circuit i tensiunea la bornele celulei pentru fiecare valoare Ri. Dac celula funcioneaz n gol (circuit deschis ), I= 0 i la bornele ei se msoar chiar tensiunea fotoelectromotoare, U FV. Dac celula este scurt circuitat, U =0, se msoar curentul de scurtcircuit, Isc , care conform ecuaiei (10.1.5) este chiar curentul maxim generat prin efect fotovoltaic, I L (6) I L = I sc . 6. CARACTERISTICA DE PUTERE Puterea debitat de celul pe un rezistor de sarcin variabil este

Pel =U I = U Is [exp(eU/kT ) 1] U IL . (7) Puterea variaz cu tensiunea la borne care la rndul su este dependent de rezisten. Graficul puterii n funcie de sarcin este o curb cu un maxim care indic punctul optim de funcionare al celulei (Pm , Rm). Maximul puterii dezvoltate se obine anulnd derivata de ordinul unu al puterii n raport cu rezistena, dPel /dR = (dP / dU ) (dU/ d R) = I (dP/dU ) = 0. (8) Soluiile ecuaiei (8) innd seama de ecuaia (5) sunt: Im = Is Um (e/kT ) exp(eU/kT ), (9) R m= Um /Im = (kT/e Is ) exp(--eU/kT ). (10) 7. FACTORUL DE ACORD AL IMPEDANEI Puterea debitat n exterior de ctre celul, pe rezistorul de sarcin variabil, R i , este Pi= Ui Ii , inumr natural. Pe fig. 10. 1. 3, puterea P i este egal cu aria dreptunghiului haurat. Puterea maxim util corespunde punctului M, PM = UM I M de pe fig.3. Puterea maxim posibil a celulei este P*= U FV I sc. Factorul de acord al impedanei sau factorul de form sau factorul de umplere este definit prin relaia uf = P M / P * = UM I M / (U FV I sc ). (11) Factorul de form arat fraciunea pe care puterea maxim util o reprezint din puterea maxim posibil. Randamentul conversiei energiei undelor electromagnetice din spectrul optic n energie electric de ctre celulele fotovoltaice variaz ntre 11% i 24,7% n funcie de metoda de elaborare a cristalului, de compozia chimic i de puritatea acestuia.
I I sc M Ii Pi Ui UFV U

Fig. 3. Diagram explicativ la factorul de acord al impedanei.

8. INSTALAIA EXPERIMENTAL Caracteristicile celulei fotovoltaice sunt studiate cu instalaia de pe fig. 4. Suportul celulei gliseaz pe o tij. Variaia iluminrii pe celul se obine prin modificarea distanei dintre becul B i celul, C.F.V. Distana bec- celul se citete pe rigla gradat. Fluxul fotometric pe celul este = S , <>SI =1 lm ( lumen ) , < >SI =1 lx ( lux ) , S = 13 mm2 . (12) n spectrul radiaiei corpului negru ,la temperatura T=5200 K a suprafeei emisive , fluxului fotometric de 1 lumen i corespunde fluxul radiant de 0,013 W. Puterea radiant incident pe celul este

Pin = 0,013 S , <P in >SI = 1 W, <S>SI = 1 m2 ,<E >SI =1 lux. Randamentul instalaiei este = Pel / Pin .
A ~ u(t) B C.F.V. V R

(13) (14)

Fig. 4 Schema electric a instalaiei cu celul fotovoltaic

9. SARCINILE LUCRRII. PREZENTAREA REZULTATELOR 1. a) b) c) Pentru cinci valori ale distanei dintre sursa de lumin i fotocelul se msoar mrimile: iluminarea pe celul, cu luxmetrul PU 150 ; tensiunea fotoelectromotoare, cu voltmetrul digital, la mersul n gol ; fotocurentul, cu microampermetrul, n scurtcircuit. 1.1 Secompleteaz tabelul 1.
U FV ( V ) I L (mA)

Tabel 1. Tensiunea fotoelectromotoare i fotocurentul. Nr.ms. d (cm) E (lx) 1 . . 5

2. Se formeaz circuitul cu celula fotovoltaic, rezistor n decade, voltmetru n paralel cu rezistorul n decade i miliampermetru n serie cu rezistorul. Pentru o anumit iluminare (constant) a fotocelulei, se modific rezistena rezistorului ntre zero i 1000 , cu pasul de 100 . Msurtorile se repet pentru cinci valori ale iluminrii. Datele experimentale se introduc n tabelul 2.
Tabel 2. Valorile rezistenei de sarcin, curentului i tensiunii.
. E1 (W/m2 ) R() U (V) I (mA) 100 . . 1000 E2 (W/m2 ) E 3 (W/m2 ) E4 (W/m2 ) E 5 (W/m2 ) R() U (V) I (mA) R() U (V) I (mA) R() U (V) I (mA) R() U (V) I (mA)

Cu datele din tabelul 2, se ridic familia caracteristicilor parametrice curent -tensiune, parametru fiind iluminarea., ca pe fig. 1. Apoi, se citesc pe figur coordonatele capetelor intervalului AB care conine punctul de funcionare optim a celulei. Pe tabelul 2 se identific intervalul rezistenelor, care conine rezistena pentru care funcionarea instalaiei este optim. 3. Se reiau msurtorile pentru fiecare iluminare pe intervalul AB al rezistenei dnd acesteia creteri de 10 . Se calculeaz puterea incident i puterea electric cu formulele (7) i (13) i randamentul de utilizare a energiei electromagnetice de ctre instalaie cu formula = Pel/Pin . 3.1. Secompleteaz tabelul 3.

Tabel 3. Puterea electric pe rezistorul de sarcin i randamentul instalaiei.

P 1,in (W) R () U (V) I (A) P el (W) (%) r1 .. .. r20 P 2,in (W) R () U (V) I (A) P el (W) (%) P 3,in (W) R () U (V) I (A) P el (W) (%)

3.2. Cu datele din tabelul 3, se ridic familia caracteristicilor de putere ale instalaiei, Pel = f ( R ). 4. Pe caracteristicile de putere se citesc coordonatele punctelor de maxim Pm i Rm , apoi pe tabelul 10.1.3 se citesc valorile Um ,I m i m. Cu valorile determinate se completeaz tabelul 4.
Tabel 4. Valorile maxime ale mrimilor caracteristice conversiei fotovoltaice .
P 1,in (W) Rm () Um (V) Im (A) P elm (W) m(%) uf P 2,in (W) Rm () Um (V) Im (A) P elm (W) m(%)

5. Se calculeaz factorul de acord al impedanei cu formula (11), iar valorile gsite se introduc n tabelul 4. 6. Cu valorile din tabelul 4 i ecuaiia (5) se calculeaz curentul invers de saturaie , apoi se verific ecuaiile (7; 9 i 10). 10. NTREBRI BIPOLARE a) Pentru a se produce efectul fotoelectric intern, energia fotonilor incideni pe proba semiconductoare omogen trebuie s fie egal cu lrgimea benzii de energie interzis a semiconductorului sau mai mare dect aceasta ? b) Purttorii care apar prin efect fotoelectric intern au mobiliti egale sau diferite ? c) Factorul de umplere este egal cu raportul ariilor a dou dreptunghiuri ? Da Nu . d) Cmpul de neechilibru care apare prin efect Dember la iluminarea permanent a probei semiconductoare favorizeaz difuzia purttorilor de neechilibru sau se opune difuziei ? e) Fotocurentul printr-o celul fotovoltaic i curentul direct au sensuri opuse sau au acelai sens ? f) Variaia conductivitii probei semiconductoare la iluminarea permanent a acesteia este cauzat de efectul fotoelectric extern sau de efectul fotoelectric intern ? g) Fluxul radiant de 13mW corespunde fluxului luminos de 1lm n spectrul radiaiei corpului negru la T= 5200K sau la T=6000K ?