1.

Dioda semiconductoare de putere -3 straturi

2. Afirmatia ca o dioda blocata este echivalenta cu o rezistenta de valoare mare

este: -

adevarata

3. Ifrmsm valoarea efectiva maxima a curentului prin dioda

4. Tensiunea Vrrm reprezinta valoare de varf a tensiunii care poate f

aplicata diodei in mod periodic(repititiv) fara ca ea sa se distruga

5. Pfav reprezinta puterea medie dezvoltata prin efect Joule de dioda in

conductie

6. Dioda semiconductoare este un dipozitiv necomandabil, unidimensional in

current si

unidirectional in tensiune

7. Dioda de putere polarizata invers este echivalenta cu o rezistenta de valoare

foarte mare

si intrerupator deschis

8. Caracteristica din fig.1 reprezinta caracteristica dinamica a diodei

9. Vt0 tensiunea de prag a diodei

10. reactia interna de current poate fi initiate daca prin tiristor trece un current mai
mare

decat curentul de acrosare adevarat

11. Amorsarea prin efectul deltaV/dt- se produce in absenta curentului de
comanda prin poarta la

aplicarea tensiunii directe cu panta foarte mare la bornele unui tiristor

blocat

12. Tiristorul GTO funcioneaza ca un tiristor conventional la polarizare directa dar

este blocat pentru un

semnal de comanda negativ adevarat

13. Tiristorul parazit din structura tranzitorului IGBT poate produce fenomenul de
autozavorare

14. Tiristoarele de putere sunt dispozitive semiconductoare - comandate

unidirectional in

current si bidirectional in tensiune

15. La tiristor depasirea tensiunii Vb0 implica amorsarea tiristorului

16. Protectia impotriva supratensiunilor tiristor se realizeaza cu grupuri RC in

paralel

17. In structura tiristorului se gasesc 4 zone semiconductoare si 3 jonctiuni

18. Structura tiristorului poate fi echivalata cu 2 tranzistoare bipolare npn si

pnp

19. Un tiristor intra in conductive daca se aplica o tensiune pozitiva intre A si

K si se

injecteaza un semnalcomanda in Grila

20. Daca un tiristor aflat in conductie prin care trece un curent continuu continua

Sa conduca sau se blocheaza

21. Curentul de mentinere a tiristorului este curentul de la care tiristorul

ramane in

conductie si dupa anularea semnalului de comanda din Grila

22. Pentru tiristorul Vdsm reprezinta tensiunea directa accidentala maxim

suportata

23. Pentru tiristor Vbr reprezinta tensiunea de strapungere la polarizare

inversa
24. Pentru tiristor timpul de intarziere scurs intre momentul aplicarii comenzii si
momentul in care

tensiunea la borne a scazut.... - tqd

25. Pentru tiristorul aflat in procesul de blocare Trr reprezinta timpul de revenire
in invers

26. Pentru tiristor Vt0 punct de intersectie a caracteristicii de conductie cu

abscisa

27. Pentru tiristor Igf este timpul de amorsare

28. Pentru tiristor Iq este timpul de blocare

29. Zona din planul (Ic, Vce) in care se foloseste tranzistorul bipolar de putere este
de saturatie

30. Care dintre urmatoarele caracteristici nu este caracteristica tranzistorului BIP-

MOS comanda in curent

31. Cea mai eficienta metoda de blocare a tranzistorului bipolar polarizarea

inversa a bazei

32. Rolul inductivitatii din SNUBBER-ON pentru tranzzitorul bipolar este: - de a

micsora panta de

crestere a curentului prin colector

33. Curentul de acrosare se noteaza cu- IL

34. Amorsarea prin autoaprindere - este un tip de amorsare accidentala

35. Caracteristica din fig 4 este caracteristica de comanda

36. Fig 4 zona cuprinsa intre L1 si L2 zona de neamorsare sigura

37. Ifavm curentul mediu maxim suportat de dioda

38. Vrms tensiunea inversa accidentala maxima

39. Pfav Pfav=Vt0*Ifav+rt*Ifrms^2

40. Rth=deltaT/P

41. Pe diagrama din fig 1 C reprezinta Vrms

42. Temperatura capsule diodei poate fi calculata Tc=Ta+Pfav*(RthC-K+RthK-A)

43. La frecvente de lucru mari devin importante pierderile de comutatie

44. Rezistenta termica totala in cazul racirii bilaterale fata de cazul racirii unilaterale
este

mai mic

45. In RthJC(teta) rezistenta termica dintre tensiune si capsulate tare prezinta

unghiul de

conductie

46. Pentru ca tensiunea pe care o poate tine o jonctiune pn la polarizatia inversa sa

fie cat mai mare

zonele semiconductoare trebuie sa fie puternic dopate

1. In cazul monofazat monoalternanta seminductanta in serie cu sarcina rezistiva si

are consecinta cresterea in conductie peste valoare de 180 grade electrice

2. Dioda de regim liber in cazul redresorului monofazat monoalternanta impiedica

sensul

de iesire sa ia valori negative

3. Contorul de faza este o metoda de comanda a redresorului si a tiristorului care

Permite reglajul continuu al valorii medii furnizate in gol

4. Pe durata comutatiei tensiunea redata este semi suma tensiunilor de iesire

5. Valoarea de varf a curentului de comutatie este independenta de curentul de

sarcina .....

adevarat

6. Redresorul trifazat in punte semicomandata functioneaza in regim de inversor

niciodata

7. Fenomenul de resturnare a inversorului poate fi cauzata de cresterea

unghiului de

comutatie

8. Aparitia conductiei discontinue produce cresterea valorii medii a

tensiunii la iesirea redresorului peste cea calculata

9. Convertorul in patru cadrane fara curent de circulatie se obtine prin montarea a 2

cadrane

in antiparalel
10. In cadrul unui redresor, filtrele legate pe partea de curent out au scop

Imbunatatirea formei tensiunii sau a curentului la iesirea redresorului

11. Curentul IF(0V) este : - curentul direct de suprasarcina previzibila

12. La frecvente de lucru reduse (50Hz) pierderile cele mai importante sunt : -
pierderile in conductie

13. tensiunea de comutatie Vfm care apare la bornele diodei in procesul de blocare
in raport cu tensiunea inversa Vr pe care o tine dioda in mod obisnuit este : - de cel
putin 2 ori mai mare

15. Protectia diodei la supratensiuni se face : cu sigurante fuzibile montate in

serie cu cu diode

16. La protectia diodei, integrala Joule a diodei trebuie sa fie : - mai mica decat
integrala joule a rezistentei cu care se face protectia

17. Daca un tiristor aflat in stare de conductie prin care trece un current continuu cu
valoare mai mica decat ce a curentului de mentinere al tiristorului, se anuleaza
semnalul de comanda a tiristorului : - se blocheaza

18. Fenomenul de autopolarizare interna este initial : - in timpul conductiei

tiristorului, daca curentul prin tiristor este mai mare decat valoare
curentului de acrosare

19. Un tiristor aflat in conductie se blocheaza: - micsorarea curentului anodic It

sub valoarea curentului de mentinere

20. Tiristor cu conditie in invers RCT este echivalent cu : - un ansamblu tiristor-

dioda montate antiparalel