7.2.

1 Fotorezistoare

Fotorezistoarele folosesc, în funcționarea lor, efectul fotoconductivității.

Fotorezistoarele sunt realizate într-o varietate de opțiuni constructive, pentru diverse
scopuri, în conformitate cu diverse tehnologii și cu parametri diferiți, dar în general
reprezintă un strat semiconductor sensibil la iradiații atașat pe un suport izolator de-a
lungul marginilor căruia sunt montați electrozii conductibili. Principial sunt posibile
două tipuri de construcții ale fotorezistorului transversală și longitudinală.
În primul caz, câmpul electric aplicat fotorezistorului și lumina excitantă
acționează în planuri reciproc perpendiculare (fig. 7.2, a), în al doilea – în același
plan. În fotorezistorul longitudinal, excitația este transmisă prin electrodul
transparent pentru iradiația de lumină. Fotorezistorul transversal reprezintă o
rezistență aproape ohmică, până la frecvențe de ordinul zecilor - sutelor de
megahertzi. Fotorezistorul longitudinal datorită caracteristicilor constructive are o
capacitate semnificativă, ceea ce nu permite ca fotorezistorul să fie considerat o
rezistență pur ohmică la frecvențe de ordinul sutelor – miilor de hertzi.
În calitate de materiale, de bază, pentru fabricarea fotorezistoarelor, cel mai
des utilizate sunt: telurul de cadmiu (CaTe), telurul de seleniu (TeSe), sulfură de
bismut (BiS), sulfură de cadmiu (CdS) etc.

Figura 7.2 – Fotorezistor (a), construcția transversală

a fotorezistorului (b), simbolul grafic al fotorezistorului (c)

Pentru protecția contra acțiunilor atmosferice, suprafața superioară a stratului

fotosensibil este acoperită cu un lac transparent. Întregul ansamblu poate fi amplasat
într-o carcasă protectoare, în care se face o fereastră pentru trecerea radiațiilor. Poate
fi conectat atât la curent continuu, cât și la curent alternativ (fig. 7.3).
Pe măsură ce fotorezistorul este iradiat, conductivitatea acestuia crește, și
respectiv crește curentul considerabil. Tensiunea de ieșire este proporțională cu
intensitatea fasciculului de lumină, se ridică de pe rezistența sarcinii Rs.
Caracteristicile de bază ale fotorezistorului sunt:
1. Caracteristicile curent-tensiune If = f (Uf) / Ф = const.
 Figura 7.3 – Circuitul de conexiune a fotorezistorului
Aceasta este dependența dintre curentul fotorezistorului și tensiunea
fotorezistorului la un flux constant de radiație Ф. Aceste caracteristici sunt practic
liniare (fig. 7.4). La Ф = 0 prin fotorezistor curge un mic curent de întuneric, la
iluminare curentul crește datorită creșterii fotoconductivității.

Figura 7.4 – Caracteristicile curent-tensiune ale fotorezistorului

2. Caracteristica de luminozitate If = f (Ф) / Uf = const.

Aceasta este dependența fotocurentului de fluxul de radiații la o tensiune
constantă a fotorezistorului. Neliniaritatea esențială a acestor caracteristici (fig. 7.5)

Figura 7.5 – Caracteristicile de luminozitate a fotorezistorului

se explică nu numai printr-o creștere a numărului de purtători cu creșterea fluxului
radiației Ф, ci și prin proсesul de recombinare.
3. Caracteristica spectrală S = f(λ), unde λ este lungimea de undă a radiației
electromagnetice.
Această caracteristică se datorează materialului și tehnologiei de fabricație a
stratului fotosensibil. Forma tipică a acestei caracteristici este prezentată în fig. 7.6.

Figura 7.6 – Caracteristicile relative spectrale ale fotorezistorului

Parametrii de bază ai fotorezistoarelor sunt:

𝐼𝑓
1. Sensibilitate: 𝐾 = 𝑐â𝑛𝑑 𝐸 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡;
Ф
2. Valoarea nominală a fotocurentului If.nom ;
3. Rezistența la întuneric Rînt;
𝑅î𝑛𝑡
4. Raportul ;
𝑅𝑓.𝑛𝑜𝑚
5. Tensiunea de lucru a fotorezistorului Uluc.
Dependență semnificativă a rezistenței fotorezistorului de temperatură,
caracteristică semiconductoarelor, este un dezavantaj. Un dezavantaj semnificativ al
fotorezistoarelor este și inerția lor, care se explică prin timpul îndelungat de
recombinare a electronilor și a golurilor după încetarea expunerii la radiații. În
practică, fotorezistoarele sunt utilizate la frecvențe de sute de hertz – unități de
kilohertz. Zgomotele proprii sunt destul de semnificative. În ciuda acestor
neajunsuri, fotorezistoarele sunt folosite pe scară largă în diferite scheme de
automatizări și în multe alte dispozitive.

7.2.2 Fotodiode

Fotodioda este un dispozitiv fotovoltaic semiconductor care conține o

joncțiune p-n, funcționarea este bazată pe fenomenul efectului fotoelectric intern.
Fotodiodele au modele diferite, scop diferit și parametri diferiți, dar în majoritatea
cazurilor structura fotodiodei este aceeași cu cea indicată în fig. 7.7, b. În circuitele
electronice, fotodioda este reprezentată de simbolul afișat în fig. 7.7, c.
 Figura 7.7 – Construcția fotodiodei (a), structura internă (b)
și simbolul grafic al fotodiodei
Fotodioda poate fi utilizată în două conexiuni (regimuri) diferite: fotodiodă și
fotovoltaică. Conectarea fotovoltaică (fig. 7.8) presupune utilizarea unei fotodiode
ca sursă de foto – TEM, prin urmare actual se numește fotocelulă semiconductoare.

Figura 7.8 – Conexiune fotovoltaică

Considerăm procesul de apariție în fotodiodă a foto - TEM (fig. 7.9). În
absența iluminării fotodiodei, concentrația purtătorilor în ambele sale regiuni va fi în
echilibru și, prin urmare, nu va exista nici o diferență de potențiale între regiuni.
Dacă, totuși, se va lumina cu raze de lumină, atunci ca urmare a absorbției energiei
fotonilor, se vor forma perechi „electron – gol”. Golurile in regiunea p sunt
purtători majoritari, de aceea câmpul joncțiunii p-n. Ep – va respinge de la granița
de separare, dar iată electronii liberi formați, aflați în regiunea p, sunt purtători
minoritari, vor fi tranzitați, de câmp peste granița de divizare, în regiunea n unde
sunt majoritari. În mod similar, în regiunea n, s-au format purtătorii „electron –
goluri”, numai că golurile fiind purtători minoritari, vor fi aruncate, peste interfață,
în regiunea p, iar electronii liberi rezultați vor umple doar numărul purtătorilor din
regiunea n, crescând concentrația acestora.
Astfel, datorită energiei luminoase absorbite în semiconductor, se formează
perechi de purtători, purtătorii minoritari sunt aruncați în regiunea vecină, de către
câmpul electric al joncțiunii p – n, iar purtătorii majoritari rămân în regiunea lor,
concentrația purtătorilor crește și devine super-echilibru, adică sarcina electrică
totală a majoritarilor în ambele regiuni ale semiconductorului nu mai este echilibrată
de sarcinile opuse ale ionilor impurităților, prin urmare, apar sarcini pozitive sumare
în regiunea p și sarcini sumare negative în regiunea n, care va provoca apariția unei
diferențe de potențial între regiunea p și n. Această diferență de potențial se numește
foto – TEM.

Figura 7.9 – Procesul de generare a purtătorilor liberi de sarcină

Dacă acum se creează un circuit electric extern între regiunile p și n, atunci
prin el va circula curent electric – fotocurentul apărut sub acțiunea foto – TEM.
Trebuie remarcat faptul că nu toți purtătorii formați, ca urmare a absorbției
energiei radiante, vor participa la formarea curentului de luminanță, ci doar cei care
intră în acțiunii câmpului electric al barierei de potențiale, limitat de regiunea δ (fig.
7.9). Restul purtătorilor minoritari, formați în afara acestei zone, posibil să
recombine, slăbind eficiența utilizării energiei luminoase. Prin urmare, oportunitatea
construirii fotodiodei devine clară, atunci când nu sunt iluminate ambele regiuni ale
semiconductorului, ci doar una, dar foarte subțire, când practic toți purtătorii de
minoritari de sarcină, formați sub influența luminii vor fi divizați de joncțiunea p-n.
1. Caracteristica curent-tensiune Ifd = f (Ufd) /Ф = const. Aceasta reprezintă
dependența fotocurentului If față de tensiunea de pe fotodiodă Ufd, la un flux luminos
Ф constant.
Caracteristica curent-tensiune poate fi descrisă prin următoarea expresie:
𝐼𝑖𝑙 − 𝐼𝑠 𝑘∙𝑇
𝑈𝑎𝑐 = 𝑙𝑛 � + 1� ∙ ,
𝐼î𝑛𝑡 𝑞
unde Uac – tensiunea dintre anod și catodul fotodiodei. În cazul conexiunii
fotovoltaice, aceasta este tensiunea pe sarcină; Iil – curent la iluminare – fluxul total
al purtătorilor de sarcină electrică, format ca urmare a fotoefectului intern și separat
de câmpul joncțiunii p-n; Is – curent prin sarcină (în cazul conexiunii fotovoltaice);
Iînt – curent la întuneric – fluxul total al purtătorilor de sarcini electrice, care
traversează granița de divizare în absența iluminării: k – constantă lui Boltzmann,
k = 1,38 · 10-23 J/grad; q – sarcina electronică, q = 1,6 · 10-19 C; T – temperatura
absolută.
Forma familiei caracteristicii curent-tensiune este prezentat în fig. 7.10.

Umg1
Umg2

Isc1 Umg3
Isc2

Isc3

Figura 7.10 – Caracteristicile curent-tensiune ale fotodiodei

Când Ф = 0 caracteristica curent-tensiune a fotodiodei se transformă într-o

caracteristică curent-tensiune a unei joncțiuni p-n obișnuită, studiată în detaliu
suficient mai devreme. În prezența iluminării, curentul sarcinii, după cum se poate
vedea din figură, acesta va circula de-a lungul circuitului extern de la regiunea p spre
regiunea n, iar în interiorul cristalului – din regiunea n în regiunea p, adică în
direcție care pentru o diodă obișnuită este indirectă și caracteristica se depune sub
zero pe axa ordonatelor, tensiunea pe fotodiodă - (+) la regiunea p, (-) la regiunea n
este directă pentru o diodă obișnuită și prin urmare este depusă în dreapta de la zero
pe abscisă absciselor. De fapt, caracteristica curent-tensiune a unei fotodiode este
caracteristica curent-tensiune a unei joncțiuni p-n obișnuiteб deplasată în jos și în la
dreapta, în funcție de fluxul luminos Ф.
Punctele de intersecție ale caracteristicii cu axele de coordonate sunt
tensiunea în circuit deschis Um.g (mers în gol)(ori foto – TEM) pe axa absciselor și
curentul de scurtcircuit Is.c pe axa ordonatelor.
Domeniul caracteristicii după punctul Umg reprezintă regimul când fotodioda
funcționează cu o sursă TEM externă, conectată în opus la fotodiodă.
Domeniul caracteristicii după punctul Isc caracterizează funcționarea
fotodiodei cu o sursă TEM externă, conectată conform cu fotodioda. Aceasta și este
conexiunea în regim fotodiodă comutator fotodiodă, care va fi analizat mai jos.
2. Caracteristicile de iluminare a fotodiodei Iil = f (Ф) ori E = f (Ф) sunt pre-
zentate în fig. 7.11.
 După cum reiese din ecuația caracteristicii curent-tensiune, tensiunea pe
fotodiodă ori în regim de mers în gol, foto – TEM E se modifică în conformitate cu
legea logaritmică odată cu creșterea fluxului de lumină Ф, iar curentul de iluminare
Iil este direct proporțional cu fluxul luminos Ф. Prin urmare, odată cu creșterea
fluxului luminos Ф, caracteristicile se deplasează neuniform de-a lungul axei
absciselor și de-a lungul ordonatelor. Deci pe axa ordonatelor, unde este depus
curentul de iluminare, caracteristicile se deplasează la schimbarea fluxului. Pe axa
absciselor, unde se depune Umg = E, aceste caracteristici sunt deplasate nu liniar, ci
în conformitate cu curba Ef = f(Φ).

Figura 7.11 – Caracteristicile de iluminare ale fotodiodei

3. Caracteristica spectrală – dependența S* = f (λ), unde S* - puterea relativă
a fotodiodei; λ – lungimea de undă a radiației electromagnetice. Forma acestei
caracteristici este prezentată în fig. 7.12.

Figura 7.12 – Caracteristicile spectrale ale fotodiodelor

Dependența 1 este puterea relativă a radiației solare. Celelalte două grafice
arată puterea relativă a fotodiodelor, fabricate pe bază de siliciu și germaniu. Este
evident că în regiunea părții vizibile a spectrului radiației solare are cea mai mare
putere relativă o fotodiodă pe bază de siliciu. Exact din siliciu sunt cel mai des reali
zate fotodiodele care funcționează în acest interval de lungimi de undă.
 Conexiunea fotodiodei în regim fotodiodă este prezentată în fig. 7.13.

Figura 7.13 – Circuitul conexiunii fotodiodei în regim fotodiodă

În acest caz, fotodioda funcționează cu o sursă externă U care, în raport cu
dioda întunecată, este cuplată în direcția opusă, de blocare și, prin urmare, în absența
iluminării, curentul prin circuit este practic absent. La iluminarea fotodiodei, apare
foto – TEM Ef care, în raport cu sursa E, este cuplată în serie și în conform, și prin
sarcină apare curent proporțional cu fluxul luminos Ф. Acest regim este ilustrat de
segmentele caracteristicilor curent-tensiune ale fotodiodei în al treilea cadran (fig.
7.10). Cu toate acestea, în literatura de referință, aceste caracteristici sunt date mai
des în primul cadran (fig. 7.14) pentru ușurință în utilizare.

Figura 7.14 – Caracteristicile curent-tensiune ale fotodiodei în regim fotodiodă

Parametrii de bază ai fotodiodei:
𝐼𝑖𝑙
1. Sensibilitatea 𝐾 = ;
Ф
2. Tensiunea de lucru Uluc;
∆𝑈
3. Rezistența dinamică 𝑅𝑑 = 𝑐â𝑛𝑑 Ф = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡.
∆𝐼
În prezent, o mare importanță o au celulele solare semiconductoare, folosite
ca convertoare a energiei solare în energie electrică. Din aceste elemente sunt fabri -
cate bateriile solare, care au un randament relativ ridicat (până la 20%) și pot
dezvolta puteri de până la câțiva kilowați. Bateriile solare sunt surse de bază pentru
sateliții artificiali ai Pământului, nave spațiale, stații meteorologice automate etc.
Utilizarea practică a bateriilor solare crește nemărginit.

7.2.3 Fototranzistoare

Fototranzistorul – este un dispozitiv fotovoltaic semiconductor cu două

joncțiuni p-n. Structura și principiul de funcționare al fototranzistorului sunt aceleași
ca și ale unui tranzistor bipolar obișnuit. Deosebirea, totuși, constă în faptul că
partea exterioară a bazei este o suprafață fotosensibilă, iar carcasă are o fereastră
pentru transmiterea luminii (fig. 7.15).

Figura 7.15 – Construcția fototranzistoarelor (a), structura (b)

și simbolizarea grafică a fototranzistorului (c)
Uneori, fototranzistorul are doar două terminale: emitor și colector.
Principiul de funcționare a fototranzistorului constă următoarele. În starea
întunecată, în absența unui semnal de intrare la bază, tranzistorul este închis și un
mic curent indirect al joncțiunii colectorului circulă prin circuitul colectorului. Când
regiunea bazei este iluminată de fascicul de lumină, acolo, sunt generate perechi
„electron-gol”. Purtătorii minoritari (în cazul nostru, golurile) sunt preluate de
câmpul joncțiunii colectorului și sunt transferate în regiunea colectorului, iar în bază
rămân sarcinile necompensate de electroni – purtătorii majoritari – ceea ce duce la o
scădere a barierei potențiale a joncțiunii emitor și la injectarea golurilor din emitor în
bază. Acest lucru va duce la o creștere a curentului colectorului, ca și cum ar fi fost
aplicat un semnal la intrarea tranzistorului, ceea ce ar provoca aceiași injectare de
purtători. Dar aici, în locul unui semnal electric de intrare, a fost utilizat un semnal
luminos. Curentul colectorului Ic = β ∙ If, unde β – este coeficientul de transfer în
curent al tranzistorului; If – fotocurentul apărut în regiunea bazei sub influența
semnalului luminos de intrare. Astfel, sensibilitatea fototranzistorului este de β ori
mai mare decât sensibilitatea fotodiodei.
 Schemele de conexiune a lui, la fel, ca și ale tranzistorului bipolar, pot fi cu
bază comună, cu emitor comun și cu colectorul comun. Ca exemplu, în fig. 7.16 este
reprezentată conexiunea emitor comun.

Figura 7.16 – Circuitul conexiunii emitor comun a fototranzistorului

Caracteristica curent-tensiune a fototranzistorului este foarte asemănătoare cu
caracteristicile de ieșire ale tranzistorului bipolar (fig. 7.17), numai cu diferență că
acestea sunt ridicate la fluxuri luminoase constante. Restul caracteristicilor
fototranzistorului sunt identice cu cele ale fotodiodei. Dezavantajele de bază ale
fototranzistorului sunt dependența puternică de temperatură și proprietățile de

Figura 7.17 – Caracteristicile curent-tensiune ale fototranzistorului

frecvență slabe.

7.2.4 Fototiristoare

Prin același principiu, precum și controlul fototranzistorului, se poate

controla și un tiristor. Un astfel de dispozitiv se numește fototiristor.
În loc de electrodul de control, semnalul de control sub forma unui flux de
energie radiantă (fig. 7.18) este aplicat printr-o fereastră specială din carcasa
dispozitivului, ceea ce a dus la aceleași fenomene, ca și cum ar fi fost aplicat un
semnal de control electric către electrodul de control. Toate celelalte caracteristici
ale unui ast-
 Figura 7.18 – Construcția fototiristorului (a), structura fototiristorului (b)
și simbolul grafic al fototiristorului (c)
fel de tiristor sunt similare cu cele ale unui tiristor obișnuit controlat electric.
În fig. 7.19 sunt reprezentate caracteristicile curent-tensiune ale
fototiristorului.
Fototiristoarele sunt folosite pentru a comuta semnale de lumină, semnale
electrice de mare putere. Rezistența fototiristorului variază de la 108 Ohm (în starea
blocată) până la 10-1 Ohm în stare deschisă. Timpul de comutare a fototiristorului se
află între limitele 10-5… 10-6 s.

Figura 7.19 – Caracteristicile curent-tensiune ale fototiristorului

8.3 Diode electroluminiscente (LED-uri)

Dioda emițătoare de lumină ori electroluminiscentă (LED) – este o diodă

semiconductoare bazată pe joncțiune p-n sau heterojuncțiune care emite cuante de
lumină atunci când prin ea circulă curent direct.
 Principiul de funcționare a LED-urilor este bazat pe utilizarea fenomenului
de recombinare radiativă. Când un curent direct curge prin joncțiunea p-n (fig. 7.20),
atunci are loc recombinarea purtătorilor, adică umplerea nivelului de energie liberă
din banda de valență cu electroni, situați în banda de conducție, care, desigur, sunt
însoțiți de eliberarea de energie. Cel mai des, această energie este eliberată sub
formă de căldură, însă pot fi alese, astfel de materiale semiconductoare în care
fenomenul de recombinare să fie însoțit de emanarea energiei sub forma cuantelor
de lumină. Acest lucru se observă, de obicei, în semiconductoarele, care reprezintă
compuși dubli tripli.

Figura 7.20 – Diagrama energetică la polarizarea

directă a diodei electroluminiscentă

În funcție de caracteristicile de emisie, LED-urile se împart în două grupe:

 LED-uri cu emisie în partea vizibilă a spectrului;
 LED-uri cu emisie în partea infraroșie a spectrului.
Construcțiile LED-urilor sunt, de asemenea, diferite, cu toate acestea, cel mai
des sunt realizate sub forma unui monocristal semiconductor în care se creează o
joncțiune p-n, cristalul este montat într-o carcasă de sticlă în formă de lentilă care
transmite liber lumina emisă (fig. 7.21).
Diodele electroluminiscente au găsit o largă aplicare în dispozitivele de
afișare a informațiilor, în dispozitive de calcul pentru intrarea-ieșirea informațiilor,
precum și în dispozitive optoelectronice.
LED-urile pot avea mai multe joncțiuni p-n, situate pe un singur monocristal.
În funcție de polarizarea lor sau de regimul de funcționare, ele emit în diferite
regiuni ale spectrului și au culoarea luminii controlată. Pentru aceasta, se folosește
fie dependența intensității frecvențelor individuale radiante de curentul joncțiunii p-n
sau amestecul radiațiilor a două LED-uri, care au străluciri de culori diferite.
 Al doilea caz a fost cel mai frecvent. După cum se poate vedea din fig. 7.22,
pe cristalul semiconductor sunt create două joncțiuni p-n.

Figura 7.21 – Construcția diodelor electroluminiscente (a),

structura LED (b) și simbolizarea grafică a LED (c)
Impuritățile sunt selectate în așa fel încât una din joncțiuni emite lumina de
culoare roșie, iar cealaltă – verde. La amestecarea lor se obține culoarea galbenă.
Structura are trei (1,2,3) terminale, care permit trecerea curentului cu valoarea sa
prin fiecare joncțiune p-n. Modificând curenții joncțiunilor, este posibil să se
schimbe culoarea luminii de la galben-verde la roșu-galben și, de asemenea, să se
obțină culori roșii și verzi pure.

Figura 7.22 – Structura diodei bicolore (a),

simbolul grafic al diodei bicolore (b)
Combinând conexiunile diferitor joncțiuni individuale, se poate obține
imaginea unui număr luminos, a unei litere sau a unui semn. Pentru aceasta, pe baza
LED-urilor, sunt produși indicatori de sinteză a semnelor, de exemplu, cei digitali,
care pot fi cu o singură cifră și cu mai multe cifre. În indicatorii de sinteză a
semnelor, fiecare segment este realizat sub forma unei diode separate. Pentru
afișarea cifrelor de la zero la nouă, trebuie de avut cel puțin șapte segmente. În fig.
7.23 este prezentat un afișor cu șapte segmente cu un singur digit (singură cifră) și
circuitul său.
Tensiune de alimentare redusă, curenții mici, miniaturitatea, durabilitatea,
rapiditatea înaltă de funcționare sunt principalele avantaje ale afișorilor cu LED - uri
pentru afișarea informațiilor.
Pentru o lungă perioadă de timp, dezvoltarea LED-urilor a fost reținută din
lipsa dispozitivelor din gama albastră. Încercările de a fabrica diode cu culoarea
luminii albastră și verde au fost legate cu utilizarea cristalelor de nitrură de galiu
GaN și seleniură de zinc ZnSe.

Figura 7.23 – Afișor cu șapte segmente cu un singur digit (singură cifră)

Diodele, în baza SiC, s-au dovedit că pot avea un mic randament, iar
randamentul cuantic al radiației era scăzut (adică numărul de cuante pe o pereche
recombinată). LED-urile bazate pe soluții solide de zinc, seleniura de zinc ZnSe,
aveau un randament cuantic mai mare, dar se supraîncălzeau, din cauza rezistențelor
mari și nu au durat mult timp. Rămânea speranță în nitruri.
Cercetările proprietăților nitrurilor elemente ale grupelor III (AIN, GaN, InN)
și aliajele lor, reprezentând semiconductoare cu largi lățimi ale benzilor de
interzicere cu treceri optice directe au făcut posibilă concluzia, că ele sunt cele mai
promițătoare materiale pentru fabricarea LED-urilor, emițând în întreaga regiune a
spectru-
lui vizibil și ultraviolet (240 ... 620 nm).
Motivul principal, care împiedica producția de pelicule GaN de înaltă
calitate, a fost lipsa substraturilor adecvate, parametrii rețelei și coeficientul de
expansiune termică care ar corespunde GaN. Pentru o lungă perioadă de timp, astfel
de pelicule au fost crescute pe safir (necorespunderea rețelei de 13,5%), ale cărei
avantaje sunt doar stabilitatea termică și posibilitatea curățării înainte de a începe
creșterea. O altă problemă este obținerea cristalelor de tipul p. Primele lucrări în
această direcție au fost începute încă în anii 60 ai secolului XX, cu toate acestea,
încercările de introducere fiabilă a elementelor din grupa II (Mg, Zn, Be) ca
impurități substitu-ționale care ar acționa ca acceptori au eșuat. Ca rezultat al
dezvoltării LED-urilor albastre, au participat oameni de știință din întreaga lume.

7.4 Dispozitive optoelectronice

Optoelectronica – este un domeniu al electronicii, unde sunt folosite metode

de conversie a semnalelor luminoase în cele electrice și invers - în sistemele de
transmisie, prelucrare și stocare a informațiilor.
Elemente ale echipamentelor optoelectronice sunt dispozitive fotoelec-
tronice studiate mai sus, iar conexiunea dintre elemente nu este electrică, ci optică.
Astfel, în dispozitivele optoelectronice, conexiunea galvanică dintre circuitele de
intrare și ieșire este complet eliminată, și practic complet eliminată reacția dintre
intrare și ieșire. Combinând elemente, care fac parte din dispozitivele
optoelectronice, se pot obține o varietate de proprietăți funcționale ale acestora. În
fig. 7.24 prezentate construcțiile diferitor optocuploare.

Figura 7.24 – Construcții ale optocuploarelor

Cel mai simplu dispozitiv optoelectronic este optrocuplorul.

Optocuplorul – este un echipament, care îmbină într-o carcasă dioda
electroluminiscentă și receptorul de lumină, spre exemplu fotodioda (fig. 7.25).
 Semnalul de intrare amplificat Uin se aplică diodei LED și îl face să
strălucească, care este aplicat către fotodiodă prin canalul de lumină. Fotodioda se
deschide și prin circuit curge un curent sub acțiunea sursei E. O conexiune optică
eficientă
între elementele optocuplorului se realizează utilizând mijloace optice - ghidaje de
lumină, realizat sub forma unui mănunchi de filamente transparente subțiri, prin care
se transmite semnalul datorită reflexiei interne totale cu pierderi minime și cu
rezoluție mare. În loc de o fotodiodă, în componența optocuplorului poate fi un
fototranzistor, fototiristor, fotorezistor.

Figura 7.25 – Structura optocuplorului diodic (a) și schema sa de conexiune (b)

În fig. 7.26 sunt prezentate simbolurile grafice convenționale ale acestor
dispozitive.
Un optocuplor cu diodă este utilizat ca cheie și poate comuta curent cu o
frecvență 106 ... 107 Hz are o rezistență între circuitele de intrare și ieșire - 1013 ...
1015 Ω.

Figura 7.26 – Optocuploare: a – cu tranzistor; b – cu fototiristor;

c – cu fotorezistor
Optocuploarele cu tranzistor sunt mai economice decât cele cu diode datorită
sensibilității lor mai mari. Cu toate acestea, rapiditatea de funcționare lor este mai
mică, frecvența maximă de comutare nu depășește de obicei 105 Hz. Ca și
optocuploarele cu diode, optocuploarele cu tranzistoare au rezistență mică în stare
deschisă și mare în stare închisă și asigură o izolare galvanică completă a circuitelor
de intrare și ieșire.
Utilizarea în calitate de senzor foto permite mărirea impulsului curentului de
ieșire de până la 5 A și mai mare. În acest caz, timpul de cuplare constituie mai mic
de 10-5 s, iar curentul de intrare de comutare nu depășește 10 mA. Astfel de
optocuploare permit controlul dispozitivelor de precizie mare cu diferite scopuri.

Concluzii:
1. Funcționarea dispozitivelor optoelectronice se bazează pe principiul
fotoefectului intern – generarea perechilor de purtători de sarcină „electron - gol”
sub acțiunea radiației luminoase.
2. Fotodiodele au o caracteristică de lumină liniară.
3. Optocuploarele cu fototranzistoare au o sensibilitate integrală mai mare,
decât cu fotodiodele, datorită amplificării fotocurentului.
4. Optocuploarele - dispozitive optoelectronice, în care este asigurată izolarea
electrică a circuitelor de intrare și ieșire.