DIODE SEMICONDUCTOARE

6.1 NOȚIUNI ÎNTRODUCTIVE

Dispozitivul electronic cu o singură joncțiune și două terminale se

numește diodă.
Cele mai utilizate sunt diode semiconductoare din germaniu și siliciu,
precum și diode realizate pe baza arseniurii de galiu.

Figura 6.1 – Diode cu joncțiune planică (a); cu joncțiune punctiformă (b)

În funcție de metoda de producere a joncțiunii electron-gol, diodele
semiconductoare sunt împărțite în două tipuri: planice și punctiforme.
Istoric, primul tip de diodă semiconductoare a fost un detector cristalin
utilizat în cele mai simple receptoare radio (cu detector). Până în prezent,
domeniul de aplicare al diodelor cu semiconductoare s-a extins atât de mult,
încât este practic dificil să denumim unul sau alt nod de echipamente
electronice în care aceste dispozitive semiconductoare, extrem de diverse, nu ar
fi utilizate.
Cele mai importante avantaje ale diodelor cu semiconductori sunt:
 mărimi gabarite și masă mici;
 randament înalt (peste 99%);
 lipsa sursei pentru filament;
 practic durată de lucru nelimitată (dacă se respectă regulile de
exploatare);
 fiabilitate înaltă.
Prin urmare, inițial, diodele semiconductoare au făcut „constrângere”,
iar apoi au înlocuit aproape complet diodele cu vid din dispozitivele atât de
răspândite precum redresoarele de curent alternativ, care au furnizat alimentare
pentru marea majoritate a circuitelor electronice moderne.
În general deosebim următoarele feluri de diode semiconductoare:
 Diode redresoare – destinate pentru redresarea curentului alternativ
în curent continuu;
  Diode Zener (stabilizatoare) – destinate pentru stabilizarea tensiunii
și limitarea nivelelor;
 Diode varicap (varactor) – destinate pentru ajustarea automată a
frecvenței și multiplicarea frecvențelor;
 Diode de înaltă frecvență – destinate pentru lucrul în calitate de
modulatoare, mixere, divizoare și multiplicatoare de frecvențe;
 Diode impulsionare – diode cu rapiditate înaltă de lucru, pentru
comutarea circuitelor de frecvență înaltă;
 Diode tunel și inversate – destinate pentru generarea și amplificarea
semnalelor de frecvență înaltă, precum și comutarea circuitelor de frecvențe
înalte;
 Fotodiode – destinate pentru convertizarea energiei de lumină în
energie electrică;
 Diode electroluminiscente (LED) – destinate pentru convertizarea
energiei electrice în radiații de lumină;
 Diode Gann – destinate pentru generarea semnalelor de frecvență
înaltă și altele;

6.2 DIODE REDRESOARE

Dispozitivul electronic cu o singură joncțiune p-n, două terminale,

destinat pentru redresarea curentului alternativ cu frecvențe 50 … 20000 Hz în
curent continuu se numește diodă redresoare.
În calitate de material de bază pentru diodele redresoare sunt utilizate:
germanium Ge, siliciu Si și arseniura de galiu GaAs.
Metodele de bază
pentru obținerea joncțiunilor
p-n în diodele redresoare
sunt: alierea și difuzia
(fig.6.2). Joncțiunea p-n se
obține prin alierea pastilei de
impuritate donoră din indiului
In în cristalul de germaniu Ge
Figura 6.2 – Metode de obținere a de tipul n. În acest caz indiul
joncțiunilor: a – prin aliere; b – prin difuzie topit parțial difuzează în
germaniu, formând în
regiunea apropiată a cristalului a unui strat subțire cu germaniu de tipul p.
Regiunea cu conductivitate prin goluri (tipul p) a u rezistivitate foarte mică și
reprezintă emitorul față de cristalul de germaniu de tipul n cu rezistivitate
mare, numită baza diodei.
 O astfel de diodă este reprezentată în fig. 6.3. De la emitor este extras

Ge electrod
tip p emitor
In

Ge tip n

electrod baza

Figura 6.3 –
Construcția diodei
din Ge prin aliere

electrodul numit anod, iar de la Figura 6.4 - Diodă redresoare: a –

bază – catodul. În figura 6.4 structura internă; b – simbolul tehnic; c -
este reprezentată dioda vedere generală; A – anod; B – suport
redresoare: structura internă, pentru cristal; C – cristal de tipul n; D –
simbolul tehnic și vederea cristal p; E – conductor spre anod; F –
generală. izolator; G – capsula; H – catod
Pentru diodele din siliciu cu joncțiuni planice confecționate prin aliere se
folosesc: aluminiu Al și borul B.
În diodele cu joncțiuni confecționate prin difuziune la temperaturi înalte
se dopează impuritatea în germaniu ori siliciu din mediul cu vapori de
impurități. În majoritatea cazurilor construcțiile sunt introduse în capsule de
material plastic ori metal. În cazul capsulei metalice ea are destinație de
protecție asupra factorilor externi precum și ca radiator pentru emiterea căldurii
de la joncțiune în exterior. Există și diode fără capsule, care pe viitor pot fi
utilizate în componența microcircuitelor integrate hibride. Conform curentului
direct nominal diodele redresoare se împart în: diode de putere joasă (Idir.nom <
0,3A); diode de putere medie (Idir.nom = 0,3 … 10 A); diode de putere mare
(Idir.nom > 10 A). Pentru micșorarea pierderilor de putere, la polarizarea directă,
e necesar de obținut căderi de tensiune minimale. De obicei căderea de
tensiune la polarizarea directă a diodelor din germani constituie Udir = (0,3 …
0,6) V, iar pentru cele din siliciu Udir = (0,8 … 1,2) V.
Funcționarea diodei redresoare este bazată pe proprietatea de bază a
joncțiunii p-n – conducția unidirecțională.
Caracteristica de bază a diodelor redresoare este caracteristica curent-
tensiune. În fig. 6.5 sunt reprezentate caracteristicele pentru diode din
germaniu și siliciu, pe una și aceiași sistemă de coordonate, pentru a compara
unele asemănări și deosebiri dintre aceste diode. Pe axele de coordonate la
polarizarea directă, curentul poate lua valori, de la zecimi la unități de amperi,
tensiunea directă – de la zecimi până la unități de volt. La polarizarea indirectă
curenții sunt de ordinul unități la zeci de microamperi, iar tensiunea indirectă de
ordinul sutelor de volți.
Dacă analizăm caracteristicele la polarizarea directă (fig. 6.4) se observă că la
unul și același curent direct nominal Idir.nom, căderea de tensiune pe joncțiunea din
germaniu Udir.Ge este mai mică (avantaj, pierderi reduse), la polarizarea indirectă, la
una și aceeași tensiune indirectă Uind.nom, curentul indirect mai mic trece prin dioda
din siliciu (avantaj, mai pronunțată conducția unidirecțională).

Figura 6.5 – Caracteristicile curent – tensiune pentru

diode redresoare din germaniu și siliciu
Deci diodele din siliciu au mult mai mici curenți indirecți la aceleași
tensiuni indirecte față de diodele din germaniu. Tensiunile indirecte admisibile
la diodele din siliciu pot atinge valori de (1000 … 1500) V, pe când la diodele
din germaniu – (100 … 400) V. Diodele din siliciu pot funcționa în gamele de
temperaturi (-60 … +150) oC, iar cele din germaniu – (-60 … +85) oC. Aceasta
se datorește faptului că la diodele din germaniu la temperaturi peste 85oC brusc
crește conductivitatea intrinsecă, care duce la creșterea inadmisibilă a
curentului indirect. Dat fiind faptul că căderea de tensiune la polarizarea directă
la germaniu este mai mică, diodele din Ge se folosesc mai des în circuitele cu
tensiuni joase.
 Diodele din arseniura de galiu au indici aproximativ asemănători cu cele
din siliciu.
Parametrii de bază:
 Curentul continuu direct nominal Idir.nom - valoarea curentului
continuu direct care poate circula prin diodă, în lipsa componentei alternative,
un timp îndelungat, la încălzirea admisibilă a diodei;
 Tensiunea continuă directă nominală Udir.nom – tensiunea continuă
directă, care corespunde curentului Idir.nom;
 Curentul continuu direct maximal Idir.max – valoarea limită a
curentului continuu maximal, care nu poate fi depășit.
 Tensiunea continuă directă maximală Udir.max – valoarea limită a
tensiunii continue directe, care corespunde Idir.max.
 Curentul continuu indirect nominal Iind.nom – valoarea curentului
indirect la tensiunea continuă indirectă dată;
 Tensiunea indirectă la curent continuu Uind – valoarea tensiunii
continue indirecte la curentul Iind.nom.
 Curentul direct de vârf IFM – valoarea maximă a curentului sinusoidal
în sens direct, în regim permanent;
 Tensiunea directă de vârf UFM – valoarea maximă a tensiunii
sinusoidale directe la curentul de vârf;
 Tensiunea inversă maximă de vârf Uind.max – valoare tensiunii
maximale indirecte (ea se alege cu 20% mai mică ca tensiunea de străpungere
Uind.max = 0,8·Ustr);
 Curentul direct maximal impulsionar Idir.im – valoarea curentului
maximal la aplicarea unui impuls prin diodă;
 Tensiunea directă maximală impulsionară Udir.im. – valoarea tensiunii
pentru Idir.im;
 Temperatura ori gama temperaturilor de lucru Tj (∆Tj);
 Gama frecvențelor de lucru ∆F.
Parametrii determinați din caracteristica curent – tensiune:
 Panta caracteristicii S:
∆𝐼𝑑𝑖𝑟 𝑚𝐴
𝑆= � �;
∆𝑈𝑑𝑖𝑟 𝑉
 Rezistența la polarizarea directă Rdir:
∆𝑈𝑑𝑖𝑟
𝑅𝑑𝑖𝑟 = [Ω];
∆𝐼𝑑𝑖𝑟
 Rezistența la polarizarea indirectă Rind:
 ∆𝑈𝑖𝑛𝑑
𝑅𝑖𝑛𝑑 = [Ω];
∆𝐼𝑖𝑛𝑑
 Factorul de redresare kred:
𝑅𝑖𝑛𝑑 ∆𝐼𝑑𝑖𝑟
𝑘𝑟𝑒𝑑 = [ . ]; 𝑘𝑟𝑒𝑑 = [ .] .
𝑅𝑑𝑖𝑟 ∆𝐼𝑖𝑛𝑑
La elaborarea circuitelor de redresare poate apărea necesitatea să se
obțină un curent redresat care ar depăși curentul admisibil al diodei. În acest
caz se folosește cuplarea paralelă a diodelor de același tip (fig. 6.6,a).
Pentru egalizarea curenților, care circulă prin diode, consecutiv cu
diodele se cuplează rezistoare ohmice adiționale Rad cu valori de câțiva ohmi;
Figura 6.6 –
Conectarea
în paralel
(a) și serie
(b) a
diodelor
redresoare
În circuitele de redresare deseori se folosesc și conexiunile serie a
diodelor redresoare (fig. 6.6,b). În acest caz tensiunea se repartizează între toate
diodele. Pentru un lucru fiabil a diodelor în paralel cu fiecare diodă se cuplează
câte un rezistor șunt Rș cu rezistențe (de ordinul 100 kΩ) pentru egalizarea
rezistențelor indirecte. În acest caz căderile de tensiuni pe toate diodele vor fi
egale.
Marcarea diodelor redresoare: Marcarea constă din următoarele
elemente: 1- cifră sau literă care indică materialul, (1,Г – germaniu, 2,K-
siliciu, 3,A- arseniură de galiu);2 – litera Д – diodă redresoare; 3 – cifră, care
indică puterea de disipație (1-putere joasă, 2-putere medie);4 – două cifre de
la 01…99 – numărul de elaborare; 5 – literă de la A…Я –subgrupa
parametrilor conform procesului tehnologic. (KД102Г).

Diode stabilizatoare (Zener)

Diodele Zener sunt numite diode semiconductoare care utilizează specificul

caracteristicii curent-tensiune, la polarizarea indirectă în domeniul de străpungere
electrică când curentul variază în limite mari la variații relativ mici a tensiunii.
Această proprietate este utilizată pe scară largă la crearea dispozitivelor speciale -
stabilizatoare (Zener) de tensiune.
 Diodele Zener de joasă tensiune se bazează pe siliciu puternic dopat. În acest caz,
lățimea joncțiunii p-n se dovedește a fi foarte mică, iar intensitatea câmpului electric al
barierei potențiale este foarte mare, ceea ce creează condiții pentru apariția străpungerii
tunel. În cazul joncțiunilor cu lățimi mari străpungerea poartă un caracter de avalanșă. La
tensiuni de stabilizare de la 3 până la 6 V, în joncțiunile p-n se observă practic
străpungerea tunel. În gama de la 6 până la 8 V, au loc străpungerile atât tunel cât și prin
avalanșă, iar în intervalul 8... 200 V – numai avalanșă.

Figura 6.19 – Construcția carcasei (a), caracteristica curent-tensiune (b)

și simbolul tehnic al diodei Zener (c)

Parametrii de bază ai diodelor Zener:

1. Tensiune de stabilizare Ust – tensiune pe o diodă Zener la trecere prin diodă a
curentului de stabilizare;
2. Curentul de stabilizare Ist – valoarea curentului continuu, care curge prin dioda
Zener în regimul de stabilizare;
3. Rezistența diferențială a diodei Zener
∆𝑈𝑠𝑡
𝑟𝑑𝑖𝑓 = ,
∆𝐼𝑠𝑡
4. Coeficientul termic al tensiunii de stabilizare ɑst –
1 ∆𝑈𝑠𝑡 %
𝛼𝑠𝑡 = ∙ ∙ 100% � 𝑜 �.
𝑈𝑠𝑡 ∆𝑇 𝐶

Parametrii limită ai diodelor Zener:

1. Curentul minim admisibil de stabilizare Ist.min – cel mai mic curent de stabilizare
la care tensiunea de stabilizare Ust se încadrează în limitele specificate;
 2. Curentul maxim admisibil de stabilizare Ist.max – curent maximal dioda Zener, la
care tensiunea de stabilizare Ust se află în limitele specificate iar temperatura joncțiunii nu
depășește pe cea admisibilă;
3. Puterea de disipație maximă admisibilă Pmax – puterea, la care nu apare
străpungerea termică a joncțiunii.
Concluzii:
1. Dioda Zener – diodă din siliciu, care funcționând cu tensiune indirectă în regim
de străpungere electrică.
2. Tensiunea de stabilizare necesară se obține alegând concentrația adecvată de
impurități în baza diodei.
Dioda stabistoare
Stabistorul – reprezintă o diodă semiconductoare, tensiunea pe care în
regiunea polarizării directe este slab dependentă de curentul din gama specificată și
care este destinată pentru stabilizarea tensiunii.
Stabilizarea tensiuni de curent continuu poate fi obținută și atunci când dioda
este polarizată direct, utilizând regiunea abruptă a ramurii polarizării directe a
caracteristicii curent-tensiune (fig. 6.22).
La schimbarea curentului direct în intervalul de la Ist.min până la Ist.max căderea
de tensiune se va modifica într-un interval relativ mic ∆U.

Figura 6.22 – Caracteristica curent-tensiune a stabistorului

Diodele de siliciu: destinate acestui scop, se numesc stabistoare. Pentru
fabricarea stabistoarelor, se utilizează siliciu cu o concentrație înaltă de impurități,
care este necesară pentru a obține o rezistență mică și o mică dependență de
temperatură a regiunii directe a caracteristicii curent-tensiune.
În comparație cu diodele Zener, stabistorii au o tensiune de stabilizare mai
mică, determinată de căderea directă de tensiune pe diodă, și care este de
aproximativ 0,7 V. Conexiunea în serie a două ori trei stabistoare permite obținerea
unei valori dublă sau triplă a tensiunii de stabilizare. Unele tipuri de stabistoare
reprezintă un singur dispozitiv cu o conexiune serială a elementelor individuale.
Parametrii de bază ai stubistoarelor sunt aceiași ca și ai diodelor Zener.

2.7. Dioda varicap

Varicapul – este o diodă semiconductoare în care, se utilizează capacitatea de
barieră a joncțiunii p-n la polarizarea indirectă.
În acest fel, dioda varicap poate fi considerată ca un condensator, a cărui capacitate
poate fi reglată cu ajutorul unui semnal electric. Valoarea maximală a capacității diodei
varicap va fi în cazul când tensiune indirectă este nulă. Cu creșterea tensiunii indirecte
capacitatea diodei varicap se micșorează. În fig.6.18 este reprezentată dependența
capacității diodei varicap KB216A-5 față de tensiunea indirectă, caracteristica volt-faradă.
Parametrii de bază ai diodei varicap:

Figura 6.18 – Dioda varicap KB126A-5: a – caracteristica curent-tensiune;

b – construcția; c – simbolul tehnic al diodei varicap
1. Capacitatea nominală Cn – capacitatea dintre terminale, măsurată la o tensiune
indirectă dată;
2. Factorul de calitate al varicapului Q – raportul dintre rezistența reactivă a
varicapului la o frecvență dată și rezistența la pierderi la capacitatea ori tensiunea indirectă
date;
3. Factorul de suprapunere a capacității KC – raportul dintre capacitatea maximă
Сmax a diode varicap către capacitatea sa minimă Cmin la două tensiuni indirecte date:
 𝐶𝑚𝑎𝑥
𝐾𝑐 = ;
𝐶𝑚𝑖𝑛
4. Coeficientul termic al capacității ɑ - schimbarea relativă a capacității
varicapului la variația temperaturii ambiante cu un grad:
∆C %
ɑ= ∙ 100% � o �.
C ∙ ∆T C

Diode tunel
Dioda tunel este o diodă semiconductoare bazată pe un semiconductor degenerat,
în care efectul tunel duce la apariția unei regiuni cu rezistență diferențială negativă
caracteristica curent-tensiune la polarizarea directă.
Pentru fabricarea diodelor de tunel se utilizează un material semiconductor cu o
concentrație de impurități foarte înaltă (1018 … 1020 cm-3), ca urmare a căreia se obține o
grosime mică a joncțiunii (aproximativ 10-2μm), care este cu două ordine de mărime mai
mică decât în alte diode semiconductoare, iar prin bariera de potențiale subțire este
posibilă tunelarea purtătorilor de sarcină liberi.
În fig. 6.13 este prezentată caracteristica curent-tensiune a unei diode tunel la
polarizarea directă.

Fugura 6.13 – Dioda tunel din seria 1И104: a- caracteristica curent-tensiune la

polarizarea directă; b – forma constructivă, c – simbolul tehnic al diodei tunel
Parametrii diodelor tunelului sunt (fig. 6.14, a);
1. Curentul de vârf Ivrf – valoarea curentului direct în punctul maxim al
caracteristicii curent tensiune;
2. Curent de vale Ival – valoarea curentului direct în punctul minimul al
caracteristicii curent-tensiune;
 3. Tensiunea de vârf Uvrf – valoarea tensiunii directe corespunzătoare curentului de
vârf;
4. Tensiunea de vale Uval – valoarea tensiunii directe corespunzătoare curentului de
vale;
6. Tensiunea solubilității Ussl – valoarea tensiunii directe pe a doua ramură de
creștere a caracteristicii curent-tensiune când curentul atinge valoarea de vârf.
Funcționarea diodei tunel este ilustrată în diagramele din figura 6.14.
În starea de echilibru a sistemului, nivelul Fermi este constant pentru ambele
regiuni ale diodei semiconductoare (aliniat după o dreaptă), prin urmare, alte niveluri de
energie sunt îndoite atât de puternic, încât nivelul inferior al benzii de conducție, din

Figura 6.14 – Diagramele benzilor energetice, care explică caracterizarea

caracteristicii curent – tensiune a diodei tunel
regiunea n Ec.p să fie mai jos ca vârful benzii de valență, din regiunea p Ev.p , și întrucât
joncțiunea este foarte îngustă, atunci purtătorii de sarcină pot trece dintr-o regiune în alta
fără a-și schimba energia sa, pot trece prin bariera de potențiale, adică tunel să tuneleze
(fig. 6.14, b).
În stare de echilibru, fluxurile purtătorilor dintr-o regiune și alta sunt aceleași,
astfel încât curentul rezultat este zero. Sub acțiunea câmpului extern diagrama energetică
se schimbă. La aplicarea tensiunii directe, nivelul Fermi și poziția benzilor de energie se
vor schimba în raport cu starea de echilibru în direcția micșorării barierei de potențiale, și
în acest caz gradul de suprapunere între nivelul superior al benzii de valență din regiunea p
și nivelul inferior din regiunea n se micșorează (fig. 6.14, c). În acest caz, în banda de
conducție a materialului de tipul n, nivelurile ocupate de electroni (sub nivelul Fermi) se
vor afla opuse nivelurilor libere ale benzii de valență a materialului de tipul p, ceea ce va
duce la apariția unui curent datorită unui număr mare de electroni care trec din regiunea n
în regiunea p. Valoarea maximă a acestui curent va fi atunci când nivelul Fermi al regiunii
n și vârful benzii de valență a regiunii p vor coincide (fig 6.14, d). La creșterea de mai
departe a tensiunii directe, mișcarea de tunelare a electronilor din regiunea n în p va începe
să scadă (fig. 6.14, e), întrucât numărul lor scade odată cu scăderea gradului de
suprapunere dintre fundul benzii de conducție a regiunii n și vârful benzii de valență a
regiunii p. În punctul în care aceste niveluri coincid, curentul direct al joncțiunii atinge o
valoare minimă (fig. 6.14, f), și apoi, când mișcările de tunelare devin imposibile (fig.
6.14, g), purtătorii de sarcină vor depăși bariera potențială datorată difuziei, iar curentul
direct va începe să crească, ca la diodele obișnuite.
Când se aplică o tensiune inversă asupra diodei tunel, bariera potențială crește, iar
diagrama energetică va arăta ca în (fig.6.14, h). Deoarece numărul de electroni cu energii
peste nivelul Fermi este nesemnificativ, atunci curentul indirect al joncțiunii p-n în acest
caz va crește, în principal, datorită electronilor care tunelează din regiunea p în n, în plus,
din cauza concentrației mari de electroni în adâncimea benzii de valență a regiunii p,
atunci chiar și o mică creștere a tensiunii indirecte și schimbarea nesemnificativă asociată
a nivelurilor de energie vor duce la o creștere semnificativă a curentului indirect.
Procesele luate în considerare ne permit să concluzionăm că diodele tunel conduc
curentul la fel de bine la orice polaritate a tensiunii aplicate, adică nu au proprietatea
conducției unidirecțională. Mai mult, curentul lor indirect este de multe ori mai mare decât
curentul invers al altor diode. Această proprietate este utilizată în alt tip de dispozitiv
semiconductor – dioda inversată.
Concluzii:
1. O caracteristică distinctivă a diodelor tunel este prezența unei regiuni cu
rezistență diferențială negativă pe ramura directă a caracteristicii curent-tensiune. Acest
lucru permite utilizarea diodei tunel ca element de amplificare.
2. Efectul tunelului este atins datorită concentrației înalte de impurități în
regiunile p și n.
 3. Deoarece apariția curentului de tunelare nu este legată de injectarea
purtătorilor de sarcină, diodele tunel au o inerție scăzută, ca urmare, pot fi utilizate pentru
a amplifica și genera oscilații de înaltă frecvență.

Dioda inversată
Dioda inversată reprezintă o diversitate a diodei tunel, în care concentrația de
impurități este selectată în așa fel încât în starea de echilibru în lipsa tensiunii externe,
vârful benzii de valență a regiunii p coincide cu nivelul inferior al benzii de conducție al
materialului n (fig. 6.15)

Figura 6.15 – Diagrama energetică a diodei inversate

În acest caz, efectul de tunelare va avea loc numai la valori minimale ale tensiunii
indirecte și caracteristica curent-tensiune a unui astfel de dispozitiv va fi similară cu
regiunea inversă a caracteristicii curent-tensiune a diodei tunel (fig. 6.16) .

Figura 6.16 – Caracteristica curent-tensiune a unei diode inversate tip

Prin urmare, curenții indirecți ai diodelor inversate se dovedesc a fi destul de mari la
tensiuni inverse foarte mici (zeci de milivolți).
La o tensiune directă asupra joncțiunii p - n, curentul direct este asociat cu difuzia
purtătorilor peste barieră de potențiale scăzută și caracteristica sa curent-tensiune este
similară cu ramura directă a caracteristicii curent-tensiune a unei diode obișnuite. Prin
urmare, curentul direct se formează doar ca rezultat al injectării purtătorilor peste bariera
de potențiale a joncțiunii p-n, doar la tensiuni directe de câteva zecimi de volt. La tensiuni
directe mai mici curenții direcți în diodele inversate sunt mai mici decât cei indirecți.
În acest fel, această diodă are o rezistență redusă la curentul indirect și comparativ
mare pentru curentul direct. Prin urmare, acestea sunt utilizate atunci când este necesar să
se redreseze semnale electrice foarte slabe cu valori de fracțiuni mici de volt.
În aceste cazuri, se conectează în așa mod ca joncțiunea să se polarizeze indirect, de
unde și provine denumirea de diodă inversată.