Tipurile de diode pe care le cunosc includ:

a. Diode redresoare b. Diode Zener c. Diode Schottky d. Diode tunel e. Diode cu joncțiune p-n
îngropată (PIN diode) f. Diode cu joncțiune p-n dublă (Double-drift diode) g. Diode Varicap (diode
cu capacitate variabilă) h. Diode fotovoltaice i. Diode cu joncțiune Schottky (Schottky Barrier
diode) j. Diode cu barieră hot-carrier (Hot-carrier diode)
Caracteristica ideală a unei diode redresoare este o treaptă abruptă de la zero la tensiunea de prag
înainte, după care curentul crește rapid, având o rezistență infinită în polarizare inversă.
Caracteristica reală a diodei redresoare poate avea o tensiune de prag înainte finită și o rezistență
inversă mică, care poate varia în funcție de temperatura și alte condiții.
Rezistența diferențială inversă a diodei redresoare este de obicei mare și depinde de tensiunea
inversă aplicată, crescând exponențial cu aceasta. În schimb, diodele Zener au o rezistență
diferențială inversă mult mai mică și stabilă, chiar în zona de străpungeri.
Caracteristica volt-ampere a unei diode redresoare este o linie dreaptă în regim direct, începând de la
origine și cu o înclinare corespunzătoare tensiunii de prag înainte. În regim invers, curentul este
foarte mic până când tensiunea inversă atinge tensiunea de străpunere, după care curentul crește
rapid. Ecuația matematică care descrie comportamentul diodei în regim direct este dată de legea lui
Ohm modificată pentru diode:
unde I este curentul prin diodă Is este curentul de saturație inversă, V este tensiunea aplicată pe
diodă, n este factorul de idealitate și Vt este tensiunea termică, aproximativ 26 mV la temperatura
camerei.
Tipurile de străpungeri ale juncțiunii includ străpungerea Zener și străpungerea avalanche.
Materialul semiconductor cel mai frecvent utilizat la fabricarea diodelor Zener este siliciul dopat cu
impurități specifice pentru a obține niveluri de dopaj adecvate pentru străpungerea Zener. Dopanții
obișnuiți includ boro-ul pentru dopajul de tip p și fosforul pentru dopajul de tip n.