Dioda semiconductoare referat

RIEDEL ANDREI

Grupa 421 B

Dioda semiconductoare

Scopul lucrarii:

Masurarea caracteristicilor statice ale unor diode semiconductoare si analizarea comportarii diodelor in

regim dinamic la semnal mic, joasa frecventa.

Considerente teoretice:

Diodele semiconductoare sunt dispozitive formate dintr-o jonctiune pn. Analizand fenomenele fizice

care apar intr-o jonctiune pn ideala la aplicarea unui tensiuni din exterior se deduce relatia de
legatura:

 unde I0 este curentul de saturatie al diodei;

g este un coeficient care ia valori intre 1 si 2

Pentru VD>0 dioda este polarizata direct si curentul depinde exponential de tensiune:

Reprezentarea la scara logaritmica a dependentei curent/tensiune permite determinarea curentului de

saturatie prin extrapolare pana la VD=0, iar prin calcularea contrapantei se obtine valoarea

lui g 
La curenti mari apare o tensiune mai mare datorita rezistentei materialului adiacent jonctiunii,

Rs:  .

Pentru vD<0 dioda este polarizata invers iar pentru vD<-(3…4)gkT/q rezulta iD= -I0.

La o anumita valoare a tensiunii inverse  aplicate (tensiunea de strapungere poate apare efectul

Zenner sau fenomenul de multiplicare in avalansa, care se manifesta printr-o crestere abrupta a
curentului – acesta nu mai poate fi limitat decat de circuitul exterior.

Faptul ca in strapungere tensiunea este practic constanta a dus la folosirea diodelor ca stabilizatoare

de tensiune (Zenner).

In cazul in care tensiunea prin dioda prezinta mici variatii v d cu amplitudinea Vd in jurul p.s.f.-ului,
curentul prin dioda va prezenta deasemenea variatii in jurul valorii statice I D.

Daca frecventa este relativ mica si amplitudinea indeplineste conditia de semnal mic atunci : v d(t)
=Ri id(t).

Ri = Rezistenta interna (dinamica).

Dioda K RK (kW ED (V) VD’ (V) ID (mA) lg(ID)

D1

D2

Dioda RK (kW VR=-VD ( ED’ (V) IR=-ID ( VD (V) ID (mA)

V) mA)
D1

D2

ED[V] k Rk[kW VZ[V] IZ[mA]

1.Polarizare directa VD>0;

2. Determinare VP=VD(eIDM)  din grafic : IDM=200mA si e=0.01

=> e*IDM=0.2mA => VP=VD(

3.Pentru ca tensiunea depinde de rezistenta materialului adiacent

jonctiunii p-n . pentru siliciu este mai mare.
4. 

5. Prin extrapolare pana la VD=0 putem calcula curentul I0 aprox. -

2.

 => g = (0.178-0.005)/(1.034+1.959) / 2.6

6.Polarizare inversaVD<0;
7. Pentru ca in primul caz , la scara logaritmica , s-a extras I0 prin
extrapolare la VD=0 si s-a neglijat ultimul termen din formula
logaritmica 1.3 .

8.Dioda stabilizatoare de tensiune ; Dioda 3

Dioda electroluminescenta :

Iled = 0.25 mA

Rled=1K W

Vled=2.51

ED=3.03

Dioda semiconductoare referat

RIEDEL ANDREI

Grupa 421 B

Dioda semiconductoare
Scopul lucrarii:

Masurarea caracteristicilor statice ale unor diode semiconductoare si analizarea comportarii diodelor in

regim dinamic la semnal mic, joasa frecventa.

Considerente teoretice:

Diodele semiconductoare sunt dispozitive formate dintr-o jonctiune pn. Analizand fenomenele fizice

care apar intr-o jonctiune pn ideala la aplicarea unui tensiuni din exterior se deduce relatia de
legatura:

 unde I0 este curentul de saturatie al diodei;

g este un coeficient care ia valori intre 1 si 2

Pentru VD>0 dioda este polarizata direct si curentul depinde exponential de tensiune:

Reprezentarea la scara logaritmica a dependentei curent/tensiune permite determinarea curentului de

saturatie prin extrapolare pana la VD=0, iar prin calcularea contrapantei se obtine valoarea

lui g 

La curenti mari apare o tensiune mai mare datorita rezistentei materialului adiacent jonctiunii,

Rs:  .

Pentru vD<0 dioda este polarizata invers iar pentru vD<-(3…4)gkT/q rezulta iD= -I0.

La o anumita valoare a tensiunii inverse  aplicate (tensiunea de strapungere poate apare efectul

Zenner sau fenomenul de multiplicare in avalansa, care se manifesta printr-o crestere abrupta a
curentului – acesta nu mai poate fi limitat decat de circuitul exterior.

Faptul ca in strapungere tensiunea este practic constanta a dus la folosirea diodelor ca stabilizatoare

de tensiune (Zenner).

In cazul in care tensiunea prin dioda prezinta mici variatii v d cu amplitudinea Vd in jurul p.s.f.-ului,
curentul prin dioda va prezenta deasemenea variatii in jurul valorii statice I D.
Daca frecventa este relativ mica si amplitudinea indeplineste conditia de semnal mic atunci : v d(t)
=Ri id(t).

Ri = Rezistenta interna (dinamica).

Dioda K RK (kW ED (V) VD’ (V) ID (mA) lg(ID)

D1

D2

Dioda RK (kW VR=-VD ( ED’ (V) IR=-ID ( VD (V) ID (mA)

V) mA)
D1

D2

ED[V] k Rk[kW VZ[V] IZ[mA]

1.Polarizare directa VD>0;
2. Determinare VP=VD(eIDM)  din grafic : IDM=200mA si e=0.01
=> e*IDM=0.2mA => VP=VD(

3.Pentru ca tensiunea depinde de rezistenta materialului adiacent

jonctiunii p-n . pentru siliciu este mai mare.

4. 
5. Prin extrapolare pana la VD=0 putem calcula curentul I0 aprox. -
2.

 => g = (0.178-0.005)/(1.034+1.959) / 2.6

6.Polarizare inversaVD<0;

7. Pentru ca in primul caz , la scara logaritmica , s-a extras I0 prin

extrapolare la VD=0 si s-a neglijat ultimul termen din formula
logaritmica 1.3 .

8.Dioda stabilizatoare de tensiune ; Dioda 3

Dioda electroluminescenta :

Iled = 0.25 mA

Rled=1K W
Vled=2.51

ED=3.03