DIODA SEMICONDUCTOARE

Introducere teoretica
Dioda semiconductoare (redresoare) este un dispozitiv electronic alcatuit dintr-o
jonctiune p-n. Este utilizata in principal la redresarea curentului alternativ.

Figura 1. Structura si simbolul DS

Figura 2. Diode reale. Catodul este marcat cu o banda

Dependenta grafica a curentului prin dispozitiv in functie de tensiunea aplicata se

numeste caracteristica statica.
La dioda semiconductoare aceasta dependenta este exponentiala, urmarind aproximativ
dependenta teoretica data de ecuatia JPN ideale:

 v  
i A  I 0 exp A   1
  VT  

Figura 3. Caracteristica ideala Figura 4. Caracteristica statica a

versus reala la o DS diodei de Ge si a diodei de Si

Scopul lucrarii este trasarea caracteristicii statice experimentale directe a unei diode de
Si si a unei diode de Ge si determinarea din caracteristica a parametrilor diodelor studiate:
tensiunea de deschidere VD si rezistenta dinamica medie rdm.

1
 Modul de lucru
Se realizeaza curcuitul din schema din Figura5 folosind pe rand o dioda de Si si apoi o
dioada de Ge.

Figura 5. Schema circuitului de masura

Se variaza tensiunea generatorului la valorile din tabel si se masoara curentul

corespunzator prin dioda.

Dioda Si
VA 0 0.2 0.4 0.5
(V)
IA 5 7.5 10 12.5 15 17.5 20 25
(mA)

Dioda Ge
VA 0 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
(V)
IA
(mA)

Folosind datele din tabele se traseaza graficul IA(VA) pentru fiecare dioda.

Tensiunea VD reprezinta valoarea tensiunii pozitive de la care dioda practic conduce si

se numeste tensiune de deschidere. Valoarea ei depinde de semiconductorul de baza din
dioda
VD (Ge)=0.2 – 0.3 V VD (Si)=0.6 – 0.7 V

Pentru a determina tensiunea de deschidere se duce tangenta la portiunea cvasi-liniara a

caracteristicii si se citeste valoarea tensiunii de la intersectia cu axa x.

2
 Figura 6. Determinarea tensiunii de deschidere VD de pe caracteristica experimentala

Pentru a determina rezistenta dinamica medie corespunzatoare portiunii cvasiliniare a

caracteristicii pentru fiecare dioda, se fiteaza liniar punctele de pe aceasta portiune a
caracteristici. Se determina prin fit liniar panta portiunii liniare a caracteristicii diodei, avand
grija sa se transforme valorile curentului in Amperi. Se calculeaza inversul acestei pante, care
este contrapanta, si care este numeric egala cu rezistenta medie a diodei in regiunea
respectiva a caracteristicii statice. Alternativ, se poate calcula direct contrapanta din grafic,
construind un triunghi drept-unghic ca in figura si calculand de pe grafic tangenta unghiului
.

1 1
rd    contrapant a
di panta
dv M

Figura 7. Determinarea rezistentei dinamice medii a DS

Se trec pe grafic valorile VD si rdm pentru fiecare caracteristica.