3.

TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP

tip MOS

REZUMAT TEORETIC

 Simbol
TEC-MOS cu canal n indus

Ca şi la TEC-J, terminalele (electrozii) au următoarele denumiri: D-drenă, S - sursă şi G-

grilă (poartă). Sensul săgeţii este întotdeauna de la p la n (ca la diodă). Canalul cu linie
întreruptă este de tip indus, iar cel cu linie continuă este de tip iniţial.
Cele două tipuri de TEC-MOS cu canal n şi cu canal p sunt echivalente dacă se schimbă
semnele tensiunilor aplicate între terminale.
 Structura TEC-MOS
Structura simplificată a tranzistorului TEC-MOS cu canal n indus este arătată în
fig.3.1.

Fig. 3.1.

1
 Într-un substrat semiconductor slab impurificat de tip p se crează
+
prin difuzie două regiuni puternic dopate de tip n care constituie sursa S şi
respectiv drena D. Pe semiconductor se formează un strat de bioxid de siliciu
( SiO 2 ) obţinut prin oxidare termică, iar peste acesta se depune un strat metalic
de aluminiu care constituie grila G (poarta). Substratul constituie al patrulea
electrod (baza), care se conectează de obicei la sursă.
Prin aplicarea unei tensiuni pozitive pe grilă în raport cu substratul p,
câmpul electric din stratul de bioxid de siliciu orientat către semiconductor va
atrage în apropierea suprafeţei de separaţie electronii de conducţie şi va
îndepărta golurile. Astfel, între sursă şi drenă se acumulează un strat superficial
de electroni de conducţie numit strat de inversiune de tip n, care reprezintă
canalul conductor ce poate conduce un curent electric. Tensiunea la care începe
să circule curent între drenă şi sursă se numeşte tensiune de prag şi se notează
V P . Pentru TEC-MOS cu canal n indus, tensiunea de prag V P este pozitivă şi
are o valoare tipică în jur de 2V.

CIRCUITE CU TEC-MOS

1. Inversorul MOS.

Fig. 3.2. Inversorul MOS

Se dau: (BS170); RD=1,8K; ED=10 V

Să se măsoare:
a) tensiunea de alimentare
v
b) tensiunea de ieşire 0 pentru impulsuri dreptunghiulare unipolare cu
amplitudine reglabila pana cand tranzistorul comută.

2
2. Fie circuitul din fig. 3.3.

Se dau: , , ED=10 V

Fig. 3.3.

A) Măsurări în c.c. (Nu se conectează vi)

a) Tensiunea de alimentare ED
b) Determinarea PSF (VGS, VDS, ID).: (Masurati VGS si VDS; calculati
ID=(ED-VDS)/RD)
c) Determinați regimul de funcționare (sat.) al tranzistorului verificând
inegalitatea VDS >= VGS-VP

B) Măsurări în c.a. Conectăm tensiunea sinusoidală vi:

a) Determinaţi amplificarea de tensiune pentru semnal mic si la frecvente

medii (amplificarea liniara si intrarea in limitare) (vi= 0.. 300mV)
b) Determinaţi valorile instantanee totale (vGS, vDS), adica suma dintre
componenta continua (PSF) si cea alternativă.

3
3. Fie circuitul din fig. 3.4
.
Se dau: , RG1= 100k, RG2=200k

Fig. 3.4.

A) Măsurări în c.c. (Nu se conectează vi)

a) Tensiunea de alimentare ED
b) PSF (Masurati VGS si VDS; calculati ID=(ED-VDS)/RD)
c) Determinați regimul de funcționare al tranzistorului verificând
inegalitatea cunoscută.

B) Măsurări în c.a. Conectăm tensiunea sinusoidală vi:

a) Amplificarea de tensiune pentru semnal mic si la frecvente medii

(amplificarea liniara si intrarea in limitare)
b) Se adauga o sarcina suplimentara R L=1,8K. Cat este amplificarea in
acest caz? Comparati-o cu cea de la punctul anterior.
c) Valorile instantanee totale (vGS, vDS), adica suma dintre componenta
continua si cea alternativa.