Lucrare de laborator nr.

4
TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP TEC-J

1. INTRODUCERE
Tranzistoarele cu efect de câmp (TEC) se bazează pe controlul efectuat de un câmp electric
asupra curentului care trece prin dispozitiv. Curentul electric trece printr-un canal conductor, a cărui
conductanţă depinde de valoarea câmpului electric de control.
Curentul este format dintr-un singur tip de purtători de sarcină, care se deplasează de la un
capăt al canalului, numit sursă (S), la celălalt capăt numit drenă (D). Deplasarea purtătorilor are loc
datorită diferenţei de potenţial aplicată între drenă şi sursă.
Câmpul electric care modulează conductanţa acestui canal provine din tensiunea aplicată pe
un al treilea electrod, electrodul de control, numit grilă (G) sau poartă (P).
Tranzistoarele cu efect de câmp se mai numesc şi tranzistoare unipolare, deoarece la
conducţia curentului electric participă un singur tip de purtători de sarcină mobili şi anume
purtătorii majoritari din canal.
După tipul de purtători care participă la conducţia curentului electric există două categorii de
tranzistoare cu efect de câmp: TEC cu canal n, când purtătorii mobili sunt electronii, şi TEC cu
canal p la care curentul electric este dat de goluri.
După modul în care se face controlul conducţiei canalului, există două tipuri de TEC: TEC
cu joncţiune, prescurtat TEC-J care se studiază în această lucrare, şi TEC cu poarta izolată numite şi
TEC metal-oxid-semiconductor, prescurtat TEC-MOS.

2. DESCRIEREA FUNCŢIONĂRII TEC-J

La baza funcţionării TEC-J stau următoarele proprietăţi ale joncţiunii pn:
- regiunea de sarcină spaţială se comportă ca un mediu dielectric;
- adâncimea de pătrundere în zona n depinde de polarizarea joncţiunii pn şi de gradul de dopare
cu impurităţi a zonei n;
- lărgimea canalului depinde de tensiunea de poartă Up.
La TEC-J electrodul de control (grila) îl constituie o joncţiune pn, polarizată invers. Pe un
substrat puternic dopat de tip p se formează o zonă de tip n care va constitui canalul, aşa cum se
poate vedea în figura 1.

Fig. 1. Structura fizică a unui TEC-J cu canal n

O difuzie p+ se execută pentru a realiza joncţiunea pn între poartă şi canal. Se realizează
contacte ohmice la cele două capete ale canalului pentru sursă şi drenă.
Canalul dintre sursă şi drenă este delimitat de regiunile de trecere ale joncţiunilor pe care le
formează cu grila şi substratul. Dacă aceste joncţiuni se polarizează invers, regiunile de trecere
respective se extind pătrunzând în regiunea n, întrucât aceasta este mai slab dopată cu impurităţi
decât celelalte zone. Astfel, lărgimea efectivă a canalului se micşorează. Fenomenul este evidenţiat
în figura 2, în care se consideră cele două regiuni p+ legate împreună şi canalul echipotenţial.
Modificarea secţiunii acestui canal determină modificarea conductanţei sale Gc, adică
conductanţa măsurată între sursă şi drenă.
Extinderea regiunilor de trecere ale joncţiunilor se măreşte odată cu creşterea mărimii
tensiunii inverse aplicate joncţiunilor. Când această tensiune atinge valoarea de prag Up, regiunile
de trecere fac contact obturând canalul, a cărui conductanţă scade la zero.
Observaţie: substratul este, de obicei, conectat împreună cu poarta constituind electrodul de
poartă. Substratul poate constitui un al patrulea electrod, caz în care va avea rolul unei a doua porţi.
Efectul de câmp efectuat de electrodul grilă constă, deci, în variaţia lăţimii regiunii de trecere a
joncţiunii grilă-canal în funcţie de potenţialul aplicat grilei.

Fig. 2. Modificarea lărgimii canalului cu potenţialul aplicat grilei

Dacă joncţiunea grilă-canal este polarizată direct, prin această joncţiune va circula un curent
mare fără a determina o modificare importantă a conductanţei canalului. Conductanţa canalului se
poate pune în evidenţă prin modificarea curentului de drenă Id corespunzător unei tensiuni de drenă
-sursă mici.
Se observă, ca în figura 3, că panta caracteristicii Id=f(Ud) se modifică în funcţie de
valoarea tensiunii aplicate grilei. Se obţine o rezistenţă comandată în tensiune. Dacă tensiunea între
drenă şi sursă creşte în continuare, dependenţa curentului de drenă de tensiunea de drenă devine
neliniară datorită neechipotenţialităţii canalului.

Fig. 3. Caracteristicile statice de ieşire ale TEC-J

Aşa cum se poate observa în figura 4, potenţialul în canal va creşte în lungul canalului de la
sursă spre drenă. Acest potenţial, pozitiv faţă de sursa aleasă drept referinţă, măreşte tensiunea
inversă aplicată joncţiunii grilă-canal şi lărgimea regiunii de trecere a acesteia se micşorează. Spre
deosebire de configuraţia din figura 2, corespunzătoare valorii Ud=0 (sau Ud foarte mare), în
prezenţa tensiunii de drenă, canalul se îngustează pe măsură ce se apropie de drenă. Acestei
îngustări a canalului îi corespunde o micşorare a conductanţei sale, motiv pentru care curentul de
drenă Id creşte din ce în ce mai încet la creşterea tensiunii Ud aşa cum se poate observa în figura 4.
Caracteristicile statice ale tranzistorului TEC-J se împart în două categorii:
- caracteristici statice de ieşire, care dau dependenţa curentului de drenă de tensiunea drenă-sursă;
- caracteristici statice de transfer, adică dependenţa curentului de drenă în funcţie de tensiunea
grilă-sursă.

Fig. 4. Variaţia grosimii canalului cu tensiunea drenă-sursă

Caracteristicile enumerate mai sus sunt date în figura 5. Din caracteristica statică de ieşire se
observă că la o anumită valoare a tensiunii Uds regiunile de trecere penetrează în întregime canalul
în punctul A (fig. 4). Acest punct se găseşte la capătul dinspre drenă (unde potenţialul este cel mai
mare) al porţiunii înguste a canalului. Diferenţa de potenţial între poartă şi punctul A este tocmai
tensiunea de prag Up. La o tensiune Uds mai mare, ca urmare a extinderii în continuare a regiunilor
de trecere, apare o porţiune în care canalul constituit de materialul semiconductor de tip n este
întrerupt, ca în figura 4.c. La un tranzistor cu canal p rezultă aceleaşi configuraţii de canal şi
caracteristici statice, cu deosebirea că polarităţile tensiunilor şi sensul curentului trebuie inversate.
Simbolurile folosite pentru cele două tipuri de tranzistoare sunt date în figura 6.

Fig. 5. Caracteristicile statice de transfer şi de ieşire ale TEC-J

Fig. 6. Simbolurile tranzistoarelor TEC-J

 În cazul în care electrozii B(bază) şi G(grilă) sunt legaţi împreună, electrodul G nu se mai
reprezintă. Sensurile curentului de drenă şi polarităţile normale ale tensiunilor aplicate sunt date în
figura 6.
Parametrii tranzistorului TEC-J pe porţiunea liniară a caracteristicilor sunt:
- panta tranzistorului: S=d(Id)/d(Up), pentru Ud=ct.
- rezistenţa internă: Ri=d(Ud)/d(Id), pentru Up=ct.
- factorul de amplificare în tensiune: u=d(Ud)/d(Up)=S*Ri.

3. APARATE NECESARE: panou experimental, două voltmetre electronice, ampermetru,

două surse de tensiune reglabile 0-10 V (dacă panoul experimental nu are surse incluse).

4. DESFĂŞURAREA LUCRĂRII:
4.1. Se studiază referatul lucrării de laborator pentru fixarea principalelor noţiuni teoretice.
4.2. Se realizează schema electrică din figura 7.

Fig.7. Schema electrică a montajului experimental pentru ridicarea caracteristicilor

statice ale TEC-J canal n realizată cu programul EWB512

4.3. Se completează tabelul 1 pentru ridicarea caracteristicilor Id=f(Uds)/Up=const şi

Id=f(Ugs)/Uds=const.
Tabelul 1 - pentru datele experimentale a caracteristicii statice de transfer ale unui tranzistor
TEC-J cu canal n.

Ugs, [V] 0 -1 -2 -3 -4 -5
ID, [mA] 15 9,60 5,40 2,40 0,60 0
Tabelul 2 - pentru datele experimentale ale caracteristicilor statice de ieşire ale unui tranzistor TEC-J
cu canal n.

Uds [V] 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
Ugs [V]
0 0 5 9,6 11,9 13,8 14,8 15,12 15,25 15,37 15,5 15,62 15,75 15,87 16 16,5 18
-1,0 0 3,75 6,62 8,5 9,6 9,72 9,84 9,96 10,09 10,21 10,33 10,45 10,57 10,7 11 13
-2,0 0 2,75 5 5,52 5,64 5,76 5,88 6 6,12 6,24 6,36 6,48 6,6 6,9 7,4 10
-3,0 0 1,42 2,18 2,3 2,42 2,54 2,66 2,78 2,9 3,02 3,14 3,26 3,38 3,8 4,5 7

4.4. Se trasează grafic, pe hârtie milimetrică, caracteristicile de la punctul 4.3.

4.5. Din grafic se determină parametrii tranzistorului TEC-J: S, Ri şi u.
5.1. Pentru ridicarea caracteristicilor statice ale TEC-J canal n se realizează circuitul real din fig.8.

Fig. 8. Schema electrică a montajului experimental pentru ridicarea caracteristicilor statice

ale TEC-J canal n

6. BIBLIOGRAFIE
6.1. Ceangă E., ş.a.- Electronică industrială. E.D.P. Bucureşti,1981.
6.2.. Iliev Mircea, Popa Rustem, Iliev Voichiţa-Marcela - Dispozitive şi circuite electronice – partea
I-a. Editura Fundaţiei Universitare “Dunărea de Jos”, Galaţi, 2001.