Universitatea Politehnica din Bucuresti

Facultatea de Electronica, Telecomunicatii si Tehnologia informatiei

Proiect DCE

Student: Coordonator proiect:

Grupa: 435A Prof. Florin Draghici
 TEMA DE PROIECT:

Sa se proiecteze un oscilator RC cu punte WIEN avand urmatoarele

caracteristici:

a)Frecventa de oscilatie reglabila in intervalul 4-400 ( KHz ).

b)Sarcina la iesire Rl=12,5 ohm.

c)Control automat al amplitudinii de oscilatie realizat cu termistor.

d)Amplitudinea oscilatiei la iesire de 16V.

Circuitul va fi alimentat de la un stabilizator cu reactie si element

regulat /serie
Bibliografie:

www.dce.pub.ro

Dispozitive si circuite electronice-Dan Dascalu

 CUPRINS

CAP I - Generalitati
CAP II - Schema bloc a circuitului
CAP III - Schema electrica de detaliu si calculele de dimensionare
1 Amplificatorul de baza
2 Reteaua de reactie negative
3 Puntea Wien
CAP I Generalitati

Oscilatoare Armonice
Conditiile de oscilatie. Criteriul Barkhausen
Oscilatorul armonic este un circuit electronic care genereaza un semnal sinusoidal, pe
baza energiei furnizate de sursa de alimentare. In figura 1 se prezinta schema bloc a unui
amplificator cu reactie pozitiva, care poate deveni oscilator in anumite conditii.

In schemele bloc de mai sus, semnalele notate cu i X pot fi tensiuni sau curenti. Amplificarea
cu reactie rezulta:

Amplificatorul cu reactie pozitiva din Fig.1 devine oscilator daca fara semnal aplicat la intrare
(Xi=0)se obtine semnal la iesire ( X2<>0), ceea ce echivaleaza cu conditia:

Aceasta duce la conditia Barkhausen:

Intuitiv, aceasta formula implica reproducerea semnalului pe bucla de reactie pozitiva. In
general atit amplificarea A cit si factorul de transfer al retelei de reactie ß sunt marimi
complexe, astfel incit relatia Barkhausen intre numere complexe este echivalenta cu doua
conditii reale:
a) conditia de amplificare

b)conditia de faza

Frecventa de oscilatie osc w se determina din conditia de faza. Din conditia de modul se
determina amplificarea minima necesara pentru producerea oscilatiilor.

Clasificarea oscilatoarelor:

1 Dupa principiul de functionare:

-oscilatoare cu reactie negative
-oscilatoare cu rezistenta negative

2 Dupa domeniul de frecventa

-oscilatoare cu audiofrecventa(de la _Hz la 100 KHz)
-oscilatoare de radio frecventa (de la 100 KHz la 1GHz)
-oscilatoare de microunde(peste 1GHz)

3 Dupa natura retelei de reactie selective:

-oscilatoare RC(audio frecventa)
-oscilatoare LC(radioa frecventa si microunde)

Oscilatoare RC

Dupa tipul retelei utilizate oscilatoarele RC pot fi clasificate in urmatoarele grupe:

-oscilatoare cu retea WIEN

-oscilatoare cu retea de defazare
-oscilatoare cu retea dubla
Alte tipuri
Reteaua Wien

Structura retelei Wien cu atac in tensiune in forma generala este data mai jos:

Comportarea in frecventa a circuitului poate fi intuita tinand cont ca la frecvente joase

condensatorul C1 reprezinta o intrerupere , iar la frecvente inalte C2 scurcircuiteaza la masa
semnalul de la iesire . Astfel la frecvente extreme circitul are caracteristica de transfer nula in
sensul ca la aceste frecvente circuitul “nu lasa sa treaca nimic”.Rezolvand analitic se obtine un
factor de transfer

1
Uies( )
FW()= Uin( ) = 1  R1  C 2  j  R1C 2  1
.
R2 C1 R2 C1

Maximul acestei functii de  este la frecventa la care termenul

1
j  R1C 2  
R2 C1

1
este nul , adica 0= R1 R2 C1C 2 . La acesata pulsatie defazajul introdus de retea este nul. Si
acest aspect este important , pentru ca defazajul introdus de retea poate influenta caracterul
reactiei (de exemplu , daca s-ar introduce un defazaj de 90 reactia nu ar mai fi pozitiva ci
negativa).
Alura caracteristicii de transfer FW() si a defazajului W() introdus de reteaua Wien este
data in figura de mai jos:
In practica se aleg cele doua rezistente respectiv cele doua condensatoare de valori egale astfel
incat R1=R2=R iar C1=C2=C . In acest caz se obtine pentru caracteristica de transfer a
amplificatorului , la frecventa f0=0/2 valoarea de 1/3 adica atenuarea minima a retelei Wien
este de 3 ori. Rezulta ca , pentru a indeplini conditia lui Bakhausen , care este in cazul nostru:
FW()  Av =1 trebuie realizat un amplificator cu amplificarea Av=3.
De o importanta deosebita sunt si aspectele legate de impedantele de intrare si iesire ale retelei
Wien , care trebuie sa satisfaca anumite relatii impreuna cu impedantele de intrare , respectiv
de iesire ale amplificatorului . Aceste relatii sunt legate de conditiile de idealitate in care a fost
dedusa analitic caracteristica de transfer a retelei . In aceste conditii de idealitate , impedanta
de iesire a amplificatorului ( considerat ca generatorul care ataca reteaua ) a fost considerata
nula , iar impedanta de intrare la borna neinversoare a amplificatorului (considerata ca sarcina
a retelei Wien) a fost considerata infinit de mare (reteaua in gol). Cum aceste valori nu pot fi
obtinute , se va cauta ca rezistentele de intrare , respectiv iesire ale amplificatorului sa
satisfaca conditiile de idealitate prin inegalitatile:

Ramplificatoriesire<< RWienintrare
Ramplificatorintrare>>RWieniesire
CAP II Schema bloc a circuitului:

Se pot identifica urmatoarele blocuri componente:

- Amplificatorul de baza;
- Reteaua Wien (R1, R2,C).
Relatia de dimensionare pentru aceasta este: fosc = 1/(2IIRC). Elementele acestei retele se vor
alege astfel incat sa fie acoperita gama de frecvente indicata indiferent de tolerantele
componentelor. (Atentie R2 este un potentiometru dublu pentru a permite reglajul simultan al
bratelor puntii; se poate folosi ca elemnt de reglaj si un condensator dublu C pentru temele cu
frecvente relativ mari).
- Reteaua de reactie negativa R3, R4.
- Rezistenta de sarcina RL.
CAP III Proiectarea amplificatorului operational

2.1 Detalii de proiectare

Estimam mai intai tensiunea de alimentare:

-tensiunea de alimentare va trebui sa fie destul de mare astfel incat amplificatorul sa
poata livra in rezistenta de sarcina tensiunea necesara. Deoarece etajele de iesire in
clasa AB au un randament in jurul valorii de 78% teoretic , vom calcula , pentru un
randament de 60% (uzual in practica) , tensiunea de alimentare diferentiala necesara:

100
VCC=  av  U int =100/60200,6V=20V
60
Deci tensiunea de alimentare va fi de 20V

Tranzistoarele din etajul diferential de intrare Q1,2 vor functiona in mod simetric la un
curent mai mic decat IDSS/2 (Q1,Q2,Q3 se aleg de tip BF256 cu parametri de catalog
IDSS=6...10 mA, VT=-1..-3V, VDsmax= 30V) pentru a putea permite maximum excursiei
asimetrice in curent intre tranzistoare .
 Suma curentilor de drena ai Q1,2 este:

ID1+ID2=ID3
Curentul ID3 este dat de ecuatiile :

 VGS 3
ID3= R
7

2
 V 
si ID3=IDSS3 1  GS 3 
 VT 
Presupunand pentru parametrii IDSS ,VT valorile tipice: IDSS=8 mA respectiv VT = -2V
rezulta ID3=2 mA. In cazurile cele mai defavorabile avem:

(IDSS = 6mA, VT = -3V) => ID3 1,6mA

(IDSS =10mA , VT= -1V) => ID3 2,8 mA

deci intotdeauna tranzistoarele de intrare Q1,2 vor functiona la un curent static de drena mai
mic decat IDSS/2.
Curentul prin Q1 este dat de expresia :

V BE 4
ID1= R
2

Alegem Q4 de tip BC 177 (pnp de mica putere) la care ,conform curbelor de catalog,
VBE= 0,5..0,7 V pentru Ic =10 mA (la t=25C).Tinand seama de toleranta lui R2 (5%), putem
determina :
ID1min =0,8 mA si ID1 max =1,2 mA
intotdeauna avem un curent diferit de 0 prin Q2 . Curentul prin Q4 IDSS5 (BF 256 ,IDSS5=6..10
mA)
Compensarea functionarii nesimetrice a Q1,Q2 se va face prin R1. Alegem R1 =1k
(20%), deoarece ,in cel mai nefavorabil caz (R1min, ID3min) se poate compensa o tensiuune de
1,12 V ,mai mare decat diferenta (VGS1 –VGS2)max= 0,8 V
Dioda D asigura functionarea Q1,2 la aceeasI tensiune VDS.
Curentul static prin Q6,7 va fi ales suficient de mare astfel incat sa avem un  stabil
pentru tranzistoare iar curentul de baza al tranzistoarelor sa fie neglijabil in raport cu acesta .
Circuitul “super-dioda” format din Q8, P, R4 are rolul compensarii neliniaritatilor la
comutarea de pe un tranzistor final pe celalalt si al fixarii curentului de mers in gol pentru
etajul final .
Tensiunea VCE8 este data de expresia

R4  P
VCE8=VBE8 P'
 Unde P’ este rezistenta din bratul lui P de langa R4 ,plus R4 .Alegem Q8 de tipul BC107
(npn de mica putere ) la care , conform curbelor de catalog , VBE =0,5..0,7V la IC =10 mA (la
t=25C). Tinand seama de tolerantele componentelor ,VCE8 se poate regla in intervalul 0,5-
4,8V. Q8 se va monta pe acelasi radiator cu tranzistoarele finale pentru ca super dioda sa
copieze driftul termic al acestora si curentul de mers in gol al etajului final sa nu se modifice .
Etajul final este in clasa AB. Tranzistorul final de tip npn este un Darlington (Q11,12) si
va suporta , in cel mai defavorabil caz, 3A la o tensiune CE de circa 15V . Alegem Q11
BC107 (>100,VCB0= 25V, ICmax =100 mA) si Q12 2N3055 (Pmax=117W, VCB0=80V, ICmax=11A,
=15..100). Tranzistorul echivalent are >1500 deci, la curentul maxim ,Ib< 2 mA deci
negijabil in raport cu IC6 . Tranzistoarele au ambele tensiuni de strapungere superioare celor ce
pot aparea in montaj. Curentul maxim suportat de Q11 este de 200mA < ICmax. Puterea disipata
de tranzistorul echivalent este aproape in intregime localizata la nivelul Q12 si in cel mai
defavorabil caz este circa jumatate din puterea in sarcina (13,5 W) deci acest tranzistor nu se
poate distruge .
Tranzistorul final tip pnp este in configuratie Super G (Q13,14) si va suporta in cel mai
defavorabil caz 3A sau o tensiune CE de circa 15V. Alegem Q13 BC177 (>100,VCB0= 25V,
ICmax =100 mA) si Q14 2N3055. Tranzistorul echivalent are >5000 deci, la curentul
maxim ,Ib<2 mA deci negijabil in raport cu IC6 .Acest tranzistor disipa tot 13,5W , deci nu se
poate distruge.
Rezistentele R13,14 (1 k) se aleg astfel incat sa forteze curent prin tranzistoarele de
mica putere si atunci cand curentul prin tranzistorul echivalent este mic (pentru a evita
scaderea lui  odata cu cresterea sarcinii). {n acelasi timp ele evita amplificarea curentilor
reziduali ai Q13,11 prin finalii de putere. |inand seama de tolerantele tensiunii VBE si ale
rezistentelor R13,14 (20%) rezulta curentii minimi pentru perioadele de conductie de la care se
deschid finalii de putere ti anume 0,5V/1,2k=0,4mA.
Circuitul de protectie pentru tranziostorul final npn va limita curentul de baza al
acestuia la depasirea limitei de 3,5 A. Pentru acest sistem de protectie este necesar ca in caz de
suprasarcina, pe R11 sa
cada o tensiune mai mare de 0,8 V necesara deschiderii lui Q9 (uzual npn de mica putere).
Alegem Q9 BC107 ,la care, conform curbelor de catalog , VBE on=0,5..0,7V .Pentru siguranta
deschiderii lui Q9 alegem R11=0,68  (20%). La o suprasarcina de 2,5 A la bornele ei va
apare ,in cel mai defavorabil caz ,o tensiune de 1,3V. Aceasta tensiune va fi preluata de
divizorul rezistiv R9 care se va calibra in funtie de parametrii concreti ai Q9 . {n mod identic
rezulta sistemul de protectie al tranzistorului final pnp.
Curentul de mers in gol al etajului se regleaza din tensiunea VCE8 , deoarece.

VCE8= VBE11+VBE12+(R11+R12) Igol+VEB13

Curentul Igol se alege la circa 1/20 din curentul maxim (in acest caz , aproximativ
0,06A). Rezulta ca avem nevoie, in cel mai nefavorabil caz-(toate VBE sunt maxime iar
toleranta rezistentelor este 20% ) de o tensiune de circa 4,8V , tensiune ce se poate obtine din
reglajul R6 .
-Amplificarea in bucla deschisa , av:
In calculul acestor marimi tinem cont ca de fapt numai primele doua etaje(Q1-Q2
respectiv Q4) amplifica , celelalte fiind de fapt repetoare pe emitor cu amplificarea foarte
apropiata de unitate:
1
Amplificarea primului etaj , Q1-Q2 este , conform [1] , cap 3.5 de   g m1  ( R 2 // r 4 )
2

Amplificarea celui de al doilea etaj este de :-gm4(ro5/rin10)

1
Amplificarea va fi deci , av=  g m1  ( R 2 // r 4 )  g m 4 (r05 // rin10 )
2

Calculam:

2 2
g m1  I D  I DSS  0,5mA  8mA  2mA / V
Vp 2
g m 4  40 I C 4  40mA / V
4 125
r 4    3125
g m 4 40mA / V

ro5 este rezistenta sursei de curent realizata cu Q5 , si are , conform i1s o valoare de
ordinul sutelor de M
rin 6   6 11 12  RL  125  125  70  100  110 M

1
Rezulta av= 2  2mA / V  (470 // 3K)  40mA / V  100M =180000.

Rezistenta de intrare este de 10M data practic de R1.

Rezistenta de iesire este:

VA 100V
ro 4
r0  = IC 8mA  0,01
 6 11 12 
125  125  70 1093750

2 2
g m1  I D  I DSS  0,5mA  8mA  2mA / V
Vp 2
g m 4  40 I C 4  40mA / V
4 125
r 4    3125
g m 4 40mA / V
Proiectarea retelei de reactie negative

Amplificarea in bucla inchisa a etajului este data de formula Av = (R1+Rt)/R1. Pentru

acest tip de oscilator in regim permanent, Av=3 si deci, Rt/R1 = 2.
Pentru stabilizarea amplitudinii de oscilatie, una din rezistentele retelei de reactie
negative trebuie sa fie neliniara. Astfel, pe schema din fig. 2, rezistenta Rt este un
termistor cu coefficient negativ de temperatura la care rezistenta scade cu cresterea
tensiunii aplicate. Astfel, daca tensiunea la iesirea generatorului tinde sa creasca,
termistorul se incalzeste si rezistenta lui scade aducand cu sine scaderea valorii
amplificarii Av sub valoarea de regim permanent. Tensiunea efectiva pe termistor se
determina cu relatia:

unde V0 este amplitudinea tensiunii la iesire, in cazul acesta 16V. Rezulta pentru Vt
valoarea
aproximativa de 7,52V. Pentru un termistor NTC Philips 6343 de pe caracteristica Vt
= f(It) se determina It de aproximativ 4mA, rezultand valoarea rezistentei nominale Rt
= 7.52/4mA = 188 ohmi. Din relatia Rt/R1 = 2 rezulta valoarea nominala a rezistentei
R1, 94 ohmi. Pentru asigurarea posibilitatii de ajustare a amplitudinii tensiunii de
iesire, R1 va fi un potentiometru de valoare 500 ohmi. Deoarece rezistenta la
temperatura ambianta a termistorului este Rt0 = 4.7 k rezulta la pornire Av > 3
(conditie necesara pentru pornirea oscilatorului).
Proiectarea stabilizatorului:
Vom realiza stabilizatorul de tensiune pozitiva cu circuitul A 723C dupa urmatoarea schema:

Cea de tensiune negativa:

Rezistentele R1,R2 precum si T1,T2 sunt identice pentru ambele scheme.

Alegem T1=BD135 cu (VCE,max=45V,Pd=6,5W,Imax=2A),T2=2N3055
R1,R2 se aleg asfel incat sa divizeze tensiunea de iesire de la valoarea de 15V la valoarea de
7,15V , necesara la intarea circuitului integrat. Alegem R1=25K , iar R2=22K.
In acest caz tensiunea de la iesire are valoarea :
 25  22
U   7,15  15,275V
22

Proiectarea retelei WIEN

Schema retelei Wien este data mai jos:

Se calculeaza analitic impedantele de intrare ale retelei Wien la 0:

3R
RWienintrare= 2

2R
R Wien iesire 
3

Astfel se va proiecta amplificatorul , astfel incit conditiile de mai sus sa fie indeplinite.
Luam fmin=4kHz si fmax=400kHz
 1 1
fmin> 2R si fmax< 2R .
maz C min C

Asa cum se vede in figura potentiometrele P variaza sincron (fizic ele au cursoarele montate
pe acelasi ax) iar cand cursorul e la minim, rezistenta potentiometrelor este nula iar R=Rmin.
Cand cursorul e la maxim R=Pmax+Rmin , unde Pmax este valoarea maxima pe care o poate lua
potentiometrul P.

1
f= 2RC .alegem C=1nF rezulta Rmin=39,808 Kohm si Rmax=398,08 ohm
Potentiometrul se alege de 39,808 Kohm.