UNIVERSITATEA POLITEHNICA DIN BUCURESTI

FACULTATEA DE TRANSPORTURI

SECŢIA TELECOMENZI ŞI ELECTRONICĂ ÎN TRANSPORTURI

CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE

PROIECT
AMPLIFICATORUL DE RADIOFRECVENTA

Îndrumător: Student
Valentin Stan Steliean Bogdan-Gabriel 8311
 CUPRINS

1. Alinierea şi originea erorilor de aliniere

2. Amplificarea în tensiune

2.1. Calculul elementelor reflectate

3. Caracteristica de selectivitate (sau de frecvenţă)

4. Stabilitatea amplificatoarelor acordate

4.1. Condiţiile de stabilitate

4.2. Necesitatea cuplării la prize pe circuitele acordate

4.3. Neutrodinarea

5. ARF cu reacţie redusă

6. Descrierea Amplificatorului. Schema bloc
7. Schema de principiu
8. Lista de componente
9. Prepararea placilor
10. Circuit integrat SA5209
11. Comentarii finale
 Amplificatorul de radiofrecvenţă (ARF)

Amplificatorul de radiofrecvenţă (ARF) amplifică semnalul

furnizat de circuitul de intrare pe frecvenţa sa. ARF-ul împreună cu
circuitul de intrare formează blocul de
radiofrecvenţă din receptor.
În receptoarele simple, ARF-ul poate lipsi, semnalul de la circuitul
de intrare
aplicându-se direct mixerului.
Principalul avantaj al utilizării unui ARF într-un receptor este
obţinerea unui factor de zgomot mai redus, rezultând o sensibilitate
limitată de zgomot (SLZ) mai bună deoarece acelaşi tranzistor are un
factor de zgomot mai mic atunci când lucrează liniar ca amplificator
decât când lucrează neliniar, ca mixer. Aceasta deoarece
transconductanţa este mai mare decât panta de conversie şi pentru că
la mixer intervin şi surse suplimentare de zgomot, de exemplu
zgomotul oscilatorului local.
ARF-ul îmbunătăţeşte izolarea antenei faţă de oscilatorul local
(OL), scăzând câmpul radiat de antenă pe frecvenţa oscilatorului local.
Un alt avantaj al utilizării ARF-ului este dat de faptul că i se poate
aplica reglajul
automat al amplificării (RAA), limitând astfel semnalul aplicat mixerului
la recepţia unor
semnale foarte puternice.
Principalele cerinţe pe care trebuie să le îndeplinească ARF-ul
sunt:
1. amplificarea să fie suficient de mare (în jur de 10) şi pe cât posibil
constantă cu frecvenţa;
2. să aibă o bună stabilitate în toată gama de frecvenţă;
3. să nu introducă distorsiuni la semnale mari (de obicei sub 1%);
4. să prezinte distorsiuni de intermodulaţie şi de modulaţie încrucişată
cât mai mici;
5. să contribuie la atenuarea semnalelor perturbatoare, fi şi fimag.
De regulă, ARF-ul are sarcina acordată pe frecvenţa semnalului
(obţinându-se astfel o
îmbunătăţire a rejecţiei fi şi fimag), dar uneori se utilizează, pentru
simplitate sau pentru
asigurarea stabilităţii, şi ARF cu sarcină aperiodică. Această soluţie
este frecventă la circuitele
integrate.
1. Alinierea şi originea erorilor de aliniere

În receptoarele superheterodină frecvenţa intermediară este fixă,

iar selectivitatea
blocului de FI este mult mai mare decât a circuitelor de RF. De aceea,
indiferent de acordul
circuitelor de RF, frecvenţa recepţionată este:
fs=fh−fi
(fh = frecvenţa OL, fi = frecvenţa intermediară).

Pentru ca receptorul să lucreze corect, cu sensibilitate maximă şi

fără distorsiuni, ar trebui ca frecvenţa de acord a circuitelor de RF (fs0)
să fie egală cu frecvenţa semnalului (fs).
Această condiţie ar putea fi îndeplinită reglând separat fh
(acordul OL) şi fs0 (acordul circuitelor de RF) la valorile necesare. O
astfel de manipulare ar fi însă incomodă.
În practica curentă acordul circuitelor de RF şi OL se efectuează
simultan,
condensatoarele variabile respective având rotoarele montate pe
acelaşi ax. Respectiv, în cazul acordului inductiv, miezurile bobinelor
variometrului se deplasează solidar. În felul acesta pentru acordarea
receptorului pe frecvenţa dorită se acţionează asupra unui singur
buton.
Acest mod de acordare este numit monoreglaj.
Realizarea monoreglajului este însoţită de dificultăţi de ordin
tehnic, diferenţa între frecvenţele de acord ale circuitului OL (fh) şi a
celor de RF (fs0) neputând fi menţinută constantă, cu precizie oricât de
mare, în toată gama de recepţie. Apare o eroare de aliniere:
Δfa1=fs−fs0=fh−(fs0 +fi)
Prin alinierea circuitului OL cu circuitele de RF se înţelege (la
proiectare)
determinarea elementelor L şi C ale circuitelor astfel încât diferenţa
între frecvenţele lor de acord să fie cât mai apropiată de frecvenţa
intermediară, în toată gama de recepţie; respectiv, erorile de aliniere
să fie cât mai mici.
Din punct de vedere practic prin aliniere se înţelege operaţia prin
care, cu ajutorul
elementelor ajustabile din circuitele de RF, se anulează eroarea de
aliniere la una, două sau mai multe frecvenţe din gamă. Cu ajutorul
elementelor ajustabile din circuitul OL se asigură încadrarea frecvenţei
recepţionate în limitele dorite (frecvenţele de capăt ale gamei).
Importanţa alinierii este dependentă de raportul între banda de trecere
a circuitelor de RF şi a celor de FI.
Dacă banda circuitelor de RF este apropiată de cea a filtrului FI,
eroarea de aliniere are ca efect scăderea amplificării globale şi, ceea
ce este mai supărător, deformarea caracteristicii globale de
selectivitate. Ca rezultat al caracteristicii asimetrice de selectivitate,
benzile laterale ale unui semnal MA vor fi amplificate diferit şi apar
distorsiuni la recepţie. Acest caz se întâlneşte în gama UL.
Dacă banda circuitelor de RF este mult mai mare decât a filtrului
FI, efectul erorii de aliniere se rezumă la micşorarea amplificării;
caracteristica globală de selectivitate nu este afectată. Acest caz se
întâlneşte în gamele US, unde cu un factor de calitate de ordinul lui
100 (cât se poate realiza curent practic), rezultă o bandă pentru
circuitul de intrare mult mai mare decât banda AFI. De exemplu, la fs =
10 MHz, rezultă BRF = fs/Q = 100 kHz, în timp ce banda filtrului FI
este de 6 - 8 kHz.
Limita admisă pentru erorile de aliniere este corelată cu banda
circuitelor de RF:
( ) Δfa1< 0, 2÷0,5BRF

2. Amplificarea în tensiune

Intrarea şi ieşirea tranzistoarelor din ARF, nu se cuplează, de regulă,

direct în paralel
pe circuitele acordate, ci la prize sau mutual, cu coeficient de cuplaj în
tensiune subunitar.
Acest lucru este impus de limitarea dezacordului şi a amortizării
circuitelor acordate de către
rezistenţele de intrare şi ieşire ale tranzistoarelor, şi, după cum se va
vedea, pentru asigurarea
stabilităţii.
Topologia circuitului acordat ce constituie sarcina ARF-ului
trebuie să fie identică sau cât mai apropiată cu putinţă de topologia
circuitului de intrare, astfel încât frecvenţele de acord ale celor două
circuite să fie egale în toată gama de acord. Cele două elemente
variabile din circuitul de intrare şi ARF trebuie să fie identice, ele
reglându-se în tandem (monoreglaj).
Deoarece la studiul circuitelor de intrare, transferul în tensiune s-
a definit de la antenă până la intrarea în dispozitiv, vom defini
amplificarea ARF între intrarea sa şi intrarea dispozitivului următor din
lanţul de amplificare (intrarea în mixer).
Pentru tranzistor se va utiliza un circuit echivalent cu parametrii de
cuadripol Y, aşa cum se ilustrează în schema simplificată din Fig. 6.1.

Pentru schema echivalentă simplificată a

tranzistorului bipolar din Fig. 6.1, se poate scrie:

În Fig. 6.2 se prezintă o schemă de ARF. Rezistoarele Rb1, Rb2, Re

se utilizează pentru polarizare, condensatoarele C1,C2, Ce sunt
scurcircuit pentru semnal, iar Rf, Cf formează un filtru pe alimentare.

Pornind de la această schemă se obţin schemele echivalente din

Fig. 6.3.
2.1. Calculul elementelor reflectate

În urma eliminării prizei pe inductanţa L din secundarul

transformatorului X2,
conductanţa de intrare în tranzistorul Q2, Gin, din Fig. 6.2, se
transformă într-o conductanţă
echivalentă notată Grs în schema echivalentă din Fig. 6.3.c). Din
considerente energetice,
impunându-se ca puterea pe această conductanţă să nu se modifice în
urma eliminării prizei inductive, se poate scrie:

unde Ps reprezintă coeficientul de cuplaj în tensiune dintre

inductanţele din secundar cu
numerele de spire n1 şi n2, de forma:

Considerând că factorul de calitate al reactorului disipativ paralel

format din
inductanţa din secundar cu numărul de spire n2 şi conductanţa Gin,
ilustrate în schema
echivalentă din Fig. 6.3.b) este foarte mare, atunci în urma eliminării
prizei inductive din Fig. 6.3.b), valoarea inductanţei L nu se modifică.
Coeficientul de cuplaj în tensiune între inductanţele din primar (L1) şi
secundar (L) din
schema echivalentă din Fig. 6.3.c), se scrie:
unde n reprezintă numărul de spire al bobinei de inductanţă L din
primar.

În Fig. 6.3.d) se prezintă schema echivalentă cu primarul raportat

la secundar. Astfel, admitanţa Y1 din primar se reflectă în secundar cu
valoarea notată Yr2, prin următoarea relaţie matematică:
 În urma reflectării primarului în secundar, generatorul de curent
Ig, din considerente energetice, devine:
 Pentru a avea o imagine asupra variaţiei lui AU0 cu frecvenţa de
acord trebuie să se ţină seama şi de variaţia lui Q. Conform cu relaţia
(6.19), în ipoteza Q0 = constant, rezultă pentru Q o scădere cu
frecvenţa în cazul acordului capacitiv:

În deducerea relaţiilor (6.26) şi (6.27) s-au utilizat expresiile

(6.16) pentru conductanţa G0 din relaţia (6.16).
În ambele cazuri variaţia lui Q compensează parţial variaţia lui AU0 cu
frecvenţa, ce rezultă direct din relaţiile (6.24) şi (6.25). Global,
amplificarea creşte cu frecvenţa în cazul acordului capacitiv şi scade
pentru cel inductiv (Fig. 6.4).
Alura variaţiei AU0(f0) trebuie corelată cu alura variaţiei coeficientului
de transfer al circuitului de intrare (T0), astfel ca produsul
T0(f0)⋅AU0(f0) să prezinte o variaţie cât mai redusă.
Menţinerea constantă a produsului T0AU0 se poate realiza
alegând adecvat cuplajele în circuitul de intrare şi ARF. Spre exemplu,
cuplând tranzistorul următor capacitiv interior, ca în Fig. 6.5.a), ()
( )
Ps≈C / C+Cp scade cu frecvenţa de acord şi se poate obţine, în
cazul acordului capacitiv, chiar o caracteristică căzătoare AU0(f0).
Combinând două tipuri de cuplaj (ca în Fig. 6.5.b)) se poate obţine o
amplificare aproape constantă cu frecvenţa.
3. Caracteristica de selectivitate (sau de frecvenţă)
În practică, pentru asigurarea benzii de trecere, este necesară, de
regulă, amortizarea
circuitului acordat ce constituie sarcina ARF-ului, amortizare ce se
realizează de preferinţă cu o rezistenţă serie.
4. Stabilitatea amplificatoarelor acordate
4.1. Condiţiile de stabilitate

Considerăm un amplificator echipat cu un dispozitiv activ oarecare (TB,

TEC, etc.)
având conectate la intrare şi la ieşire circuite LC acordate. De
asemenea, considerăm pentru început, că intrarea şi ieşirea
dispozitivului sunt conectate în paralel pe circuitele acordate.
Dispozitivul activ primeşte semnal de la circuitul LC de intrare, îl
amplifică şi îl
transmite circuitului de ieşire. Dispozitivele active prezintă întotdeauna
o anumită reacţie
internă, datorită căreia semnalul de la ieşire este adus la intrare. Din
acest motiv rezultă
necesitatea de verificare a stabilităţii amplificatorului.
Vom studia stabilitatea analizând admitanţa prezentată de dispozitiv la
intrare. Aceasta
fiind conectată în paralel cu circuitul acordat de la intrare, pericolul
autooscilaţiei apare atunci când admitanţa echivalentă are partea
reală (conductanţa) negativă.
 Al doilea efect nedorit al reacţiei interne a dispozitivului constă în
reflectarea unei
capacităţi (Cref) în paralel cu circuitul de intrare. Această capacitate
variază puternic cu
frecvenţa, prezentând un maxim la frecvenţa de rezonanţă ω02:

Observaţie: Dacă L2 sau C2 se schimbă (de exemplu la reglaj),

prin intermediul variaţiei lui ω02 se schimbă Cref. Deci circuitul de la
intrare se va dezacorda. Fenomenul are loc şi în sens invers: când se
modifică L1 sau C1, se dezacordează circuitul de ieşire. Această
interacţiune între acordul celor două circuite face dificilă (uneori chiar
imposibilă) alinierea acordului circuitelor (acordul le aceeaşi
frecvenţă).
Efectul reacţiei interne asupra caracteristicii de frecvenţă este ilustrat
în Fig. 6.9.
Pornind de la o caracteristică de frecvenţă simetrică sub formă de
clopot pentru Cr=0 şi
ambele circuite acordate pe aceeaşi frecvenţă, pe măsura creşterii lui
Cr, caracteristica de frecvenţă se deformează mult la frecvenţe sub cea
de rezonanţă. Apare un maxim ascuţit, cu atât mai pronunţat cu cât Cr
este mai mare; la o anumită valoare a lui Cr amplificatorul
autooscilează. De notat că la valori mari ale lui Cr circuitele nu mai pot
fi acordate prin metodele obişnuite (reglaj pe maxim sau cu semnal
vobulat). Pentru evitarea deformării caracteristicii de frecvenţă şi
pentru a se putea realiza acordul circuitelor, se impune o
condiţie mult mai severă decât (6.49).
4.2. Necesitatea cuplării la prize pe circuitele acordate

În practică, circuitele acordate rezultă cu capacitate foarte mare şi

inductanţă foarte
mică. Este foarte greu de realizat practic circuite cu raport C/L mare şi
cu factor de calitate corespunzător. Rezolvarea acestei probleme se
realizează prin conectarea tranzistorului la prize pe circuitele acordate
(Fig. 6.10).

În schema echivalentă din Fig. 6.10.b), G/p2 este conductanţa

echivalentă la priză, C/p2 este capacitatea echivalentă la priză, iar p2L
este inductanţa echivalentă la priză. Rezultă că pentru circuitul
echivalent conectat la priză raportul C/L creşte de 1/p4 ori faţă de
circuitul fizic. Condiţia de stabilitate pentru circuitul din Fig. 6.10 se
scrie (din (6.49)):
 Alegând coeficienţii de priză de valori convenabile (subunitare)
se poate asigura
stabilitatea cu valori uzuale pentru componentele circuitelor.
Stabilitatea ARF-ului poate fi îmbunătăţită suplimentar prin înscrierea
unei rezistenţe
R ≅ 50÷300 Ω între terminalul de ieşire al dispozitivului activ şi
circuitul acordat. Această rezistenţă amortizează şi circuitul LC parazit
ce se formează la ieşire.
Stabilitatea amplificatoarelor cu un singur circuit acordat,
conectat fie la intrarea fie la ieşirea dispozitivului, este mult mai uşor
de realizat. De exemplu în cazul când nu avem circuit acordat la
sarcină (amplificator aperiodic), singurul pericol de instabilitate îl
constituie circuitele LC parazite de la intrare şi ieşire.

Reacţii externe: Pe lângă reacţia inversă din tranzistor, în ARF

mai pot să apară
reacţii inductive şi capacitive între componente şi traseele de
conexiuni, o reacţie prin
circuitele comune de alimentare, etc. Toate acestea constituie reacţii
externe. Acestea trebuie
reduse cât mai mult posibil prin ecranare, prin dispunerea raţională a
componentelor,
proiectarea minuţioasă a cablajelor, utilizarea filtrelor de decuplare pe
circuitele de
alimentare, prin tratarea corectă a punctelor de masă.

4.3. Neutrodinarea
 La tranzistoare, y12 este echivalent cu un grup paralel Cr, Gr,
conectat între intrare şi ieşire. Unilateralizarea ar cere, conform relaţiei
(6.56) o capacitate negativă. În schimb, dacă în montaj este disponibilă
o tensiune în antifază cu tensiunea de ieşire, se poate face
neutralizarea cu o reţea analogă celei ce modelează pe y12. Procedeul
este numit neutralizare sau neutrodinare.
 Din condiţia ca cei doi curenţi de reacţie (Ir, In) să se
neutralizeze, se poate dimensiona condensatorul de neutrodinare Cn.
Pentru schema din Fig. 6.11.a) avem: Ir+In= 0 , de unde rezultă:

Prin neutrodinare se poate obţine, în practică, o scădere a

capacităţii de reacţie cu un rdin de mărime.

6.5. ARF cu reacţie redusă

Parametrul y12 este foarte mic în conexiunile BC pentru TB şi GC

pentru TEC.
Conductanţa de intrare (g11) la aceste conexiuni este mare, astfel încât
stabilitatea lor este uşor de asigurat. În schimb, faptul că rezistenţa de
intrare este mică (≅100ohmi) creează dificultăţi de adaptare la
frecvenţe mici. La frecvenţe peste 30 MHz acest fapt nu mai constituie
dezavantaj deoarece intrările şi ieşirile se fac pe impedanţă de mică
(75 Ω).
La frecvenţe sub 30 MHz se utilizează ARF de tip cascodă ce are
la intrare un etaj cu impedanţă mare (EC) care este urmat de un etaj
cu reacţie internă redusă (BC) (Fig. 6.12). Rezistoarele R1÷R4 stabilesc
punctele statice ale tranzistoarelor. Pe semnal Q1, este în conexiune
EC, iar Q2 în BC. Se poate arăta că cele două tranzistoare (a căror
circuit echivalent de semnal mic este prezentat în Fig. 6.14 sunt
echivalente cu diportul din Fig. 6.15.
Cascoda prezintă atât avantajul rezistenţei de intrare mari al
conexiunii EC, cât şi
avantajul reacţiei inverse reduse al conexiunii BC. Amplificarea
realizată de cascodă este
aproape egală cu a unui tranzistor în conexiune EC. Conexiunea
cascodă este mai des folosită în circuitele integrate.

Rezistenţa de ieşire pentru configuraţia EC se calculează cu

ajutorul schemei de test in Fig. 6.13 şi este de forma:
 Din Fig. 6.14 rezultă direct că rezistenţa de intrare este dată
chiar de rezistenţa rπ a
tranzistorului Q1 ( Ri = rπ 1 ). Deoarece câştigul în curent din emitorul
tranzistorului Q2 spre colectorul său este aproape egal cu unitatea,
transconductanţa circuitului de la intrare la ieşire este aproximativ
egală cu transconductanţa tranzistorului Q1 (Gm=gm1=gm). Rezistenţa
de ieşire se calculează prin scurtcircuitarea intrării la masă şi aplicarea
apoi a unui semnal de test la ieşire. Se observă că v1 = 0 , deci
generatorul gm1v1 este inactiv. Ca urmare circuitul este identic cu
acela pentru tranzistorul bipolar în EC cu degenerare în emitor. Pentru
acesta, conform cu (6.59), rezistenţa de ieşire este de forma:

Cascodele cu TEC pot fi realizate cu scheme echivalente ca cea

din Fig. 6.12. Se
utilizează mai rar pentru ARF (mai des la oscilatoare). Mai uzual sunt
schemele în care primul tranzistor este TEC (în conexiune SC), iar cel
de-al doilea este TB (în conexiune BC).
6. Descrierea amplificatorului

Schema bloc

Conceptul acestui amplificator stă la baza unor experienţe

obişnuite de constructor. Au fost preluate idei atât prin consultarea
manualului publicat de ARRL şi Societatea Engleză de Radio (RSGB),
cât şi din articolele apărute în QST şi alte reviste rezultând miezul
proiectului. Amplificatorul necesită componente uşor de procurat.
Multe dintre proiectele anterioare au fost elaborate folosind
tranzistoare RF tip MRF făcute de Motorola, producţia cărora ori s-a
sistat, ori au un preţ prohibitiv de ridicat. Montajul este aşezat într-o
cutie de aluminiu de 20X15X6 cm.

Ansamblul constă din două plăci aşezate în paralel: amplificatorul

RF şi filtrul trece jos. Amplificatorul complet este reprezentat în fig. 1.
Fig. 2. prezintă schema ansamblului RF împreună cu lista pieselor
componente ale filtrului trece jos, iar fig. 3. reprezintă schema filtrului
propriu-zis. Excitarea la intrare a amplificatorul poate fi de la 2 la 5 W
RF, pentru a se asigura astfel nivelul adecvat al etajului de amplificare
necesar punctului de lucru în clasa AB (tranzistoarele 2SC2312C sunt
legate paralel, fiind necesară alegerea unui atenuator potrivit constând
din rezistenţele R1,R2 şi R3) menţionate în fig. 2). Acest tranzistor se
poate înlocui cu modelul TIP 41 sau cu BD243C [n.trad.].
 T1 este confecţionat pe un miez binoclu şi are un raport de 4:1,
aşa cum e menţionat şi în schemă. Secundarul transformatorului, de
mică impedanţă constă dintr-o singură spiră cu priză la mijloc. Acesta
transmite tensiunea de pretensionare la tranzistoarele finale.
Tensiunea este obţinută de la regulatorul LM317T care operează ca
sursă de curent în comutaţie. LM 317 funcţionează când PTT-ul intern
este activat. Tensiunea de pretensionare trece prin dioda FES8J care
este în contact termic direct cu tranzistoarele finale. Transformatorul
de ieşire T2 este deasemenea confecţionat cu un raport de 4:1. El are
o singură spiră spre înainte. Spira de întoarcere asigură un nivel
negativ de întoarcere cu scopul de a reduce câştigul şi de a stabiliza
impedanţa de intrare peste ecartul de frecvenţă HF. Circuitul RC de la
intrare asigură câştigul în ansamblu. Rezistorii înseriaţi de 6.8 Ω
determină câştigul până la 14 MHz, iar condensatorii de 4.7 nF sunt
efective peste 14 MHz. Fig. 4 arată raportul între putere RF şi frecvenţa
de lucru a amplificatorului, incluzând reacţiile produse de armonicile a
2-a şi a 3-a.

Fig. 1--Amplificatorul construit.

Comutatorul de banda are si roul de comutare a filtrelor trece-jos la
iesire

Măsurătorile au fost făcute cu un receptor al serviciilor de

comunicaţii IFR1600S. În toate cazurile, armonicile au fost mai mari de
40 dB în sens negativ referitor la frecvenţa fundamentală (-40 dBc), iar
amplificatorul îndeplineşte condiţiile FCC referitoare la puritatea
spectrală (vezi Federal Communications Commission, Sec. 97.315.)
Reţineţi că începând cu 21 MHz câştigul începe să scadă, micşorându-
se de la puterea nominală de 30 W la 20 W pe 29 MHz. Aceasta
înseamnă că pe 10 metri mai putem vorbi de un câştig de 10 dB, o
putere remarcabilă, totuşi.

7. Fig. 2--Schema de principiu

8. Lista de componente

Placa amplificatorului RF

C1-10 - 0.01 µF capacitor

C11 - 0.1 µF capacitor
C12 - 3.3 µF capacitor
C13 - 82 pF capacitor
C14 - 150 pF capacitor
C15 - 200 pF capacitor
C16, 17 - 4700 pF capacitor
C18-20 - 0.001 µF capacitor
D1-D4 - 1N914 diode
D5, D7, D8 - 1N4004 diode
D6 - FES8JT diode
D9 - LED, verde, cu suport
D10 - LED, roşu, cu suport
K1 - Releu, 12 V CC, DPDT
Q1, Q2 - Tranzistor de comutaţie, 2N2222A
Q3, Q4 - Tranzistor 2SC2312C/TIP 41/BD243C
R1 - 300, 1 W
R2, R3 - 18, 1 W
R4, R5 - 6.8 Ω, 1 W
R6, R7 - 18 Ω, 1 W
R8, R9 - 120 Ω, 1 W
R10 - 1.2 K, 1 W
R11 - 10 K, 1 W
R12-14--3.3 K, 1 W
R15--1 K, potenţiometru
R16--27Ω, 1 W
R17--4.7 K, 1 W
RFC1 - şoc RF, VK-200
T1 - Miez trafo, (A) BN-43-303.
T2 - Miez trafo, T-3/4.
U1 - IC, LM317T
Miscelanee

2 - TO-220 kit de montare

2 - TO-220 izolatoare mică
Circuitul imprimat, amplificator RF FARA
Circuitul imprimat al filtrului trece jos
(vezi fig. 3 pentru implantarea pieselor)
2 - 100 pF capacitor,500V
3 - 180 pF capacitor
3 - 330 pF capacitor
2 - 430 pF capacitor
1 - 560 pF capacitor
3 - 820 pF capacitor
3 - 1500 pF capacitor

Piesele Filtrului

1 - 2700 pF capacitor, 500 V

12 - 0.01 µF capacitor,
12 - Releu, 12 V dc, DPDT,
1 - Comutator, 1 circuit, 6 poziţii, Yaxley
8 - T-50-2
4 - T-50-6
Fir Cu de 0.8 mm

Circuitul imprimat, FARA LP Filter

Piesele carcasei

Cutia şasiu
Capacul şasiului
Radiator mare
4 - 2,5 mm diam. distanţiere hexagonale
9 - 2,5 mm şurub
4 - 2,5 mm şurub
6 - 2,5 mm izolator
9 - 2,5 mm şaibă
2 - 2,5 mm piuliţe
2 - 2,5 mm şurub
2 - 3 mm izolator
2 - suport BNC cu filet
Mufă mamă RCA, cu filet
Comutator basculant, SPDT
Mufă tată tip Jones, cu filet
2 pini, polarizat
Curentul continuu de la tranzistoarele finale este decuplat de filtrul PI
reprezentat prin primarul transformatorului de ieşire T2. Bobina poartă
un curent substanţial, de aceea trebuie înfăşurată cu sârmă groasă de
18 swg (1 mm) de preferat cu izolaţie de teflon. Orice interferenţă
internă duce la degradarea serioasă a performanţei amplificatorului.

Comutarea în emisie este realizată cu ajutorul releului K1. Secţiunea

PTT poate fi acţionată manual (legând-o la pământ), ori comandând-o
printr-un circuit RF de cuplare, eliminându-se astfel situaţia de a
comanda din exterior. Valoarea lui C12 (3.3uF) determină în SSB
constanta de timp a comutatorului acţionat prin RF. Modulul filtrului
trece jos utilizează perechi de relee pentru a selecta filtrul potrivit
frecvenţei de lucru alocate. S-au ales relee tocmai de a simplifica
comutarea semnalului RF şi de a reduce costurile de construcţie. Cele
şase filtre acoperă cele nouă benzi de amatori de la 1.8 la 30 MHz,
gamele de frecvenţă şi constantele circuitelor sunt menţionate în
diagrama schemei filtrului trece jos. Inelele pentru inductivităţi şi
conductorii necesari pot fi achiziţionate de la Amidon. Valorile LC sunt
identice cu cele recomandate de WA2EBY pentru amplificatorul RF
MOSFET publicat în manualul ARRL (The 2003 ARRL Handbook, pp 17.
91-17.97)

Filtrele nu sunt folosite dacă amplificatorul este în repaus ori dacă

funcţia de PTT nu este activată, ceea ce permite o recepţie HF
multibandă şi VHF moderată în cazul unui transceiver cu o plajă largă
de frecvenţe, cum e Yaesu FT-817. Nu există posibilitatea de a urmări
ALC, de aceea se recomandă precauţie pentru ca amplificatorul să nu
fie suprasolicitat.
Fig. 4--Raportul între puterea RF şi frecvenţa de lucru

Există un anumit număr de găuri care trebuiesc date prin masă şi

cele două suprafeţe lipite între ele. Acestea sunt menţionate pe
schemă. Se vor introduce prin găuri fire de cupru şi turtite în formă de
Z, apoi lipite de masă pe ambele părţi şi tăiate. Cele patru găuri de
prindere să fie potrivite la dimensiunile şuruburilor şi distanţierelor.
Piesele să fie lipite de placă în aer", iar capacităţile cât mai aproape de
statul de cupru. Insulele dreptunghiulare să fie dimensionate astfel
încât să poată fi prinse tranzistoarele şi dioda de pretensionare.
Placa amplificatorului RF
Imaginea amplificatorului complet este reprezentată prin fig. 6.
Se impune listarea unor sugestii referitoare la acesta. Bobina
secundarului T 2 să fie făcută şi lipită prima. Emitoarele celor două
2SC2312C trebuie montate la masă printr-un orificiu dreptunghiular. Se
recomandă îndoirea unei bucăţi de cupru în formă de U şi lipită de
ambele părţi ale masei.
9. Prepararea placilor
Idei de construcţie

Nu se vor da aici instrucţii de tip pas cu pas, doar câteva idei de

a înlesni procesul de asamblare. Plăcile imprimate sunt cele obişnuite,
ele nu sunt placate cu zinc. Deşi circuitele de la FAR Circuits sunt
placate, masa nu este legată între cele două părţi, aşa că aceste
legături trebuie făcute şi cositorite. Desene detaliate ale plăcilor
imprimate, schema de implantare a pieselor şi confecţionarea
bobinelor, a cutiei pot fi găsite pe site-ul www.arrl.org/files/qst-
binaries/fara-amp.zip. Saul K1BI, webmasterul FARA a realizat chiar şi o
pagină separată pentru acest proiect. Ea se poate găsi la adresa
www.falara.org/tektalk/tektalkfs.html. (în data de 11.10.2005 nu era
accesibilă) Circuitele neasamblate sunt prezentate în fig.5.
Prepararea plăcilor
Date fiind suprafeţele mari de cositorit acestea trebuie să fie
curate, altfel veţi avea dificultăţi la lipirea pieselor componente. Cele
mai bune sunt plăcile zincate, acestea pot fi mai uşor lipite. Placarea
cu soluţie de colofoniu necoroziv ne poate fi de ajutor. Nu folosiţi pastă
de lipit pentru că aceasta este corozivă. Controlaţi toate conectările să
eliminaţi lipirile reci. Calitatea acestor legături este crucială pentru
performanţele amplificatorului. Pe parcursul construcţiei soluţia de
colofoniu trebuie îndepărtat cu un diluant.

Există un anumit număr de găuri care trebuiesc date prin masă şi

cele două suprafeţe lipite între ele. Acestea sunt menţionate pe
schemă. Se vor introduce prin găuri fire de cupru şi turtite în formă de
Z, apoi lipite de masă pe ambele părţi şi tăiate. Cele patru găuri de
prindere să fie potrivite la dimensiunile şuruburilor şi distanţierelor.
Piesele să fie lipite de placă în aer", iar capacităţile cât mai aproape de
statul de cupru. Insulele dreptunghiulare să fie dimensionate astfel
încât să poată fi prinse tranzistoarele şi dioda de pretensionare.
Placa amplificatorului RF
Imaginea amplificatorului complet este reprezentată prin fig. 6.
Se impune listarea unor sugestii referitoare la acesta. Bobina
secundarului T 2 să fie făcută şi lipită prima. Emitoarele celor două
2SC2312C trebuie montate la masă printr-un orificiu dreptunghiular. Se
recomandă îndoirea unei bucăţi de cupru în formă de U şi lipită de
ambele părţi ale masei.
 Fig. 6

Acest artificiu reduce impedanţa spre masă. După aceea se vor

monta piesele de dimensiuni mai mici: rezistenţele, şi
condensatoarele. După acestea urmează diodele, iar releul rămâne
ultima. Nu montaţi D6, Q3 şi Q4 până placa nu este fixată definitiv în
carcasă şi orientată provizoriu spre radiator.
Placa filtrului trece jos
Aceasta este dublu foliată, partea de sus este masa, găurile
pieselor sunt lărgite. Filtrul este reprezentat în fig. 7. Este posibil ca
picioarele condensatoarelor să necesite ajustări uşor pentru a se
potrivi cu rasterul de pe placă. Se vor monta mai întâi piesele filtrului,
după care se vor implanta condensatoarele legate paralel şi firele de
legătură. Vezi în schemă valoarea pieselor aparţinând fiecărei game de
undă. Releele se vor monta ultimele. Nu încălziţi prea mult terminalele
releelor la lipire.

Fig. 7--Filtrul trece jos cu piesele plantate

Nu montaţi ansamblul LPF înainte de acordarea acesteia. Se

recomandă legarea acesteia de selectorul de bandă. Acesta se va
monta între cele două module după ce acestea au fost fixate definitiv
în şasiu, dar va fi destul de dificil.
Şasiul, faţada şi radiatorul
Modelele acestor părţi componente le găsiţi la pagina web
menţionată ceva mai sus. Faceţi o listare a acelor documente şi
decupaţi-le, apoi lipiţi-le pe cutia amplificatorului şi pe radiator. Este
important ca găurile să fie marcate exact, făcute cu un burghiu mic,
apoi măriţi orificiile la dimensiunile necesare. Inscripţionaţi faţada cu
litere de transfer existente la magazinele de specialitate. Aplicaţi mai
multe straturi subţiri de lac transparent pentru a proteja inscripţia.

Montaţi radiatorul şi părţile componente ale faţadei, in afară de

comutatorul de benzi. Montaţi amplificatorul folosind 4 şaibe de diam.
3 mm în cele 4 colţuri drept distanţiere între şasiu şi placa cu piese.
Montaţi distanţierele care fixează montajul. Montaţi D6 Q3 şi Q4
folosind foiţele de mică de tip TO-220 şi scule necesare pentru a izola
galvanic tranzistorul de şasiu. D6 nu trebuie izolată. Folosiţi bucăţi
scurte de RG 174 pentru legăturile RF în interiorul montajului.

Acordarea şi verificarea
Pentru că acest montaj este de tip bandă largă nu necesită
acordare, numai tensiunea de pretensionare trebuie fixată. În prima
fază de acord este nevoie de o sursă stabilizată de tensiune între 12-14
V. Se va folosi sarcină artificială în locul unei antene reale. Legaţi
bornele F in şi F out de pe placa RF. Acordaţi R15 (1 K) la minimul
valorii sale. Aplicaţi 12 V CC şi legaţi firul PTT la pământ (releu ar trebui
sa se aclanşeze). Aplicaţi scurt 1 W RF pe 14 MHz la intrare şi notaţi
puterea la ieşire. Rotiţi uşor trimerul R15 şi măriţi curentulpână
puterea de emisie creşte cu cca 15%. Măriţi puterea de intrare la 2 W
apoi notaţi valoarea puterii de ieşire (cca 25 W), apoi măriţi tensiunea
de lucru la 14.7 V CC, va trebui să măsuraţi cca 35 W putere emisă.

Deconectaţi tensiunea, indepărtaţi firele de legătură improvizate,

montaţi comutatorul de game, conectaţi şi activaţi placa filtrului trece
jos. Verificaţi dacă puterea emisă se încadrează în limitele prevăzute
de 1.8 - 29 MHz. O vedere de sus în interiorul carcasei amplificatorului
permite observarea plăcii cu filtrul RF este reprezentată în fig. 8.
10. Circuit integrat SA5209
 11. Comentarii finale

FCC a impus restricţii clare prvind amplificatoarele sub 30 MHz.

Înainte de a construi acest amplificator vă rog să consultaţi din nou
reglementările FCC aferente. Kiturile oferite spre vânzare, chiar şi
parţial finalizate care necesită mici completări ulterioare sunt interzise
de reglementările FCC. Durata de construcţie al acestui amplificator,
dacă toate părţile componente sunt la îndemână şi corect preparate
este de cca 4 ore. Lucrul în SSB rezultă că radiatorul se va încălzi
destul de puternic, iar răcirea în condiţii de emisie este mai mult ca
adecvată. Un asemenea proiect aduce mai multe satisfacţii dacă la el
participă şi alţii. Harry, W2RKB a asigurat îndemnarea necesară
pornirii. Astfel, el a realizat circuitele imprimate şi a calculat filtrele
pentru prototipurile amplificatorului. David Hosom a asistat
fotografiind. Mulţumiri cordiale le sunt prezentate. Acordă
amplificatorului FARA o posibilitate de încercare, este un proiect
practic oferind multe satisfacţii.

Placile pot fi facute atat prin metoda POSITIV 20 (spray

fotosensibil) si folie transparenta, cu expunere la soare (metoda
neanderthaliana), ori cu o lampa cu aburi de mercur, al carei glob
protector a fost indepartat. expunerea este de cca 8 minute de la 30
cm distanta. Sau daca nu se doreste aceasta varianta, se poate
transpune imaginea doc cu imprimanta laser pe o hartie de tipografie,
gen glossy, multistrat, cu folie de plastic. Sa fie o listare perfecta, nu se
admite economisirea de toner. Dupa aceea iaginea se pune cu fata in
jos, se calca cu fierul incins pe placa preparata corespunzator.
Cuvantul cheie este rabdarea, pentru ca fierul trebuie umblat cu grija
pe toata suprafata placii, sa se lipeasca bine tonerul pe placa. Cam 4-5
minute se fac miscari de rotatie, rectilinii pe hartie, dupa care se lasa
sa se raceasca placa, se pune in apa cu Pur sa se desprinda hartia. Se
mai ajuta cu degetele. Cu altceva nu se admite pentru ca vopseaua
toner transpusa este rigida si se desprinde. Se pune placa in solutie de
clorura ferica sau acid clorhidric ori hiperoxid. Hartia foto nu este buna
deoarece tonerul intra in textura hartiei si atunci nu se poate
transpune cu fierul de calcat. Hartia press and peel este scumpa.
Secretul consta in faptul ca hartia cea buna are pe ambele fete un strat
subtire de plastic care nu permite penetrarea tonerului in textura. Deci
eu folosesc aceasta metoda cu succes pentru diverse cablaje cu trasee
mai groase, desigur, folosind hartie de tip "mûnyomó papír" care costa
cca 1,5 lei coala A4 in Ungaria, de unde o cumpar ocazional din
papetarie.

BIBLIOGRAFIE
www.nxp.com
http://www.electronics-lab.com
http://www.radioamator.ro
Cojoc Dumitru, Receptoare de frecvenţă foarte înaltă, Editura Militară, Bucureşti, 1987;
Bălan Constantin, Tehnica transmisiunilor radio - partea a Il-a, Editura Academia Militară, Bucureşti
1988;
Cojoc Dumitru, Instalaţii de recepţie (proiectare), Editura Academia Militară, Bucureşti, 1970.