Generalități referitoare la amplificatoare

Un amplificator este un circuit capabil sa mareasca amplitudinea semnalului aplicat la

intrarea sa. Un amplificator bun trebuie sa fie liniar, în sensul ca trebuie sa amplifice toate
formele de unda prezente la intrare în acelasi mod, adica sa multiplice amplitudinea fiecareia
cu un numar constant, care reprezinta câstigul amplificatorului. Unui amplificator i se spune
de tensiune daca amplifica tensiunea; de curent daca amplifica curentul, sau de putere daca
amplifica puterea.

Clasificarea amplificatoarelor

Clasificarea amplificatoarelor se poate face dupa mai multe criterii:

a) Dupa frecventa semnalelor, amplificatoarele pot fi împartite în: amplificatoare decurent
continuu (c.c.) si amplificatoare de curent alternativ (c.a.)
b) Amplificatoarele de curent continuu amplifica semnale având o variatie arbitrara si oricât
de lenta, dar pot sa lucreze si cu semnale de curent alternativ de joasa frecventa.
c) Amplificatoarele de curent alternativ au în structura cuplaje care nu permit trecerea
componentelor de c.c. Se clasifica dupa domeniul frecventelor semnalelor în:
 amplificatoare de audiofrecventa cu banda cuprinsa între zeci de Hz si zeci de KHz;
sunt considerate ca amplificatoare de joasa frecventa;
 amplificatoare de videofrecventa cu banda de la aproximativ 20 Hz la 30 MHz;
 amplificatoare de radiofrecventa care sunt destinate amplificarii semnalelor cu
frecvente mai mari de 100 KHz.
Daca se tine cont de latimea benzii de frecventa, amplificatoarele de c.a. se împart în:
- amplificatoare de banda îngusta;
- amplificatoare de banda larga.
b) Dupa natura sarcinii cuplata la iesirea amplificatorului, amplificatoarele
sunt:aperiodice care au sarcini neselective (amplificatoare de audiofrecventa si
videofrecventa) si selective (acordate) la care banda îngusta se obtine pe seama raspunsului
circuitului rezonant.
c) Dupa natura marimii amplificate, amplificatoarele se împart în: amplificatoare de
tensiune, de curent si de putere.
d) Dupa nivelul semnalului, amplificatoarele se impart în:
- amplificatoare de semnal mic caracterizate printr-o dependenta liniara a semnalului de
iesire de semnalul de intrare, încât pentru analiza lor pot fi utilizate modele liniare pentru
dispozitivele electronice, modele ce considera parametri constanti cu valori determinate în
punctul static de functionare;
-- amplificatoare de semnal mare caracterizate printr-o dependenta neliniara a semnalului de
iesire, de semnalul de intrare.
e) Dupa clasa de functionare, amplificatoarele se împart în: amplificatoare în
clasa A, B, AB, C. Clasele de functionare sunt de fapt, regimuri de lucru ale amplificatoarelor
ce depind de pozitia punctului static de functionare si de amplitudinea semnalului.

- Functionarea în clasa A se caracterizeaza prin θ = 180o. Punctul M0 se plaseaza, prin

alegerea polarizariiVBE, pe caracteristica în portiunea centrala liniara, iar semnalul trebuie sa
aiba o amplitudine relativ mica. Clasa Ase distinge prin coeficient de distorsiuni
neliniare d redus, dar si printr-un randament η redus. Prin sarcina circula curentul chiar si în
lipsa semnalului. Este specifica functionarii tranzistorului bipolar în etaje audiofrecventa de
semnal mic.

- Functionarea în clasa AB se caracterizeaza printr-un unghi θ cuprins între 90o si

180o. Se trece din clasa Aîn clasa AB daca se mareste semnalul sau/si se deplaseaza
punctul M0 catre cotul caracteristicii.

Ca urmare se mareste η dar si d. Tranzistoarele din etajele de audiofrecventa ca si cele de

radiofrecventa de semnal mare simetrice (unde raspunsul nu contine practic armonici pare)
functioneaza de regula în aceasta clasa.

Fig. 1. Relatiile grafice semnal-raspuns corespunzatoare celor patru clase de funcționare

 - Functionarea în clasa B se obtine când M0 se plaseaza chiar în cotul caracteristicii de
transfer, deci cândVBE = VBE(on).

Rezulta θ = 90o.

- Functionarea în clasa C se caracterizeaza prin θ < 90o si implica VBE < VBE(on).

Amplificatoarele de radiofrecvență
Intervalul de frecvenţe între sute de kHz şi 100MHz se mai numeş te şi domeniul de
RadioFrecvenţă (RF). Peste 100MHz începe domeniul Frecvenţelor Foarte Înalte (FFÎ).
Rezultă că locul Amplificatorului de RadioFrecvenţă de Putere (AFRP) este de regulă după
oscilator şi poate fi urmat de etaje de multiplicare a frecvenţei (figura 2).
ARFP amplifică oscilaţia de frecvenţă f0 prin
A
Oscilator conversia energiei absorbită de la o sursă de
(f0) ARFP n·f0
alimentare în energie a oscilaţiei.
Fig. 2 Faţă de alte amplificatoare, ARFP au unele
particularităţi:
 Elementele active lucrează în clasa C, cu unghiul de tăiere θ < π2 (semiunghiul de
conducţie);

 Curenţii (de RF) prin elementul activ sunt mari, de ordinul A, până la zeci de A.

 Circuitele de sarcină ale elementului activ sunt sisteme oscilante cu elemente reactive
(fără rezistenţe), ce lucrează la energii mari;
 Se urmăreşte maximizarea randamentului (scopul fiind amplificarea în putere, AP ),

Raportul semnal/zgomot nu este atât de important, precum la receptoare.

SCHEMA GENERALĂ

Zi Ui
Uex ntr
Cp Ui Za Circuit
U
ex0 Element eş Uad d de Zs
Ep activ
Ca adaptare
Ea
 Fig. 3
Schema bloc a unui AFRP

În figura 3 se prezintă o structură posibilă a unui ARFP, în care:

 Ep – sursa de polarizare (obligatorie la tuburi, poate lipsi la tranzistoare);
 Uex0 , Zi - sursa de excitaţie, cu impedanţa ei internă;
 Rezultă că semnalul de intrare are atât o componentă continuă (dată de Ep), cât şi una
alternativă, dată de Uex0 .
 Ea – sursa de alimentare;
 Cp, Ca – condensatoare de cuplaj (asigură închiderea circuitelor de intrare/ieşire d.p.d.v.
alternativ);
 La ieşire de obicei există un circuit de adaptare cu sarcina ZS.

Un amplificator de radiofrecvență de nivel mare (amplificator de radiofrecvență de putere-

ARFP) este caracterizat de patru parametrii importanți:
 Puterea continuă (Pa) aplicată la amplificator. Aceasta este puterea furnizată montajului de
către sursa de alimentare (puterea absorbită);
 Puterea utilă (Pu) debitată de amplificator pe sarcina Rs. Această putere este măsurată, în
general, în regim sinusoidal;
 Puterea de intrare (Pi) alternativă, aplicată la intrarea amplificatorului. Ea este întotdeauna
mai mică decât Pu;
 Puterea disipată (Pd) sub formă de căldură și radiații de către amplificatory.

Figura 4

Aceste patru mărimi sunt legate prin relația (conservarea puterilor) :

Pa + Pi = Pu + Pd,

Iar raportul Pu/Pi este egal cu câștigul G în putere al amplificatorului. La frecvențe joase
câștigul G este suficient de mare, astfel încât, în relația precedentă, se poate neglija Pi. La
frecvențe mari, câștigul unui etaj de amplificare de nivel mare este mult mai scăzut, fapt pentru
care este necesar să ținem cont de Pi în bilanțul puterilor (la frecvențe foarte mari, G poate fi de
ordinul a 6 – 10 dB).

Există două caracteristici importante ale unui etaj de amplificare de putere:

 Liniaritatea, care se caracterizează prin faptul că semnalul debitat pe sarcina Rs trebuie să

reproducă cât mai fidel posibil semnalul de intrare;
 Randamentul notat cu ῃ = Pu/Pa trebuie să fie cât mai mare posibil (limita teoretică fiind
1).

Cerința privind obținerea unei liniarități bune este, în general, în contradicție cu cea privind
obținerea unui randament ridicat și, ca urmare, natura semnalului amplificat va privilegia una sau
alta dintre caracteristici.

De exemplu, într-un emițător TV, cerința principală este liniaritatea; pentru un astfel de
semnal de spectru foarte larg, neliniaritățile degradează sensibil calitatea imaginilor transmise,
astfel că, etajele de nivel mare prezintă un randament de ordinul a 30 – 40%. În schimb, în
radiofuziunea cu modulație de frecvență, unde semnalul este de amplitudine constantă, se poate
optimiza randamentul etajelor de nivel mare.

Printre alte caracteristici ale unui ARFP mai putem enumera:

 Gama frecvențelor de lucru: 𝑓𝑚𝑖𝑛 : 𝑓𝑚𝑎𝑥 ;

 Lărgimea de bandă
1. ARFP selective sau de bandă îngustă
2. Arfp de bandă largă
 Atenuarea armonicilor frecvenței purtătoare;
 Impedanța de intrare
 Impedanța de sarcină

Amplificatoarele de putere de radiofrecventa se realizeaza în diferite configuratii, alegerea

schemei este determinata de puterea pe care trebuie sa o debiteze. Din punctul de vedere al clasei
de amplificare, aceasta, este determinata de asemenea de puterea pe care o livreaza amplificatorul
respectiv. La puteri mici se functioneaza în clasa A, iar la puteri de peste 20 w este preferata
clasa AB. Gama de puteri care se obtine de la amplificatoarele de radiofrecventa este foarte larga,
pornind de la ordinul watilor pâna la câteva sute de wati sau chiar depaseste 1 kW. De remarcat,
ca puterile mari sunt obtinute prin însumari succesive a perechilor de tranzistoare.
Tranzistoarele utilizate sunt fie de tip bipolar sau în tehnologie MOSFET, simple sau duble.
Pentru disiparea temperaturii degajate de tranzistoare, se foloseste radiatia prin convectie de catre
radiatoare, sau racirea fortata cu aer cu o anumita presiune si debit, sau în unele cazuri racirea se
face cu apa. Unii producatori utilizeaza si racirea mixta, aer + apa.
Ideile de baza pentru realizarea unui amplificator de radiofrecventa constau în:

 alegerea unui tranzistor care sa raspunda cerintelor referitoare la puterea pe care trebuie sa
o debiteze într-un domeniu de frecventa impus;
  adaptarea impedantei de intrare si de iesire a tranzistorului la etajul precedent respectiv la
impedanta sarcinii;
 polarizarea tranzistorului corespunzator recomandarilor din datele de catalog.

TRANZISTORUL MOSFET DE PUTERE

În realizarea acestui proiect am ales sa utilizez tranzistoare în tehnologie MOSFET.

Din multitudinea tranzistoarelor utilizând tehnologia MOS (metal- oxid-semiconductor) şi

efectul de câmp ( FET), în electronica de putere se utilizează cele cu canal indus. Faţă de
semiconductoarele de putere prezentate anterior tranzistorul MOSFET cu canal indus se
caracterizează prin două diferenţe esenţiale:

• crearea canalului de conducţie prin câmp electric, deci printr-o comandă în tensiune de putere
redusă;
• asigurarea conducţiei în canal prin purtători de tip minoritar.
Exemplificarea acestor diferenţe este prezentată prin structura simplificată din fig. 5. Structura
este formată din corpul p, cu o dopare de 1017/cm3, în care se realizează două incluziuni n1+ şi n2+,
înalt dopate, 1019/cm3, numite dren (D) şi sursă (S).Al treilea electrod, poarta G, este conectat la
corpul p printr-un strat izolant de oxid de
siliciu (SiO2). Dacă se polarizează pozitiv
SiO2
poarta G în raport cu sursa S, în corpul p
se creează un câmp electric pozitiv, care
va atrage în zona porţii purtători
minoritari din p, electronii. Densitatea de
purtători atraşi va depinde evident de
intensitatea câmpului electric creat.
Sarcina realizată în acest mod formează
Fig. 5 Principiu de realizare a unui MOSFET cu aşa numitul canal ”n” indus. Dacă, în
canal
indus n. continuare, se polarizează pozitiv drenul
D în raport cu sursa S, electronii din
stratul n2+ vor fi împinşi din stratul n2+ şi atraşi de stratul n1+, formând un curent electric, care se
închide prin canalul realizat în corp. Densitatea electronilor din canalul indus, fiind controlată de
intensitatea câmpului electric produs de poartă, determină conductivitatea canalului, deci
intensitatea curentului electric care se închide, în sens tehnic, de la dren la sursă. Având în vedere
cele prezentate mai sus rezultă deosebirile funcţionale:
• cădere mai mare de tensiune dren-sursă, ca urmare a densităţii reduse a purtătorilor de sarcină
din canal;
• un timp de ieşire din conducţie, tOFF , redus;
• comanda pe poartă în tensiune.

STRUCTURĂ. POLARIZARE
O structură reală a unui MOSFET de putere cu canal indus n este prezentată în fig. 6.
Faţă de structura de principiu din fig. 5, apar unele diferenţe:
• prezenţa stratului sărac, n-, cu o dopare de 1014 – 1015/cm3;
• realizarea întreţesută a ansamblului corp-sursă, respectiv poartă-sursă, în scopul asigurării
unei cât mai bune pătrunderi a câmpului electric în corp;
• realizarea de structuri de felul celei din fig. 6, cu secţiune transversală redusă şi conectarea, în
acelaşi cip şi pentru curenţi mari, a mai multor asemenea structuri în paralel, prin intermediul
metalizărilor.
 Structura de tip cu canal indus ”p”, care se realizează mai rar, are aceeaşi construcţie,
fiind inversate doar tipurile straturilor, structura între dren şi sursă fiind p1+ p-, n, p2+ .

Structura complicată a tranzistorului

MOSFET de putere introduce o serie de efecte
parazite. Cele mai notabile sunt capacităţile
parazite din joncţiuni, fig.6 :
• capacitatea dren-sursă, CDS;
• capacitatea poartă-sursă, CGS;
• capacitatea poartă-dren CGD .
De asemenea ansamblu n- p n2+
formează un tranzistor bipolar pnp parazit, iar
pn-o diodă parazită, care au influenţe în
regimurile de funcţionare ale tranzistorului. În
fig.1.77 sunt prezentate simbolurile uzuale
pentru tranzistor cu canal n şi cu canal p.
Polarizarea directă a tranzistorului înseamnă, pentru tranzistorul cu canal n, polaritatea
plus pe dren. Joncţiunea polarizată
invers este J1, n- p, tensiunea depinzând de grosimea
Fig. 6 Structura unui MOSFET cu canal n indus.
stratului n-. Se realizează în mod obişnuit tranzistoare
cu tensiuni până la 1000V. Polarizarea inversă, minus pe dren, va fi susţinută de joncţiunea J2 ,
n2+ p, fiind de ordinul a 10 … 20V. Concluzia constă în aceea că tranzistorul MOSFET poate
lucra numai cu alimentare în c.c. şi polarizare directă. Tranzistoarele cu canal p au o funcţionare
identică, polarizările fiind de sens opus în raport cu cele de la tranzistorul cu canal n.

Particularități privind folosirea tranzistoarelor MOSFET într-un ARFP

 Spre deosebire de tranzistoarele bipolare, unde controlul curentului de ieşire se face prin
injecţia unui curent, la tranzistoarele cu efect de cîmp (FET în lb. engleză) controlul
curentului de ieşire se face prin intermediul unui cîmp electric. Curentul controlat
circulă printr-un canal între drenă şi sursă.
 Cîmpul electric este produs prin aplicarea unei tensiuni între terminalul porţii (gate) şi
sursă; avantajul esenţial al tranzistoarelor cu efect de cîmp este că au curentul de poartă
cu mult mai mic decît curentul de bază de la tranzistoarele bipolare.
 La tranzistoarele cu poartă joncţiune, între poartă şi canal există o joncţiune
semiconductoare invers polarizată; curentul de poartă este de ordinul nanoamperilor.
 Tranzistoarele de tip metal oxid semiconductor (MOSFET) au poarta izolată cu un strat
foarte subţire de dioxid de siliciu; curentul lor de poartă este extrem de mic, ajungînd la
picoamperi.
 Tranzistoarele cu efect de cîmp pot fi construite cu canal iniţial (depletion mode) sau cu
canal indus (enhancement mode); pe de altă parte, canalul poate fi de tip n sau de tip p.
 Tranzistoarele JFET se pot construi numai cu canal iniţial, iar majoritatea tranzistoarelor
 MOSFET au canal indus.
 La tranzistoarele MOSFET cu canal n (NMOS), substratul trebuie legat la cel mai
coborît potenţial din circuit pentru ca joncţiunea între el şi substratul de tip n să fie
întodeauna invers polarizată.
 Pentru apariţia canalului conductor între drenă şi sursă, tensiunea poartă sursă trebuie să
depăşească o anumită valoare, numită tensiune de prag VT .
 Tranzistoarele cu efect de cîmp au transconductanţa cu 1-2 ordine de mărime mai mică
decît a celor bipolare.
 Caracteristicile de ieşire ID = f (VDS ) VGS =const. prezintă două regiuni distincte: la valori
mici ale tensiuii VDS tranzistorul se comportă ca un rezistor ohmic cu rezistenţa
controlată de tensiunea poartă-sursă iar la tensiuni VDS mari tranzistorul se comportă ca
o sursă de curent controlată de tensiunea poartă-sursă.
 Frontiera între cele două regiuni se găseşte aproximativ la VDS = VGS - VT .
 În regiunea de rezistor controlat, rezistenţa variază invers proporţional cu comanda porţii
 VGS VT .
 La aceeaşi tensiune de poartă, rezistenţa din regiunea de rezistor controlat este inversul
transconductanţei din regiunea de sursă de curent.
 Datorită regiunii de rezistor, tranzistoarele MOSFET se pot utiliza ca şi comutatoare
analogice; prin cuplarea a două tranzistoare complementare (NMOS şi PMOS) se
realizează un comutator analogic performant (CMOS) care este disponibil ca circuit
integrat.
 Putînd fi operate la tensiuni de ordinul a 1000 V şi curenţi de zeci de amperi,
tranzistoarele MOS de putere oferă rezistenţe RDS on de cîţiva m ; ele sunt utilizate ca şi
comutatoare de curenţi mari sau în amplificatoare de putere.
 Viteza de operare a comutatoarelor este limitată de capacităţile parazite ale
tranzistoarelor.
 capacitatea legată între intrarea şi ieşirea unui amplificator de tensiune, cu amplificarea
AV negativă, este văzută dinspre intrare ca fiind multiplicată cu (1 - AV ); acesta este
efectul Miller.