Sunteți pe pagina 1din 6

OSCILATOR RC - EXEMPLU DE PROIECTARE

Presupunem ca se doreste obtinerea unui oscilator RC cu urmatoarele caracteristici Frecventa de oscilatie reglabila, fo intre 2-5KHz; Sarcina la iesire RL: 1; Control automat al amplitudinii de oscilatie cu termistor; Amplitudinea de oscilatie Vo: 2.4V. 1. Schema bloc a circuitului

Fig. 1 Schema bloc a oscilatorului Se pot identifica urmatoarele blocuri componente: - Amplificatorul de baza; Reteaua Wien (R1, R2,C). Relatia de dimensionare pentru aceasta este: f osc = 1/(2RC). Elementele acestei retele se vor alege astfel incat sa fie acoperita gama de frecvente indicata indiferent de tolerantele componentelor. (Atentie R2 este un potentiometru dublu pentru a permite reglajul simultan al bratelor puntii; se poate folosi ca elemnt de reglaj si un condensator dublu C pentru temele cu frecvente relativ mari). - Reteaua de reactie negativa R3, R4. - Rezistenta de sarcina RL.

2.. Proiectarea amplificatorului O implementare posibila (cu dispozitive discrete) a amplificatorului este prezentata in Fig. 2. Acest circuit are o retea de reactie negativa Serie-Paralel, amplificare mare in bucla deschisa, impedanta de intrare foarte mare, impedanta de iesire foarte mica.

Fig. 2 - Schema electrica a amplificatorului cu reactie negativa. 2.1. Detalii de proiectare Tranzistoarele din etajul diferential de intrare Q1,2 vor functiona in mod simetric la un curent mai mic decat IDSS / 2 (Q1, Q2, Q3 se aleg de tip BF256 cu parametri de catalog IDSS=610mA, VT = -1-3V, VDSmax = 30V) pentru a putea permite maximum excursiei asimetrice in curent intre tranzistoare. Suma curentilor de drena ai Q1,2 este:

I D1 + I D 2 = I D 3
Curentul ID3 este dat de ecuatiiile:

(9)

I D3 =
I D3

VGS 3 R7
2

(10)

si

V = I DSS 3 1 GS 3 VT

(11)

Presupunind pentru parametri IDSS, VT valorile tipice: IDSS = 8mA respectiv VT = -2V rezulta ID3 = 2mA. In cazurile cele mai defavorabile avem:

(IDSS=6mA, VT=-3V) ID3 1.6mA (IDSS=10mA, VT=-1V) ID3 2.8mA deci intotdeuna tranzistoarele de intrare Q1,2 vor functiona la un curent static de drena mai mic decat IDSS /2. Curentul prin Q1 este dat de relatia:

I D1 =

VBE 4 R2

(12)

Alegem Q4 de tip BC 177 (pnp de mica putere) la care, conform curbelor de catalog, VBE = 0.50.7V pentu IC = 10mA (la t = 25C). Tinanad sema de toleranta lui R2 (5%) putem determina: ID1min=0.8mA; ID1max=1.2mA Intotdeauna avem un curent diferit de 0 prin Q2. Curentul prin Q4 IDSS5 (BF256, IDSS5= 610mA) Compensarea functionarii nesimetrice a Q1, Q2 se va face prin R1. Alegem R1=1K (20%) deoarece in cel mai defavorabil caz (R1min, ID3min) se poate compensa o tensiune de 1.12V (mai mare decat diferenta (VGS1- VGS2)max=0.8V. Dioda D asigura functionarea Q1, Q2 la aproximativ aceeasi tensiune VDS. Curentul static prin Q6, Q7 va fi ales suficient de mare astfel incat sa avem un stabil pentru tranzistoare iar curentul de baza al tranzistoarelor finale sa fie neglijabiliar in raport cu acesta. Ciruitul superdioda format din Q8, R6, R4 are rolul compensarii neliniaritatilor la comutarea de pe untranzistor final pe celalalt, si al fixarii curentului de mers in gol pentru etajul final. Tensiunea VCE8 este data de formula:

VCE 8 = VBE 8

R4 + R6 ' R6

Unde R 6 este rezstenta din bratul lui R6 de langa R4, plus R4. Alegem Q8 de tipul BC107 (npn de mica putere) la care, conform curbelor de catalog, VBE = 0.50.7V pentu IC = 10mA (la t = 25C). Tinand sema de tolerantele componentelor VCE8 ser poate regla in intervalul 0.5- 4.8. Q8 se va monta pe acelasi radiator cu tranzistoarele finale pentru ca superdioda sa copieze driftul termic al acestora si curentul de mers in gol al \etajului final sa nu se modifice. Etajul final in clasa AB. Tranzitorul final NPN este un Darlington (Q11, Q12) si va suporta in cel mai defavorabil caz 2.4A sau o tensiune CE de circa 14V. Alegem Q11 BC107 (>100, VCBO=25V, ICmax=100mA) si Q12 BD433 (Pmax=36W, VCBO=22V, ICmax=4A, 85<<150). Tranzistorul echivalent are >8500 deci la curentul maxim Ib<0.2mA, deci neglijabil in raport cu IC6. Tranzistoarele au ambele tensiuni de strapungere superioare celor ce pot aparea in montaj deci problema strapungerii nu se pune. Curentul maxim suportat de Q11 este 28mA < ICmax. Puterea

disipata de tranzistorul echivalent este aproape in intregime localizata la nivelul Q12 si in cel mai defavorabil caz este circa din puterea in sarcina (5.6W) si in concluzie acest tranzistor nu se poate distruge. Tranzitorul final PNP este o configuratie Super G (Q13, Q14) si va suporta in cel mai defavorabil caz 2.4A sau o tensiune CE de circa 14V. . Alegem Q13 BC177 (>100, VCBO=25V, ICmax=100mA) si Q14 BD434 (Pmax=36W, VCBO=22V, ICmax=4A, 85<<150). Tranzistorul echivalent are >8500 deci la curentul maxim Ib<0.2mA, deci neglijabil in raport cu IC6. Se vor face restul verificarilor identic ca pentru celalat tranzistor. Rezistentele R13, R14 (1K) se aleg ai. Sa forteze curent prin tranzistoarele de mica putere si atunci cand curentul prin tranzistorul echivalent este mic (pentru a evita scaderea lui odata cu cresterea sarcinii). In acelasi timp ele evita amplificarea curentilor reziduli ai Q13, Q11 prin finalii de putere. Tinana sema de tolerantele tensiunii VBE si ale rezistentelor R13, R14 (+/-20%) rezulta curentii minimi pentru perioadele de conductie de la care se dechid finalii de putere si anume 0.5V/1.2K=0.4mA. Circuitul de protectie pentru tranzistorul final NPN va limita curentul de baza al acestuia la depasirea limitei de 2.5A. Pentru sistemul de protectie (cu limitare) ales este necesar ca in caz de suprasarcina pe R11 sa cada o tensiune mai mare de 0.8V necesara deschiderii lui Q9 (uzual un NPN de mica putere). Alegem Q9 BC107 la care, conform curbelor de catalog, VBEon = 0.50.7V. Pentru siguranta deschiderii lui Q9 alegem R11 0.68 (20%). La o suprasarcina de 2.5A la bornele ei vor apare in cel mai defavorabil caz 1.3V. Aceasta tensiune va fi preluata de divizorul rezistiv R9 care se va calibra in functie de parametrii concreti ai Q9. In mod identic rezulta sistemul de protectie al PNP final. Curentul de mers in gol al etajului se regeleaza din tensiune VCE8, deoarece VCE8= VBE11+ VBE12+(R11+R12) Igol+VEB13. Acest curent (Igol) se alege la circa 1/20 din curentul maxim (in acest caz aproximativ 0.12A). Rezulta ca vaem nevoie in cel mai defavorabil caz (toate VBE sunt maxime iar toleranta rezistentelor este +20%) de o tensiune de circa 4.8V, tensiune ce se poate obtine din reglajul R6. 2.2. Proiectarea retelei de reactie negativa Amplificarea in bucla inchisa a etajului este data de formula Av = (R1+Rt)/R1. Pentru acest tip de oscilator (vezi Curs DCE II), in regim permanent, Av=3 si deci, Rt/R1 = 2. Pentru stabilizarea amplitudinii de oscilatie, una din rezistentele retelei de reactie negativa trebuie sa fie neliniara. Astfel, pe schema din fig. 2, rezistenta Rt este un termistor cu coeficient negativ de temperatura la care rezistenta scade cu cresterea tensiunii aplicate. Astfel, daca tensiunea la iesirea generatorului tinde sa creasca, termistorul se incalzeste si rezistenta lui scade aducand cu sine scaderea valorii amplificarii Av sub valoarea de regim permanent.
4

Tensiunea efectiva pe termistor se determina cu relatia:

2^ 1 2 ^ Vt = V o = V o 3 3 2
unde V0 este amplitudinea tensiunii la iesire, in cazul acesta 2.4V. Rezulta pentru Vt valoarea aproximativa de 1.1V. Pentru un termistor NTC Philips 6343 de pe caracteristica Vt = f(It) (vezi DCE - Culegere de probleme de proiectare, A. Rusu, s.a. Litografia UPB, 1991/ pag. 81) se determina It de aproximativ 4mA, rezultand valoarea rezistentei nominale Rt = 1.1/4mA = 282 ohmi. Din relatia Rt/R1 = 2 rezulta valoarea nominala a rezistentei R1, 141 ohmi. Pentru asigurarea posibilitatii de ajustare a amplitudinii tensiunii de iesire, R1 va fi un potentiometru de valoare 500 ohmi. Deoarece rezistenta la temperatura ambianta a termistorului este Rt0 = 4.7 k rezulta la pornire Av > 3 (conditie necesara pentru pornirea oscilatorului). OBS. In final se va verifica prin calcul (pentru valorile nominale din schema) functionarea in RAN a tuturor componentelor active (la etajul final pot apare situatii de blocare (clasa B de functionare)). Se va studia circuitul in regim dinamic pentru functionarea pe una din alternantele tensiunii de intrare (se va lua in calcul numai unul din tranzistorii finali, celalalt este blocat). Pe schema de regim dinamic se va determina av (obligatoriu >10.000), Ri, R0. Valorile obtinute vor satisface obligatoriu datele de proiectare. Stabilizatoarele de tensiune ce vor alimenta montajul vor ingloba circuitul specializat BA723 cu tranzistoare regulatoare externe (se poate folosi schema din fig.3 pag83 a catalogului de circuite integrate analogice produs de IPRS). Sursele pozitiva si negativa de tensiune se vor dimensiona pentru un curent maxim de 3A.

CONTINUTUL MINIM AL PROIECTULUI 1. Schema bloc a circuitului. 2. Schema electrica de detaliu si calculele de dimensionare pentru fiecare din blocurile componente ale schemei. Se vor prezenta schemele electrice (cu elementele numerotate si valorile sau tipul componentelor). Pentru fiecare componenta va fi justificata alegerea valorii (sau tipului) pe baza relatiilor de dimensionare disponibile.

Componentele pasive vor avea valori STANDARD (se va preciza si tipul constructiv al componentei de exemplu, pentru rezistoare, RBC, RPM, etc.). Dispozitivele semiconductoare vor fi de catalog.

Pentru TOATE componentele se demonstreaza prin calcul functionarea sigura (nedistructiva). De exemplu, pentru orice tranzistor bipolar se va arata ca nu se depasesc valorile maxime admisibile: ICMAX, VCEMAX, PdMAX, etc. .

De asemenea se va demonstra prin calcul atingerea parametrilor functionali impusi in tema de proiectare.

OPTIONAL (dar recomandat) 3. Simularile PSPICE (fisierele .CIR, forme de unda, puncte statice de functionare, etc.)